JPS594386B2 - 非石英系光フアイバ用母材の製造方法 - Google Patents

非石英系光フアイバ用母材の製造方法

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JPS594386B2
JPS594386B2 JP12247181A JP12247181A JPS594386B2 JP S594386 B2 JPS594386 B2 JP S594386B2 JP 12247181 A JP12247181 A JP 12247181A JP 12247181 A JP12247181 A JP 12247181A JP S594386 B2 JPS594386 B2 JP S594386B2
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    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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    • C03B37/01Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は非石英系の光ファイバ、たとえばGe−Sbの
酸化物から構成される光ファイバ用の母5 材を気相軸
付法(VAD法)によつて製造する方法に関する。
VAD法は現在、石英系光ファイバ用母材を製造する場
合の一方法として採用されている。
すなわち、この方法はSiを含む原料1(一般には基1
0本原料のSiCl4にGeCl4等が含まれたもので
構成されている。)を、第1図に示すように、バーナ炎
などによる高温中2に導入し、ここで前記原料1を火炎
加水分解反応等により酸化反応させ、これにより得られ
たSiO2の基本材料を含む微粉15酸化物3を、中心
軸を軸にして回転する石英製の耐熱棒4の端部に吹き付
けて堆積生長させ、耐熱棒4の端部にSiO2の基本材
料を含む微粉酸化物からなる多孔質の石英系酸化物5を
棒状に構成する方法である。20この際、Siを含む原
料が酸化反応する位置と、この反応により得られた微粉
酸化物3が堆積する位置とが常に一定間隔になるように
耐熱棒4は長手方向(上方)に移動される。
このようにして製造された棒状の多孔質酸化物255は
、後に加熱炉に挿入され焼結されてガラス化が行なわれ
、光ファイバ用母材となる。
VAD法は上述のように石英系の棒状多孔質酸化物5を
製造することができる。
しかしながらこのVAD法を用いて非石英系の棒状多孔
質酸化物30を製造しようとしても、Siを含まない原
料を酸化反応させることにより得られた微粉酸化物は、
耐熱棒の端部に接着性良く付着することができず、この
結果、微粉酸化物の堆積を続けて棒状の多孔質酸化物に
生長させようとすると、この多孔質酸35化物は耐熱棒
との接触面から割れが入り、落下してしまう。石英系の
場合には、それほどの難かしさもなく0噌 −棒状の多
孔質酸化物に生長できる。
これは耐熱棒4として多孔質酸化物と同系の石英棒を使
用しているために、いわゆるなじみが良いことが原因で
あると考察し、石英棒の代わりにパイレツクスガラス棒
やアルミナ棒などを使用して非石英系の多孔質酸化物を
堆積生長させることを試みたが、その結果は良好でなか
つた。結局、原因は耐熱棒4の材質だけでなく、付着す
る微粉酸化物の特性も大いに関係していると考えられる
が、真の原因はわかつていない。本発明者は、VAD法
により耐熱棒の端部に非石英系の微粉酸化物を吹き付け
、俸状の多孔質酸化物に堆積生長させる実験を種々行な
つてみた。
この結果、耐熱棒4の端部にまず始め、石英系の多孔質
酸化物を形成し、次に堆積生長させようとする非石英系
の多孔質酸化物を形成することにより、非石英系の多孔
質酸化物を耐熱材の端部に接着性よく形成生長させるこ
とができた。これは、非石英系の多孔質酸化物と耐熱棒
とが石英系の多孔質酸化物を介在する構造となるため、
耐熱棒と石英系の多孔質酸化物とが従来の場合と同様に
良好に接着し、また石英系の多孔質酸化物と非石英系の
孔孔質酸化物とが共に多孔質酸化物であることから接着
性が良好となり、この結果、非石英系の多孔質酸化物を
長尺に生長させることができると考えられる。本発明は
かかる実験結果によりなされたもので、Slを含まない
原料を酸化反応させ、これにより得られた微粉酸化物を
耐熱棒の端部に順次堆積生長させて耐熱棒の長手方向に
延びた非石英系の多孔質酸化物を作成し、その後前記非
石英系の多孔質酸化物を透明ガラス化して非石英系光フ
アイバ用母材を製造する方法において、前記耐熱棒の端
部にあらかじめ石英系の多孔質酸化物を堆積させること
を特徴とする非石英系光フアイバ用母材の製造方法であ
る。
以下本発明を第2図に示す実施例に基づいて説明する。
まず始め、SiCl4とGeCl4とPOCl3との混
合気体(Ar等のキヤリアガスを含む)からなる原料1
1を、第1図に示す場合と同様に、バーナ炎などによる
高温中12に導入して火炎加水分解法等により酸化反応
させてSiO2(LGeO2とP2O3との混合体から
なる微粉酸化物13を形成し、この微粉酸化物13を、
中心軸を軸にして回転しながら除々に上昇する耐熱棒1
4の端部に吹き付け、耐熱棒14の端部にSiO2とG
eO2とP2O3とからなる多孔質酸化物15を太さ5
0mm1長さ30mm1こ生長させる。次に高温中12
に導入する原料11をGeCl4とSbCl5との混合
気体(Ar等のキヤリアガスを含む)に切り替えて酸化
反応させ、これにより得られたGeO2とSb2O3と
の混合体からなる微粉酸化物16をさらに堆積生長させ
て、GeO2とSb2O3とからなる非石英系の多孔質
酸化物17を大さ50mm、長さ100mm1こ構成す
る。このようにして得られた非石英系の多孔質酸化物1
7は耐熱棒14と良好に接着し、耐熱棒14から切り離
れ落下するようなことはない。次に第3図に示すように
900℃に設定された電気炉18内に非石英系の多孔質
酸化物17をその先端より除々に挿入して透明ガラス化
を行つた。この際、非石英系の多孔質酸化物17の透明
ガラス化は、石英系の多孔質酸化物15との境介部から
511手前まで行つた。透明ガラス化をこれよりも続け
て石英系の多孔質酸化物15まで行うと、両境介部に割
れが入つたり気泡が残留したりするので、透明ガラス化
は前記のとおり行つた方が良い。このようにして大さ2
0m77!、長さ約50m71Lの非石英系光フアイバ
用母材を作成した。得られた非石英系光フアイバ用母材
は泡を含むこともなく、かつひび割れもない完全なもの
である。なおこの非石英系光フアイバ用母材は後に加熱
紡糸された非石英系光フアイバに構成される。第4図は
本発明の他の実施例を説明するための説明図であり、石
英系の多孔質酸化物15を2段に形成する場合を示して
いる。
第1段目の耐熱棒14に接している側の上方の石英系多
孔質酸化物15aの製造は第2図に示す場合と同様にS
iCl4とGeCl4とPOCl3とを含む原料を用い
て製造し、SiO2とGeO2とP2O3との混合体に
より、太さ50mm1長さ30m7!Lに構成する。石
英系の多孔質酸化物17と接する側の第2段目の石英系
多孔質酸化物15bの製造はSiC24とGeCl4と
POCl3とSb2Cl3との混合体からなる原料を用
いて製造し、SiO2とGeO2とP2O3とSb2O
3との混合体により、太さ50mu,.長さ5mm1こ
構成する。この石英系多孔質酸化物15bは、第1段目
の石英系多孔質酸化物15aと接する部分がSb2O3
のほとんど含まない、ほぼ第1段目の石英系多孔質酸化
物15aと同組成比に構成され、非石英系の多孔質酸化
物17に近づくに従つてGeO2とSb2O3とが次第
に多くなるとともにSiO2とP2O3とが次第に少な
くなり、非石英系の多孔質酸化物17に接する部分がほ
ぼその非石英系の多孔質酸化物17と同組成比に構成さ
れる。このような構造の石英系多孔質酸化物15bの製
造は、第1段目の石英系多孔質酸化物15aが長さ30
mmまでに生長した際、これまで使用したSiCl4と
GeCl4POCl3との混合体からなる原料にSbC
l5を除々に混合増加するとともに、GeCl4を除々
に増加し、SiCl4とPOCl3とを除々に減少させ
ることにより行う。非石英系の多孔質酸化物17の製造
は第2図に示す場合と同様に行ない、長さ100mmま
で生長させた。このようにして得られた非石英系の多孔
質酸化物17は、組成比が除々に変化した第2段目の石
英系多孔質酸化物15bを介して、組成比の異なる第1
段目の石英系多孔質酸化物15aと結合するので、第2
図に示す場合よりもより強力に接着させることができる
。なお本発明は原料を酸化反応させるに際し、火炎を用
いることなしに、他の熱源、たとえば抵抗加熱炉やレー
ザ源を用いることができる。
このような場合は酸化反応させるための酸素を原料とと
もに導入する必要がある。また本発明は原料として気体
状のもの以外に液状のものを使用することができる。ま
た本発明は非石英系多孔質酸化物のすべてのものに適用
することができる。本発明は上述のように、Siを含ま
ない原料を酸化反応させ、これにより得られた微粉酸化
物を耐熱棒の端部に順次堆積生長させて耐熱棒の長手方
向に延びた非石英系の多孔質酸化物を作成し、その後前
記非石英系の多孔質酸化物を透明ガラス化して非石英系
光フアイバ用母材を製造する方法において、前記耐熱棒
の端部にあらかじめ石英系の多孔質酸化物を堆積させる
ことを特徴とする非石英系光フアイバ用母材の製造方法
である。
この結果、非石英系の多孔質酸化物を強力に耐熱棒の端
部に構成でき、AD法により非石英系光フアイバ用母材
を製造できるすぐれた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はVAD法を説明するための説明図、第2図およ
び第3図はそれぞれ本発明の一実施例を説明するための
説明図、第4図は本発明の他の実施例を説明するための
説明図である。 11は原料、13および16はそれぞれ微粉酸化物、1
4は耐熱棒、15は石英系の多孔質酸化物、17は非石
英系の多孔質酸化物である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 Siを含まない原料を酸化反応させ、これにより得
    られた微粉酸化物を耐熱棒の端部に順次堆積生長させて
    耐熱棒の長手方向に延びた非石英系の多孔質酸化物を作
    成し、その後前記非石英系の多孔質酸化物を透明ガラス
    化して非石英系光ファイバ用母材を製造する方法におい
    て、前記耐熱棒の端部にあらかじめ石英系の多孔質酸化
    物を堆積させることを特徴とする非石英系光ファイバ用
    母材の製造方法。 2 非石英系の酸化物はGeとSbの酸化物である特許
    請求の範囲第1項記載の非石英系光ファイバ用母材の製
    造方法。 3 石英系の酸化物はSiとGeとPとの3成分酸化物
    である特許請求の範囲第1項または第2項記載の非石英
    系光ファイバ用母材の製造方法。 4 石英系の酸化物は耐熱棒に接する側がSiとGeと
    Pとの3成分酸化物であり、非石英系の酸化物に近づく
    につれて除々にSiとPとが減少しGeとSbとが増し
    た4成分酸化物である特許請求の範囲第1項または第2
    項記載の非石英系光ファイバ用母材の製造方法。
JP12247181A 1981-08-06 1981-08-06 非石英系光フアイバ用母材の製造方法 Expired JPS594386B2 (ja)

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JPS6186431A (ja) * 1984-10-04 1986-05-01 Asahi Glass Co Ltd 多孔質石英ガラス母材のガラス化方法
JPS62199858U (ja) * 1986-06-09 1987-12-19

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