JPS5943869A - 蒸着方法 - Google Patents
蒸着方法Info
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- JPS5943869A JPS5943869A JP57154239A JP15423982A JPS5943869A JP S5943869 A JPS5943869 A JP S5943869A JP 57154239 A JP57154239 A JP 57154239A JP 15423982 A JP15423982 A JP 15423982A JP S5943869 A JPS5943869 A JP S5943869A
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- JP
- Japan
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- alloy
- liquid
- melt
- alloy liquid
- evaporation material
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は蒸着方法に関し、例え＆；３−． ’ｒｌ’ｊ
子写真又は光電変換素子等の感光体膜を作成するのに好
適な蒸着方法に関するものである。
子写真又は光電変換素子等の感光体膜を作成するのに好
適な蒸着方法に関するものである。
従来、電子写真用の感光体として、セレンにテルルを添
加したセレン−テルル合金（Ｓｅ−Ｔｅ）からなる感光
体が知られている。 このＳｅ Ｔｅ感光体はテルル
の含有によって特に長波長域での感度に優れたものとな
る。
加したセレン−テルル合金（Ｓｅ−Ｔｅ）からなる感光
体が知られている。 このＳｅ Ｔｅ感光体はテルル
の含有によって特に長波長域での感度に優れたものとな
る。
こうした感光体において、蒸着中にＴｅａ度が徐々に増
大し、感光体の外表面に向ってＴａ１ｒ、“Ｌ度が漸増
する如き濃度プロファイルが必要となる場合がある。
即ち、これによって篩感度て残留電位の少ない感光体が
得られるからである。
大し、感光体の外表面に向ってＴａ１ｒ、“Ｌ度が漸増
する如き濃度プロファイルが必要となる場合がある。
即ち、これによって篩感度て残留電位の少ない感光体が
得られるからである。
本発明は、上記の如き濃斥プロファイルを再現性良くイ
１）ることのできる方法を陥供するも（、“）であって
、合金から在る＆発材料をβ発ぜＬ７めて破蒸着基体上
に蒸着させるに際し、前ハ［：合金のＡ′１１成比が蒸
発材料全体に亘ってほぼ均一となるように蒸発材料に対
流を生し’Ｑしめることを特徴とする蒸着力法に係るも
のである。
１）ることのできる方法を陥供するも（、“）であって
、合金から在る＆発材料をβ発ぜＬ７めて破蒸着基体上
に蒸着させるに際し、前ハ［：合金のＡ′１１成比が蒸
発材料全体に亘ってほぼ均一となるように蒸発材料に対
流を生し’Ｑしめることを特徴とする蒸着力法に係るも
のである。
本発明の方法は、蒸発材料である合金に討が１を生せし
め、その組成比が蒸発利料中でほぼ均一となるようにし
て蒸着しているから、蒸垢ｙ（行に伴なって合金融液表
面での濃縮現象がなり、ｆ′Ｉミ々に融液濃度が増大し
ながら蒸発が生じる。 表面で濃縮が生じる場合には蒸
気中のシｊユ度が大きく増大してしまうことがあるが、
本発明に従って対流を生ぜしめると融液中に高濃度部分
が局在化せず、このために蒸気中の濃度を漸次増大させ
、上記した如き漸増した濃度プロファイルを再現性良く
得ることができるのである。
め、その組成比が蒸発利料中でほぼ均一となるようにし
て蒸着しているから、蒸垢ｙ（行に伴なって合金融液表
面での濃縮現象がなり、ｆ′Ｉミ々に融液濃度が増大し
ながら蒸発が生じる。 表面で濃縮が生じる場合には蒸
気中のシｊユ度が大きく増大してしまうことがあるが、
本発明に従って対流を生ぜしめると融液中に高濃度部分
が局在化せず、このために蒸気中の濃度を漸次増大させ
、上記した如き漸増した濃度プロファイルを再現性良く
得ることができるのである。
本発明においては、蒸発材料に上記しメこ対流、特に上
下方向の密度対流を生せしめるには、加熱によシ溶融し
た前記合金の下記式で表わされるレイリー数が２５００
以上となるような条件下で蒸着することが望ましい。
下方向の密度対流を生せしめるには、加熱によシ溶融し
た前記合金の下記式で表わされるレイリー数が２５００
以上となるような条件下で蒸着することが望ましい。
レイリー数Ｒａ ＝ Ｕ°β、 ｄｓ 、 ６Ｔν・に
（但、ｇは重力加速度、βは合金融液の熱膨張”ｂ％数
、ｄは合金融液の液深、νは合金融液の動粘度、△Ｔは
合金−１，液の」二部及び下部の温庇差、には合金融液
の温度伝導度である。）また、合金融液の下記式で表わ
されるマランゴニ−数が５００以上となるような条件下
で蒸着すると、融液中の特に横方向での対流（表ｊｉ
Ｉｉｌ；カの差による対流）を生せしめることができる
。
、ｄは合金融液の液深、νは合金融液の動粘度、△Ｔは
合金−１，液の」二部及び下部の温庇差、には合金融液
の温度伝導度である。）また、合金融液の下記式で表わ
されるマランゴニ−数が５００以上となるような条件下
で蒸着すると、融液中の特に横方向での対流（表ｊｉ
Ｉｉｌ；カの差による対流）を生せしめることができる
。
（但、γは合金融液の表面張力、ｄＪは合金Ｔ
融液の表面張力の湯度勾配、ｄは合金融、液の液深、△
Ｔは合金融液の表面域における面方向での２点間の８度
差、μは合金融液の粘度、には合金融液の温度伝導度で
をこる。）本発明では、蒸発材料として、セレン及びテ
ルルを主成分としかつ７重量係を赳シえるテルル含有量
を有する合金を使用することができる。 この合金組成
の場合は特に、比揮発度（合金融液の組成と蒸気の組成
との比）が１．０未潤であって融液表面域で成分元累の
濃縮が生じギ・くグっており、このだめに蒸気組成が変
化することになるが、本発明の方法を適用すれば、融液
中にす１流が生じてａ！１．液表面淡度を徐々に増大さ
ぜること力゛１ｊ」・止である。
Ｔは合金融液の表面域における面方向での２点間の８度
差、μは合金融液の粘度、には合金融液の温度伝導度で
をこる。）本発明では、蒸発材料として、セレン及びテ
ルルを主成分としかつ７重量係を赳シえるテルル含有量
を有する合金を使用することができる。 この合金組成
の場合は特に、比揮発度（合金融液の組成と蒸気の組成
との比）が１．０未潤であって融液表面域で成分元累の
濃縮が生じギ・くグっており、このだめに蒸気組成が変
化することになるが、本発明の方法を適用すれば、融液
中にす１流が生じてａ！１．液表面淡度を徐々に増大さ
ぜること力゛１ｊ」・止である。
以下、本発明を実施例について図面忽照下に詳細に説明
する。
する。
第１図には、本イ１゛；明による方法を実ｈａ（する蒸
着源の一例が示されている。
着源の一例が示されている。
との蒸着装置によれば、蒸発ふボート１；（中の蒸発材
料（特に、テルル濃度が７重量％以」二、例えば２０重
量％の５ｅ−Ｔｅ） ８の上方及び下方にヒーターラン
プ１０．１１を夫々配し、上方のヒーター１ｏに比べ下
方のヒーター１１のパワーを大きくしている。
料（特に、テルル濃度が７重量％以」二、例えば２０重
量％の５ｅ−Ｔｅ） ８の上方及び下方にヒーターラン
プ１０．１１を夫々配し、上方のヒーター１ｏに比べ下
方のヒーター１１のパワーを大きくしている。
即ち、ヒーター１０及び１１を同時にオンさせた１弱合
、融液８の下部温度をその上部温度より充分高くなるよ
うにすれば、」二部したレイリー数を２５００以上とし
、液の上下方向の攪拌又は対流が生じる。
、融液８の下部温度をその上部温度より充分高くなるよ
うにすれば、」二部したレイリー数を２５００以上とし
、液の上下方向の攪拌又は対流が生じる。
同時に、液８の深さく液深）も重要であって充分に深ズ
するのが望゛ましい。
するのが望゛ましい。
このように、融液を攪拌することによって、得られた蒸
着膜中リテルル濃度は第２図に示す如く膜厚増加に従っ
て漸次増大する。 この場合、レイリー数りを大きくす
れば、テルル濃度を目的とするプロファイルで効果的釦
変化させることができる。
着膜中リテルル濃度は第２図に示す如く膜厚増加に従っ
て漸次増大する。 この場合、レイリー数りを大きくす
れば、テルル濃度を目的とするプロファイルで効果的釦
変化させることができる。
次に Ｓｅ’ｌ’ｅ感光体を実際に製造する方法の一例
を説明する。
を説明する。
第３図に示す蒸着装置では、ベルジャ〜（図示せず）内
に蒸発源５とこれに対向した被蒸着用ドラム６とが配さ
れる。 蒸発源５１−ｊ、いわゆるクヌードセンセル型
に構成され、容器７内にＴｅ濃度が例えば２２．５重量
部の５ｅ−Ｔｅ蒸発材料８を収容している。 この蒸発
月料の上下にはヒーター１．０．１１が配され、ヒータ
ーの熱で蒸発した材料が容器７上部の開口１２から制御
されながらドラム６に向って飛翔するようになされてい
る。
に蒸発源５とこれに対向した被蒸着用ドラム６とが配さ
れる。 蒸発源５１−ｊ、いわゆるクヌードセンセル型
に構成され、容器７内にＴｅ濃度が例えば２２．５重量
部の５ｅ−Ｔｅ蒸発材料８を収容している。 この蒸発
月料の上下にはヒーター１．０．１１が配され、ヒータ
ーの熱で蒸発した材料が容器７上部の開口１２から制御
されながらドラム６に向って飛翔するようになされてい
る。
第４図には、上記の蒸着で形成されだ５ｅ−Ｔｃ層３
（ＣＧＩ、）を具備する５ｅ−Ｔｅ感光体が示されてい
る。 図中の６はアルミニウム等の導電性支持基板であ
シ、２は別の蒸発材料（テルル濃度は３〜７重量φ、例
えば５重量部のＳｅ −Ｔｅ ：第３図では図示省略し
たが、容器７内に配置される。）の蒸着で得られた５ｅ
−Ｔｅ電荷輸送層（ＣＴＣ，）である０ 蒸着操作の具体例を示すと、第５図の如く、Ａｌ基体を
７００Ｃに保持し、第１及び第２の蒸発月料８．１４と
してＴｅ、ｊＪ度が２２５チのＳｅ −Ｔｅ合金２０ｏ
１、第３の蒸発材料９としてＴｅ ５Ｉｋ度が５チの５
ｅ−Ｔｅ合金３００ｆを用いた。 まず、第３の蒸発材
料を２９００Ｃに４０分間加熱してＣＴＬ２を形成し、
引続いて（或いは第３の蒸発材料と同時に）第２の蒸発
源１４を３００°Ｃに昇温しで蒸発させ、Ｔｅ１％度を
漸次増大させた。 この場合、第２の蒸発材料１４にハ
しては下方からのみヒーター１１で加熱すれば、上記し
た対流を生ぜしめることができる。 そして、第１の蒸
発材料８を３００°Ｃで１０分分間光せしめ、上記のＴ
ｅ濃度が漸増した層に連続して電荷発生層（ＣＧ Ｌ）
を形成した。 なお、蒸着槽の真空度は１０”Ｔｏｒｒ
以上とするのがよい。
（ＣＧＩ、）を具備する５ｅ−Ｔｅ感光体が示されてい
る。 図中の６はアルミニウム等の導電性支持基板であ
シ、２は別の蒸発材料（テルル濃度は３〜７重量φ、例
えば５重量部のＳｅ −Ｔｅ ：第３図では図示省略し
たが、容器７内に配置される。）の蒸着で得られた５ｅ
−Ｔｅ電荷輸送層（ＣＴＣ，）である０ 蒸着操作の具体例を示すと、第５図の如く、Ａｌ基体を
７００Ｃに保持し、第１及び第２の蒸発月料８．１４と
してＴｅ、ｊＪ度が２２５チのＳｅ −Ｔｅ合金２０ｏ
１、第３の蒸発材料９としてＴｅ ５Ｉｋ度が５チの５
ｅ−Ｔｅ合金３００ｆを用いた。 まず、第３の蒸発材
料を２９００Ｃに４０分間加熱してＣＴＬ２を形成し、
引続いて（或いは第３の蒸発材料と同時に）第２の蒸発
源１４を３００°Ｃに昇温しで蒸発させ、Ｔｅ１％度を
漸次増大させた。 この場合、第２の蒸発材料１４にハ
しては下方からのみヒーター１１で加熱すれば、上記し
た対流を生ぜしめることができる。 そして、第１の蒸
発材料８を３００°Ｃで１０分分間光せしめ、上記のＴ
ｅ濃度が漸増した層に連続して電荷発生層（ＣＧ Ｌ）
を形成した。 なお、蒸着槽の真空度は１０”Ｔｏｒｒ
以上とするのがよい。
この操作において、第２の蒸発材料１４は対流が生じる
ようにレイリー数を２５００以上に選ぶ。 また、第３
の蒸発材料９は低Ｔｅｄ度であるから押発度がほぼ１．
０−であって、融液組成と蒸気組成とが一致して蒸着さ
れる。 また、第１の蒸発材料８の蒸発に際しては、上
記したレイリー数を１７００以下（好ましくはｉｏｏ以
下）に選び、合金（融液）８の温度は、上部の方が下部
より高くなるように設定した場合、液の対流が生じるこ
とはない。 従って、ＣＧＬのＴｅ濃度はほぼ一定とな
る。
ようにレイリー数を２５００以上に選ぶ。 また、第３
の蒸発材料９は低Ｔｅｄ度であるから押発度がほぼ１．
０−であって、融液組成と蒸気組成とが一致して蒸着さ
れる。 また、第１の蒸発材料８の蒸発に際しては、上
記したレイリー数を１７００以下（好ましくはｉｏｏ以
下）に選び、合金（融液）８の温度は、上部の方が下部
より高くなるように設定した場合、液の対流が生じるこ
とはない。 従って、ＣＧＬのＴｅ濃度はほぼ一定とな
る。
得られた感光体のＴｅ濃度プロファイルを第６図に示し
た。 これによれば、本発明を適用すると、ＣＧＬ３と
ＣＴＬ２との間で漸次増大したテルル濃度を得ることが
できる。 つまり、破線で示す如（Ｔｅ濃度が急激に上
昇する場合に比べ、上ｈ１−４の漸増したＴｅ濃度によ
って、キ＾、リア（特にＣＧＬで発生したホール）のＣ
ＴＬへの移動が容易となシ、かつトラップ電位も少なく
なる。 また、ＣＧＬＵ高Ｔｅ ＢＪ度でｅよぼ一定し
ているから、感光体として光感度が高くて安定したもの
かイ４すられる。
た。 これによれば、本発明を適用すると、ＣＧＬ３と
ＣＴＬ２との間で漸次増大したテルル濃度を得ることが
できる。 つまり、破線で示す如（Ｔｅ濃度が急激に上
昇する場合に比べ、上ｈ１−４の漸増したＴｅ濃度によ
って、キ＾、リア（特にＣＧＬで発生したホール）のＣ
ＴＬへの移動が容易となシ、かつトラップ電位も少なく
なる。 また、ＣＧＬＵ高Ｔｅ ＢＪ度でｅよぼ一定し
ているから、感光体として光感度が高くて安定したもの
かイ４すられる。
ＣＴＬ２の方は低テルル濃度であるから、残留電位やト
ラ、プ蕾度が少なくなる。
ラ、プ蕾度が少なくなる。
なお、上記の如き漸増したＴｅｌ：２１ｉを得２）には
、上述し７だマランゴニ−数を５００以上とすれば、１
．１１！Ｉ液中で横方向への対流も生じるので望ましい
０以上、本発明を例示しだが、上述の例（１本発明の技
術的思想に基いて更に変形が可能である。
、上述し７だマランゴニ−数を５００以上とすれば、１
．１１！Ｉ液中で横方向への対流も生じるので望ましい
０以上、本発明を例示しだが、上述の例（１本発明の技
術的思想に基いて更に変形が可能である。
例えば、（吏用する合金は５ｅ−Ｔｅに限らず、５ｅ−
８、Ｆｅ −Ｎｉ 、 ＡｇＢｒ −Ｉ等であってよい
し、本発明におけるレイリー数、マランゴニ−数に設定
できる温度条件、更には合金組成も種々選択できる。
８、Ｆｅ −Ｎｉ 、 ＡｇＢｒ −Ｉ等であってよい
し、本発明におけるレイリー数、マランゴニ−数に設定
できる温度条件、更には合金組成も種々選択できる。
また、対流を生ぜしめる方法も様々に考えられる。
第１図〜第６図は本発明の実施例を示すものであって、
第１図は蒸発材料及びヒーターを示す断面図、第２図は
蒸着膜のＴｅ濃度プロファイルを示す図、第３図は実際
の真空蒸着装置の要部概略図、第４図は得られたＭ＜光
体の断面図、 第５図は蒸発源の断面図、 第６図は感光体のＴｅ 濃度プロファイルを示す図であ
る。 なお、図面に示した符号において、 ２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ＣＴＬ （電荷輸送層）３・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・ＣＧＬ （電荷発生層）５・
・・・・・・・・・・・・・・・蒸発源６・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・基体８．９．１４・・
・・・・・・・・・・蒸発材料１０．１．１・・・・・
・・・・・・・・・・ヒーター１３・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・ボートである。 第３図 第４図 第５図 第６図 １丑（ｐｍ）
蒸着膜のＴｅ濃度プロファイルを示す図、第３図は実際
の真空蒸着装置の要部概略図、第４図は得られたＭ＜光
体の断面図、 第５図は蒸発源の断面図、 第６図は感光体のＴｅ 濃度プロファイルを示す図であ
る。 なお、図面に示した符号において、 ２・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ＣＴＬ （電荷輸送層）３・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・ＣＧＬ （電荷発生層）５・
・・・・・・・・・・・・・・・蒸発源６・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・基体８．９．１４・・
・・・・・・・・・・蒸発材料１０．１．１・・・・・
・・・・・・・・・・ヒーター１３・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・ボートである。 第３図 第４図 第５図 第６図 １丑（ｐｍ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 合金からなる蒸発材料を蒸発仕しめて被蒸着基体
上に蒸着させるに際し、前記合金の組成比が蒸発材料全
体に亘ってほぼ均一となるように泌ｊ発利石に対流を生
せしめることを特徴とする蒸着方法。 ２、加熱によシ溶融した合金の下記式で表わされるレイ
リー数が２５００以上となるような条件下で蒸着する、
特許請求の１′１．１≧１！１］の第１項に記ｅｌｉｔ
ｅ Ｌ、た方法。 ライ１．−数Ｒａ ＝ ”土虱二工２ ν・に （但、ｇは重力加速度、βｔ」合金融液の熱膨張係数、
ｄは合金融液の液深、νは合金融液の動粘度、△′Ｖは
合金融液の上部及び下部の温度差、には合金融液の温度
法シ月Ｗである。）３、加熱により溶１．・ゆした合金
の下記式で表わされるマランゴニ−数が５００以上とな
るような条件下で蒸着する、特許請求の範囲の第１項又
は第２項（但、γは合金融液の表面張力、ｄｒは合金ｄ
′ｒ 融液の表面張力の温度勾配、ｄは合金融液の液深、△Ｔ
は合金＃ｌ腋の表面域における面方向での２点間の温度
差、μは合金融液の粘度、には合金融液の温度伝導度で
ある。） ４、蒸発材料として、セレン及びテルルを主成分としか
つ７重量％を越えるテルル含有％を有する合金を特徴す
る特許請求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に記
載した方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154239A JPS5943869A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154239A JPS5943869A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 蒸着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943869A true JPS5943869A (ja) | 1984-03-12 |
Family
ID=15579879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57154239A Pending JPS5943869A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943869A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1246951A1 (en) * | 1999-10-22 | 2002-10-09 | Kurt J. Lesker Company | Method and apparatus for coating a substrate in a vacuum |
-
1982
- 1982-09-04 JP JP57154239A patent/JPS5943869A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1246951A1 (en) * | 1999-10-22 | 2002-10-09 | Kurt J. Lesker Company | Method and apparatus for coating a substrate in a vacuum |
| EP1246951A4 (en) * | 1999-10-22 | 2004-10-13 | Kurt J Lesker Company | METHOD AND APPARATUS FOR VACUUM DEPOSITION OF A COATING ON A SUBSTRATE |
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