JPS6054936A - プリフォ−ムロッドの製造方法 - Google Patents
プリフォ−ムロッドの製造方法Info
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- JPS6054936A JPS6054936A JP16439383A JP16439383A JPS6054936A JP S6054936 A JPS6054936 A JP S6054936A JP 16439383 A JP16439383 A JP 16439383A JP 16439383 A JP16439383 A JP 16439383A JP S6054936 A JPS6054936 A JP S6054936A
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- dehydration
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、プリフォームロッドの製造方法に関し、特に
気相軸伺は法における脱水処理工程を改良したプリフォ
ームロッドの製造方法に関する。
気相軸伺は法における脱水処理工程を改良したプリフォ
ームロッドの製造方法に関する。
（発明の技術的背Ｊｉｔ ）
ＶＡＤ法は、製造プロセスが単純であること、大形のプ
リフォームロッドを製造できること等の利点を有し、プ
リフォームロッドの耶産に適した製造方法として知られ
ている。
リフォームロッドを製造できること等の利点を有し、プ
リフォームロッドの耶産に適した製造方法として知られ
ている。
しかし、このＶＡＤ法では、ガラス原料ガスから成るス
ーＩ・が加水分解反応により合成されるため、多孔質プ
リフォームの内部に多量のＯＨ基が存在してしまう。
ーＩ・が加水分解反応により合成されるため、多孔質プ
リフォームの内部に多量のＯＨ基が存在してしまう。
そこで、多孔質プリフォームを成長させた後は塩素ガス
や塩化スルフリルｓｏｃ＋２等のＩｌｌ素系ガスを一定
の処理温度で流し、これにより多孔質プリフォームの脱
水を行っている。
や塩化スルフリルｓｏｃ＋２等のＩｌｌ素系ガスを一定
の処理温度で流し、これにより多孔質プリフォームの脱
水を行っている。
ところで、多孔質プリフォームを９００℃の処理温度で
３ｍｍ／■ｉｎの速度にて引き一ヒげた場合の塩素流量
に対する構造散乱損失は、第１図に示すように、塩素流
量が増大するとそれに伴なって増加する。これは１１１
素流鼠の増大に略比例して塩素が多孔質プリフォームに
取り込まれてしまうことによる。また」−記処理温度及
び処理速度で塩素流量−を増加させると、第２図に示す
ように、残留０１（基濃度が変化し、約５０ｃｃ／ｎ＋
ｉｎの流量で急激にＯＨ基が減少して１ ｐｐｍ以下と
なる。従って、この第１図及び第２図から明らかなよう
に、塩素流量が少ないと、構造散乱は減少するが残留Ｏ
Ｈ基濃度は増大する。逆に塩素流量が多いと、残留ＯＨ
基濃度は減少するが構造散乱は増大する。
３ｍｍ／■ｉｎの速度にて引き一ヒげた場合の塩素流量
に対する構造散乱損失は、第１図に示すように、塩素流
量が増大するとそれに伴なって増加する。これは１１１
素流鼠の増大に略比例して塩素が多孔質プリフォームに
取り込まれてしまうことによる。また」−記処理温度及
び処理速度で塩素流量−を増加させると、第２図に示す
ように、残留０１（基濃度が変化し、約５０ｃｃ／ｎ＋
ｉｎの流量で急激にＯＨ基が減少して１ ｐｐｍ以下と
なる。従って、この第１図及び第２図から明らかなよう
に、塩素流量が少ないと、構造散乱は減少するが残留Ｏ
Ｈ基濃度は増大する。逆に塩素流量が多いと、残留ＯＨ
基濃度は減少するが構造散乱は増大する。
（背景技術の問題点）
そして、従来はＯＨ基濃度による吸収損失と構造散乱に
よる散乱損失とをそれぞれ別個独立に考慮し、構造散乱
が若干増大してもＯＨ基濃度を低下させる方法、例えば
、処理温度をｔ ｔ ｏ ｏ ’ｃに設定して塩素ガス
を８０ｃｃ／ｗｉｎの流量で流す方法により多孔質プリ
フォームの脱氷を行っており、構造散乱の増加はナトリ
ウムガスを流す等の他の手段にて防止していた。
よる散乱損失とをそれぞれ別個独立に考慮し、構造散乱
が若干増大してもＯＨ基濃度を低下させる方法、例えば
、処理温度をｔ ｔ ｏ ｏ ’ｃに設定して塩素ガス
を８０ｃｃ／ｗｉｎの流量で流す方法により多孔質プリ
フォームの脱氷を行っており、構造散乱の増加はナトリ
ウムガスを流す等の他の手段にて防止していた。
しかし、このような脱水処理工程にて得たプリフォーム
ロッドでは必ずしも光損失の低い満足できる光ファイバ
を得ることができない。
ロッドでは必ずしも光損失の低い満足できる光ファイバ
を得ることができない。
（発明の［１的）
本発明の目的は、構造散乱損失と吸収損失とを含む光損
失が小さい光ファイバを作成するのに好適なプリフォー
ムロッドの製造方法を提供することにある。
失が小さい光ファイバを作成するのに好適なプリフォー
ムロッドの製造方法を提供することにある。
（発明の概要）
本発明は、ＶＡＤ法の脱水処理工程において、処理温度
を８５０℃〜９５０°Ｃに、処理速度を２、５ ｍｔｓ
／ ｗｉｎ 〜３ 、５ ｔａｒｓ／ ｗｉｎに、ヌ」
１素系ガス流月を５０ ｃｃ／ ｗｉｎ 〜ｌ ＯＯｃ
ｃ／ １ｎにそれぞれ設定したことを４Ｓｆｆｉとする
。
を８５０℃〜９５０°Ｃに、処理速度を２、５ ｍｔｓ
／ ｗｉｎ 〜３ 、５ ｔａｒｓ／ ｗｉｎに、ヌ」
１素系ガス流月を５０ ｃｃ／ ｗｉｎ 〜ｌ ＯＯｃ
ｃ／ １ｎにそれぞれ設定したことを４Ｓｆｆｉとする
。
即ち、木発明者等は、塩素ガス流星に対して構造散乱と
ＯＨ基濃１■とが第１図及びｉ２図に示すように逆比例
の関係にあることから、レイリー（Ｒａｙｌｅｉｇｈ）
散乱用を一定とすると、構造散乱損失と吸収損失との和
を光損失と考えることができることに着「Ｉした。そし
て木発明者等は実験を爪ね、この和による全光損失を最
小とする脱水処理条件として」二連の処理温度及び処理
速度、更には塩素ガス流計を見い出し、本発明方法を提
案した。
ＯＨ基濃１■とが第１図及びｉ２図に示すように逆比例
の関係にあることから、レイリー（Ｒａｙｌｅｉｇｈ）
散乱用を一定とすると、構造散乱損失と吸収損失との和
を光損失と考えることができることに着「Ｉした。そし
て木発明者等は実験を爪ね、この和による全光損失を最
小とする脱水処理条件として」二連の処理温度及び処理
速度、更には塩素ガス流計を見い出し、本発明方法を提
案した。
即ち、光損失は、処理温度が８５０°Ｃ〜９５ｏ ’ｃ
の範囲で処理速度が２ 、５ｎｍ／ｗｉｎ 〜３ 、５
１１ｍ／ｍｉｎの範囲において絶対値が最も小さく、そ
して第３図に示すように、塩素ガス流量が約、７０ｃｃ
／ｍｉｎの時に最小値となる。従って、この条件におい
て多孔質プリフォームの脱水処理を行うと、光損失の最
も少ない光ファイバが得られることが判る。
の範囲で処理速度が２ 、５ｎｍ／ｗｉｎ 〜３ 、５
１１ｍ／ｍｉｎの範囲において絶対値が最も小さく、そ
して第３図に示すように、塩素ガス流量が約、７０ｃｃ
／ｍｉｎの時に最小値となる。従って、この条件におい
て多孔質プリフォームの脱水処理を行うと、光損失の最
も少ない光ファイバが得られることが判る。
（発明の実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
先ず、ガラス原料ガスとして ＳｉＣ坏を用い、この原
料ガスを酸水素バーナに送り込み、火炎中で加水分解反
応により、スートを合成すると共にこのスートをターゲ
ットとしての回転する石英棒１（第４図参照）の先端に
吹き付け、堆積させることにより石英棒１の軸方向に多
孔質プリフォームを成長させる。これにより、カ径６０
Ｉ１ｍ、長さ５０Ｃ１１の多孔質プリフォーム２を作成
する。
料ガスを酸水素バーナに送り込み、火炎中で加水分解反
応により、スートを合成すると共にこのスートをターゲ
ットとしての回転する石英棒１（第４図参照）の先端に
吹き付け、堆積させることにより石英棒１の軸方向に多
孔質プリフォームを成長させる。これにより、カ径６０
Ｉ１ｍ、長さ５０Ｃ１１の多孔質プリフォーム２を作成
する。
次に、第４図に示すように、この得られた多孔質プリフ
ォーム２をその位置する電気炉３内でヒータ３ａにより
その表面温度が９００ ’Ｃになるような脱水処理温度
で加熱すると共に電気炉３内に塩素ガスを７０ｃｃ／ｗ
ｉｎのｔＱ ｍｌで液し５石英棒ｌを引き」二げモータ
（図示せず）により回転しつつ引き上げて多孔質プリフ
ォーム２を３ｍｍ／ｗｉｎの速度で−に動させ、この多
孔質プリフォーム２の脱水処理を行う。
ォーム２をその位置する電気炉３内でヒータ３ａにより
その表面温度が９００ ’Ｃになるような脱水処理温度
で加熱すると共に電気炉３内に塩素ガスを７０ｃｃ／ｗ
ｉｎのｔＱ ｍｌで液し５石英棒ｌを引き」二げモータ
（図示せず）により回転しつつ引き上げて多孔質プリフ
ォーム２を３ｍｍ／ｗｉｎの速度で−に動させ、この多
孔質プリフォーム２の脱水処理を行う。
このように、処理温度を９００℃、ｊ１１素ガス流量を
７０ ｃｃ／ １ｎにし、多孔質プリフォーム２を３ｍ
ｍ／ｗｉｎの速度で引き」−げると、第３図に示すよう
に、Ｉ！１素の取り込みを原因とする構造散乱損失とＯ
Ｈ基濃度を原因とする吸収損失との和である光損失が最
も小さくなるように多孔質プリフォーム２の脱水処理を
行うことができる。
７０ ｃｃ／ １ｎにし、多孔質プリフォーム２を３ｍ
ｍ／ｗｉｎの速度で引き」−げると、第３図に示すよう
に、Ｉ！１素の取り込みを原因とする構造散乱損失とＯ
Ｈ基濃度を原因とする吸収損失との和である光損失が最
も小さくなるように多孔質プリフォーム２の脱水処理を
行うことができる。
多孔質プリフォーム２を脱水処理した後は該多孔質プリ
フォーム２を電気炉３内でヒータ３ａにより１４００℃
以」二の温度で溶解焼結し、透明なガラス体のプリフォ
ームロッドを作成する。この得られた透明プリフォーム
ロッドは外径が２０ｍｍ〜２５ｍ＋ｍで長さも多孔質プ
リフォーム２時の約ｌ／２に収縮し、約１／ＩＧのかさ
密度となる。
フォーム２を電気炉３内でヒータ３ａにより１４００℃
以」二の温度で溶解焼結し、透明なガラス体のプリフォ
ームロッドを作成する。この得られた透明プリフォーム
ロッドは外径が２０ｍｍ〜２５ｍ＋ｍで長さも多孔質プ
リフォーム２時の約ｌ／２に収縮し、約１／ＩＧのかさ
密度となる。
このようにして得た透明ブリフォームロ・ンドを外径１
０ｍｍ程度に延伸し、石英管でジャケラｌ−して線引き
用プリフォームロッドとした後線引き装置（図示せず）
にて線引きし、グレーデッドインデックス型光ファイバ
を製造した。そして、この光ファイバの光損失を調べた
ところ、波長１．３μｍで ０．、ｆ ｄＢ／Ｋｍの低
損失を示した。
０ｍｍ程度に延伸し、石英管でジャケラｌ−して線引き
用プリフォームロッドとした後線引き装置（図示せず）
にて線引きし、グレーデッドインデックス型光ファイバ
を製造した。そして、この光ファイバの光損失を調べた
ところ、波長１．３μｍで ０．、ｆ ｄＢ／Ｋｍの低
損失を示した。
比較のために電気炉３に塩素ガスを８０ｃｃ／ｍｉｎで
流し、１２００℃の処理温度で多孔質プリフォーム２を
脱水処理し、上記したと同様に溶解焼結して光ファイバ
を製造したところ、その光損失は波長１．３μ厘で ０
．７ ｄＢ／ Ｋｇであった。
流し、１２００℃の処理温度で多孔質プリフォーム２を
脱水処理し、上記したと同様に溶解焼結して光ファイバ
を製造したところ、その光損失は波長１．３μ厘で ０
．７ ｄＢ／ Ｋｇであった。
上記実施例において、処理温度が８５０°Ｃ以下である
と、塩素流量が７０ ｃｃ／ ｗｉｎで多孔質プリフォ
ーム２の引き上げ速度が３ｍｍ／ｗｉｎであってもＯＨ
基の残留ｌｉｔが多くなってしまうことかも、吸収損失
が大きくなってしまい、従って得られる光ファイバの光
１１１失が増大１７てしまう。これに対して処理温度が
９５０°Ｃ以１−であるど、多孔質プリフォーム２に取
り込まれる１１素Ｉ１１が増大することから、構造散乱
損失が犬きくなり、やはり光損失が増大１７てしまう。
と、塩素流量が７０ ｃｃ／ ｗｉｎで多孔質プリフォ
ーム２の引き上げ速度が３ｍｍ／ｗｉｎであってもＯＨ
基の残留ｌｉｔが多くなってしまうことかも、吸収損失
が大きくなってしまい、従って得られる光ファイバの光
１１１失が増大１７てしまう。これに対して処理温度が
９５０°Ｃ以１−であるど、多孔質プリフォーム２に取
り込まれる１１素Ｉ１１が増大することから、構造散乱
損失が犬きくなり、やはり光損失が増大１７てしまう。
また、多孔質プリフォーム２の引き１−げ速度が２ 、
５ ｎｕｌ／ｍｉｎ以下、若しくは３ 、５ ■／ ｍ
ｉｎ以１−であると、１月素のＩｌｇり込まれるＩｌ［
が増大し又はＯＨ基濃１ｍが増大することから、光旧失
が大きくなってしまう。
５ ｎｕｌ／ｍｉｎ以下、若しくは３ 、５ ■／ ｍ
ｉｎ以１−であると、１月素のＩｌｇり込まれるＩｌ［
が増大し又はＯＨ基濃１ｍが増大することから、光旧失
が大きくなってしまう。
更に、ｉｌＮ素ガス流＆ｉは、７０ ｃｃ／ ｇＩｉｎ
〜８０ ｃｃ／ｗｉｎの範囲では、第３図に示すよう
に、光損失が最小となり、また５ ０ ｃｃ／ ｗｉｎ
−１００ｃｃ／ ｍｉｎの範囲でも光損失が従来より
も小さくなるが、５０ｃｃ／１ｌｉｎ以下、若１／ ＜
（：ｌ： １００ ｃｃ／ ｗｉｎ以１−では、光損
失が従来と同−又は大きくなってしまう。
〜８０ ｃｃ／ｗｉｎの範囲では、第３図に示すよう
に、光損失が最小となり、また５ ０ ｃｃ／ ｗｉｎ
−１００ｃｃ／ ｍｉｎの範囲でも光損失が従来より
も小さくなるが、５０ｃｃ／１ｌｉｎ以下、若１／ ＜
（：ｌ： １００ ｃｃ／ ｗｉｎ以１−では、光損
失が従来と同−又は大きくなってしまう。
（発明の効果）
本発明によれば、ＶＡＤ法の脱水処理工程において、処
理温度を８５０℃〜９５０℃、処理速度、即ち多孔質プ
リフォームの引き」二げ速度を２゜５ ｒｍｒａ／ ｗ
ｉｎ 〜３ 、５ ｍｔｎ／ ｗｉｎ 、 Ｊ１！素系
ガス流量を５０ ｃｃ／ ｓｉｎ −１００ｃｃ／ ｓ
ｉｎの範囲にそれぞれ設定することで、構造散乱損失と
吸収損失との和である光損失を最も小さくして多孔質プ
リフォームを脱水処理することができる。従って、極低
光損失の光ファイバが得られる。
理温度を８５０℃〜９５０℃、処理速度、即ち多孔質プ
リフォームの引き」二げ速度を２゜５ ｒｍｒａ／ ｗ
ｉｎ 〜３ 、５ ｍｔｎ／ ｗｉｎ 、 Ｊ１！素系
ガス流量を５０ ｃｃ／ ｓｉｎ −１００ｃｃ／ ｓ
ｉｎの範囲にそれぞれ設定することで、構造散乱損失と
吸収損失との和である光損失を最も小さくして多孔質プ
リフォームを脱水処理することができる。従って、極低
光損失の光ファイバが得られる。
第１図は塩素ガス流量に対する構造散乱損失を示す線図
、第２図は塩素ガス流量に対するＯＨ基濃度変化を示す
線図、第３図は光損失と塩素ガス流量との関係を示す線
図、第４図は本発明方法の脱水処理工程を説明するため
の概略図である。 １−−−−−−一石英棒、 ２−−一−−−−多孔質ブリフォーム、３−−−−−−
一電気炉、 第１図 這素ｙ”スｊし量（Ｃθムーπ） 。５Ｎ ”″ 特開昭ＧＯ−５４９３６（４） 第４図
、第２図は塩素ガス流量に対するＯＨ基濃度変化を示す
線図、第３図は光損失と塩素ガス流量との関係を示す線
図、第４図は本発明方法の脱水処理工程を説明するため
の概略図である。 １−−−−−−一石英棒、 ２−−一−−−−多孔質ブリフォーム、３−−−−−−
一電気炉、 第１図 這素ｙ”スｊし量（Ｃθムーπ） 。５Ｎ ”″ 特開昭ＧＯ−５４９３６（４） 第４図
Claims (1)
- ガラス原料ガスを火炎中で加水分解して成るスートをタ
ーゲットの先端に吹き付け、堆積させて前記ターゲット
の軸方向に多孔質プリフォームを形成する工程と、前記
多孔質プリフォームを所定の処理温度及び処理速度で塩
素系ガスを流しつつ脱水処理する工程と、該脱水処理し
た多孔質プリフォームを溶解焼結し、透明なガラス体の
プリフォームロッドを作成する工程とを含むプリフォー
ムロッドの製造方法であって、前記脱水処理工程におい
て、前記処理温度は８５０℃〜９５０℃の範囲に設定さ
れ、前記処理速度は２ 、５ ａｍｌ ｗｉｎ〜３ 、
５ ｓｒｓ／ ｓｉｎの範囲に設定され、かつ前記塩素
系ガス流量は５０ｃｃ／脂ｉｎ〜１ｏｏｃｃ／腸ｉｎの
範囲に設定されていることを特徴とするプリフォームロ
ッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16439383A JPS6054936A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | プリフォ−ムロッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16439383A JPS6054936A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | プリフォ−ムロッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6054936A true JPS6054936A (ja) | 1985-03-29 |
Family
ID=15792271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16439383A Pending JPS6054936A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | プリフォ−ムロッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054936A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0216338A2 (en) * | 1985-09-26 | 1987-04-01 | Polaroid Corporation | Method of employing plasma for finishing start rods |
| US4979133A (en) * | 1988-02-08 | 1990-12-18 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Pyrometer |
| US5231595A (en) * | 1983-06-06 | 1993-07-27 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Pyrometer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56160334A (en) * | 1980-04-25 | 1981-12-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of base material for optical fiber |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP16439383A patent/JPS6054936A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS56160334A (en) * | 1980-04-25 | 1981-12-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of base material for optical fiber |
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| US4979133A (en) * | 1988-02-08 | 1990-12-18 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Pyrometer |
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