JPS6165254A - 電子写真用セレン感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真用セレン感光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6165254A JPS6165254A JP18738984A JP18738984A JPS6165254A JP S6165254 A JPS6165254 A JP S6165254A JP 18738984 A JP18738984 A JP 18738984A JP 18738984 A JP18738984 A JP 18738984A JP S6165254 A JPS6165254 A JP S6165254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tellurium
- boat
- heating
- selenium
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、純セレンあるいは低テルル含有率のセレン・
テルル合金よりなる電荷輸送層の上に高テルル含有率の
セレン・テルル合金よりなる電荷発生層を蒸着する電子
写真用感光体の製造方法に関する。
テルル合金よりなる電荷輸送層の上に高テルル含有率の
セレン・テルル合金よりなる電荷発生層を蒸着する電子
写真用感光体の製造方法に関する。
一般にセレン・テルル合金系感光体は増感荊であるテル
ルの含有率を高めるほど帯電、電荷保持機能が低下する
傾向にある。特に半導体レーザ光などの長波長光に対し
必要な感度を持たせるためには、高いテルル含有率が必
要でありこの傾向がより著しい、従ってこれらの機能、
をｔＪ′Ｉなうことな（必要な感度を持たせるために、
感光層をテルル含有率３０〜５０重量％、厚さ１μ階程
度で感度！Ｒ能を有する屑、いわゆる電荷発生層と、テ
ルル含有率０〜７′ＩＢＮ％、厚さ５０〜６０μ閘で帯
電、電荷保持機能を有する、いわゆる電荷輸送層とに機
能分離して全体のテルル含有率をできるだけ下げた層構
成とすることが必要とされる。このような感光層のうち
、電荷輸送層は従来の落着方法によって形成することが
できる０例えば、層内に必要なテルル含有率と同程度の
セレン・テルル合金１ｋｇをボートに充填し、１０−’
〜１０−’ Ｔｏｒｒの真空中で３００〜３５０℃に
加熱溶融し、その蒸気を上方の回転支持体に支持体に装
着されたアルミニウム円筒状基体上に被着することによ
り１）られる、この電荷輸送層内のテルル含有率方布は
第２図に示すようにほぼ一定の値を示す、これに対し、
電荷発生層は上記のように高テルル含有率、薄膜である
上に、層内のテルル含有率分布の状ｎ！により、残Ｖｔ
位上昇、帯７！を低下などの疲労特性が微妙に影響され
ることが考えられ、具体的には第３図に示す分布が望ま
れる。このようにテルル含有率とその分布および１１が
全く対称的であり、従来の丙着法、すなわち電荷輸送層
を形成する蒸着方法で電荷発生層を得ることは困難であ
る。
ルの含有率を高めるほど帯電、電荷保持機能が低下する
傾向にある。特に半導体レーザ光などの長波長光に対し
必要な感度を持たせるためには、高いテルル含有率が必
要でありこの傾向がより著しい、従ってこれらの機能、
をｔＪ′Ｉなうことな（必要な感度を持たせるために、
感光層をテルル含有率３０〜５０重量％、厚さ１μ階程
度で感度！Ｒ能を有する屑、いわゆる電荷発生層と、テ
ルル含有率０〜７′ＩＢＮ％、厚さ５０〜６０μ閘で帯
電、電荷保持機能を有する、いわゆる電荷輸送層とに機
能分離して全体のテルル含有率をできるだけ下げた層構
成とすることが必要とされる。このような感光層のうち
、電荷輸送層は従来の落着方法によって形成することが
できる０例えば、層内に必要なテルル含有率と同程度の
セレン・テルル合金１ｋｇをボートに充填し、１０−’
〜１０−’ Ｔｏｒｒの真空中で３００〜３５０℃に
加熱溶融し、その蒸気を上方の回転支持体に支持体に装
着されたアルミニウム円筒状基体上に被着することによ
り１）られる、この電荷輸送層内のテルル含有率方布は
第２図に示すようにほぼ一定の値を示す、これに対し、
電荷発生層は上記のように高テルル含有率、薄膜である
上に、層内のテルル含有率分布の状ｎ！により、残Ｖｔ
位上昇、帯７！を低下などの疲労特性が微妙に影響され
ることが考えられ、具体的には第３図に示す分布が望ま
れる。このようにテルル含有率とその分布および１１が
全く対称的であり、従来の丙着法、すなわち電荷輸送層
を形成する蒸着方法で電荷発生層を得ることは困難であ
る。
本発明は、電荷輸送層の上に次第に増加するテルル含有
率分布を有する電荷発生層を蒸着して形成するのに適し
たセレン感光体製造方法を提供することを目的とする。
率分布を有する電荷発生層を蒸着して形成するのに適し
たセレン感光体製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、真空槽内の電荷？０送層を形成した基体の下
部に配置され、高テルル含を率のセレン・−アールル合
金を収容した蒸発源を温度上昇速度をほぼ一定に保ちな
がら加熱し、所定温度に到達後加熱を停止し、直ちに槽
内の真上を破壊することにより上記の目的を達成するも
のである。
部に配置され、高テルル含を率のセレン・−アールル合
金を収容した蒸発源を温度上昇速度をほぼ一定に保ちな
がら加熱し、所定温度に到達後加熱を停止し、直ちに槽
内の真上を破壊することにより上記の目的を達成するも
のである。
第４図は、本発明の一実施例に使用した蒸発源で、従来
用いられているものと同様な配置のものである。ボート
ｌは電熱体２で囲まれ、さらに蒸発口３を除いて保温壁
４で全体を覆われている。 ここでボートは原料溶融状態において、その量にかかわ
らず蒸発表面積をボートの全長にわたり一浄に保つため
６０〜９０度の角底形状とし、材質はアルミニウム合金
１ステンレス合金１石英などが好ましい、この蒸発源を
用いて、まずテルル含有率２２．５重１％のセレン・テ
ルル合金をポート１ｍ当たり１０ｇの割合で均一に充填
し、温度制御機構に連続された熱電対５をボート底へ接
触させる。他方、図示しないボート上方にある基体回転
支持体へ、電荷輸送層の形成された円筒基体を取り付け
、支持体内部の保温ａ構により基体温度を４０℃に保つ
、この状ｐで１０−’ 〜１０−’ Ｔｏｒｒの真空度
に維持し、電熱体と温度で制御機構により第１図に示す
ように、１０〜ｂ ℃のＡ点にｒｌ達後直ちに加熱を停止し、真空破壊を行
う、この蒸着により得られた膜厚は０．６μ−でありテ
ルル含有率分布は分析により第３図に示したものとなっ
た。これは、温度を一定の上昇速度で加熱することによ
、す、まず沸点の低い方の元素であるセレンが多く蒸発
する結果、ボート１の中の残留原料のテルル含有率は次
第に高くなり、蒸発ガスのテルル含有率も高くなること
に基づ（。 蒸着層のテルル含有率が所定の値になるＡ点到達後直ち
に加熱を停止し、真空を破るのは、そのまま真空状態を
保つと蒸発源内の残留原料のセレンが、ｌ温度低下によ
り再び蒸発割合を増し、表面のテルル含有率を下げる原
因となり、またＡ点までにボート中の原料を全部中ばし
切った場合にも、真空状態を保つと保温壁４に付着した
セレンから再蒸発した電気がＮ ’？ｆ ｍ内に残って
いて、それが茂着槽の表面に付着することがあるのを防
止するためである。さらに真空破壊することにより槽内
に導入された酸素のために蒸着層の表面が酸化すると、
表面の安定化に役立つ効果を生ずることもある。 このようにして製造された感光体の電気特性は、帯電８
００Ｖ、波長７８０Ｉの光半減衰露光贋０．５μＪ／、
ｙｌ 、帯電保持率９０％／秒以上１除電後の残留電位
５０Ｖ以下となり、半界体レーザ光をｎ光源とするプリ
ンタによる実装疲労試験においても、帯電低下５０ｖ以
下、残留電位上昇３０Ｖ以下となり、実用条件にかなう
感光体を得ることができた。この実施例ではテルル含有
率２２．５％としたが、これを含む他の含有率、例えば
２０〜３５％のテルル含有率でもよく、またこれに応し
て昇温割合および到達温度を設定すればよい。 【発明の効果］ 本発明は、電荷輸送層の上に高テルル含有率のセレンか
らなる電荷発生層を蒸着する際に、温度上昇速度をほぼ
一定にして蒸発源を加熱することにより次第にテルル含
有率が増加する濃度分布を作成し、かつ二面層に所定の
最高テルル含有率を得たところで加熱を停止すると共に
次着槽の真空破壊をすることにより表面にテルルの低い
層が形成されることを防止するもので、疲労による残留
電位上界、帯電低下などの少ない特性良好な電子写真用
怒光体の製造方法を再現性よく行うことができるので得
られる効果は（翫めて大きい。 ４．１７１而の筒中な説明 第１図は本発明の一実施例における蒸発源の温度上昇曲
線図、第２図は電荷輸送層のテルル含有率分布曲線図、
第３図は本発明により形成される電荷発生層のテルル含
有率分布曲線図、第４図は本発明の一実施例に用いられ
る蒸発源の断面図である。 １コ演発源ボート、２：電熱体、５二熟電対。 第１図 第２図 第３図 第４図
用いられているものと同様な配置のものである。ボート
ｌは電熱体２で囲まれ、さらに蒸発口３を除いて保温壁
４で全体を覆われている。 ここでボートは原料溶融状態において、その量にかかわ
らず蒸発表面積をボートの全長にわたり一浄に保つため
６０〜９０度の角底形状とし、材質はアルミニウム合金
１ステンレス合金１石英などが好ましい、この蒸発源を
用いて、まずテルル含有率２２．５重１％のセレン・テ
ルル合金をポート１ｍ当たり１０ｇの割合で均一に充填
し、温度制御機構に連続された熱電対５をボート底へ接
触させる。他方、図示しないボート上方にある基体回転
支持体へ、電荷輸送層の形成された円筒基体を取り付け
、支持体内部の保温ａ構により基体温度を４０℃に保つ
、この状ｐで１０−’ 〜１０−’ Ｔｏｒｒの真空度
に維持し、電熱体と温度で制御機構により第１図に示す
ように、１０〜ｂ ℃のＡ点にｒｌ達後直ちに加熱を停止し、真空破壊を行
う、この蒸着により得られた膜厚は０．６μ−でありテ
ルル含有率分布は分析により第３図に示したものとなっ
た。これは、温度を一定の上昇速度で加熱することによ
、す、まず沸点の低い方の元素であるセレンが多く蒸発
する結果、ボート１の中の残留原料のテルル含有率は次
第に高くなり、蒸発ガスのテルル含有率も高くなること
に基づ（。 蒸着層のテルル含有率が所定の値になるＡ点到達後直ち
に加熱を停止し、真空を破るのは、そのまま真空状態を
保つと蒸発源内の残留原料のセレンが、ｌ温度低下によ
り再び蒸発割合を増し、表面のテルル含有率を下げる原
因となり、またＡ点までにボート中の原料を全部中ばし
切った場合にも、真空状態を保つと保温壁４に付着した
セレンから再蒸発した電気がＮ ’？ｆ ｍ内に残って
いて、それが茂着槽の表面に付着することがあるのを防
止するためである。さらに真空破壊することにより槽内
に導入された酸素のために蒸着層の表面が酸化すると、
表面の安定化に役立つ効果を生ずることもある。 このようにして製造された感光体の電気特性は、帯電８
００Ｖ、波長７８０Ｉの光半減衰露光贋０．５μＪ／、
ｙｌ 、帯電保持率９０％／秒以上１除電後の残留電位
５０Ｖ以下となり、半界体レーザ光をｎ光源とするプリ
ンタによる実装疲労試験においても、帯電低下５０ｖ以
下、残留電位上昇３０Ｖ以下となり、実用条件にかなう
感光体を得ることができた。この実施例ではテルル含有
率２２．５％としたが、これを含む他の含有率、例えば
２０〜３５％のテルル含有率でもよく、またこれに応し
て昇温割合および到達温度を設定すればよい。 【発明の効果］ 本発明は、電荷輸送層の上に高テルル含有率のセレンか
らなる電荷発生層を蒸着する際に、温度上昇速度をほぼ
一定にして蒸発源を加熱することにより次第にテルル含
有率が増加する濃度分布を作成し、かつ二面層に所定の
最高テルル含有率を得たところで加熱を停止すると共に
次着槽の真空破壊をすることにより表面にテルルの低い
層が形成されることを防止するもので、疲労による残留
電位上界、帯電低下などの少ない特性良好な電子写真用
怒光体の製造方法を再現性よく行うことができるので得
られる効果は（翫めて大きい。 ４．１７１而の筒中な説明 第１図は本発明の一実施例における蒸発源の温度上昇曲
線図、第２図は電荷輸送層のテルル含有率分布曲線図、
第３図は本発明により形成される電荷発生層のテルル含
有率分布曲線図、第４図は本発明の一実施例に用いられ
る蒸発源の断面図である。 １コ演発源ボート、２：電熱体、５二熟電対。 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- １）純セレンあるいは低テルル含有率のセレン・テルル
合金よりなる電荷輸送層の上に高テルル含有率のセレン
・テルル合金よりなる電荷発生層を蒸着するに際し、真
空槽内の電荷輸送層を形成した基体の下部に配置され、
高テルル含有率のセレン・テルル合金を収容した蒸発源
を温度上昇速度をほぼ一定に保ちながら加熱し、所定温
度に到達後加熱を停止し、直ちに槽内の真空を破壊する
ことを特徴とする電子写真用セレン感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18738984A JPS6165254A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 電子写真用セレン感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18738984A JPS6165254A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 電子写真用セレン感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6165254A true JPS6165254A (ja) | 1986-04-03 |
Family
ID=16205160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18738984A Pending JPS6165254A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 電子写真用セレン感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6165254A (ja) |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP18738984A patent/JPS6165254A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07268609A (ja) | ガリウム酸化物薄膜 | |
| JPH0849067A (ja) | 蒸着方法 | |
| JP3483719B2 (ja) | 有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機薄膜形成装置 | |
| JPH0459390B2 (ja) | ||
| JP2681283B2 (ja) | イオン注入ポリシリコン面に酸化物を成長させる方法 | |
| JPS6165254A (ja) | 電子写真用セレン感光体の製造方法 | |
| US3984585A (en) | Vacuum evaporation plating method | |
| US4513031A (en) | Process for forming alloy layer | |
| JPS6138266B2 (ja) | ||
| JPH03290669A (ja) | 電子写真用感光体の製造方法 | |
| JPS6210298B2 (ja) | ||
| JP2856533B2 (ja) | 多結晶シリコン薄膜の製造方法 | |
| JPS5944055A (ja) | 感光体 | |
| JPH02171756A (ja) | 電子写真用感光体の真空蒸発源容器 | |
| JPS5943871A (ja) | 蒸発材料収容器 | |
| JP2790654B2 (ja) | プラスチックレンズ基板への二酸化チタン膜の形成方法 | |
| JP2574485B2 (ja) | カルコゲナイド合金の分晶抑制方法 | |
| JPH0544021A (ja) | 真空蒸着用ｋセル | |
| JPS62160460A (ja) | 真空蒸着用蒸発源 | |
| JPS62254158A (ja) | 電子写真用感光体の製造方法 | |
| JPS5943868A (ja) | 蒸着方法 | |
| SU1191878A1 (ru) | Способ изготовлени электрофотографического носител | |
| JPS6383732A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH08158041A (ja) | 透明導電膜の製造方法および装置 | |
| JPS5953678A (ja) | 蒸着方法 |