JPS5943868A - 蒸着方法 - Google Patents
蒸着方法Info
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- JPS5943868A JPS5943868A JP57154238A JP15423882A JPS5943868A JP S5943868 A JPS5943868 A JP S5943868A JP 57154238 A JP57154238 A JP 57154238A JP 15423882 A JP15423882 A JP 15423882A JP S5943868 A JPS5943868 A JP S5943868A
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- Japan
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- alloy
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は蒸着方法に関し、例えば電子写真又は光電変換
素子等の感光体膜を作成するのに好適な蒸着方法に関す
るものである。
素子等の感光体膜を作成するのに好適な蒸着方法に関す
るものである。
従来、電子写真用の感光体として、セレンにテルルを添
加したセレン−テルル合金（Ｓｅ−Ｔｅ）からなる感光
体が知られている。 このＳｅ −Ｔｅ感光体はテルル
の含有によって特に長波長域での感度に優れたものとな
る。 こうした感光体には、テルル濃度が比較的高くて
ほぼ一定の領域（例えば電荷発生層二以下、ＣＧＬと略
す。）を具（！ｆｉｔせしめることが必要な場合がある
。 即ち、そうしだテルル濃度プロファイルによって、
光感度の向上したものが得られるからである。
加したセレン−テルル合金（Ｓｅ−Ｔｅ）からなる感光
体が知られている。 このＳｅ −Ｔｅ感光体はテルル
の含有によって特に長波長域での感度に優れたものとな
る。 こうした感光体には、テルル濃度が比較的高くて
ほぼ一定の領域（例えば電荷発生層二以下、ＣＧＬと略
す。）を具（！ｆｉｔせしめることが必要な場合がある
。 即ち、そうしだテルル濃度プロファイルによって、
光感度の向上したものが得られるからである。
しかし、蒸発材料を１つの容器（ボート）中に収容して
蒸着する第１図の方法によれば、ボート１中の蒸発材料
を加熱、溶融せしめて蒸発させるが、このとき合金融液
８の表面域での中心部の温度をＴＨ，容器（ボート）１
の内壁面側での融液温度をＴＬとすれば、ＴＬ＜ＴＨで
あれば融液８が矢印１４で示す如くに対流（表面張力の
差に依る対流）が生じてしまう。 この結果、蒸気組成
が不安定となシ、得られる蒸着膜（感光層）の特性にば
らつきが生じるので不適当である。
蒸着する第１図の方法によれば、ボート１中の蒸発材料
を加熱、溶融せしめて蒸発させるが、このとき合金融液
８の表面域での中心部の温度をＴＨ，容器（ボート）１
の内壁面側での融液温度をＴＬとすれば、ＴＬ＜ＴＨで
あれば融液８が矢印１４で示す如くに対流（表面張力の
差に依る対流）が生じてしまう。 この結果、蒸気組成
が不安定となシ、得られる蒸着膜（感光層）の特性にば
らつきが生じるので不適当である。
テルル濃度を一定にするために、既に各種の方法が提案
されているが、いずれも満足すべきものとは言えない。
されているが、いずれも満足すべきものとは言えない。
例えば、蒸発材料を大量に仕込み、表面側の薄い溶融
層の表面から部分蒸発させる方法があるが、これでは蒸
発率が小さくて、一定の膜厚の蒸着膜を得るのに大量の
原料を使用せざるを得す、蒸発源のサイズが犬きくなシ
、かつコスト高ともなる。 また、別々に・配した異種
材料を複数の蒸発源から各蒸気を生せしめ、これらを蒸
気相で混合する方法では、蒸気の混合を充分に行なえず
、しかも混合の不均一さによって得られた蒸着膜に濃度
ムラが生じ易い。 更に、合金ワイヤを蒸発用ブロック
を介して溶融、蒸発させるフラッシュ蒸発法もあるが、
５μｍ以上の膜を蒸着するときに蒸発が不安定となシ、
かつチャンバー内に各種部材を配置せねばならず、構造
が複雑化する。
層の表面から部分蒸発させる方法があるが、これでは蒸
発率が小さくて、一定の膜厚の蒸着膜を得るのに大量の
原料を使用せざるを得す、蒸発源のサイズが犬きくなシ
、かつコスト高ともなる。 また、別々に・配した異種
材料を複数の蒸発源から各蒸気を生せしめ、これらを蒸
気相で混合する方法では、蒸気の混合を充分に行なえず
、しかも混合の不均一さによって得られた蒸着膜に濃度
ムラが生じ易い。 更に、合金ワイヤを蒸発用ブロック
を介して溶融、蒸発させるフラッシュ蒸発法もあるが、
５μｍ以上の膜を蒸着するときに蒸発が不安定となシ、
かつチャンバー内に各種部材を配置せねばならず、構造
が複雑化する。
本発明は、上記した如き従来法の欠陥を解消し、簡略、
低コストにして濃度が比較的高くて均一な蒸着膜を安定
に得る方法を提案すべくなされたものであって、合金か
らなる蒸発材料を蒸発せしめて被蒸着基体上に蒸着させ
るに際し、加熱によシ溶融した前記合金の下記式で表わ
されるマランゴニ−数が１００以下（好ましくは５０以
下）となるような条件下で蒸着することを特徴とする蒸
着方法（但、γは合金融液の表面張力、旦は合金Ｔ 融液の表面張力の温度勾配、ｄは合金融液の液深、△Ｔ
は合金融液の表面域における面方向での２点間の温度差
、μは合金融液の粘度、には合金融液の温度伝導度であ
る。） 本発明の方法によれば、上記のマランゴニ−数を１００
以下としているために、合金融液の表面域での対流現象
（表面張力の差による対流）が生じるのが効果的に防止
され、これによって安定した蒸気組成で蒸着可能となシ
、はぼ一定り度の蒸着膜を得ることができる。 しかも
、従来法と比べ、蒸着槽（チャンバ）の構造が簡略化さ
れ、使用原料が少なくて済む点でも非常に有用な方法と
なる。
低コストにして濃度が比較的高くて均一な蒸着膜を安定
に得る方法を提案すべくなされたものであって、合金か
らなる蒸発材料を蒸発せしめて被蒸着基体上に蒸着させ
るに際し、加熱によシ溶融した前記合金の下記式で表わ
されるマランゴニ−数が１００以下（好ましくは５０以
下）となるような条件下で蒸着することを特徴とする蒸
着方法（但、γは合金融液の表面張力、旦は合金Ｔ 融液の表面張力の温度勾配、ｄは合金融液の液深、△Ｔ
は合金融液の表面域における面方向での２点間の温度差
、μは合金融液の粘度、には合金融液の温度伝導度であ
る。） 本発明の方法によれば、上記のマランゴニ−数を１００
以下としているために、合金融液の表面域での対流現象
（表面張力の差による対流）が生じるのが効果的に防止
され、これによって安定した蒸気組成で蒸着可能となシ
、はぼ一定り度の蒸着膜を得ることができる。 しかも
、従来法と比べ、蒸着槽（チャンバ）の構造が簡略化さ
れ、使用原料が少なくて済む点でも非常に有用な方法と
なる。
本発明の方法においては、上記したマランゴニ−数を得
るには、上記した温度差△Ｔを２０°Ｃ以下とするのが
よく、まだ合金融液の深さを２ｃＰｎ以下とするのがよ
い。 また、蒸発材料の容器の材質、形状も重要であっ
て、その容器を外面輻射率が０．２以下の材料で形成し
たシ、或いはその外面に外面輻射率が０．２以下の被援
を施すことは、上記のΔＴを小さく抑える上で効果的で
あ°る。 また、同容器の上部開口の幅を１−以下とす
るととも、上記△Ｔを抑える上で効果がある。
るには、上記した温度差△Ｔを２０°Ｃ以下とするのが
よく、まだ合金融液の深さを２ｃＰｎ以下とするのがよ
い。 また、蒸発材料の容器の材質、形状も重要であっ
て、その容器を外面輻射率が０．２以下の材料で形成し
たシ、或いはその外面に外面輻射率が０．２以下の被援
を施すことは、上記のΔＴを小さく抑える上で効果的で
あ°る。 また、同容器の上部開口の幅を１−以下とす
るととも、上記△Ｔを抑える上で効果がある。
本発明では、蒸発材料として、セレン及びチルルを主成
分としかつ７Ｍ量チを越えるテルル含有量を有する合金
を使用することができる。 この合金組成の場合は特に
、比揮発度α（合金融液の組成と蒸気の組成との比）が
α〈０．９もしくはα〉１．１であって融液表面域で成
分元素の濃縮が生じ易くなっておシ、このために蒸気組
成が変化することになるが、本発明の方法を適用すれば
、対流を生じることなく上記濃縮速度と濃縮成分の液中
への拡散速度とをほぼ等しくでき、結果的に融液表面濃
度を一定にすることが可能である。 この際、融液中に
対流により液の攪拌、混合が生じると表面濃度のバラン
スがくずれるので〜本発明の方法を適用することが必須
不可欠である。
分としかつ７Ｍ量チを越えるテルル含有量を有する合金
を使用することができる。 この合金組成の場合は特に
、比揮発度α（合金融液の組成と蒸気の組成との比）が
α〈０．９もしくはα〉１．１であって融液表面域で成
分元素の濃縮が生じ易くなっておシ、このために蒸気組
成が変化することになるが、本発明の方法を適用すれば
、対流を生じることなく上記濃縮速度と濃縮成分の液中
への拡散速度とをほぼ等しくでき、結果的に融液表面濃
度を一定にすることが可能である。 この際、融液中に
対流により液の攪拌、混合が生じると表面濃度のバラン
スがくずれるので〜本発明の方法を適用することが必須
不可欠である。
以下、本発明を実施例について図面参照下に詳細に説明
する。
する。
第１図には、本発明による方法を実旋−ノーる蒸着装置
の一例が示されている。
の一例が示されている。
この蒸着装置によれば、蒸発源ボート１３中の蒸発材料
（特に、テルル濃度が７ｖ量−以上、例えば２０重量％
のＳｅ −Ｔｅ ） ８の上方にヒーターランプ１０を
配している。 この場合、融液８の表面域の中心部の温
度と容器１３の内壁面での融液８の温度との温度差は２
０°Ｃ以内となるようにし、かつ融液の深さを２ ｃｍ
以下とすれば、上舵しプＣマランゴニー数を１００以下
に抑え、液の表面張力の差による対流を防止できる。
（特に、テルル濃度が７ｖ量−以上、例えば２０重量％
のＳｅ −Ｔｅ ） ８の上方にヒーターランプ１０を
配している。 この場合、融液８の表面域の中心部の温
度と容器１３の内壁面での融液８の温度との温度差は２
０°Ｃ以内となるようにし、かつ融液の深さを２ ｃｍ
以下とすれば、上舵しプＣマランゴニー数を１００以下
に抑え、液の表面張力の差による対流を防止できる。
容器１３の材質選択も重要であって、外面輻射率が０．
２以下の材料、例えば鏡面加工されたｋｌ 、 Ｃｒ
。
２以下の材料、例えば鏡面加工されたｋｌ 、 Ｃｒ
。
Ａｎ、Ｐｔ等で形成すれば、容器内壁面での液温の低下
を防ぎ、上記△Ｔを小さく抑えることができる。
を防ぎ、上記△Ｔを小さく抑えることができる。
また、第３図の例の如く、容器本体１３自体は通常のス
テンレス鋼又はグラファイトで形成し、その外面に外面
反射率が０．２以下の例えば鏡面加工Ａｔ１４を被覆し
ても、上記と同様の効果が得られる。
テンレス鋼又はグラファイトで形成し、その外面に外面
反射率が０．２以下の例えば鏡面加工Ａｔ１４を被覆し
ても、上記と同様の効果が得られる。
更に、同様の効果は、第４図に示す如く、ボート１３の
上部開口の幅Ｗを１５栴以下とし、上記の△Ｔを小さく
抑えることによっても得られる。
上部開口の幅Ｗを１５栴以下とし、上記の△Ｔを小さく
抑えることによっても得られる。
なお、本発明者が実験的に確認したところ、マランゴニ
−数と対流現象との相関関係について、次の結果が得ら
れた。
−数と対流現象との相関関係について、次の結果が得ら
れた。
マランゴニ−数胤 対 流
５０ ０
１００ ０
１２０ △１５
０ ×ここで、○は
対流が生じないこと、Δは対流が一部生じること、×は
対流が激しく生じることを表わす。 この結果から、マ
ランゴニ−数を１００以下とすれば、対流（表面張力の
差による横方向の対流）が生じず、非常に安定した蒸気
組成で蒸着を行なえることが分る。
０ ×ここで、○は
対流が生じないこと、Δは対流が一部生じること、×は
対流が激しく生じることを表わす。 この結果から、マ
ランゴニ−数を１００以下とすれば、対流（表面張力の
差による横方向の対流）が生じず、非常に安定した蒸気
組成で蒸着を行なえることが分る。
上記した方法で得られる蒸着膜（８ｅ Ｔｅ ｌｌ’；
））のＴｅ濃度は、第５図の如く、比較的高く（例えば
８５重量％）てしかもほば一定となる。 この″ｒｅＴ
ｅ濃度担性は、蒸発源温度が高い程により長＜ ＋、ｌ
ｔびるイＩへ回がある。
））のＴｅ濃度は、第５図の如く、比較的高く（例えば
８５重量％）てしかもほば一定となる。 この″ｒｅＴ
ｅ濃度担性は、蒸発源温度が高い程により長＜ ＋、ｌ
ｔびるイＩへ回がある。
次に、５ｅ−Ｔｅ感光体を実際に製造する方法の一例を
説明する。
説明する。
化６図に示す蒸着装置では、ペルジャー（図示せず）内
に蒸発源５とこれに対向した被蒸着用ドラム６とが配さ
れる。 蒸発源５は、いわゆるクヌードセンセル型に構
成され、容器７内にＴｅ ６度が例えば２２５重量％の
Ｓｅ −Ｔｅ蒸発材料８を収容している。 この蒸発材
料上にはヒーター１０が配され、ヒーターの熱で蒸発し
た材料が容器７上部の開口１２から制御されながらドラ
ム６に向って飛翔するようになされている。
に蒸発源５とこれに対向した被蒸着用ドラム６とが配さ
れる。 蒸発源５は、いわゆるクヌードセンセル型に構
成され、容器７内にＴｅ ６度が例えば２２５重量％の
Ｓｅ −Ｔｅ蒸発材料８を収容している。 この蒸発材
料上にはヒーター１０が配され、ヒーターの熱で蒸発し
た材料が容器７上部の開口１２から制御されながらドラ
ム６に向って飛翔するようになされている。
第７図には、上記の蒸着で形成された５ｅ−Ｔｅ層３
（ＣＧＬ）を具備するＳｅ −Ｔｅ感光体が示されてい
る。 図中の６はアルミニウム等の導電性支持基板でめ
シ、２は別の蒸発材料（テルル濃度は３〜７重量％、例
えば５重量％のシーＴｅ：第６図では図示省略したが、
容器７内に配ｆｌｔされる。）の蒸着で得られた５ｅ−
Ｔｅ電荷輸送層（ＣＴ Ｌ）である０ 蒸着操作の具体例を示すと、Ａｌ基体６を７０°Ｃに保
持し、第１の蒸発材料８としてＴｅ−濃度が２２，５％
の５ｅ−Ｔｅ合金２００９、第１の蒸発材料としてＴｅ
濃度が５％の５ｅ−Ｔｅ合金３０θ１を用いた。 まず
、第１の蒸発材料を２９０°Ｃに４０分間加熱してＣＴ
Ｌ ２を形成した後、１００°Ｃまで冷却した。 し
かる後、第２の蒸発源８を３００°Ｃに昇温し、１０分
間蒸力゛オを行ない、ＣＴＬの表面にＣＧＬを形成した
。 なお、蒸着槽の真空度は１０”Ｔｏｒｒ以上とする
のがよい。 得られた感光体のＴｅ９度プロファイルを
第８図に示した。
（ＣＧＬ）を具備するＳｅ −Ｔｅ感光体が示されてい
る。 図中の６はアルミニウム等の導電性支持基板でめ
シ、２は別の蒸発材料（テルル濃度は３〜７重量％、例
えば５重量％のシーＴｅ：第６図では図示省略したが、
容器７内に配ｆｌｔされる。）の蒸着で得られた５ｅ−
Ｔｅ電荷輸送層（ＣＴ Ｌ）である０ 蒸着操作の具体例を示すと、Ａｌ基体６を７０°Ｃに保
持し、第１の蒸発材料８としてＴｅ−濃度が２２，５％
の５ｅ−Ｔｅ合金２００９、第１の蒸発材料としてＴｅ
濃度が５％の５ｅ−Ｔｅ合金３０θ１を用いた。 まず
、第１の蒸発材料を２９０°Ｃに４０分間加熱してＣＴ
Ｌ ２を形成した後、１００°Ｃまで冷却した。 し
かる後、第２の蒸発源８を３００°Ｃに昇温し、１０分
間蒸力゛オを行ない、ＣＴＬの表面にＣＧＬを形成した
。 なお、蒸着槽の真空度は１０”Ｔｏｒｒ以上とする
のがよい。 得られた感光体のＴｅ９度プロファイルを
第８図に示した。
これによれば、本発明に従って形成されたＣＧＬ３は１
５チ程度とを１に一定の高テルル濃度を有しているから
、感光体として光感度が高くて安定しだものが得られる
。 ＣＴＬ２の方は低テルル濃度であるから、残留電位
やトラップ密度が少なく々る。
５チ程度とを１に一定の高テルル濃度を有しているから
、感光体として光感度が高くて安定しだものが得られる
。 ＣＴＬ２の方は低テルル濃度であるから、残留電位
やトラップ密度が少なく々る。
なお、第９図の如く、容：！： １３の−ｉ＋’ｉ１１
方から加熱するヒーター１０を配することも効果的であ
る。
方から加熱するヒーター１０を配することも効果的であ
る。
以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明の技術的
思想に基いて更に変形が司ｆ＋ｈである。
思想に基いて更に変形が司ｆ＋ｈである。
例えば、使用する合金は５ｅ−Ｔｅに限らず、Ｓｅ −
３゜Ｆｅ−Ｎｉ 、 ＡｇＢｒ −Ｉ等であってよいし
７、本発明におけるマランゴニ−故に設定できるγ１１
桟瀕件、更には合金組成も種々】”ノシ択できる。
３゜Ｆｅ−Ｎｉ 、 ＡｇＢｒ −Ｉ等であってよいし
７、本発明におけるマランゴニ−故に設定できるγ１１
桟瀕件、更には合金組成も種々】”ノシ択できる。
第１図−二従来法において合金融液に横方向対流が生じ
ている状況荀示す断面１メ１、 第２■１〜第９１ＶＩＮ本発明の実１ル律１１を示ずも
のであって、 第２図は蒸発ｌ１及びヒーターを示す断１Ｉｉｊ図、第
３図は他のイ；すによる第２図と同様のＨノ「面図、′
７５４図は更に１１１１の例によるれ２図と同様の断面
１５に１、 第５図は蒸着膜のＴｅ濃度プロファイルを示す図、第６
図は実際の真空蒸着装置の要部概略図、第７図は得られ
た感光体の断面図、 第８図はそのＴｅ ６％度プロファイルを示す図、第９
図は別の蒸発源の断面図 である。 なお、図面に示しだ符号において、 ２・・・・・・・・・・・・・・・・ＣＴＬ （電荷輸
送層）３・・・・・・・・・・・・・・・・・ＣＧＬ
（電荷発生層）５・・・・・・・・・・・・・・・・・
蒸発源６・・・・・・・・・・・・・・・・基体８・・
・・・・・・・・・・・・・・・・蒸発材料１０．１１
・・・・・・・・ヒーター １３・・・・・・・・・・・ ・ホードである。 代理人 弁理士 逢 坂 先 竿１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第７図 第６図 第８図 第９図 ３９３−
ている状況荀示す断面１メ１、 第２■１〜第９１ＶＩＮ本発明の実１ル律１１を示ずも
のであって、 第２図は蒸発ｌ１及びヒーターを示す断１Ｉｉｊ図、第
３図は他のイ；すによる第２図と同様のＨノ「面図、′
７５４図は更に１１１１の例によるれ２図と同様の断面
１５に１、 第５図は蒸着膜のＴｅ濃度プロファイルを示す図、第６
図は実際の真空蒸着装置の要部概略図、第７図は得られ
た感光体の断面図、 第８図はそのＴｅ ６％度プロファイルを示す図、第９
図は別の蒸発源の断面図 である。 なお、図面に示しだ符号において、 ２・・・・・・・・・・・・・・・・ＣＴＬ （電荷輸
送層）３・・・・・・・・・・・・・・・・・ＣＧＬ
（電荷発生層）５・・・・・・・・・・・・・・・・・
蒸発源６・・・・・・・・・・・・・・・・基体８・・
・・・・・・・・・・・・・・・・蒸発材料１０．１１
・・・・・・・・ヒーター １３・・・・・・・・・・・ ・ホードである。 代理人 弁理士 逢 坂 先 竿１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第７図 第６図 第８図 第９図 ３９３−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、合金からなる蒸発材料を蒸発せしめて被蒸着基体上
に蒸着させるに際し、加熱により溶離し午−前記合金の
下記式で表わされるマランゴニ−数が１００以下となる
ような条件下でｆｉ％ Ｘｆすることをｌｎｄγ （ａｌ、γは合金融液の表ｕｒＪ張力、ｊ下は合金融液
の表面張力の温度勾配、ｄは合金融液の液深、△Ｔは合
金融液の表面域における面方向での２点間の温度点、μ
は合金融液の粘度、には合金融液の温度伝樽度である０
） ２、 マランゴニ−数を５０以下とする、特許請求の範
囲の第１項に記載した方法。 ３、△Ｔを２０°Ｃ以下とする、特許請求の範囲の第１
項又は第２項に記載した方法。 ４、合金融液の液深を２ｃｒｎ以下とする、特許請求の
範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に記載した方法。 ５ 蒸発材料を収容する容器を外面輻射率が０．２以下
の材料で形成する、特許請求の範１？ｆｌの第１項〜第
４項のいずれか１項に記載した方法。 ６、蒸発材料を収容する容器の外面に外向輻！１」率が
０．２以下の被覆を施す、特許請求の範囲の第１項〜第
４項のいずれか１項に記載した方法。 ７、蒸発材料を収容する容器の上部開口の幅を１５畷以
下とする、特許請求の範囲の第１項〜第６項のいずれか
１項に記載した方法。 ８ 蒸発材料として、セレン及びテルルを主成分としか
つ７重量％を越えるテルル含有量を有する合金を特徴す
る特許請求の範囲の第１項〜第７項のいずれか１項に記
載した方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154238A JPS5943868A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154238A JPS5943868A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943868A true JPS5943868A (ja) | 1984-03-12 |
Family
ID=15579858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57154238A Pending JPS5943868A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943868A (ja) |
-
1982
- 1982-09-04 JP JP57154238A patent/JPS5943868A/ja active Pending
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