JPH05249721A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
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- JPH05249721A JPH05249721A JP4894192A JP4894192A JPH05249721A JP H05249721 A JPH05249721 A JP H05249721A JP 4894192 A JP4894192 A JP 4894192A JP 4894192 A JP4894192 A JP 4894192A JP H05249721 A JPH05249721 A JP H05249721A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】セレン・テルル系感光体の耐熱性，耐磨耗性を
改善して、少なくともコピー枚数４万枚以上の使用寿命
が安定して得られる感光体とする。 【構成】導電性の基体１上にアモルファスＳｅまたはア
モルファスＳｅ−Ｔｅ合金からなる電荷輸送層２，アモ
ルファスＳｅ−Ｔｅ合金からなりそのＴｅ濃度が電荷輸
送層２との界面では電荷輸送層２のＴｅ濃度と同等であ
り電荷発生層４との界面では電荷発生層４のＴｅ濃度と
同等となる濃度勾配を有する正孔注入層３，微量のＡｓ
を含むアモルファスＳｅ−Ｔｅ合金からなりそのＡｓ濃
度が正孔注入層３との界面では低く電荷発生層４の表面
に向かって高くなる濃度勾配を有する電荷発生層４が順
次積層されてなる感光層を備えた感光体とする。
改善して、少なくともコピー枚数４万枚以上の使用寿命
が安定して得られる感光体とする。 【構成】導電性の基体１上にアモルファスＳｅまたはア
モルファスＳｅ−Ｔｅ合金からなる電荷輸送層２，アモ
ルファスＳｅ−Ｔｅ合金からなりそのＴｅ濃度が電荷輸
送層２との界面では電荷輸送層２のＴｅ濃度と同等であ
り電荷発生層４との界面では電荷発生層４のＴｅ濃度と
同等となる濃度勾配を有する正孔注入層３，微量のＡｓ
を含むアモルファスＳｅ−Ｔｅ合金からなりそのＡｓ濃
度が正孔注入層３との界面では低く電荷発生層４の表面
に向かって高くなる濃度勾配を有する電荷発生層４が順
次積層されてなる感光層を備えた感光体とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、セレン−テルル合金
を電荷発生材料として用いるセレン・テルル系電子写真
用感光体に関し、詳しくは、その使用寿命の改善に関す
る。
を電荷発生材料として用いるセレン・テルル系電子写真
用感光体に関し、詳しくは、その使用寿命の改善に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】白色光を露光に用いる電子写真方式の複
写機において、色再現性に優れた電子写真用感光体とし
て、従来よりアモルファスセレン−テルル合金を電荷発
生材料として用いるセレン・テルル系電子写真用感光体
が用いられてきた。なかでも、アモルファスセレンまた
は電荷発生層より低テルル濃度のアモルファスセレン−
テルル合金からなる電荷輸送層上に、テルル濃度が電荷
輸送層より高く電荷発生層より低いアモルファスセレン
−テルル合金からなる正孔注入層を介して、テルルを１
０重量％程度含むアモルファスセレン−テルル合金から
なる電荷発生層を積層した感光層を設けた機能分離型の
感光体は、高感度で帯電特性も良くさらに疲労特性も良
好で多用されている。
写機において、色再現性に優れた電子写真用感光体とし
て、従来よりアモルファスセレン−テルル合金を電荷発
生材料として用いるセレン・テルル系電子写真用感光体
が用いられてきた。なかでも、アモルファスセレンまた
は電荷発生層より低テルル濃度のアモルファスセレン−
テルル合金からなる電荷輸送層上に、テルル濃度が電荷
輸送層より高く電荷発生層より低いアモルファスセレン
−テルル合金からなる正孔注入層を介して、テルルを１
０重量％程度含むアモルファスセレン−テルル合金から
なる電荷発生層を積層した感光層を設けた機能分離型の
感光体は、高感度で帯電特性も良くさらに疲労特性も良
好で多用されている。
【０００３】ところで、当然のことながら感光体はその
使用寿命が長いことが望ましい。セレン系材料は、アモ
ルファス状で暗抵抗が高く、高い光導電性を示し、上述
のようにアモルファス状で感光体に好適に用いられる
が、そのガラス転移点は純セレンで４０数℃程度と低
く、テルルを添加することにより高くはなるが、テルル
を１０重量％程度添加しても５０℃程度であり、使用時
の熱的ストレス，機械的ストレスなどを受けて結晶化し
易く、また、硬度もビッカース硬度で３０ｋｇ／ｍｍ2
程度と低く、使用時に感光層表面が受ける機械的ストレ
スにより感光層が磨耗し易い。このために、セレン・テ
ルル系感光体の使用寿命はコピー枚数４万枚程度とされ
ている。
使用寿命が長いことが望ましい。セレン系材料は、アモ
ルファス状で暗抵抗が高く、高い光導電性を示し、上述
のようにアモルファス状で感光体に好適に用いられる
が、そのガラス転移点は純セレンで４０数℃程度と低
く、テルルを添加することにより高くはなるが、テルル
を１０重量％程度添加しても５０℃程度であり、使用時
の熱的ストレス，機械的ストレスなどを受けて結晶化し
易く、また、硬度もビッカース硬度で３０ｋｇ／ｍｍ2
程度と低く、使用時に感光層表面が受ける機械的ストレ
スにより感光層が磨耗し易い。このために、セレン・テ
ルル系感光体の使用寿命はコピー枚数４万枚程度とされ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】セレン・テルル系感光
体は、上述のように耐熱性，耐磨耗性が低いために、そ
の使用環境により、また、装着される電子写真装置のプ
ロセス条件，構造により感光体品質の劣化の度合いが大
きく左右され、その使用寿命に差が生じ、コピー枚数４
万枚という公称寿命を満たさない感光体も多かった。
体は、上述のように耐熱性，耐磨耗性が低いために、そ
の使用環境により、また、装着される電子写真装置のプ
ロセス条件，構造により感光体品質の劣化の度合いが大
きく左右され、その使用寿命に差が生じ、コピー枚数４
万枚という公称寿命を満たさない感光体も多かった。
【０００５】この発明は、上述の点に鑑みてなされたも
のであって、セレン・テルル系感光体の耐熱性，耐磨耗
性を改善して、少なくともコピー枚数４万枚以上の使用
寿命が安定して得られるセレン・テルル系感光体を提供
することを解決しようとする課題とする。
のであって、セレン・テルル系感光体の耐熱性，耐磨耗
性を改善して、少なくともコピー枚数４万枚以上の使用
寿命が安定して得られるセレン・テルル系感光体を提供
することを解決しようとする課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、この発明
によれば、導電性基体上にアモルファスセレンまたはア
モルファスセレン−テルル合金からなる電荷輸送層，ア
モルファスセレン−テルル合金からなりそのテルル濃度
が電荷輸送層との界面では電荷輸送層のテルル濃度と同
等であり電荷発生層との界面では電荷発生層のテルル濃
度と同等となる濃度勾配を有する正孔注入層，微量のひ
素を含むアモルファスセレン−テルル合金からなりその
ひ素濃度が正孔注入層との界面では低く電荷発生層表面
に向かって高くなる濃度勾配を有する電荷発生層が順次
積層されてなる感光層を備えた電子写真用感光体とする
ことによって解決される。
によれば、導電性基体上にアモルファスセレンまたはア
モルファスセレン−テルル合金からなる電荷輸送層，ア
モルファスセレン−テルル合金からなりそのテルル濃度
が電荷輸送層との界面では電荷輸送層のテルル濃度と同
等であり電荷発生層との界面では電荷発生層のテルル濃
度と同等となる濃度勾配を有する正孔注入層，微量のひ
素を含むアモルファスセレン−テルル合金からなりその
ひ素濃度が正孔注入層との界面では低く電荷発生層表面
に向かって高くなる濃度勾配を有する電荷発生層が順次
積層されてなる感光層を備えた電子写真用感光体とする
ことによって解決される。
【０００７】電荷輸送層のテルル濃度は多くとも１０重
量％以下であることが好ましく、電荷発生層のテルル濃
度は８重量％以上１５重量％以下であることが好まし
い。また、電荷発生層のひ素濃度は正孔注入層との界面
では０であり、電荷発生層表面では１．５重量％以上
２．５重量％以下であると好適である。また、感光層を
形成する各層の膜厚は、電荷輸送層の膜厚を４０μｍ以
上７０μｍ以下の範囲内，正孔注入層の膜厚を１μｍ以
上５μｍ以下の範囲内，電荷発生層の膜厚を１μｍ以上
５μｍ以下の範囲内とすると好適である。
量％以下であることが好ましく、電荷発生層のテルル濃
度は８重量％以上１５重量％以下であることが好まし
い。また、電荷発生層のひ素濃度は正孔注入層との界面
では０であり、電荷発生層表面では１．５重量％以上
２．５重量％以下であると好適である。また、感光層を
形成する各層の膜厚は、電荷輸送層の膜厚を４０μｍ以
上７０μｍ以下の範囲内，正孔注入層の膜厚を１μｍ以
上５μｍ以下の範囲内，電荷発生層の膜厚を１μｍ以上
５μｍ以下の範囲内とすると好適である。
【０００８】
【作用】セレンにひ素を添加することによりガラス転移
点および硬度が大幅に上昇してくることは知られてい
る。セレン−テルル系感光体の結晶化は感光層表面から
起き易いので、最表面層を形成する電荷発生層にひ素を
含ませることにより、結晶化を抑えて耐熱性を向上させ
ることができ、また、耐磨耗性も向上させることができ
る。一方、セレンにひ素を添加すると帯電特性，疲労特
性が低下する傾向がでてくるが、この発明においては、
電荷発生層のひ素濃度に表面で高く内部の正孔注入層界
面に向かって低くなる濃度勾配を持たせることにより、
ひ素の添加量を少なくして、帯電特性，疲労特性の悪化
を抑制しながら耐熱性，耐磨耗性を向上させることを可
能とする。また、正孔注入層のテルル濃度に電荷輸送層
との界面では電荷輸送層のテルル濃度と同等であり電荷
発生層との界面では電荷発生層のテルル濃度と同等とな
る濃度勾配を持たせることにより、繰り返し使用時の残
留電位の上昇を低減することができ、感光体の疲労特性
が改善されるので、電荷発生層にひ素を添加することに
よる疲労特性の悪化を補うことができる。
点および硬度が大幅に上昇してくることは知られてい
る。セレン−テルル系感光体の結晶化は感光層表面から
起き易いので、最表面層を形成する電荷発生層にひ素を
含ませることにより、結晶化を抑えて耐熱性を向上させ
ることができ、また、耐磨耗性も向上させることができ
る。一方、セレンにひ素を添加すると帯電特性，疲労特
性が低下する傾向がでてくるが、この発明においては、
電荷発生層のひ素濃度に表面で高く内部の正孔注入層界
面に向かって低くなる濃度勾配を持たせることにより、
ひ素の添加量を少なくして、帯電特性，疲労特性の悪化
を抑制しながら耐熱性，耐磨耗性を向上させることを可
能とする。また、正孔注入層のテルル濃度に電荷輸送層
との界面では電荷輸送層のテルル濃度と同等であり電荷
発生層との界面では電荷発生層のテルル濃度と同等とな
る濃度勾配を持たせることにより、繰り返し使用時の残
留電位の上昇を低減することができ、感光体の疲労特性
が改善されるので、電荷発生層にひ素を添加することに
よる疲労特性の悪化を補うことができる。
【０００９】
【実施例】図１は、この発明の感光体の一実施例の模式
的断面図を示し、Ａｌ合金からなる導電性の基体１上に
ＳｅまたはＳｅ−Ｔｅ合金からなる電荷輸送層２，Ｓｅ
−Ｔｅ合金からなる正孔注入層３，微量のＡｓを含むＳ
ｅ−Ｔｅ合金からなる電荷発生層４が順次形成されてな
る。
的断面図を示し、Ａｌ合金からなる導電性の基体１上に
ＳｅまたはＳｅ−Ｔｅ合金からなる電荷輸送層２，Ｓｅ
−Ｔｅ合金からなる正孔注入層３，微量のＡｓを含むＳ
ｅ−Ｔｅ合金からなる電荷発生層４が順次形成されてな
る。
【００１０】実施例１〜６ Ａｌ合金からなる円筒状の基体を真空蒸着装置の支持軸
に装着し、その温度を５５℃に保ち、１×１０-5Ｔｏｒ
ｒの真空中で高純度Ｓｅの入った蒸発源を約３００℃に
加熱して膜厚５５μｍのアモルファス状のＳｅからなる
電荷輸送層を成膜した。続いて、フラッシュ蒸着法で正
孔注入層を形成する。フラッシュボート温度を３４０℃
とし、高純度ＳｅとＴｅを１０重量％含むＳｅ−Ｔｅ合
金とを適当量フラッシュボートに供給しながらフラッシ
ュ蒸着してＴｅ濃度が電荷輸送層との界面で０重量％，
表面で１０重量％となるように傾斜した濃度勾配を持つ
膜厚２μｍのアモルファス状のＳｅ−Ｔｅ合金からなる
正孔注入層を成膜した。次に、この正孔注入層の上にフ
ラッシュ蒸着法で電荷発生層を形成して感光体とする。
フラッシュボート温度を３４０℃とし、Ｔｅを１０重量
％含むＳｅ−Ｔｅ合金とＴｅを１０重量％，Ａｓを１重
量％含むＳｅ−Ｔｅ−Ａｓ合金とを適当量フラッシュボ
ートに供給しながらフラッシュ蒸着してＡｓ濃度が電荷
輸送層との界面で０重量％，表面で１重量％となるよう
に傾斜した濃度勾配を持つ膜厚３μｍのアモルファス状
のＳｅ−Ｔｅ合金からなる電荷発生層を成膜して実施例
１の感光体とした。フラッシュ蒸着する材料の供給は、
例えば図２の平面図に示すように、ロータリーベルトで
ある搬送ベルト７上にＳｅ−Ｔｅ−Ａｓ合金５，Ｓｅ−
Ｔｅ合金６を図に示すようなパターンで載せておき、こ
の搬送ベルト７を矢印Ｐの方向に動かしてフラッシュボ
ート８の上で下方に回転させることにより、フラッシュ
ボート８内に次々と落下させるとよい。同様にして、電
荷発生層に用いるＳｅ−Ｔｅ−Ａｓ合金のＡｓの量を
１．５重量％，２重量％，２．５重量％，３重量％，５
重量％と変えて、表面のＡｓ濃度が１．５重量％，２重
量％，２．５重量％，３重量％，５重量％とそれぞれ異
なる電荷発生層を形成して、実施例２，３，４，５およ
び６の各感光体を作製した。
に装着し、その温度を５５℃に保ち、１×１０-5Ｔｏｒ
ｒの真空中で高純度Ｓｅの入った蒸発源を約３００℃に
加熱して膜厚５５μｍのアモルファス状のＳｅからなる
電荷輸送層を成膜した。続いて、フラッシュ蒸着法で正
孔注入層を形成する。フラッシュボート温度を３４０℃
とし、高純度ＳｅとＴｅを１０重量％含むＳｅ−Ｔｅ合
金とを適当量フラッシュボートに供給しながらフラッシ
ュ蒸着してＴｅ濃度が電荷輸送層との界面で０重量％，
表面で１０重量％となるように傾斜した濃度勾配を持つ
膜厚２μｍのアモルファス状のＳｅ−Ｔｅ合金からなる
正孔注入層を成膜した。次に、この正孔注入層の上にフ
ラッシュ蒸着法で電荷発生層を形成して感光体とする。
フラッシュボート温度を３４０℃とし、Ｔｅを１０重量
％含むＳｅ−Ｔｅ合金とＴｅを１０重量％，Ａｓを１重
量％含むＳｅ−Ｔｅ−Ａｓ合金とを適当量フラッシュボ
ートに供給しながらフラッシュ蒸着してＡｓ濃度が電荷
輸送層との界面で０重量％，表面で１重量％となるよう
に傾斜した濃度勾配を持つ膜厚３μｍのアモルファス状
のＳｅ−Ｔｅ合金からなる電荷発生層を成膜して実施例
１の感光体とした。フラッシュ蒸着する材料の供給は、
例えば図２の平面図に示すように、ロータリーベルトで
ある搬送ベルト７上にＳｅ−Ｔｅ−Ａｓ合金５，Ｓｅ−
Ｔｅ合金６を図に示すようなパターンで載せておき、こ
の搬送ベルト７を矢印Ｐの方向に動かしてフラッシュボ
ート８の上で下方に回転させることにより、フラッシュ
ボート８内に次々と落下させるとよい。同様にして、電
荷発生層に用いるＳｅ−Ｔｅ−Ａｓ合金のＡｓの量を
１．５重量％，２重量％，２．５重量％，３重量％，５
重量％と変えて、表面のＡｓ濃度が１．５重量％，２重
量％，２．５重量％，３重量％，５重量％とそれぞれ異
なる電荷発生層を形成して、実施例２，３，４，５およ
び６の各感光体を作製した。
【００１１】比較例１ 電荷発生層のフラッシュ蒸着材料をＴｅを１０重量％含
むＳｅ−Ｔｅ合金に変えたこと以外は実施例１と同様に
して、従来のセレン・テルル系感光体である比較例１の
感光体を作製した。これらの実施例，比較例各感光体に
ついて、電荷輸送層２，正孔注入層３，電荷発生層４各
層の材料の成分比の厚さ方向のプロファイルを調べた。
そのうちの実施例３の感光体についてのプロファイルを
図３に示す。正孔注入層３のＴｅ量は電荷輸送層２との
界面では０であり、電荷発生層４に向かって増加してい
き、電荷発生層４との界面では１０重量％であった。ま
た、電荷発生層４のＡｓ量は正孔注入層３との界面では
０であり、表面に向かって増加していき、表面では２重
量％であった。他の実施例の各感光体についても電荷発
生層４の表面のＡｓ量が異なりその分だけ表面に向かっ
てのＡｓ量の増加の傾斜が変わっていること以外は実施
例３の感光体と同様のプロファイルが得られた。また、
比較例１の感光体についても、電荷発生層にＡｓが存在
しなかったこと以外は実施例の各感光体と同様のプロフ
ァイルが得られた。
むＳｅ−Ｔｅ合金に変えたこと以外は実施例１と同様に
して、従来のセレン・テルル系感光体である比較例１の
感光体を作製した。これらの実施例，比較例各感光体に
ついて、電荷輸送層２，正孔注入層３，電荷発生層４各
層の材料の成分比の厚さ方向のプロファイルを調べた。
そのうちの実施例３の感光体についてのプロファイルを
図３に示す。正孔注入層３のＴｅ量は電荷輸送層２との
界面では０であり、電荷発生層４に向かって増加してい
き、電荷発生層４との界面では１０重量％であった。ま
た、電荷発生層４のＡｓ量は正孔注入層３との界面では
０であり、表面に向かって増加していき、表面では２重
量％であった。他の実施例の各感光体についても電荷発
生層４の表面のＡｓ量が異なりその分だけ表面に向かっ
てのＡｓ量の増加の傾斜が変わっていること以外は実施
例３の感光体と同様のプロファイルが得られた。また、
比較例１の感光体についても、電荷発生層にＡｓが存在
しなかったこと以外は実施例の各感光体と同様のプロフ
ァイルが得られた。
【００１２】次に、これらの各感光体について帯電特性
および疲労特性を調べた。また、温度３５℃，相対湿度
８０％の環境下で耐刷加速試験を行って、耐熱性，耐磨
耗性を評価した。その結果、実施例２，３および４の感
光体は比較例１の感光体と比較して特性はほぼ同等であ
り、かつ、良好な画像の得られるコピー枚数が１．５倍
ないし２．５倍に増えて耐熱性，耐磨耗性の向上が認め
られた。ところが、実施例１の感光体は特性は比較例１
の感光体と同等で良好であったが、耐熱性，耐磨耗性に
ついては殆ど改善が認められなかった。また、実施例５
の感光体は比較例１の感光体に比して帯電特性，疲労特
性ともに悪い傾向を有し、実施例６の感光体はさらに特
性の悪化が著しく実用に耐えないものであった。
および疲労特性を調べた。また、温度３５℃，相対湿度
８０％の環境下で耐刷加速試験を行って、耐熱性，耐磨
耗性を評価した。その結果、実施例２，３および４の感
光体は比較例１の感光体と比較して特性はほぼ同等であ
り、かつ、良好な画像の得られるコピー枚数が１．５倍
ないし２．５倍に増えて耐熱性，耐磨耗性の向上が認め
られた。ところが、実施例１の感光体は特性は比較例１
の感光体と同等で良好であったが、耐熱性，耐磨耗性に
ついては殆ど改善が認められなかった。また、実施例５
の感光体は比較例１の感光体に比して帯電特性，疲労特
性ともに悪い傾向を有し、実施例６の感光体はさらに特
性の悪化が著しく実用に耐えないものであった。
【００１３】実施例７〜９ 実施例２，３および４において、電荷輸送層を高純度Ｓ
ｅからＴｅを５．５重量％含むＳｅ−Ｔｅ合金に変えた
こと、正孔注入層のＴｅ濃度が電荷輸送層との界面で
５．５重量％，表面で１０重量％となるように傾斜した
濃度勾配となるようにしたこと以外は実施例２，３およ
び４と同様にして実施例７，８および９の感光体を作製
した。
ｅからＴｅを５．５重量％含むＳｅ−Ｔｅ合金に変えた
こと、正孔注入層のＴｅ濃度が電荷輸送層との界面で
５．５重量％，表面で１０重量％となるように傾斜した
濃度勾配となるようにしたこと以外は実施例２，３およ
び４と同様にして実施例７，８および９の感光体を作製
した。
【００１４】これらの感光体について、実施例１〜６の
場合と同様にして電荷輸送層２，正孔注入層３，電荷発
生層４各層の材料の成分比の厚さ方向のプロファイルを
調べた。そのうちの実施例８の感光体についてのプロフ
ァイルを図４に示す。電荷輸送層２が５．５重量％のＴ
ｅを均一に含んでいることと、正孔注入層３の電荷輸送
層２との界面のＴｅ量が５．５重量％でありその分電荷
発生層界面へ向かってのＴｅ量増加の傾斜が緩やかにな
っていること以外は図３と同じプロファイルであった。
場合と同様にして電荷輸送層２，正孔注入層３，電荷発
生層４各層の材料の成分比の厚さ方向のプロファイルを
調べた。そのうちの実施例８の感光体についてのプロフ
ァイルを図４に示す。電荷輸送層２が５．５重量％のＴ
ｅを均一に含んでいることと、正孔注入層３の電荷輸送
層２との界面のＴｅ量が５．５重量％でありその分電荷
発生層界面へ向かってのＴｅ量増加の傾斜が緩やかにな
っていること以外は図３と同じプロファイルであった。
【００１５】また、これらの感光体について、帯電特
性，疲労特性，耐熱性，耐磨耗性を実施例１〜６の場合
と同様にして調べたところ、対応する実施例２と７，実
施例３と８，実施例４と９の感光体はそれぞれほぼ同等
の性能を有しており、電荷輸送層を変えたことによる性
能への影響は殆ど認められなかった。
性，疲労特性，耐熱性，耐磨耗性を実施例１〜６の場合
と同様にして調べたところ、対応する実施例２と７，実
施例３と８，実施例４と９の感光体はそれぞれほぼ同等
の性能を有しており、電荷輸送層を変えたことによる性
能への影響は殆ど認められなかった。
【００１６】
【発明の効果】この発明によれば、導電性基体上にアモ
ルファスセレンまたはアモルファスセレン−テルル合金
からなる電荷輸送層，アモルファスセレン−テルル合金
からなりそのテルル濃度が電荷輸送層との界面では電荷
輸送層のテルル濃度と同等であり電荷発生層との界面で
は電荷発生層のテルル濃度と同等となる濃度勾配を有す
る正孔注入層，微量のひ素を含むアモルファスセレン−
テルル合金からなりそのひ素濃度が正孔注入層との界面
では低く電荷発生層表面に向かって高くなる濃度勾配を
有する電荷発生層が順次積層されてなる感光層を備えた
感光体とする。このような構成とすることにより、従来
のセレン・テルル系感光体に比べて帯電特性，疲労特性
がほぼ同等で、耐熱性，耐磨耗性が向上し、少なくとも
コピー枚数４万枚以上の使用寿命が安定して得られるセ
レン・テルル系感光体を得ることができる。
ルファスセレンまたはアモルファスセレン−テルル合金
からなる電荷輸送層，アモルファスセレン−テルル合金
からなりそのテルル濃度が電荷輸送層との界面では電荷
輸送層のテルル濃度と同等であり電荷発生層との界面で
は電荷発生層のテルル濃度と同等となる濃度勾配を有す
る正孔注入層，微量のひ素を含むアモルファスセレン−
テルル合金からなりそのひ素濃度が正孔注入層との界面
では低く電荷発生層表面に向かって高くなる濃度勾配を
有する電荷発生層が順次積層されてなる感光層を備えた
感光体とする。このような構成とすることにより、従来
のセレン・テルル系感光体に比べて帯電特性，疲労特性
がほぼ同等で、耐熱性，耐磨耗性が向上し、少なくとも
コピー枚数４万枚以上の使用寿命が安定して得られるセ
レン・テルル系感光体を得ることができる。
【図１】この発明の感光体の一実施例の模式的断面図
【図２】電荷発生層のフラッシュ蒸着時にフラッシュ蒸
着材料を搬送ベルト上に載せるパターンの一例を示す平
面図
着材料を搬送ベルト上に載せるパターンの一例を示す平
面図
【図３】この発明の感光層の材料の感光層厚さ方向の成
分比のプロファイルの一例を示す線図
分比のプロファイルの一例を示す線図
【図４】この発明の感光層の材料の感光層厚さ方向の成
分比のプロファイルの異なる例を示す線図
分比のプロファイルの異なる例を示す線図
１ 基体 ２ 電荷輸送層 ３ 正孔注入層 ４ 電荷発生層
Claims (5)
- 【請求項１】導電性基体上にアモルファスセレンまたは
アモルファスセレン−テルル合金からなる電荷輸送層，
アモルファスセレン−テルル合金からなりそのテルル濃
度が電荷輸送層との界面では電荷輸送層のテルル濃度と
同等であり電荷発生層との界面では電荷発生層のテルル
濃度と同等となる濃度勾配を有する正孔注入層，微量の
ひ素を含むアモルファスセレン−テルル合金からなりそ
のひ素濃度が正孔注入層との界面では低く電荷発生層表
面に向かって高くなる濃度勾配を有する電荷発生層が順
次積層されてなる感光層を備えたことを特徴とする電子
写真用感光体。 - 【請求項２】電荷輸送層のテルル濃度が多くとも１０重
量％以下であることを特徴とする請求項１記載の電子写
真用感光体。 - 【請求項３】電荷発生層のテルル濃度が８重量％以上１
５重量％以下であることを特徴とする請求項１または２
記載の電子写真用感光体。 - 【請求項４】電荷発生層のひ素濃度が正孔注入層との界
面では０であり、電荷発生層表面では１．５重量％以上
２．５重量％以下であることを特徴とする請求項１ない
し３のうちのいずれかに記載の電子写真用感光体。 - 【請求項５】電荷輸送層の膜厚が４０μｍ以上７０μｍ
以下の範囲内，正孔注入層の膜厚が１μｍ以上５μｍ以
下の範囲内，電荷発生層の膜厚が１μｍ以上５μｍ以下
の範囲内であることを特徴とする請求項１ないし４のう
ちのいずれかに記載の電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4894192A JPH05249721A (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4894192A JPH05249721A (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05249721A true JPH05249721A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12817305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4894192A Pending JPH05249721A (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05249721A (ja) |
-
1992
- 1992-03-06 JP JP4894192A patent/JPH05249721A/ja active Pending
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