JPS5944058A - 感光体の製造方法 - Google Patents
感光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5944058A JPS5944058A JP15424382A JP15424382A JPS5944058A JP S5944058 A JPS5944058 A JP S5944058A JP 15424382 A JP15424382 A JP 15424382A JP 15424382 A JP15424382 A JP 15424382A JP S5944058 A JPS5944058 A JP S5944058A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- layer
- raw material
- tellurium
- low
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えば電子写真又は光電変換素子等に好適な
感光体の製造方法に関するものである。
感光体の製造方法に関するものである。
従来、電子写真用の感光体として、セレンにテルルを添
加したセレン−テルル合金(Se−Te)からなる感光
体が知られている。この5e−Te感光体はテルルの含
有によって特に長波長域で良好な感度を示す。
加したセレン−テルル合金(Se−Te)からなる感光
体が知られている。この5e−Te感光体はテルルの含
有によって特に長波長域で良好な感度を示す。
例えば、特開昭56−12647号においては、5e−
Teからなる電荷輸送層(以下、CTLと称する。)の
表面に、このCT LよりTe含有量の多い5e−Te
からなる電荷発生層(以下、CG Lと称する。)が設
けられてなる感光体が記載されている。
Teからなる電荷輸送層(以下、CTLと称する。)の
表面に、このCT LよりTe含有量の多い5e−Te
からなる電荷発生層(以下、CG Lと称する。)が設
けられてなる感光体が記載されている。
この種の5e−Te感光体を製造するには一般に真空蒸
着法が使用されるが、−例として、特開昭56−126
47号によれば、複数の蒸発源を用い、一方の蒸発源を
低テルル濃度の原料とし、他方の蒸発源を高テルル濃度
の原料とし、各蒸発源を順次加熱、蒸発させる方法が知
られている。この方法によって、低テルル濃度の原料の
蒸着で上記したC T Lを形成し、高テルル濃度の原
料の蒸着でC1’ L上にCGLを形成できる。しかし
ながら、このように複数の蒸発源を用いた場合、蒸着槽
(ペルジャー)内の構造が複雑化したり、或いはゴミ等
が生じ易くなって得られる感光体の歩留が悪くなる。才
だ、蒸発源が複数存在するだめに、それだけ輻射熱が多
くなり、感光体自体が結晶化し易いという欠点があり、
しかも各蒸発源を温度制御することが困難である。
着法が使用されるが、−例として、特開昭56−126
47号によれば、複数の蒸発源を用い、一方の蒸発源を
低テルル濃度の原料とし、他方の蒸発源を高テルル濃度
の原料とし、各蒸発源を順次加熱、蒸発させる方法が知
られている。この方法によって、低テルル濃度の原料の
蒸着で上記したC T Lを形成し、高テルル濃度の原
料の蒸着でC1’ L上にCGLを形成できる。しかし
ながら、このように複数の蒸発源を用いた場合、蒸着槽
(ペルジャー)内の構造が複雑化したり、或いはゴミ等
が生じ易くなって得られる感光体の歩留が悪くなる。才
だ、蒸発源が複数存在するだめに、それだけ輻射熱が多
くなり、感光体自体が結晶化し易いという欠点があり、
しかも各蒸発源を温度制御することが困難である。
他方、別の方法として、特開昭56−118658号に
開示されているように蒸発源を1つのみとし、この蒸発
源の下層に純セレンを配し、上層にセレン−テルル合金
を配して蒸着する方法がある。この方法では、蒸発源が
1つであるだめ、輻射熱は小さく、結晶化しにくい。し
かし、この方法は一定濃度プロフィルを得ることを目的
としているだめ、C’J”L、CGLの多層蒸着を行な
うには、結局複数の蒸発源を必要とする欠点がある。し
かも、下層d:純セレンであるため上層のセレン−テル
ルとの混合状態が悪く作成した感光体ピ、感度ムラが生
じやすい。
開示されているように蒸発源を1つのみとし、この蒸発
源の下層に純セレンを配し、上層にセレン−テルル合金
を配して蒸着する方法がある。この方法では、蒸発源が
1つであるだめ、輻射熱は小さく、結晶化しにくい。し
かし、この方法は一定濃度プロフィルを得ることを目的
としているだめ、C’J”L、CGLの多層蒸着を行な
うには、結局複数の蒸発源を必要とする欠点がある。し
かも、下層d:純セレンであるため上層のセレン−テル
ルとの混合状態が悪く作成した感光体ピ、感度ムラが生
じやすい。
本発明は、上記した如き欠点をすべて解消すべくなされ
たものであって、高感度、低疲労の感光体を作成するこ
とを目的とする。本発明の他の目的は、一つの蒸発源に
より多層構成の感光体を作成することにある。本発明の
更なる目的は、1つの蒸発源としての温度制御器により
、容易に多層構成の感光体を作成することにある。
たものであって、高感度、低疲労の感光体を作成するこ
とを目的とする。本発明の他の目的は、一つの蒸発源に
より多層構成の感光体を作成することにある。本発明の
更なる目的は、1つの蒸発源としての温度制御器により
、容易に多層構成の感光体を作成することにある。
即ち、本発明は、セレン及びテルルを主成分とする蒸着
材料を基体上に蒸着するようにした感光体の製造方法に
おいて、高テルル濃度の原料を上層としかつ低テルル濃
度の原料を」二層として1つの容器内に配17た蒸発源
を使用し、上方からの加熱によって前記低テルル濃度の
原料の蒸着と前記高テルル濃度の原料の蒸着とを連続的
に行なうことを特徴とする感光体の製造方法に係るもの
である。
材料を基体上に蒸着するようにした感光体の製造方法に
おいて、高テルル濃度の原料を上層としかつ低テルル濃
度の原料を」二層として1つの容器内に配17た蒸発源
を使用し、上方からの加熱によって前記低テルル濃度の
原料の蒸着と前記高テルル濃度の原料の蒸着とを連続的
に行なうことを特徴とする感光体の製造方法に係るもの
である。
二
本発明の方法によれば、いわゆるマランゴy−数が10
0以下、レイリー数が1700以下では蒸発源中で対流
が生じず、この条件を溶融したセレン−テルルが充たし
得ることを利用して、上方からの加熱によって上層の低
テルル濃度及び下層の高テルル濃度の原料に夫々充填さ
れたときの濃度を維持させることができる。従って、上
方からの加熱によって低テルル濃度のセレン−テルル層
を内層(C(Jll、)として、高テルル濃度のセレン
−テルル層を表層(CGL)として連続的に形成するこ
とが可能となり、目的とする感光体を作成することがで
きる。しかも、蒸発源の個数は1つで済むから、感光体
のテルル濃度プロファイルを容易に制菌できる上に、複
数の蒸発源を用いる場合に比べて熱源は1つで済むから
感光体の結晶化が生じりi′If<なり、更に蒸発源の
温度制御を余裕をもつ−C行ない易く、収率が大幅に向
上する。
0以下、レイリー数が1700以下では蒸発源中で対流
が生じず、この条件を溶融したセレン−テルルが充たし
得ることを利用して、上方からの加熱によって上層の低
テルル濃度及び下層の高テルル濃度の原料に夫々充填さ
れたときの濃度を維持させることができる。従って、上
方からの加熱によって低テルル濃度のセレン−テルル層
を内層(C(Jll、)として、高テルル濃度のセレン
−テルル層を表層(CGL)として連続的に形成するこ
とが可能となり、目的とする感光体を作成することがで
きる。しかも、蒸発源の個数は1つで済むから、感光体
のテルル濃度プロファイルを容易に制菌できる上に、複
数の蒸発源を用いる場合に比べて熱源は1つで済むから
感光体の結晶化が生じりi′If<なり、更に蒸発源の
温度制御を余裕をもつ−C行ない易く、収率が大幅に向
上する。
以下、本発明を実施例について図面参照下に詳細に説明
する。
する。
第1図は、本実施例による真空蒸着方法を概略的に示す
ものである。
ものである。
蒸着槽(図示せず)内には、蒸発源としての蒸着ボー
ト1とドラム状感光体のアルミニウム等の導電性基体2
とを対向配置する。蒸着ボート1においては、容器:3
内に高テルル濃度(例えば20重量%)の原料4を下層
として、低テルル濃度(例えば5重量%)の原料5を上
層として夫々充填せしめ、その真上にヒーター6を配置
する。原料の充填に際しては、下層4を真空下で溶融、
冷却した後、上層5を装填するのがよい。
ト1とドラム状感光体のアルミニウム等の導電性基体2
とを対向配置する。蒸着ボート1においては、容器:3
内に高テルル濃度(例えば20重量%)の原料4を下層
として、低テルル濃度(例えば5重量%)の原料5を上
層として夫々充填せしめ、その真上にヒーター6を配置
する。原料の充填に際しては、下層4を真空下で溶融、
冷却した後、上層5を装填するのがよい。
そして、ヒーター6によシ上方からまず上層5を加熱、
蒸発させ、蒸着ボート1の上部間ロアから飛翔させて基
体2上に低テルル濃度のCi’ L 8を所定厚みに形
成し、更にこれに連続して下層4を加熱、蒸発させ、上
記CT L上にCG L 9−i所定厚みに形成する(
第2図参照)。この際、上層5及び下層4の連続加熱時
に対流が生じ々いように温度コントロールを行ない、マ
ランゴi−数を100以下、レイリー数を1700以下
とする。
蒸発させ、蒸着ボート1の上部間ロアから飛翔させて基
体2上に低テルル濃度のCi’ L 8を所定厚みに形
成し、更にこれに連続して下層4を加熱、蒸発させ、上
記CT L上にCG L 9−i所定厚みに形成する(
第2図参照)。この際、上層5及び下層4の連続加熱時
に対流が生じ々いように温度コントロールを行ない、マ
ランゴi−数を100以下、レイリー数を1700以下
とする。
第3図には、上記した方法で作成した感光体のテルル濃
度プロファイルを示しだが、制御性良く蒸着できるだめ
に、CTLのテルル濃度が低くてほぼ平担となり、電荷
輸送及び保持機能が良好となり、かつCG、T、のテル
ル濃度が高くて光キヤリア発生能が良好となる。
度プロファイルを示しだが、制御性良く蒸着できるだめ
に、CTLのテルル濃度が低くてほぼ平担となり、電荷
輸送及び保持機能が良好となり、かつCG、T、のテル
ル濃度が高くて光キヤリア発生能が良好となる。
次に、上記した方法を更に具体的に説明する。
第1図に示した蒸発源中に、Te濃度が20重量係のS
e −T cを200g、この上に′rC濃度が5重
量係のS c −Tcを300y充填した。そして、厚
さ4yrraのアルミニウム基板を70°Cに保持し、
蒸着槽内の真空度を1×川−5Torrとした。しかる
後、ヒーターによって上方から加熱して、蒸着原料を3
00°Cどし、蒸着を50分間行ない、CT L及びC
(]■」を順次形成した。
e −T cを200g、この上に′rC濃度が5重
量係のS c −Tcを300y充填した。そして、厚
さ4yrraのアルミニウム基板を70°Cに保持し、
蒸着槽内の真空度を1×川−5Torrとした。しかる
後、ヒーターによって上方から加熱して、蒸着原料を3
00°Cどし、蒸着を50分間行ない、CT L及びC
(]■」を順次形成した。
こうして得られた感光体を高滓製作所製のE MXで断
面分析したところ、第3図に示した如き+pe濃度プロ
ファイルが形成されていることが分っメこ。
面分析したところ、第3図に示した如き+pe濃度プロ
ファイルが形成されていることが分っメこ。
壕だ、この感光体を小西六写真工業■製の電子写真複写
機U −B i x vに蒸着して試験した結果、良好
な画像が得られた上に、100回の繰返し試験によって
も画像濃度の低下、カブリを生じず、画質の劣化がなか
った。
機U −B i x vに蒸着して試験した結果、良好
な画像が得られた上に、100回の繰返し試験によって
も画像濃度の低下、カブリを生じず、画質の劣化がなか
った。
以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明の技術的
思想に基いて更に変形が可能である。
思想に基いて更に変形が可能である。
例えば、原料の゛vC濃度の選択等により感光体中のそ
のプロファイルを様々に変化させてよい。
のプロファイルを様々に変化させてよい。
また、蒸発源の構成やヒーターの配■等も変更してよい
。
。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第1図は真
空蒸着装置の要部概略図、 第2図は作成され7′c感恍休の断面図、第3図は仁の
感光体のテルル濃度プロファイルを示す図 である。 外お、図面に示されている符号において、1・・・・・
・・・蒸発源 2・・・・・・・・・基体 4・・・・・・・・・高テルル濃度の原料5・・−・・
・・・・低デルノ”’ flK度の原料6・・・・・・
・・・ヒー ター 8・・・・・・・・Ci’ L (電荷輸送層)9・・
・・・・・・・CGL(電荷発生層)である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第1 日 第2日 第3日 イ則 イ9」(自発)
2ト牟・757i1i jl−巳で1−昭和53)
年11月、’l(H’1 1、事イ11の表示 昭和11741’t!r許 願第] 5424 :(冒
2、発明の名称 感光体の製造方法 3、補j「をする膚 事件との関係 特R’l’ Ill 19II人41
所 東京都新宿区西新宿II目26番2号名 称(+
27 ) 小西六月: Iy、−1−業株式会?14、
代即人 fj、袖iト、 l::より増加−」る発明の数7、補
正の対象 (1)、明た111書第5頁3行目の1’ CG 1.
jを1− CT L、 Jと躬止しまず。 (2)、同第5頁下から4行目の「感光体」を削除しま
゛づ。 (3)、同第6頁4行目の1装填」を1充Ia1と訂正
します。 t/11、同第7頁13行目の[−蒸着」を[−装着1
と訂正します。 −以 に −
空蒸着装置の要部概略図、 第2図は作成され7′c感恍休の断面図、第3図は仁の
感光体のテルル濃度プロファイルを示す図 である。 外お、図面に示されている符号において、1・・・・・
・・・蒸発源 2・・・・・・・・・基体 4・・・・・・・・・高テルル濃度の原料5・・−・・
・・・・低デルノ”’ flK度の原料6・・・・・・
・・・ヒー ター 8・・・・・・・・Ci’ L (電荷輸送層)9・・
・・・・・・・CGL(電荷発生層)である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第1 日 第2日 第3日 イ則 イ9」(自発)
2ト牟・757i1i jl−巳で1−昭和53)
年11月、’l(H’1 1、事イ11の表示 昭和11741’t!r許 願第] 5424 :(冒
2、発明の名称 感光体の製造方法 3、補j「をする膚 事件との関係 特R’l’ Ill 19II人41
所 東京都新宿区西新宿II目26番2号名 称(+
27 ) 小西六月: Iy、−1−業株式会?14、
代即人 fj、袖iト、 l::より増加−」る発明の数7、補
正の対象 (1)、明た111書第5頁3行目の1’ CG 1.
jを1− CT L、 Jと躬止しまず。 (2)、同第5頁下から4行目の「感光体」を削除しま
゛づ。 (3)、同第6頁4行目の1装填」を1充Ia1と訂正
します。 t/11、同第7頁13行目の[−蒸着」を[−装着1
と訂正します。 −以 に −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、セレン及びテルルを主成分とす不蒸着材料を基体上
に蒸着するようにした感光体の製造方法において、高テ
ルル濃度の原料を下層としかつ低テルル濃度の原料を上
層として1つの容器内に配した蒸発源を使用し、上方か
らの加熱によって前記低テルル濃度の原料の蒸着と前記
高テルル濃度の原料の蒸着とを連続的に行なうことを特
徴とする感光体の製造方法。 2、高テルル濃度の原料を真空下で溶融、冷却した後、
この上に低テルル濃度の原料を特徴する特許請求の範囲
の第1項に記載した方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15424382A JPS5944058A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15424382A JPS5944058A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 感光体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5944058A true JPS5944058A (ja) | 1984-03-12 |
Family
ID=15579960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15424382A Pending JPS5944058A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 感光体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5944058A (ja) |
-
1982
- 1982-09-04 JP JP15424382A patent/JPS5944058A/ja active Pending
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