JPH0536785B2 - - Google Patents
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- JPH0536785B2 JPH0536785B2 JP63112643A JP11264388A JPH0536785B2 JP H0536785 B2 JPH0536785 B2 JP H0536785B2 JP 63112643 A JP63112643 A JP 63112643A JP 11264388 A JP11264388 A JP 11264388A JP H0536785 B2 JPH0536785 B2 JP H0536785B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
-
- G—PHYSICS
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
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- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は感光体に関し、特に電子写真機（レー
ザ，LED等の光プリンタ機等）に用いるのに適
した感光体構造に関する。
ザ，LED等の光プリンタ機等）に用いるのに適
した感光体構造に関する。
［従来の技術］
電子写真機においてレーザダイオードや発光ダ
イオードからの信号光を受け、電子的潜像に変換
するため、感光体が用いられる。発光ダイオード
（LED）としては、たとえばGaAlAsやGaAlPで
発光波長660nmのものが用いられ、短波長レーザ
ダイオード（LD）としては、たとえばGaAlAs
やGaAlPで発光波長780nmのものが用いられる。
感光体は暗所で良好な絶縁体で、コロナ放電によ
る高い帯電を維持する必要がある。帯電している
感光体表面に光を当て、光導電性を利用して放電
を生じさせ、静電潜像をつくる。この潜像を電荷
を持たせたトナーで現像し、用紙に転写する。こ
のような感光体は通常アルミニウム等の金属ドラ
ムからなる導電性基板上に真空蒸着等によつて光
導電性の感光材料を膜状に堆積することによつて
形成される。感光体の構造として単層型と積層構
造型とが知られている。第２Ａ図、第２Ｂ図とに
これらを模式的に示す。
イオードからの信号光を受け、電子的潜像に変換
するため、感光体が用いられる。発光ダイオード
（LED）としては、たとえばGaAlAsやGaAlPで
発光波長660nmのものが用いられ、短波長レーザ
ダイオード（LD）としては、たとえばGaAlAs
やGaAlPで発光波長780nmのものが用いられる。
感光体は暗所で良好な絶縁体で、コロナ放電によ
る高い帯電を維持する必要がある。帯電している
感光体表面に光を当て、光導電性を利用して放電
を生じさせ、静電潜像をつくる。この潜像を電荷
を持たせたトナーで現像し、用紙に転写する。こ
のような感光体は通常アルミニウム等の金属ドラ
ムからなる導電性基板上に真空蒸着等によつて光
導電性の感光材料を膜状に堆積することによつて
形成される。感光体の構造として単層型と積層構
造型とが知られている。第２Ａ図、第２Ｂ図とに
これらを模式的に示す。
第２Ａ図に示す単層形はセレン（Se）、セレン
−テルル合金（Se−Te）又は３セレン化砒素
（As2Se3）等の光導電性感光材料を導電性基板１
上に１層１２に形成したものである。
−テルル合金（Se−Te）又は３セレン化砒素
（As2Se3）等の光導電性感光材料を導電性基板１
上に１層１２に形成したものである。
第２Ｂ図に示す積層型構造は導電性基板１上に
Seの第１層１３、第１層の上にSe−Te合金の第
２層１４を積層させたものである。なお、必要に
応じ、Te濃度を変化させたSe−Te合金の第３層
をさらに積層させる場合もある。
Seの第１層１３、第１層の上にSe−Te合金の第
２層１４を積層させたものである。なお、必要に
応じ、Te濃度を変化させたSe−Te合金の第３層
をさらに積層させる場合もある。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の単層型のものは全般に感度が十分長波長
域まで延びない。長波長域の感度を増そうとする
と帯電電位を高くできない。また、As2Se3以外
の感光材料は耐熱性が低く高温で結晶化しやす
い。従来のSeの第１層、Se−Te合金の第２層を
用いる積層型構造はSe−Te合金の使用によつて
長波長域の感度が向上しているが、このSe−Te
合金の第２層の膜厚制御およびTe濃度のコント
ロールが大変難しい。このため歩留まりも低く、
従つてコストも高い。
域まで延びない。長波長域の感度を増そうとする
と帯電電位を高くできない。また、As2Se3以外
の感光材料は耐熱性が低く高温で結晶化しやす
い。従来のSeの第１層、Se−Te合金の第２層を
用いる積層型構造はSe−Te合金の使用によつて
長波長域の感度が向上しているが、このSe−Te
合金の第２層の膜厚制御およびTe濃度のコント
ロールが大変難しい。このため歩留まりも低く、
従つてコストも高い。
本発明は感度が長波長領域まで十分あり、耐熱
性が高く、製造歩留まりの高い感光体構造物を提
供しようとするものである。
性が高く、製造歩留まりの高い感光体構造物を提
供しようとするものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、基板と、基板上に気相法で形成した
感光層を含む感光体構造において、前記感光層は
TiOフタロシアニンをほぼ均一に含有する３セレ
ン化砒素からなる単層型構造としたことを特徴と
する感光体構造を提供する。
感光層を含む感光体構造において、前記感光層は
TiOフタロシアニンをほぼ均一に含有する３セレ
ン化砒素からなる単層型構造としたことを特徴と
する感光体構造を提供する。
［作用］
TiOフタロシアニンを均一に含有する３セレン
化砒素（As2Se3：TiOフタロシアニン）の感光
層を用いたため十分長波長まで感度があり、帯電
電位も十分高く、耐熱性も高い。
化砒素（As2Se3：TiOフタロシアニン）の感光
層を用いたため十分長波長まで感度があり、帯電
電位も十分高く、耐熱性も高い。
また、TiOフタロシアニンとAs2Se3の昇華温
度はほぼ同じで気相法による制御が容易であり、
ミクロ的にも均一な組成の感光層が得やすい。
度はほぼ同じで気相法による制御が容易であり、
ミクロ的にも均一な組成の感光層が得やすい。
［実施例］
第１図に本発明の実施例による感光体構造を示
す。アルミニウム等の導電性基板１上に真空蒸着
等の気相法により、バインダを用いずに３セレン
化砒素（As2Se3）中にTiOフタロシアニンを均
一に含有した感光層２を形成してある。ここで、
TiOフタロシアニンを含有した３セレン化砒素の
感光層２は好ましくは１−80μmの厚さで、好ま
しくはTiOフタロシアニン添加量0.5−10重量％
を有する。TiOフタロシアニン含有量はより好ま
しくは５重量％以下、さらに好ましくは１重量％
以下とする。As2Se3にTiOフタロシアニンを含
有することで長波長域の感度が向上する。TiOフ
タロシアニンは感光層２の全厚に亘つて含有する
が、感光層２形成の初期や終期にいく分組成が変
化しても実質的に均一組成であればよい。
す。アルミニウム等の導電性基板１上に真空蒸着
等の気相法により、バインダを用いずに３セレン
化砒素（As2Se3）中にTiOフタロシアニンを均
一に含有した感光層２を形成してある。ここで、
TiOフタロシアニンを含有した３セレン化砒素の
感光層２は好ましくは１−80μmの厚さで、好ま
しくはTiOフタロシアニン添加量0.5−10重量％
を有する。TiOフタロシアニン含有量はより好ま
しくは５重量％以下、さらに好ましくは１重量％
以下とする。As2Se3にTiOフタロシアニンを含
有することで長波長域の感度が向上する。TiOフ
タロシアニンは感光層２の全厚に亘つて含有する
が、感光層２形成の初期や終期にいく分組成が変
化しても実質的に均一組成であればよい。
以下製造方法の例を説明する。
(1) 十分に洗浄したアルミニウムのドラムからな
る導電性基板１を真空蒸着槽にセットし、１×
10-5torr以下の圧力まで真空排気を行う。
る導電性基板１を真空蒸着槽にセットし、１×
10-5torr以下の圧力まで真空排気を行う。
(2) アルミニウムのドラムである導電性基板１の
温度を220℃に制御する。
温度を220℃に制御する。
(3) 導電性基板１の温度が220℃で一定となつた
ら、第１蒸着ボートから３セレン化砒素
（As2Se3）第２蒸着ボートからTiOフタロシア
ニンを蒸発（昇華）できるように３セレン化砒
素（As2Se3）とTiOフタロシアニンの蒸発
（昇華）速度を制御し、３セレン化砒素
（As2Se3）の中にTiOフタロシアニンを均一に
約1.0重量％含有した混合物の膜を膜厚約55μm
積層する。
ら、第１蒸着ボートから３セレン化砒素
（As2Se3）第２蒸着ボートからTiOフタロシア
ニンを蒸発（昇華）できるように３セレン化砒
素（As2Se3）とTiOフタロシアニンの蒸発
（昇華）速度を制御し、３セレン化砒素
（As2Se3）の中にTiOフタロシアニンを均一に
約1.0重量％含有した混合物の膜を膜厚約55μm
積層する。
このようにして得られた感光体の特性を、帯電
電位、暗減衰率、650nm、800nmでの光感度（発
光ダイオード（LED）の発光波長660nmとレー
ザダイオード（LD）の発光波長780nmとを含む
波長領域を考慮した）について調べた。
電位、暗減衰率、650nm、800nmでの光感度（発
光ダイオード（LED）の発光波長660nmとレー
ザダイオード（LD）の発光波長780nmとを含む
波長領域を考慮した）について調べた。
帯電電位はドラム上の感光体を帯電させ、リー
クによつてそれ以上電位が上らなくなる感光体の
表面電位によつて測定し、暗減衰率は感光体に実
用表面電荷を載せ暗所で10秒後電位がどれだけ変
化したかを測定し、光感度は同様に実用表面電荷
を載せた感光体に光を照射し、表面電位が1/2に
減じるまでに照射した光の総量によつて測定し
た。
クによつてそれ以上電位が上らなくなる感光体の
表面電位によつて測定し、暗減衰率は感光体に実
用表面電荷を載せ暗所で10秒後電位がどれだけ変
化したかを測定し、光感度は同様に実用表面電荷
を載せた感光体に光を照射し、表面電位が1/2に
減じるまでに照射した光の総量によつて測定し
た。
得られたデータを以下に示す。
感光体特性のデータ
帯電電位 960 Ｖ
暗減衰率 ［DDR(10sec)］ 0.88
光感度 650nm 0.98μJ／cm2
800nm 1.0 μJ／cm2
この感光体をレーザダイオードを用いたプリン
タに搭載したところたいへん良好な画像が得られ
た。
タに搭載したところたいへん良好な画像が得られ
た。
このように、650nm以上の長波長域の光に対し
ても十分な光感度が得られ、赤色LEDプリンタ
はもちろん、近赤外LDプリンタにも使用可能な
感光体構造が得られた。
ても十分な光感度が得られ、赤色LEDプリンタ
はもちろん、近赤外LDプリンタにも使用可能な
感光体構造が得られた。
３セレン化砒素が主材料のため、耐熱性に優れ
た感光体構造が得られた。
た感光体構造が得られた。
なお、基板加熱温度は220℃でなく、もつと低
温にしてもよい。
温にしてもよい。
TiOフタロシアニンと３セレン化砒素
（As2Se3）の蒸発（昇華）温度がほぼ同じである
ので、両者の混合物を予め準備して１つの蒸着ボ
ートから蒸着させても膜中のTiOフタロシアニン
含有量はほぼ一定に保つことができる。
（As2Se3）の蒸発（昇華）温度がほぼ同じである
ので、両者の混合物を予め準備して１つの蒸着ボ
ートから蒸着させても膜中のTiOフタロシアニン
含有量はほぼ一定に保つことができる。
TiOフタロシアニンの含有量が増加すると
650nm以上の長波長感度は向上するが、帯電電位
の低下、暗減衰率の増加が生じる。TiOフタロシ
アニンの含有量は10重量％以下が好ましいが、よ
り好ましくは５重量％以下、さらに好ましくは１
重量％以下である。
650nm以上の長波長感度は向上するが、帯電電位
の低下、暗減衰率の増加が生じる。TiOフタロシ
アニンの含有量は10重量％以下が好ましいが、よ
り好ましくは５重量％以下、さらに好ましくは１
重量％以下である。
［発明の効果］
650nm以上の波長の光に対しても十分な光感度
が得らる感光体構造が得られる。
が得らる感光体構造が得られる。
３セレン化砒素（As2Se3）が主材料である為、
耐熱性に優れた感光体構造となる。
耐熱性に優れた感光体構造となる。
TiOフタロシアニンの昇華温度は230℃付近で
あり、As2Se3の昇華温度とほぼ同じであるので、
TiOフタロシアニンを含有したAs2Se3の感光層
を作成する際の制御性がたいへん良い。このため
高い製造歩留まりを得られる。
あり、As2Se3の昇華温度とほぼ同じであるので、
TiOフタロシアニンを含有したAs2Se3の感光層
を作成する際の制御性がたいへん良い。このため
高い製造歩留まりを得られる。
第１図は本考案の１実施例による感光体構造を
模式的に示す断面図、第２Ａ図と第２Ｂ図は従来
の感光体を模式的に示す断面図である。 符号の説明、１……基板、２……TiOフタロシ
アニン含有３セレン化砒素（As2Se3：TiOフタ
ロシアニン）の感光層。
模式的に示す断面図、第２Ａ図と第２Ｂ図は従来
の感光体を模式的に示す断面図である。 符号の説明、１……基板、２……TiOフタロシ
アニン含有３セレン化砒素（As2Se3：TiOフタ
ロシアニン）の感光層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板と、基板上に気相法で形成した感光層を
含む感光体構造において、 前記感光層はTiOフタロシアニンをほぼ均一に
含有する３セレン化砒素からなる単層型構造とし
たことを特徴とする感光体構造。 ２ TiOフタロシアニンを0.5−１重量％含有し
ている請求項１記載の感光体構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11264388A JPH01283569A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 感光体構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11264388A JPH01283569A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 感光体構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283569A JPH01283569A (ja) | 1989-11-15 |
| JPH0536785B2 true JPH0536785B2 (ja) | 1993-05-31 |
Family
ID=14591865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11264388A Granted JPH01283569A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 感光体構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01283569A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5915249A (ja) * | 1982-07-15 | 1984-01-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電子写真用感光体 |
| JPS5964849A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-12 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS62111257A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-05-22 | Dainippon Ink & Chem Inc | 電子写真用感光体 |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP11264388A patent/JPH01283569A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5915249A (ja) * | 1982-07-15 | 1984-01-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電子写真用感光体 |
| JPS5964849A (ja) * | 1982-10-05 | 1984-04-12 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS62111257A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-05-22 | Dainippon Ink & Chem Inc | 電子写真用感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01283569A (ja) | 1989-11-15 |
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