JPS5943766B2 - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPS5943766B2
JPS5943766B2 JP55100371A JP10037180A JPS5943766B2 JP S5943766 B2 JPS5943766 B2 JP S5943766B2 JP 55100371 A JP55100371 A JP 55100371A JP 10037180 A JP10037180 A JP 10037180A JP S5943766 B2 JPS5943766 B2 JP S5943766B2
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JP
Japan
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oscillation
circuit
gate circuit
timing
timing generator
Prior art date
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JP55100371A
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English (en)
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JPS5725022A (en
Inventor
峰次郎 野島
万企就 小林
敦 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Priority to GB8121283A priority patent/GB2080585B/en
Priority to US06/283,015 priority patent/US4479191A/en
Priority to DE19813128675 priority patent/DE3128675A1/de
Publication of JPS5725022A publication Critical patent/JPS5725022A/ja
Publication of JPS5943766B2 publication Critical patent/JPS5943766B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は発振回路を備えた半導体集積回路に係り、特
に消費電力の節減を図つた改良に関する。
1チップマイクロコンピュータ等の集積回路においては
集積度が飛躍的に高められ、各種機能のオンチップ化が
進んでいる。
そしてほとんどのlチップマイクロコンピュータが発振
回路を内蔵しており、外部端子に水晶振動子あるいは抵
抗およびコンデンサ等の受動素子を外付けするだけで基
本クロック信号が得られるようになつている。一方、相
補MOS形集積回路のように低消費電力で動作し得るも
のでは、保持モード時に、内部動作を停止させてさらに
低消費電力化を達成させている。第1図は上記保持モー
ド時に内部動作を停止させて低消費電力化を図つた従来
の集積回路の構成図であり、1チップマイクロコンピュ
ータの例が示されている。
図において1は発振回路である。この発振回路1は集積
回路内に設けられたインバータ2および抵抗3と、外部
端子4、5に外付けされた抵抗6、水晶振動子7および
コンデンサ8、9からなる発振帰還回路■とから構成さ
れている°この発振回路1から出力されるクロックパル
スはタイミングジェネレータ11に送られる。タイミン
グジェネレータ11は上記クロックパルスをもとにして
各種制御に必要なタイミング信号を順次出力するように
なつている。このような構成において、いまこのlチッ
プマイクロコンピュータの電源電圧が規定値よりも低下
して誤動作を起こす恐れがある場合には、図示しないス
テータスレジスタの所定フラグHに゛゛l’’信号をた
てる。
この後、このHフラグの信号が夕・ イミングジエネレ
ータ11に入力すると、タイミングジェネレータ11は
タイミング信号の出力を停止するため、このマイクロコ
ンピュータは動作モードから保持モードとなり、スタン
バイ状態になつて低消費電力状態に設定されるのである
。しかしながら保持モードになると、演算処理回路等内
部の動作は停止するが発振回路1は動作モード時と同じ
ように発振し続ける。ところで一般に、発振回路1にお
ける発振周波数は内部の動作周波数に比べて同じかまた
は速い。
このため周波数等の発振条件によつては、発振回路1で
消費される電力の方が内部の動作で消費される電力より
も大きくなる場合があり、また内部を保持モードにして
動作を停止させても発振のために消費される電力は減ら
ないため、従来では低消費電力化はさほど期待すること
ができないという欠点がある。この発明は上記のような
事情を考慮してなされたものであり、その目的とすると
ころは、保持モードの際に発振回路の発振動作を停止す
ることにより低消費電力化を図つた半導体集積回路を提
供することにある。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説2明する
第2図はこの発明に係る半導体集積回路の一実施例のプ
ロツク構成図であり、従来と同様に1チツプマイクロコ
ンピユータの例が示されている。プログラムカウンタ(
PC)21はROM222をアドレス指定するためのも
のであり、その出力はROM22に送られる。
ROM22は予めプログラムを記憶していて、上記プロ
グラムカウンタ21の出力に応じたアドレス領域内に記
憶しているプログラムデータを読3み出し、この読み出
されたプログラムデータは命令レジスタ(IR)23に
送られる。
命令レジスタ23はROM22から読み出されたプログ
ラムデータをいつたん記憶するとともにその後出力し、
この出力は命◆デコーダ(ID)324に送られる。
命令デコーダ24は上記命令レジスタ23から送られる
プログラムデータを解読して各種制御信号を発生するよ
うになつている。
RAM25はバスライン26から送られるデ一4.夕を
記憶するとともに、予め記憶しているデータを読み出し
てバスライン26に出力するようになつていて、そのア
ドレス指定はRAMアドレスレジスタ(RR)27によ
つて行なわれるようになつている。
アキユムレータ(ACC)28はバスライン26から送
られるデータをいつたん記憶するとともにその記憶デー
タを算術論理演算器29に送るようになつている。
ステータスレジスタ(SR)30はその内部にこのマイ
クロコンピユータの動作モードおよび保持モードを決定
するためのHフラグを含むいくつかのフラグを持つてい
て、バスライン26から送られるデータに応じて各フラ
グが制御されるようになつているとともに、そのうちの
Hフラグは後述するカウンタが所定数のパルスをカウン
トしその出力が立上つた時点で下げられるようになつて
いる。
上記算術論理演算器29にはまたバスライン26からも
データが送られるようになつていて、このバスライン2
6からのデータと上記アキユムレータ28あるいはステ
ータスレジスタ30からデータとの間で算術論理演算を
行なうようになつている。
そしてその結果はバスライン26に送られる。入出力ポ
ート31はバスライン26上のデータを複数の外部端子
321〜32nを介して外部に出力するとともに、外部
からのデータをこれらの外部端子321〜32nを介し
て入力するようになつている。
そしてこの入出力ポート31の一つの外部端子32nは
このマイクロコンピユータに供給される電源電圧Vを検
出するためのものであり、この端子32nには電源電圧
Vをベース入力とするNPNトランジスタQのコレクタ
が外付される。またこのトランジスタQのコレクタには
たとえば上記電圧によつて充電される十分大きな容量の
コンデンサの端子電圧が供給されるため、上記電源電圧
Vが十分に高ければトランジスタQがオンして外部端子
32nのレベルは低レベルなり、電源電圧Vが低下すれ
ばトランジスタQはオフになつて外部端子32nのレベ
ルは高レベルになる。そして上記ステータスレジスタ3
0内のHフラグは、上記外部端子32nのレベルカ塙レ
ベルのときにプログラム処理によつて立てられる(高レ
ベルに設定されるようになつている。発振回路(0SC
)33はこのマイクロコンピユータの動作を制御するも
とになるクロツクパルスを発生するものであり、上記外
部端子32nのレベルおよびタイミングジェネレータ(
TG)34から送られる発振停止信号によつてその発振
動作が制御されるようになつている。そしてここで発生
するクロツクパルスはタイミングジェネレータ(TG)
34およびカウンタ(COUNT)35に送られる。タ
イミングジェネレータ34は上記ステータスレジスタ3
0内のHフラグが立てられていないときにのみ上記クロ
ツクパルスをもとにしてタイミング信号を発生するよう
になつているとともに、Hフラグが立てられるとそれか
ら所定期間後にタイミング信号の発生を停止しさらに上
記発振回路J3に発振停止信号を出力するようになつて
いる。
カウンタ35は上記発振回路J3から出力されるクロツ
クパルスをカウントし、それが所定数に達するとその出
力が立上るようになつている。第3図は上記発振回路J
3を具体的に示すものである。この発振回路J3は図示
するように集積回路内に設けられ前記入出力ポート31
の一つの外部端子32nの信号およびタイミングジェネ
レータ34からの発振停止信号それぞれを入力とするN
ANDゲート回路41.集積回路内に設けられこのNA
NDゲート回路41の出力をもう一方の入力とするもう
一つのNANDゲート回路42、抵抗43と、外部端子
44,45に外付けされた抵抗46、水晶振動子47お
よびコンデンサ48,49からなる発振帰還回路50と
から構成されている。次に上記のように構成された回路
の動作を説明する。
まず、このマイクロコンピユータに供給されている電源
電圧が十分に高ければ入出力ポート31の外部端子32
r1は低レベルになる。このとき第3図に示す発振回路
J3のNANDゲート回路41の出力は高レベルとなる
ため、この発振回路JKは発振動作しクロツクパルスを
出力することになる。一方、上記外部端子32、のレベ
ルが低レベルであればステータスレジスタ30内のHフ
ラグは立てられないため、このマイクロコンピユータは
動作モードとなる。また、タイミングジェネレータ34
は発振回路33から出力されるクロツクパルスに基づい
てタイミング信号を発生する。
このとき発振停止信号は低レベルになつている。したが
つてこのときマイクロコンピユータは命令デコーダ24
から出力フj0 される制御信号に基づいて動作することになる。
次に電源電圧Vが規定値よりも低下して誤動作を起こす
恐れがあるような場合には、トランジスタQがオフして
入出力ポート31の外部端子32nの信号が高レベルに
反転する。なおこのときタイミングジェネレータ34か
ら出力される発振停止信号はまだ低レベルになつている
。このため上記外部端子32nのレベルカ塙レベルに反
転しても発振回路J3内のNANDゲ=ト回路41の出
力は高レベルとなり、発振回路J3は発振動作を続行す
る。さらに外部端子32nのレベルカ塙レベルになると
、この後第4図に示すようなタイミングで外部端子32
。の信号が取り込まれ、その後ステータスレジスタ30
のHフラグが立てられて保持モードになる。上記Hフラ
グが立てられると、タイミングジェネレータ34は1命
令サイクルが終るまでのクロツクパルスが入力した後に
タイミング信号の発生を停止するとともに高レベルの発
振停止信号を出力する。すなわち、タイミング信号は1
命令サイクルが終るまで出力されるので、このときにマ
イクロコンピユータが誤動作する恐れはない。上記タイ
ミング信号の発生が停止すると発振回路亀3を除くこの
マイクロコンピユータの内部がスタンバイ状態になつて
低消費電力状態に設定される。また、タイミングジェネ
レータ34から出力される高レベルの発振停止信号が発
振回路33のNANDゲL卜回路41に入力すると、こ
のとき外部端子32。のレベルはすでに高レベルになつ
ているため、NANDゲート回路41の出力は低レベル
になり、NANDゲート回路42は禁止状態になる。す
なわち、発振回路JKの発振動作も停止する。このよう
に保持モードのときに発振回路J3の発振動作を停止す
るようにしたので、この保持モードのときには消費電力
は極めて少なく、低消費電力化が実現できる,また保持
モードのとき、まずタイミングジェネレータ34におけ
るl命令サイクル分のタイミング信号の発生動作が終了
するのを待つて発振回路J3の発振動作を停止するよう
にじたので、内部動作がl命令サイクルの途中で停止す
ることはない。
次に電源電圧Vが再び規定にまで回復した場合)再びト
ランジスタQがオンして入出力ポート31の外部端子3
2nの信号は低レベルに反転する。
上記外部端子32nの信号が反転して低レベルになると
、発振回路J3のNANDゲート回路41の出力は高レ
ベルになり、発振回路J3は再び発振動作を開始してク
ロツクパルスを出力する。ところがこのときはまだ、ス
テータスレジスタ30内のHフラグは下げられていない
ので、タイミングジェネレータ34はタイミング信号を
発生しない。したがつてこのときはマイクロコンピユー
タの内部はまだスタンバイ状態になつている。一方、カ
ウンタ35は発振回路J3の発振動作開始直後からクロ
ツクパルスをカウントしていて、そのカウント数が所定
数に達するとその出力が立上る。そして上記カウンタ3
5の出力が立上ると、いままで立つていたステークズレ
ジスタ30のHフラグが下げられ、いままでの保持モー
ドが解除されて再び動作モードになる。したがつてこの
後、タイミングジェネレータ34は発振回路33から出
力されるクロツクパルスをもとにしてタイミング信号を
発生し、このときマイクロコンピユータは命令デコーダ
24から出力される制御信号に基づい2て動作すること
になる。ところで発振回路JKが発振動作を開始した直
後では発振レベルが十分に大きなものとはならず、また
発振周波数も不安定である。
しかしながら発振が安定するまではタイミングジェネレ
ータ342,はタイミング信号を発生せず、発振開始後
から発振が十分に安定するまでの期間に相当する期間を
、カウンタ35において所定数のクロツクパルスをカウ
ントすることによつて計測し、この期間が経過した際に
保持モードを解除して動作モードにす3(るので、不安
定なりロツクパルスのためにタイミングジェネレータ3
4が誤動作することはない。したがつて保持モード解除
後は、保持モード以前の状態からの処理再開が容易に行
なえる。なおこの発明は上記の一実施例に限定されるも
のではなく、たとえば上記実施例はこの発明を1チツプ
マイクロコンピユータに実施した場合について説明した
が、これはマイクロコンピユータに限らず発振回路を備
えた半導体集積回路であればどのようなものにも実施可
能であることはいうまでもない。
また上記実施例ではプログラム処理によつて保持モード
に入る場合について説明したが、これはハードウエアで
保持モードに入る場合にも適用できる。さらに上記実施
例では発振回路J3では二つのNANDゲゝト回路41
,42を用いる場合について説明したが、このうち一方
のNANDゲート回路42についていえば要するに反転
機能を持つ反転型ゲート回路であればよくNORゲート
回路も使用可能である。以上説明したようにこの発明に
よれば、保持モードの際に発振回路の発振動作を停止す
るようにしたので、低消費電力化が図れる半導体集積回
路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の集積回路の構成図、第2図はこの発明の
一実施例のプロツク構成図、第3図はその一部の具体図
、第4図に上記実施例の動作を説明するためのタイミン
グチヤートである。 21・・・・・・プログラムカウンタ、22・・・・・
・ROMl23・・・・・・命令レジスタ、24・・・
・・・命令デコーダ、25・・・・・・RAM、26・
・・・・・バスライン、27・・・・・・RAMアドレ
スレジスタ、28・・・・・・アキユムレータ、29・
・・・・・算術論理演算器、30・・・・・・ステータ
スレジスタ、31・・・・・・入出力ポート、321〜
32n・・・・・・外部端子、J3・・・・・・発振回
路、34・・・・・・タイミングジェネレータ、35・
・・・・・カウンタ、41,42・・・・・・NAND
ゲート回路、11発振帰還回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 二つの入力端をもつ入力反転型の第1のゲート回路
    およびこの第1のゲート回路の一方の入力端と出力端と
    の間に挿入される発振帰還回路からなり、発振時にクロ
    ックパルスを発生する発振回路と、上記クロックパルス
    に基づいて各種タイミング信号を発生するタイミングジ
    ェネレータと、保持モードの際に上記タイミングジェネ
    レータのタイミング信号発生動作を停止させる手段と、
    上記保持モードに対応した制御信号と他の制御信号の論
    理状態に応じた信号を上記第1のゲート回路の他方の入
    力端に入力し保持モード時に上記発振回路の発振動作を
    停止させる第2のゲート回路とを具備したことを特徴と
    する半導体集積回路。
JP55100371A 1980-07-22 1980-07-22 半導体集積回路 Expired JPS5943766B2 (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55100371A JPS5943766B2 (ja) 1980-07-22 1980-07-22 半導体集積回路
GB8121283A GB2080585B (en) 1980-07-22 1981-07-10 Semiconductor integrated circuit with reduced power consumption
US06/283,015 US4479191A (en) 1980-07-22 1981-07-13 Integrated circuit with interruptable oscillator circuit
DE19813128675 DE3128675A1 (de) 1980-07-22 1981-07-20 Integrierte halbleiterschaltung mit oszillatorkreis

Applications Claiming Priority (1)

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JP55100371A JPS5943766B2 (ja) 1980-07-22 1980-07-22 半導体集積回路

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JPS5725022A JPS5725022A (en) 1982-02-09
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ID=14272181

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0474393A (ja) * 1990-07-17 1992-03-09 Nec Corp 半導体集積回路
JPH07118677B2 (ja) * 1993-04-16 1995-12-18 日本電気株式会社 無線選択呼出受信機
JPH07202506A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Nec Corp 送受信分波器
JP4876961B2 (ja) * 2007-02-20 2012-02-15 トヨタ紡織株式会社 サンバイザ

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JPS5725022A (en) 1982-02-09

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