JPS58168052A - 電子写真用感光体およびその製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体およびその製造方法Info
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- JPS58168052A JPS58168052A JP5158282A JP5158282A JPS58168052A JP S58168052 A JPS58168052 A JP S58168052A JP 5158282 A JP5158282 A JP 5158282A JP 5158282 A JP5158282 A JP 5158282A JP S58168052 A JPS58168052 A JP S58168052A
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- selenium
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は特に繰返し使用による疲労特性の点においてす
ぐれた感光層を有する電子写真用感光体５よびその製造
方法に関する。
ぐれた感光層を有する電子写真用感光体５よびその製造
方法に関する。
静電式複写機などに用いられる電子写真用感光体は、例
えばアルミニウムからなる導電性基体の−Ｅに単斜晶系
セレンおよび六方晶系セレンが混在してなる無定形セレ
ンあるいはセレン−テルルのようなセレン合金からなる
感光層を蒸着して製造する。このような電子写真用感光
体の特性としては、感光層の帯電による表面電荷が暗時
において十分に保持され、露光時に急速に消滅すること
が望ましく、さらにこの帯電、ｉ！光を多数回繰り返し
た場合の疲労による露光時の残留電位の増加が起きない
こさが要求される。残留電位が高い場合ｌこは、僧写−
１像ｌこおいて地汚れ、Ｓ度低丁あるいはコーストなど
の現象が現われ、鮮明な連続複写が不可能となる。
えばアルミニウムからなる導電性基体の−Ｅに単斜晶系
セレンおよび六方晶系セレンが混在してなる無定形セレ
ンあるいはセレン−テルルのようなセレン合金からなる
感光層を蒸着して製造する。このような電子写真用感光
体の特性としては、感光層の帯電による表面電荷が暗時
において十分に保持され、露光時に急速に消滅すること
が望ましく、さらにこの帯電、ｉ！光を多数回繰り返し
た場合の疲労による露光時の残留電位の増加が起きない
こさが要求される。残留電位が高い場合ｌこは、僧写−
１像ｌこおいて地汚れ、Ｓ度低丁あるいはコーストなど
の現象が現われ、鮮明な連続複写が不可能となる。
本発明は繰り返し疲労による残留電位の増加が少なく、
かつ他の電子写真特性もすぐれた感光層を有する電子写
真用感光体およびその製造方法を提供４−ることを目的
とする。
かつ他の電子写真特性もすぐれた感光層を有する電子写
真用感光体およびその製造方法を提供４−ることを目的
とする。
この目的は、電子写真用感光体の感光層の単斜晶糸セレ
ン緻が全セレン量の５５〜８０重量％の範囲内にあるこ
とによって達せられ、そのようｉ４感光層はセレンまた
はセレン合金を蒸発＃Ｌり蒸発せしめた後、さらに蒸気
または蒸着層にエネルギーを加えることによって形成す
ることができる。
ン緻が全セレン量の５５〜８０重量％の範囲内にあるこ
とによって達せられ、そのようｉ４感光層はセレンまた
はセレン合金を蒸発＃Ｌり蒸発せしめた後、さらに蒸気
または蒸着層にエネルギーを加えることによって形成す
ることができる。
本発明は、感光体の電気特性が感光層（−嘴成・ｌるセ
レン蒸着膜の結晶構造に依存Ｃるであろう１ｊの推定よ
り出発し、異なる蒸着条件による蒸着膜の組成分析とそ
の電子写真特性の測定を繰返４゛（とによって確認され
た。単斜晶系セレンを減ら１．７六方晶系セＬ・ンを増
すこきによって得られる疲労特性に対する本発明の効果
は、正孔の移動度υ〕小さい琲斜晶系の環状分子が減少
し、逆に移動度の大きい六方晶系の鎖状分子が増加する
ためと４Ｘ。
レン蒸着膜の結晶構造に依存Ｃるであろう１ｊの推定よ
り出発し、異なる蒸着条件による蒸着膜の組成分析とそ
の電子写真特性の測定を繰返４゛（とによって確認され
た。単斜晶系セレンを減ら１．７六方晶系セＬ・ンを増
すこきによって得られる疲労特性に対する本発明の効果
は、正孔の移動度υ〕小さい琲斜晶系の環状分子が減少
し、逆に移動度の大きい六方晶系の鎖状分子が増加する
ためと４Ｘ。
られる。セレン蒸気あるいはセレン層中の譲状＞を子を
切断、開環させて鎖状分子に変えるには、砿発源より蒸
発せしめた後にざらにセレン蒸気あるいはセレン層に大
きなエネルギーを与えることか倚効であることが判った
。
切断、開環させて鎖状分子に変えるには、砿発源より蒸
発せしめた後にざらにセレン蒸気あるいはセレン層に大
きなエネルギーを与えることか倚効であることが判った
。
以下図と表を引用して実際例に関し本発明を説明４−る
。第１図は従来のセレン感光ノーの蒸璽り式を示し、図
示しない真空槽中において例えばアルミニウムからなる
円筒状導電性基体１の下に蒸発偉容器２が配置されてい
る。蒸発源容器２の中にはセレン充填ボート３および蒸
発源加熱用発熱体４が収容されており、５（１０〜６０
０℃の温度の発熱体４の熱によってボート３内のセレン
またはセレン合金５を２５０〜４００ ’（！に加熱し
て蒸発させて蒸気６とし、回転している円筒基体１の表
面に蒸着Ｃる。第２図は本発明によるセレン感光体の製
造の際の感光層の蒸着方式を示し、８ｇ１図さ共通の部
分には同一の符号が付されている。第１図と異なる点は
、蒸気加熱用発熱体７を容器２と円筒基体ｌの間に配置
し、これによってボート３カ）ら蒸発した蒸気６を加熱
している点である。次に第２図に示した方式による実験
例について述べる。
。第１図は従来のセレン感光ノーの蒸璽り式を示し、図
示しない真空槽中において例えばアルミニウムからなる
円筒状導電性基体１の下に蒸発偉容器２が配置されてい
る。蒸発源容器２の中にはセレン充填ボート３および蒸
発源加熱用発熱体４が収容されており、５（１０〜６０
０℃の温度の発熱体４の熱によってボート３内のセレン
またはセレン合金５を２５０〜４００ ’（！に加熱し
て蒸発させて蒸気６とし、回転している円筒基体１の表
面に蒸着Ｃる。第２図は本発明によるセレン感光体の製
造の際の感光層の蒸着方式を示し、８ｇ１図さ共通の部
分には同一の符号が付されている。第１図と異なる点は
、蒸気加熱用発熱体７を容器２と円筒基体ｌの間に配置
し、これによってボート３カ）ら蒸発した蒸気６を加熱
している点である。次に第２図に示した方式による実験
例について述べる。
実験例１：
第２図の方式ｌこおいて、ボート３中に５ナインの萬純
度セレンを充填し、図示しない真空槽の真空度をｌＸｌ
０−’）ルに上げた。つづいて石英−＃封入電熱線の発
熱体４に電ＩＰ、線の長さに対して５ＱＷ／ｍの入力を
与えて、ボート濃度を約３００ ’（３に制御しなから
せレンを蒸発させ、約６０ ’Ｃに保持されたアルミニ
ウムＪＡｆｌのＥに約６０μ隅 の厚さに蒸着した。こ
の際例えば（ｊ英管封入タングステン線を用いた発熱体
５＃（タングステン線の長さに対して２３０，２９０，
３４０Ｗ ／ ｍの入力を与えて１０００ ’０以上に
加熱し、これにより蒸発セレン蒸気に熱エネルギーを辱
えた。これによって得られた感光体試料をそれぞれ試料
１，２．３とした。
度セレンを充填し、図示しない真空槽の真空度をｌＸｌ
０−’）ルに上げた。つづいて石英−＃封入電熱線の発
熱体４に電ＩＰ、線の長さに対して５ＱＷ／ｍの入力を
与えて、ボート濃度を約３００ ’（３に制御しなから
せレンを蒸発させ、約６０ ’Ｃに保持されたアルミニ
ウムＪＡｆｌのＥに約６０μ隅 の厚さに蒸着した。こ
の際例えば（ｊ英管封入タングステン線を用いた発熱体
５＃（タングステン線の長さに対して２３０，２９０，
３４０Ｗ ／ ｍの入力を与えて１０００ ’０以上に
加熱し、これにより蒸発セレン蒸気に熱エネルギーを辱
えた。これによって得られた感光体試料をそれぞれ試料
１，２．３とした。
実験例２：
蒸発源材料をテルル５％含有のセレン−フルル合金とし
、ボート温度を約３４０°０に劃−しく実験例１と同様
に第２図の方式で５檀嬌の感光体試料を作成した。発熱
体７の入力が２３０゜２６０．２９０，３１０，３４０
Ｗ／ｍの場合に得られた試料をそれぞれ試料４，５，６
，７．８とした０ 実験例３： 発熱体７として石英賞封入タングステン−の代りに石英
管封入タンタル線を用い、人力を２９０Ｗ／ｙｘとした
以外は実験例２と同様にして試料９を得た。
、ボート温度を約３４０°０に劃−しく実験例１と同様
に第２図の方式で５檀嬌の感光体試料を作成した。発熱
体７の入力が２３０゜２６０．２９０，３１０，３４０
Ｗ／ｍの場合に得られた試料をそれぞれ試料４，５，６
，７．８とした０ 実験例３： 発熱体７として石英賞封入タングステン−の代りに石英
管封入タンタル線を用い、人力を２９０Ｗ／ｙｘとした
以外は実験例２と同様にして試料９を得た。
実験例４：
比較のため蒸気加熱用発熱体を用いない第１図の蒸着方
式で、蒸発用発熱体４に８０Ｗ／ｍの人力を加えて蒸着
を行って試料を作成した。蒸発源材料として純セレンを
用いた場合を試料１０、’ｌ’６５ ％含有のセレン−
テルル合金ヲ用いた場合を試料１１とする。他の条件は
前述の各実験例と同様であった。
式で、蒸発用発熱体４に８０Ｗ／ｍの人力を加えて蒸着
を行って試料を作成した。蒸発源材料として純セレンを
用いた場合を試料１０、’ｌ’６５ ％含有のセレン−
テルル合金ヲ用いた場合を試料１１とする。他の条件は
前述の各実験例と同様であった。
このようにして得た各試料について蒸着膜中の単斜晶系
セレンの含有量を分析し、また帯電電位２表面域位保持
率、半減衰露光ｉおよび繰り返し便用後の残留′電位を
測定した。帯電電位は１７μＡ、５ｋＶの正コロナ放電
を５０秒行った時の表面電位、電位保持率は帯電後暗部
に３０秒放置した後の表面電位の保持率、箪減衰−光皺
は１０ｔｘの光を照射した時表面電位が半減するのに要
する時間と照度の積であり、残留電位は帯市、露光を４
００回繰り返した時の残留電位である。単斜晶系セレン
の分析は二硫化炭素を用いて蒸着膜中の単斜晶系セＬ・
ンのみを抽出し、その抽出液の感光度を測定する周知の
方法によって行い、全セレン量に対する分量を求めた。
セレンの含有量を分析し、また帯電電位２表面域位保持
率、半減衰露光ｉおよび繰り返し便用後の残留′電位を
測定した。帯電電位は１７μＡ、５ｋＶの正コロナ放電
を５０秒行った時の表面電位、電位保持率は帯電後暗部
に３０秒放置した後の表面電位の保持率、箪減衰−光皺
は１０ｔｘの光を照射した時表面電位が半減するのに要
する時間と照度の積であり、残留電位は帯市、露光を４
００回繰り返した時の残留電位である。単斜晶系セレン
の分析は二硫化炭素を用いて蒸着膜中の単斜晶系セＬ・
ンのみを抽出し、その抽出液の感光度を測定する周知の
方法によって行い、全セレン量に対する分量を求めた。
これらの測定結果を第１表１こ示す。
第 １ 表
１１１表から明らかな通り、ボートから飛び出したセレ
ン蒸気にさらに大きな熱エネルギーを与えることによっ
て、蒸着膜中の単斜晶系セレノ量が減少し、逆に六方晶
系セレン量が増加している。
ン蒸気にさらに大きな熱エネルギーを与えることによっ
て、蒸着膜中の単斜晶系セレノ量が減少し、逆に六方晶
系セレン量が増加している。
そして単斜晶系セレンの量が４０重量−以下、特に３０
重重量風下感光体においては、疲労特性の着しい向上が
認められる。このことは実際に連続複写を行った場合に
、地汚れなどの発生が極めて減少したことからも確かめ
られた。また単斜晶系セレン量の減少、六方晶系セレン
量の増加が他の電子写真特性に悪い影響を与えるもので
ないことも上表から明らかである。
重重量風下感光体においては、疲労特性の着しい向上が
認められる。このことは実際に連続複写を行った場合に
、地汚れなどの発生が極めて減少したことからも確かめ
られた。また単斜晶系セレン量の減少、六方晶系セレン
量の増加が他の電子写真特性に悪い影響を与えるもので
ないことも上表から明らかである。
このような単斜晶系セレン量の低減は４２図以外の方式
でも実施できる。第３図に詔いて、第２図と共通の部分
には同一の符号が付されている。
でも実施できる。第３図に詔いて、第２図と共通の部分
には同一の符号が付されている。
この場合にはボート３より蒸発する蒸気６に電子鏡８よ
り発する゛鑞子ビーム９を照射してセレン蒸気６にエネ
ルギーを与える。第４図はさらに別の方式で、例えば第
１図に示す従来の方式で円筒状導電性基体１の上に蒸着
層１０を形成した後、基体１を矢印Ａの方向に回転しな
がら、４子銃８から発する４子ビーム９を矢印Ｂの方向
に往復走査させて蒸着層１０の全面を照射し、蒸着層１
０のセレンにエネルギーを与える。これらのいずれの方
式によっても感光層中の単斜晶系セレンの電を低減させ
ることができ、かつその量を電ｆビームのエネルギーの
大きさによって制御することがＣきる。
り発する゛鑞子ビーム９を照射してセレン蒸気６にエネ
ルギーを与える。第４図はさらに別の方式で、例えば第
１図に示す従来の方式で円筒状導電性基体１の上に蒸着
層１０を形成した後、基体１を矢印Ａの方向に回転しな
がら、４子銃８から発する４子ビーム９を矢印Ｂの方向
に往復走査させて蒸着層１０の全面を照射し、蒸着層１
０のセレンにエネルギーを与える。これらのいずれの方
式によっても感光層中の単斜晶系セレンの電を低減させ
ることができ、かつその量を電ｆビームのエネルギーの
大きさによって制御することがＣきる。
単斜晶系セレン量は低いほど疲労特性は向上するが、余
り低くなると無定形の性質を失いｌｆ写真用感光層とし
て役立たなくなる。従って琳斜晶系セレン含有量は５５
〜８０重量−の範囲あるのが最適である。
り低くなると無定形の性質を失いｌｆ写真用感光層とし
て役立たなくなる。従って琳斜晶系セレン含有量は５５
〜８０重量−の範囲あるのが最適である。
上述のように、本発明に基づく電子写真用感光体は、混
在して感光層の無定形セレンを構成する単斜晶系セレン
と六方晶系セレンのうちの単斜晶系セレンの量を抑えた
ものであり、そのような感光層は、セレン蒸気または蒸
着層にさらにエイ・ルギーを与えることによって容易に
得ることができるっこれによって他の電子写真特性を損
なわないで疲労特性の向上した電子写真用感光体を製造
することができる。
在して感光層の無定形セレンを構成する単斜晶系セレン
と六方晶系セレンのうちの単斜晶系セレンの量を抑えた
ものであり、そのような感光層は、セレン蒸気または蒸
着層にさらにエイ・ルギーを与えることによって容易に
得ることができるっこれによって他の電子写真特性を損
なわないで疲労特性の向上した電子写真用感光体を製造
することができる。
第１図は従来のセレン感光層蒸着方式の説明図、第２図
は本発明の一実施例における蒸着方式の説明図、第３お
よび第４図はそれぞれ異なる実施例（こおける蒸着方式
の説明図である。 １・・導電性基体、３・・・セレン充填ボー）、４−蒸
発用発熱体、６・・・セレン蒸気、７・・・蒸気加熱用
発熱体、９ パ鑞子ビーム、ｌｏ・・・蒸着層。 ’ｉｆ 国 ７２ （２） ０α〜７ 第３口 ／＼６８
は本発明の一実施例における蒸着方式の説明図、第３お
よび第４図はそれぞれ異なる実施例（こおける蒸着方式
の説明図である。 １・・導電性基体、３・・・セレン充填ボー）、４−蒸
発用発熱体、６・・・セレン蒸気、７・・・蒸気加熱用
発熱体、９ パ鑞子ビーム、ｌｏ・・・蒸着層。 ’ｉｆ 国 ７２ （２） ０α〜７ 第３口 ／＼６８
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）単斜晶系セレンと六方晶系セレンよりなるセレンま
たはセレノ合金の感光層を有し、該感ｙｔ、１−の単科
晶系セレンの瞳が全セレン量の５５〜８０ｉｔチの範囲
内にあることを特徴とする電子写真用感光体。 ２）セレンまたセレン合金を蒸発源より蒸発せしめて導
電性基体上に感光層を蒸着する方法にｊ６Ｇ）で、蒸発
後にさらに蒸気または蒸着層にエネルギーを加えること
により感光層の単斜晶糸セレン蓋が全セレン量の５５〜
８０重量％の範囲内にあるようにすることを％徴とする
電子写真用感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5158282A JPS58168052A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 電子写真用感光体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5158282A JPS58168052A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 電子写真用感光体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168052A true JPS58168052A (ja) | 1983-10-04 |
Family
ID=12890927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5158282A Pending JPS58168052A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 電子写真用感光体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168052A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54107423A (en) * | 1978-02-09 | 1979-08-23 | Ricoh Co Ltd | Selenium material, its manufacture, and photosensor thereof for electronic photograph |
| JPS56162752A (en) * | 1980-05-20 | 1981-12-14 | Fuji Electric Co Ltd | Electrophotographic receptor and its manufacture |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP5158282A patent/JPS58168052A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54107423A (en) * | 1978-02-09 | 1979-08-23 | Ricoh Co Ltd | Selenium material, its manufacture, and photosensor thereof for electronic photograph |
| JPS56162752A (en) * | 1980-05-20 | 1981-12-14 | Fuji Electric Co Ltd | Electrophotographic receptor and its manufacture |
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