JPS5846348A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS5846348A JPS5846348A JP14569681A JP14569681A JPS5846348A JP S5846348 A JPS5846348 A JP S5846348A JP 14569681 A JP14569681 A JP 14569681A JP 14569681 A JP14569681 A JP 14569681A JP S5846348 A JPS5846348 A JP S5846348A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- doped
- halogen
- type
- photoreceptor
- cdte
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザー記録用として適した電子写真感
光体に関する。
光体に関する。
気体レーザーに比べて装置の小型軽量化に有利な半導体
レーザーとしてＧａＡｌＡｌ系のものが開発されている
。この半導体レーザーの発光波長域は７５０〜９００
ｎｍの範囲にあるので、この種の半導体レーザー用の電
子写真感光体としてはこのような長波長域に感度を有す
るものが必要である。そこで従来はＴｅ含有量が３０重
量一台の５ｅ−Ｔｅ系感光体やｆｍｚｓｅｌ系感光体が
提案されているか、前者の５ｓ−Ｔｅ系感光体の場合は
比抵抗が低いため、通常の電子写真法（カールソンプロ
セス）では使用できないという欠点があり、一方、後者
のＡｓ１Ｓｅ３系感光体の場合はＥｇｏｌｋが１．８ｅ
Ｖ以下のため、ＧＩＬＡＡ！Ａｓ系半導体レーザーの発
光波長に対して電子写真特性を満足する程の感度は有し
て−なかった。
レーザーとしてＧａＡｌＡｌ系のものが開発されている
。この半導体レーザーの発光波長域は７５０〜９００
ｎｍの範囲にあるので、この種の半導体レーザー用の電
子写真感光体としてはこのような長波長域に感度を有す
るものが必要である。そこで従来はＴｅ含有量が３０重
量一台の５ｅ−Ｔｅ系感光体やｆｍｚｓｅｌ系感光体が
提案されているか、前者の５ｓ−Ｔｅ系感光体の場合は
比抵抗が低いため、通常の電子写真法（カールソンプロ
セス）では使用できないという欠点があり、一方、後者
のＡｓ１Ｓｅ３系感光体の場合はＥｇｏｌｋが１．８ｅ
Ｖ以下のため、ＧＩＬＡＡ！Ａｓ系半導体レーザーの発
光波長に対して電子写真特性を満足する程の感度は有し
て−なかった。
本発明の第一の目的は通常の電子写真法が適用でき、し
かもＧａＡＪＡａ系半導体レーザー用として好適な電子
写真感光体を提供することである。
かもＧａＡＪＡａ系半導体レーザー用として好適な電子
写真感光体を提供することである。
本発明の第二の目的は電子写真特性の優れた電子写真感
光体を提供することである。
光体を提供することである。
即ち本発明の感光体は導電性支持体上にハロゲンとＡｓ
又はｓｂとをドープしたＰ型ＣｄＴｅよりなる電荷発生
層及びハロゲンをドープしたＳｅよりなる′電荷移動層
を順次設けたことを特徴とするものである。
又はｓｂとをドープしたＰ型ＣｄＴｅよりなる電荷発生
層及びハロゲンをドープしたＳｅよりなる′電荷移動層
を順次設けたことを特徴とするものである。
本発明の感光体は比抵抗が高く、このため通常の電子写
真法でも充分、電位がのる上、電荷発生層に用いられる
Ｐ ｍＣｄＴｅのノマンドギャップがＧａＡｌＡｓ系半
導体レーザーにきわめて近く、従ってこの半導体レーザ
ーの発光中心付近に最大感度を有するため、この樵の半
導体レーザー用として好適であるという特長を有してい
る。更に本発明の感光体はＰ型ＣｄＴｓ系電荷発生層−
８ｅ系電荷移動層の２層構成とし、且つ電荷発生層には
ハロゲンとＡ＠又はｓｂとをドープして電荷の発生を促
進すると同時に、電荷移動層にはハロゲンをドープする
ことによシドナーベルを形成し、Ｓｅ中に形成されるホ
ールトラップを補償してホール（電荷）の移動を容易に
し次結果、残留電位の増大のない優れた電子写真特性が
得られるという特長もある。なお電荷発生層に用いられ
るハロゲンはドナーとして作用し、またＡ−又はｓｂは
アクセプターとして作用する。いずれにしても電荷発生
層にドープされるハロゲン量Ｆｉ２０〜１００ ｐｐｍ
が適当であり、またＡｓ又はｓｂ量は５０〜２００ ｐ
ｐｍが適当である。一方、電荷移動層にドープされるハ
ロゲン量は２０〜６０ ｐｐｍが適当である。
真法でも充分、電位がのる上、電荷発生層に用いられる
Ｐ ｍＣｄＴｅのノマンドギャップがＧａＡｌＡｓ系半
導体レーザーにきわめて近く、従ってこの半導体レーザ
ーの発光中心付近に最大感度を有するため、この樵の半
導体レーザー用として好適であるという特長を有してい
る。更に本発明の感光体はＰ型ＣｄＴｓ系電荷発生層−
８ｅ系電荷移動層の２層構成とし、且つ電荷発生層には
ハロゲンとＡ＠又はｓｂとをドープして電荷の発生を促
進すると同時に、電荷移動層にはハロゲンをドープする
ことによシドナーベルを形成し、Ｓｅ中に形成されるホ
ールトラップを補償してホール（電荷）の移動を容易に
し次結果、残留電位の増大のない優れた電子写真特性が
得られるという特長もある。なお電荷発生層に用いられ
るハロゲンはドナーとして作用し、またＡ−又はｓｂは
アクセプターとして作用する。いずれにしても電荷発生
層にドープされるハロゲン量Ｆｉ２０〜１００ ｐｐｍ
が適当であり、またＡｓ又はｓｂ量は５０〜２００ ｐ
ｐｍが適当である。一方、電荷移動層にドープされるハ
ロゲン量は２０〜６０ ｐｐｍが適当である。
本発明の感光体を作るには金属板、金属蒸着紙等の導電
性支持体上に、ハロゲンとＡｓ又はｓｂとをドープした
Ｐ型ＣｄＴｅ ′ｔ−蒸着せしめて電荷発生層を形成し
た後、その上に更に、ハロゲンをドープし７ｔＳｅを蒸
着して電荷移動層を形成すればよい。
性支持体上に、ハロゲンとＡｓ又はｓｂとをドープした
Ｐ型ＣｄＴｅ ′ｔ−蒸着せしめて電荷発生層を形成し
た後、その上に更に、ハロゲンをドープし７ｔＳｅを蒸
着して電荷移動層を形成すればよい。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例Ｉ
Ｐ型ＣｄＴｅ Ｋ Ｓｂを１２０ ｐｐｍ及び塩素を４
０ｐｐｍ添加した材料Ａを石英管に入れて１０ｔｏｒｒ
に真空封入し、これをブリッジマン型電気炉に入れて８
００℃で２時間熱処理後、クエンチングを行なって取出
し、これを１日間乾燥して試料Ａとした。この試料Ａ中
のハロゲン及びｓｂのドープ量（原子吸光法による）は
夫々１１２ ｐｐｍ。
０ｐｐｍ添加した材料Ａを石英管に入れて１０ｔｏｒｒ
に真空封入し、これをブリッジマン型電気炉に入れて８
００℃で２時間熱処理後、クエンチングを行なって取出
し、これを１日間乾燥して試料Ａとした。この試料Ａ中
のハロゲン及びｓｂのドープ量（原子吸光法による）は
夫々１１２ ｐｐｍ。
３２ ｐｐｍであった０また材料Ａの代シにＳｓに塩素
を添加した材１ＩｐＦＢを用いて同様なドーピング法で
Ｓ＠中に塩素を３０ ｐｐｍドープした試料Ｂを作成し
た。次に２つのダートに夫々試料Ａ２０９、試料Ｂ５ｌ
１を採シ、へｌ基板上にまず基板温度１５０℃、蒸着源
温度６５０ ’Ｑで試料Ａを５μ厚に蒸着して電荷発生
層を形成した後、引続きその上に基板温度８０℃、蒸着
源温度３２０℃で５０μ厚に蒸着して電荷移動層を設け
た。
を添加した材１ＩｐＦＢを用いて同様なドーピング法で
Ｓ＠中に塩素を３０ ｐｐｍドープした試料Ｂを作成し
た。次に２つのダートに夫々試料Ａ２０９、試料Ｂ５ｌ
１を採シ、へｌ基板上にまず基板温度１５０℃、蒸着源
温度６５０ ’Ｑで試料Ａを５μ厚に蒸着して電荷発生
層を形成した後、引続きその上に基板温度８０℃、蒸着
源温度３２０℃で５０μ厚に蒸着して電荷移動層を設け
た。
得られ次電子写真感光体の最大感度を、モノクロメータ
−を用いてＧａＡｊＡｓ系半導体レーザーの発光波長域
（７５０〜９００ｎｍ）で調べ次とζろ、８５０ ｎｍ
の所で見られ次。更にこの最大感度での電子写真特性を
調べるため、波長８５０ ｎｍの光源を用いてターンテ
ーブル法でテストし穴ところ、表−１の結果が得られ几
。なお比較の次め、ＡＩ版板上Ｔｅ含有量１０重量−の
Ｓ・−Ｔｅ蒸着層を設け７ｔＳｅＴｃ系感光体（比較品
Ａ）についてもテストし次。
−を用いてＧａＡｊＡｓ系半導体レーザーの発光波長域
（７５０〜９００ｎｍ）で調べ次とζろ、８５０ ｎｍ
の所で見られ次。更にこの最大感度での電子写真特性を
調べるため、波長８５０ ｎｍの光源を用いてターンテ
ーブル法でテストし穴ところ、表−１の結果が得られ几
。なお比較の次め、ＡＩ版板上Ｔｅ含有量１０重量−の
Ｓ・−Ｔｅ蒸着層を設け７ｔＳｅＴｃ系感光体（比較品
Ａ）についてもテストし次。
表 −１
注ン最高［：感光体表向に１２μｍＡのコロナ放電を施
した時の表置電位。
した時の表置電位。
感 度：コロナ帯電後の感光体表１ｉＩＫ３５μＷ／
ｉ−の光を照射して表置電位が１ｏｏｏｖから５０ＶＫ
低下する迄の時間。
ｉ−の光を照射して表置電位が１ｏｏｏｖから５０ＶＫ
低下する迄の時間。
表−１の結果から本発明の感光体ｌｌ１８５０ ｎｍの
光に対し、５ｅ−Ｔｏ系感光体の約９倍の感度を有し、
帯電々位も通常の電子写真法における電子写真感光体と
して充分であり、且つ残留電位に関しても問題ないこと
が判った。
光に対し、５ｅ−Ｔｏ系感光体の約９倍の感度を有し、
帯電々位も通常の電子写真法における電子写真感光体と
して充分であり、且つ残留電位に関しても問題ないこと
が判った。
実施例２
材料Ａの代りにＰ型Ｃｄ’ｓにＡｓ及び塩素を添加し次
材料Ｃを用いて実施例１と同じドーピング法でＰ型Ｃｄ
Ｔｅ Ｋ Ａｓ １１６ ｐｐｍ及び塩素３２ｐｐｍを
ドープした試料Ｃ″ｆ：ｆ：調製以下、試料＾の代りに
試料Ｃを用いた他は実施例１と同じ方法で電子写真感光
体を作成し友。このものの最大感度は波長８３８ ｎｍ
の所で見られた。ま次電子写真特性は表−２の通りで、
実施例１とほぼ同様であった。なお実施例１で作成し几
比較品Ａのデータも付記した。
材料Ｃを用いて実施例１と同じドーピング法でＰ型Ｃｄ
Ｔｅ Ｋ Ａｓ １１６ ｐｐｍ及び塩素３２ｐｐｍを
ドープした試料Ｃ″ｆ：ｆ：調製以下、試料＾の代りに
試料Ｃを用いた他は実施例１と同じ方法で電子写真感光
体を作成し友。このものの最大感度は波長８３８ ｎｍ
の所で見られた。ま次電子写真特性は表−２の通りで、
実施例１とほぼ同様であった。なお実施例１で作成し几
比較品Ａのデータも付記した。
表 −２
実施例３
材料Ａの代りにＰ型ＣｄＴｅ Ｋ Ｓｂ及び塩素を添加
した材料りを用いて実施例１と同じビー２ング法でＰ
ｆＪ ＣｄＴｅにＳｂ ５８ ｐｐｍ及び塩素３８ｐｐ
ｍドープし次試料Ｄｔ−調製した。以下、試料Ａの代り
に試料りを用いた他は実施例１と同じ方法で電子写真感
光体を作成した。このものの最大感度は波長８３３ ｎ
ｍの所で見られた。また電子写真特性は表−３の通りで
、実施例１及び２とほぼ同様であった。なお比較のため
Ａｌ板上にＴｏ含有量２０ｆＬＪｌの５ｓ−Ｔ＠ｌ蒸Ｍ
層を設けた５ｅ−Ｔ・系感光体（比較品Ｂ）のデータも
付記し７′２−Ｏ 表−３ なお実施例１及び３の結果から判るようにＰｆｆｉ Ｃ
ｄＴｅ中のｓｂのドープｊ−によって最大感度及び残留
電位に若干の差が生じるが、これはｓｂがＣｄＴｅ中で
アクセプタとして、従ってホールトラップとして働くか
らであると考えられる。ここで感度についてはｓｂ Ｆ
ｉｐ型ＣｄＴｅ中では比較的味いトラップを形成するた
め、このトラップを介しての価電子帯の励起がある程度
、長波長側に感度を有する働きをすると考えられるので
、実施例１の５ｂｌｌＯｐｐｙドープの方が、実施例３
のＳｂ ５８ ｐｐｍドープの方より若干長波長側に最
大感度がシフトするものと思われる。一方、塩素はＰ型
ＣｄＴｓ中ではドナーとして働き、従ってエレクトロン
トラップの役目を果すので、本発明のようなＰ ：ＭＩ
ＣｄＴｅ系電荷発生層中ではホールトラップが補償され
、これが残留電位の低下に役立っている。
した材料りを用いて実施例１と同じビー２ング法でＰ
ｆＪ ＣｄＴｅにＳｂ ５８ ｐｐｍ及び塩素３８ｐｐ
ｍドープし次試料Ｄｔ−調製した。以下、試料Ａの代り
に試料りを用いた他は実施例１と同じ方法で電子写真感
光体を作成した。このものの最大感度は波長８３３ ｎ
ｍの所で見られた。また電子写真特性は表−３の通りで
、実施例１及び２とほぼ同様であった。なお比較のため
Ａｌ板上にＴｏ含有量２０ｆＬＪｌの５ｓ−Ｔ＠ｌ蒸Ｍ
層を設けた５ｅ−Ｔ・系感光体（比較品Ｂ）のデータも
付記し７′２−Ｏ 表−３ なお実施例１及び３の結果から判るようにＰｆｆｉ Ｃ
ｄＴｅ中のｓｂのドープｊ−によって最大感度及び残留
電位に若干の差が生じるが、これはｓｂがＣｄＴｅ中で
アクセプタとして、従ってホールトラップとして働くか
らであると考えられる。ここで感度についてはｓｂ Ｆ
ｉｐ型ＣｄＴｅ中では比較的味いトラップを形成するた
め、このトラップを介しての価電子帯の励起がある程度
、長波長側に感度を有する働きをすると考えられるので
、実施例１の５ｂｌｌＯｐｐｙドープの方が、実施例３
のＳｂ ５８ ｐｐｍドープの方より若干長波長側に最
大感度がシフトするものと思われる。一方、塩素はＰ型
ＣｄＴｓ中ではドナーとして働き、従ってエレクトロン
トラップの役目を果すので、本発明のようなＰ ：ＭＩ
ＣｄＴｅ系電荷発生層中ではホールトラップが補償され
、これが残留電位の低下に役立っている。
Claims (1)
- １、 導電性支持体上にハロゲンとＡｓ又はｓｂとをド
ープしたＰ型ＣｄＴｅよりなる電荷発生層及びハロゲン
をドープし７ｔＳｅよりなる電荷移動ＮＩＩを順次設け
たことを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14569681A JPS5846348A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14569681A JPS5846348A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5846348A true JPS5846348A (ja) | 1983-03-17 |
Family
ID=15390985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14569681A Pending JPS5846348A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846348A (ja) |
-
1981
- 1981-09-16 JP JP14569681A patent/JPS5846348A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4495262A (en) | Photosensitive member for electrophotography comprises inorganic layers | |
| US4673628A (en) | Image forming member for electrophotography | |
| JPS58217938A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6248217B2 (ja) | ||
| JPH035744B2 (ja) | ||
| JPS5846348A (ja) | 電子写真感光体 | |
| US4379821A (en) | Electrophotographic recording material with As2 Se3-x Tex charge generating layer | |
| JPH0330853B2 (ja) | ||
| JPS59133551A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0782240B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0549107B2 (ja) | ||
| JPS5915940A (ja) | 感光体 | |
| JPS58186748A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| US4868077A (en) | Layered photosensitive material for electrophotography comprising selenium, arsenic and tellurium | |
| JPH0217021B2 (ja) | ||
| JP2599950B2 (ja) | 感光体構造物 | |
| JPS58100854A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0544666B2 (ja) | ||
| US4418136A (en) | Electrophotographic element comprises arsenic selenide doped with Bi | |
| JPS6126062A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS60254044A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0536785B2 (ja) | ||
| JPS6033561A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6152650A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS60205457A (ja) | 電子写真感光体 |