JPS5943727B2 - ハロゲン化銀沈殿方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は・〜ロゲン化銀沈殿方法に関する。

技術状態の説明 輻射線感応性ハロゲン化銀粒子は種々
の慣用技術によつで調製することができる。

１つの一般的な手法は、シングル・ジェット（またはシ
ングル・ラン）沈殿技術と広く呼ばれているバッチ調製
技術である。

この技術によれば銀塩溶液がハライド塩溶液を含有する
反応器中に導入される。反応器中に最初に導入された銀
塩は・・ラード塩と反応して一・ロゲン化銀粒子核を形
成する。その後追加の銀塩が導入されるにつれて追加の
・・ロゲン化銀が反応生成物として得られる。この・〜
ロゲン化銀の一部は追加の核を形成するが、その他の一
・ロゲン化銀は既存の・・ロゲン化銀粒子核上に析出す
る。シングル・ジェット沈殿技術は、Ｔ、Ｈ、ジエーム
ズ、「写真プロセスの理論（ザ・セオリー ・オブ・ザ
・フォトグラフィック・プロセス）」第４版、マクミラ
ン、１９７７、第３章に記載され、また、トリベリおよ
びスミス、「ザ・フォトグラフィック・ジャーナル」第
ＬＸＸＩＸ１９３９年５月、３００−３３８ページに具
体的に説明されている。 −・ロゲン化銀を調製する別
の手法は一般にダブル・ジェット（またはダブル・ラン
）沈殿技術と呼ばれるバッチ手法である。

この手法に従えば銀塩溶液と・・ラード塩溶液の両者が
同時に分散媒体を含有する反応器中へ導入される。・・
ロゲン化銀粒子の沈殿は好ましくは２段に分かれて起こ
る。最初の核生成段階に於いてはまず最初の・・ロゲン
化銀粒子形成が行われる。その後第２の生長段階におい
て、追加の、・・ロゲン化銀が反応生成物として最初に
形成されたーヘロゲン化銀粒子上に沈殿し、・・ロゲン
化銀粒子の生長をもたらす。バッチ式ダブル・ジェット
沈殿方法は通常反応成分を急速に撹拌しながら行われ、
この一・ロゲン化銀沈殿生成過程に於いて反応器内の容
量は連続的に増大する。特定の先行技術の説明 連続ダ
ブル・ジェット沈殿方法は公知であつて、英国特許第１
３０２４０５号、クラエスの米国特許第３８０１３２６
号及びターウィリガー等の米国特許第４０４６５７６号
に記載されている。

この方法に於いては、一部ゲン化銀分散体が連続的に記
載の方法。１３反応器として核生成器と生長反応器とか
らなる反応器を用い、銀塩と・・ラード塩をともに核生
成器中へ流入せしめるとともに、核生成器中の内容物を
生長反応器中へ移し、該生長反応器中でハロゲン化銀粒
子の生長を行わせて・・ロゲン化銀分散体を形成する請
求の範囲第１項〜第１１項のいずれかに記載の方法。

１４生長反応器中に形成された一ロゲン化銀分散体を核
生成器ぺ再循環せしめる請求の範囲第１３項記載の方法
。

１５生長反応器中に形成された・・ロゲン化銀分散体は
核生成器へ再循環せしめない請求の範囲第１３項記載の
方法。

１６ｐＡｇ．ｐＨ、温度、熟成および／または滞留時間
を核生成器および生長反応器中で独立して制御する請求
の範囲第１５項記載の方法。

１７反応器から分散体の一部を取出し、この分散体の取
出部分を循環して半透膜に通し、さらに残留せる取出部
分を反応器へ戻す請求の範囲第１項〜第１６項のいずれ
かに記載の方法。

１８反応器から取出した・〜ロゲン化銀は合計運転時間
の１０％未満の間反応器外に滞在せしめる請求の範囲第
１７項記載の方法。

１９反応器から取出す一ロゲン化銀は反応器中に存在す
る一和ゲン化銀合計量の５０％未満である請求の範囲第
１７項記載の方法。

２０反応器から取出すハロゲン化銀は反応器中に存在す
る一・ロゲン化銀合計量の２５％未満である請求の範囲
第１９項記載の方法。

２１分離される分散媒体の合計量は反応器中へ供給され
る物質合計量の１０〜９０％である請求の範囲第１７項
記載の方法。

２２分離される分散媒体の合計量は反応器中へ供給され
る物質合計量の５０〜９０％である請求の範囲第２１項
記載の方法。

ｎ銀塩と一・ラード塩の溶液の供給が完了した後追加の
分散媒体を反応器中へ流入せしめる請求の範囲第１項〜
第２２項記載の方法。

２４半透膜がポリスルホンセルロースアセテートまたは
ポリ醋酸ビニル膜である請求の範囲第１７項記載の方法
。

６半透膜が分子量カツトオフ値５００〜 ５００００を有する請求の範囲第１７項記載の方法。

発明の分野 本発明は・〜ロゲン化銀沈殿方法に関する。

技術状態の説明輻射線感応性ハロゲン化銀粒子は種々の
慣用技術によつて調製することができる。

１つの一般的な手法は、シングル・ジニット（またはシ
ングル・ラン）沈殿技術と広く呼ばれているバツチ調製
技術である。

この技術によれば銀塩溶液が一・ラード塩溶液を含有す
る反応器中に導入される。反応器中に最初に導入された
銀塩は・・ラード塩と反応して一・ロゲン化銀粒子核を
形成する。その後追加の銀塩が導人されるにつれて追加
の・・ロゲン化銀が反応生成物として得られる。この・
〜ロゲン化銀の一部は追加の核を形成するが、その他の
一・ロゲン化銀は既存の・・ロゲン化銀粒子核上に析出
する。シングル・ジニット沈殿技術は、Ｔ．Ｈ．ジエー
ムズ、「写真プロセスの理論（ザ・セオリ一・オブ・ザ
・フオトグラフイツク・プロセス）」第４版、マクミラ
ン、１９７７、第３章に記載され、また、トリベリおよ
びスミス、 「ザ・フオトグラフイツク・ジヤーナル」
第ＬＸＸＩＸｌ９３９年５月、３００−３３８ページに
具体的に説明されている。一・ロゲン化銀を調製する別
の手法は一般にダブル・ジニット（またはダブル・ラン
）沈殿技術と呼ばれるバツチ手法である。

この手法に従えば銀塩溶液と・・ラード塩溶液の両者が
同時に分散媒体を含有する反応器中へ導入される。・・
ロゲン化銀粒子の沈殿は好ましくは２段に分かれて起こ
る。最初の核生成段階に於いてはまず最初の・・ロゲン
化銀粒子形成が行われる。その後第２の生長段階におい
て、追加の，・・ロゲン化銀が反応生成物として最初に
形成された一ロゲン化銀粒子上に沈殿し、・・ロゲン化
銀粒子の生長をもたらす。バツチ式ダブル・ジニット沈
殿方法は通常反応成分を急速に撹拌しながら行われ、こ
の一・ロゲン化銀沈殿生成過程に於いて反応器内の容量
は連続的に増大する。特定の先行技術の説明連続ダブル
・ジニット沈殿方法は公知であつて、英国特許第１３０
２４０５号、クラエスの米国特許第３８０１３２６号及
びターウイリガ一等の米国特許第４０４６５７６号に記
載されている。

この方法に於いては、一・ロゲン化銀分散体が連続的に
除去されるため、反応器中の容量は定常状態の運転条件
下にハロゲン化銀沈殿生成が行われる間一定に保持され
る。ポツセ等の米国特許第３７９０３８６号には別の形
態の連続ダブル・ジニット沈殿技術が記載されている。

この技術においては、ハロゲン化銀分散体はブ定容量の
反応器から連続的に取り出されて、反応器の容量の少な
くとも十倍の容量を有する別の熟成器へ供給される。ポ
ツセ等は生成された・・ロゲン化銀分散体から可溶性塩
または分散媒体を除去することについては何も手段を講
じていない。それ故、反応器と熟成器中の分散体の合計
容量は添加する塩溶液に直接関連して増大する。同様な
連続ダブル・ジニット沈殿技術はフオースタ一等の米国
特許第３８９７９３５号、フイニカム等の米国特許第４
１４７５５１号及びペルビル等の米国特許第４１７１２
２４号に記載されている。・・ロゲン化銀乳剤の限外Ｆ
過による精製及び／または濃縮は当業界に於いて知られ
ている。

このような技術は、リサーチ・ディスクローシャー第１
０２巻、１９７２年１０月、アイテム１０２０８及び第
１３１巻、１９７５年３月、アイテム１３１２２に言凸
或されている。

このリサーチ．ディスクローシャーは英国ＰＯ９ｌＥＦ
−・−パット・バンプシャー、ホームウエル、インダス
トリアル・オポチユニテイズ・リミテイドから刊行され
ている。この事実に依れば、乳剤にメーキャツプ水を連
続的に加える一方、一・ロゲン化銀を沈殿せしめる際に
副生する硝酸アルカリのような可溶性塩類は限外沢過に
より除去することができると考えられる。可溶性塩含有
量が所望レベルまで低下した後、メーキャツプ水の添加
を止め、限外沢過によつて乳剤の液体容量を低減するこ
とが教示されている。乳剤の液体容量はまた、添加物を
加えた後であつてコーテイングの前に限外▲過を行うこ
とにより低減することができる。発明の要約 本発明は、銀塩と一・ラード塩を溶液状態において反応
させて分散媒体の存在下に・叩ゲン化銀粒子核および可
溶性塩を生成せしめ、この生成した一・ロゲン化銀粒子
核と分散媒体が存在する反応器中で・・ロゲン化銀粒子
を生長せしめることからなる輻射線感応性・・ロゲン化
銀分散体を形成する方法において、（１）・・ロゲン化
銀粒子の生長過程において上記分散媒体中に存在する・
・ロゲン化銀を増大せしめ、これと同時に（２）分散媒
体の一部を分離し、且つ（３）一・ロゲン化銀粒子を残
存分散体中に残留せしめることを特徴とする・・ロゲン
化銀分散体を形成する方法に関する。

発明の一般的利点 本発明は輻射線感応性・・ロゲン化銀分散体を調製する
改良方法に係わる。

従来の沈殿方法と比較して、本発明方法を用いると、（
１）・〜ロゲン化銀沈殿の生長段階に於いて・・ロゲン
化銀粒子が連続的に形成される（即ち再核生成）傾向を
回避し、（２）一・ロゲン化銀粒子の好ましからざる結
晶欠陥を低減し、（３）・・ロゲン化銀粒子の還元カブ
リを低減し、また（４）感度のバラツキの少ないハロゲ
ン化銀粒子を製造することができる。従来のバツチ沈殿
方法と比較して、反応器中に於ける物質容量の変動が小
さい。そのため反応器容量と物質容量との均衡が良好と
なる。例えば、所定の反応器に対して、運転時間と反応
器容量両者の１因子としてより均一な攪拌を達成するこ
とができる。攪拌速度を向上せしめることも可能となる
。運転開始時における反応器中での空気捕捉による発泡
を回避することができる。最終生成物として生成する・
・ロゲン化銀分散体を希釈することなくより希薄な溶液
を得ることができる。反応器中の容量の変動を低減した
状態で、特に容量を一定に保持した状態で本発明に従つ
て・・ロゲン化銀分散体を調製することが望ましい。本
発明方法に依れば、従来方法と比ノ 較して反応器能力
を８倍まで向上せしめたことに相当する・・ロゲン化銀
粒子を製造することができる。従つて、現存する反応器
能力を利用すれば生産量を増大せしめることができ、ま
た生産量を現存のまま据え置けば反応器の大きさおよび
／もし５ くは数を低減することができる。発明の利点
・・・・・・コロイドを含まない分散体本発明方法につ
いての上述の説明は解膠剤の存在下または非存在下に調
製せる一・ロゲン化銀分散体に等しくあてはまる。

この発明は、解膠剤の非９存在下に・・ロゲン化銀粒子
を沈殿せしめる場合さらに別の明瞭な利点をもたらす。
親水性コロイドのような解膠剤は・・ロゲン化銀分散体
を調製する際にハロゲン化銀粒子の凝集またはフロキユ
レーシヨンを防ぐために一般に用いられている。この凝
集を防止する目的に対しては有効であるが、親水性コロ
イドの存在は、結晶癖、粒子分布並びに結晶欠陥の特性
及び分布に影響する等の制限を・・ロゲン化銀粒子に課
すことが知られている（ザ・セオリ一・オブ・ザ・フオ
トグラフイツク・プロセス、マクミラン第２版、８５頁
及び第４版、２９−３１頁参照）。親水性コロイドの存
在はまた一・ロゲン化銀粒子中へのドープ剤の混入を妨
げ得る。親水性コロイドの非存在下に一ロゲン化銀粒子
を調製する技術は知られている。例えば、フランス国特
許第１１７３５１７号には、親水性コロイドの非存在下
に・・ロゲン化銀分散体を調製する方法が記載されてい
るが、・・ロゲン化銀粒子のフロキユレーシヨンを防ぐ
ために、（ａ）非常に希薄な塩水溶液を用い、（ｂ）塩
溶液の濃度がより高い場合は界面活性剤を用い、または
（ｃ）より濃度の高い塩溶液を用いてアンモニア含有量
の大きいハロゲン化銀分散体を調製することが必要であ
る。本発明は、これまで親水性コロイドの非存在下にハ
ロゲン化銀沈殿生成に際し遭遇した制限を低減せしめた
方法を提供するものである。例えば、親水性コロイド解
膠剤の非存在下に且つ界面活性剤及び／またはアンモニ
ア溶液に依存することなくより大きな・・ロゲン化銀粒
子を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

図面は、本発明によるバツチ式ダブル・ジニット沈殿装
置の流れ図である。 好ましい態様の説明 本発明の、改良されたバツチ式ダブル・ジニット沈殿方
法を図面を参照して説明することができる。 この図面において、反応器１は最初に分散媒体３を含有
している。分散媒体を攪拌するための機構５は、回転可
能な軸に翼が付設されたものとして図示されているけれ
ども、この機構を任意の常用の形状とすることが可能で
ある。撹拌機構を運転しながら、第１のジエツト７を通
して銀塩溶液を反応器に、そして、これと同時に、第２
のジニット９を通して一・ラード塩溶液を反応器に注加
する。図面には、任意の、第３のジニット１１が図示さ
れているけれども、これについての使用は以下に記載す
る。攪拌機構によつて、塩溶液と分散媒体とをほぼ同時
的に混合することができる。 ・・ラード塩は可溶性のハライド塩を含有しており、こ
の塩と銀塩溶液中に含まれる可溶性の銀塩とが反応して
反応生成物としての・・ロゲン化銀が作られる。核生成
段階と呼ばれる初期の・・ロゲン化銀形成段階の間、一
・ロゲン化銀粒子の実質的に均一な分散体が形成される
。銀及び・・ラードの溶液をさらに続けて添加すると、
第２の、沈殿生長段階への移行が発生する。この段階で
は、反応生成物として形成された追加の・・ロゲン化銀
が初期に形成された・・ロゲン化銀粒子上に沈殿し、よ
つて、これらの粒子の粒径の増加がひきおこされる。単
分散分散体を調製する場合、生長段階における追加の・
・ロゲン化銀粒子の形成は最低である。但し、多分散分
散体を調製する場合には、予め形成された・・ロゲン化
銀の生長が進行している間に追加の一・ロゲン化銀粒子
の形成が継続し、したがつて、広範囲の一・ロゲン化銀
粒子サイズが出来上る。反応器内に含まれる物質の容量
は、一・ロゲン化銀分散体の＝部を流路１３（限外ｐ過
装置１５に至る）により図示されるようにして取り出す
ことによつて調節することができる。 限外沢過装置は、流路１７により図示されるようにして
分散媒体の一部を分離することを通じて、受け取つた一
・ロゲン化銀分散体の容量を低下し、その間、保留物（
Ｒｅｔｅｎｔａｔｅ）と呼ばれる残留ハロゲン化銀分散
体の内部において一・ロゲン化銀粒子が保持される。こ
のようにして容量の低下したハロゲン化銀分散体、すな
わち、保留物、を流路１９により図示されるようにして
反応器に戻す。流路１３及び１９、限外沢過装置１５、
そしてここでは特に説明しないけれども取り付けが当業
者に自明な任意のその他の構成要素、例えば１個もしく
はそれ以上のバルブ、ポンプ又はメーターは１つのルー
プを構成し、そしてこれらの要素のことを、以下、集合
的に限外▲過ループと呼ぶ。限外沢過は、沈殿の生長段
階において特に有効であるというものの、必要に応じて
、核生成段階の間もしくは銀塩の導入を開始する前であ
・つても限外沢過ループを動かすことができる。・・ロ
ゲン化銀分散体が写真乳剤である場合には、例えば親水
性コロイドのような解膠剤（ペプタイザ一）を反応器中
に存在させる。 解膠剤は、反応器に塩溶液を添加する前にその容器内の
分散媒体中に存在させることができる。二者択一的に、
第３のジニット１１を通してかもしくはそれぞれ銀塩及
び・・ラード塩を供給する第１及び第２のジニットの１
つを通して解膠剤を添加することができ、さもなければ
、上述のような手段の任意の組み合わせを使用して解膠
剤を反応器に装入することができる。解膠剤は、沈殿の
核生成段階の間にそれを存在させる必要がないというも
のの、但し、使用する場合、限外沢過を行なう時間の少
なくとも一部の間にそれを存在させることが好ましい。
ノ和ゲン化銀写真乳剤を調製する場合には、一般的に、
核生成のうちの核生成段階及び生長段階の両段階間にお
いて解膠剤を存在させる。有利なことには、限外▲過は
、解膠剤の大部分を除去しないというものの、分散媒体
の液体成分を選択的に除去する。分散媒体の液体成分を
限外Ｐ過によつて除去する場合、その液体成分中に含ま
れる可溶性の塩類が同時に除去される。例えば、銀塩溶
液中に導入された硝酸銀がハライド塩溶液中に導入され
たアルカリ又はアンモニウムハライドと反応し、よつて
、実質的に不溶な反応生成物としての・〜ロゲン化銀、
そして可溶性反応生成物としてのアルカリ硝酸塩を生成
する。液体の分散媒体とその分散媒体中に溶解したアル
カリ又はアンモニウム硝酸塩との両者を限外▲過によつ
て除去する。可溶性の塩類を限外▲過によつて除去する
ことは、解膠剤の不存在において・・ロゲン化銀分散体
を調製する場合にとりわけ重要である。 一・ロゲン化銀粒子の凝集（フロキユレーシヨン）を開
始させ得る１つの因子として可溶性塩類のビルドアップ
があることは周知の通りである。可溶性の塩類を限外沢
過によつて除去した場合、・・ロゲン化銀の凝集が発生
する危険性を下げることができ、そして凝集回避のため
のその他の保護手段の不存在においてより大きな・・ロ
ゲン化銀粒子を形成させることができる。解膠剤の不存
在において・・ロゲン化銀分散体を調製する場合、反応
器内の可溶性塩類の濃度をさらに下げるのが有利であり
、この場合に、追加の分散媒体を反応器中に導入するこ
とによつて濃度の低下を達成することができる。 この場合には、追加の分散媒体と限外Ｐ過装置とが共働
的に働いて反応器内の可溶性塩類の濃度を低下させる。
反応器内の一・ロゲン化銀分散体の容量に対して上記追
加の分散媒体が関与するわけであるけれども、かかる関
与は、少なくとも部分的に、限外沢過装置によつて分散
媒体を除去することによつて相殺することができる。追
加の分散媒体は、任意の常用な手法に従つて反応器中に
装入することができる。 例えば、第３のジニット１１を通して追加の分散媒体を
装入することが推奨される。好ましい１態様において、
希薄なハライド塩溶液、好ましくは０．０１モルもしく
はそれ以下の・・ラード塩溶液を装人するために上記第
３のジニットを使用する。解膠剤の不存在において、反
応生成物として形成された可溶性塩の、反応器内の濃度
は、０，１モル／ｌ未満、好ましくは０．０５モル／Ｆ
．未満、そして最適には０．０１モル／ｌ未満である。 解膠剤の存在において、可溶性の塩類の濃度は任意の一
般的なレベルとすることができる。例えば、最高３モル
／ｌまでの可溶性塩の濃度を推奨することができる。・
・ロゲン化銀沈殿のうちの任意の段階において限外▲過
を実施することができる。 沈殿の・・ロゲン化銀粒子生長段階の少なくとも一部の
間において限外▲過を実施するのが好ましく、そして生
長段階全般を通じてそれを実施するのが最も好ましい。
限外沢過に関して、・・ロゲン化銀粒子形成の核生成が
終了した後までそれの実施を遅らせるべきであると最初
は考えられたけれども、さらに研究の結果、・・ロゲン
イヒ銀沈殿の核生成段階の間に限外沢過を開始すること
ができるかさもなければ一・ロゲン化銀の沈殿が始まる
前であつて限外▲過装置を通る流れが流れ始めるまでの
スタート時でさえも限外沢過を開始することができると
いうことが明らかになつた。このことは、次のような２
つの理由があるために可能である：（１）以下に述べる
ように、低分子量領域において透過カツトオフ値を呈示
する限外ろ過膜が入手可能である、及び（２）・・ロゲ
ン化銀粒子の核は殆んど瞬時的に約０．０３ミクロンの
大きさまで増大する。一般的に、銀及び一・ラードの塩
が添加される回転中の攪拌装置から作られる一ロゲン化
銀粒子の核は、そのサイズがすぐに最低０．０３ミクロ
ンに達している。したがつて、比較的に低いカツトオフ
値を有する限外Ｐ過膜（オングストロームで測定される
粒子を分離することが屡々可能）を用いて可溶性の塩類
及び分散媒体から・〜ロゲン化銀核を分離することが容
易に可能である。・・ロゲン化銀分散体、特に・・ロゲ
ン化銀写真乳剤から分散媒体及び／又は可溶性塩類を分
離することができるその他の技法が公知であるというも
のの、・・ロゲン化銀粒子沈殿の間における限外▲過が
多数のユニークな利点を奏し、そして代りの分離方法に
おける適当な限定を回避する。 限外▲過の奏する１つのはつきりした利点は、限外▲過
ループによつて取り上げられた一・ロゲン化銀分散体を
非常に短時間のうちに反応器に戻すことができるという
ことである。例えば、限外沢過ループの横断時間は、好
ましくは全運転時間の１０％未満、最も好ましくは１％
未満である。したがつて、反応器から取り出すことに原
因して一ロゲン化銀粒子の生長が著しく抑制されること
の危険性は僅かである。限外▲過の奏するいま１つのは
つきりした利点は、反応器外にある必要な・・ロゲン化
銀分散体はいつ何時でもほんの僅かな量であるというこ
とである。すべての場合について、限外▲過ループに含
まれる・・ロゲン化銀の量は反応器中のハロゲン化銀の
容量の５０％未満（好ましくは２５％未満）である。任
意の常用の分散媒体を最初に反応器中に存在させること
ができる。 一般的に、反応器中に存在する分散媒体の容量は、形成
されるべき・和ゲン化銀分散体のそれの約１０〜９０％
、好ましくは２０〜８０％である。分散媒体は、好まし
くは、水であるかもしくは水中に解膠剤を分散せしめた
水分散液であり、任意に、その他の成分、例えば１種類
もしくはそれ以上の・・ロゲン化銀熟成剤（以下に詳述
）を含有している。解膠剤を使用する場合には、調製又
は運転の完結時に存在する解膠剤の全量の最低１０％、
最も好ましくは２０％の濃度でそれを存在させるのが好
ましく、そして、もしもあるのならば、バランス量の解
膠剤を銀及び一・ラードの塩の添加中に添加する。銀塩
溶液及び・・ラード塩溶液の一方の少量、一般に約１０
％以下、もまた最初に反応器中に存在させて一・ロゲン
化銀沈殿の初期における分散媒体の銀イオン濃度を調節
する。銀イオン濃度は、常法に従つて測定されるもので
あり、そして、当業者らによつて、ＰＡｇ（銀イオン濃
度の逆数の対数）として表わされている。独立した銀塩
及びハライド塩溶液、そしてそれらの溶液を併行して反
応器に装入するための技術は、ダブル・ジニット・〜ロ
ゲン化銀沈殿方法において有用であることが知られてい
る任意の常用の形態をとることができる。 リサーチ・ディスクローシャー、第１７６巻、１９７８
年１２月、アイテム１７６４３、第１節、そしてこれに
引用されている文献、例えば二ーツ等の米国特許第２２
２２２６４号、イリングスワースの米国特許第３３２０
０６９号及び同第３６５５３９４号、クルツの米国特許
第３６７２９００号、エヴアンスの米国特許第３７６１
２７６号及びウールガスの西ドイツ国特許出願公開公報
第２１０７１１８号は、本発明を実施するのに有用な常
用のダブル・ジニット沈殿技術を記載している。特に好
ましいダブノいジニット沈殿技術は、生長段階における
核生成を誘導することなく銀塩及び−ラード塩溶液を加
速された添加速度で使用することによつて短縮された・
〜ロゲン化銀沈殿時間を達成可能とするものである。こ
のような技術は、先に引用したクルツ及びウールガスの
文献に開示されている。一般的に、銀塩溶液は、例えば
硝酸銀のような可溶性銀塩の水溶液であり、また、−ラ
ード塩溶液は、１種類もし，くはそれ以上の、水溶性の
アンモニウヘアルカリ金属（例えばナトリウム又はカリ
ウム）又はアルカリ土類金属（例えばマグネシウム又は
カルシウム）のハライド塩の水溶液である。 有用な・〜ラードは、塩化物、臭化物、そして沃化物で
ある。通常、沃化物は、・・ラードの全量を基準にした
場合、・〜ロゲン化銀の２０モル％以下、好ましくは６
モル％以下を占めている。多種類の・・ラード塩を使用
する場合、それらの塩を互いに独立して添加するかもし
くばシングルジェットで添加することができる。可溶性
の銀塩と可溶性の一・ラード塩とを水溶液中に０．１〜
２モル／ｌの濃度で存在させるのが好ましい。一ロゲン
化銀沈殿の間に増感化合物を存在させることができる。 このような化合物は、最初に反応器中に存在させること
ができ、さもなければ、従法に従うジニットの１種類も
しくはそれ以上と一緒に添加することができる。例えば
アーノルド等の米国特許第１１９５４３２号、ヘクステ
ツターの米国特許第１９５１９３３号、トリベリ等の米
国特許第２４４８０６０号、オーベルマンの米国特許第
２６２８１６７号、ミユーラ一等の米国特許第２９５０
９７２号、サイドボツタムの米国特許第３４８８７０９
号、ローゼクランツ等の米国特許第３７３７３１３号、
ベリ一等の米国特許第３７７２０３１号、そしてアツト
ベルの米国特許出願第２７３２５号（１９７９年４月５
日出願）に記載されているように、増感化合物、例えば
銅、タリウム、鉛、ビスマス、カドミウム、亜鉛、ミド
ルカルコゲン（すなわち、硫黄、セレン及びテルル）、
そして第族の貴金属の化合物をハロゲン化銀沈殿の間に
存在させることができる。例えばクルハーン等の米国特
許第３８２１００２号、オリバ一の米国特許第３０３１
３０４号、そしてグレーズ等の「フオトグラフイツシエ
・コレスポンデンツ」、第１０２巻、第１０号、１９６
７年、１６２頁に記載されているように、重力供給に基
づく表面又は表面下配送管を通してかもしくは配送速度
のコントロール及び反応器内容物のＰＨ値及び／又はＰ
Ａｇ値の保持のための配送装置によつて個々の反応成分
を反応器に添加することができる。これらの反応成分の
反応器内における迅速な分布を達成するため、例えばオ
ートランの米国特許第２９９６２８７号、マツククロツ
セン等の米国特許第３３４２６０５号、フレーム等の米
国特許第３４１５６５０号、ポーター等の米国特許第３
７８５７７７号、サイトウ等の西ドイツ国特許出願公開
公報第２５５５３６４号及び同第２５５６８８５号、そ
してリサーチ・ディスクローシャー、第１６６巻、１９
７８年２月、アイテム１６６６２に記載されているよう
に、特別な構成をもつた混合装置を使用することができ
る。反応器１は、開放されているように図示されている
けれども、図示の流路７，９，１１，１３及び１９を通
しての装入及び排出を行なうことが必要な場合を除いて
その反応器を閉塞することができるということが特に考
えられる。したがつて、・・ロゲン化銀分散体の調製全
般を通じて反応器を液体で満杯にしておくことができる
。このため、分散体の調製中にその分散体に空気（又は
任意のその他の周囲雰囲気）が混入するのを回避すると
いう明確な利点が得られる。このため、さらに、攪拌機
構３による分散体の攪拌を必要に応じてより高速度で行
なうことが可能になる。なぜなら、密閉され、そして満
杯の反応器の場合、渦巻が発生しかつ空気が・・ロゲン
化銀分散体に吸い込まれる（発泡を生ずる）危険性が未
然に防止されるからである。反応生成物として形成され
る・〜ロゲン化銀粒子は、１００１１１１又は１１０結
晶面によつて囲まれた、粗粒子、中庸粒子又は微粒子の
一・ロゲン化銀粒子を包含することができ、そしていろ
いろな特別な技術によつて、例えばジ一・エフ・トウフ
ィン、「写真乳剤の化学（フオトグラフイツク・エマル
ジヨン・ケミストリ一）」、フオーカルプレス、ロンド
ン、１９６６年、５７〜８２頁、そしてヴイ、エル、ゼ
リクマン及びエス、エヌ、レヴイ、「写真乳剤の調製及
び塗布（メーキング・アンド・コーテイング・フオトグ
ラフイツク・エマルジヨンズ）」、フオーカルプレス、
ロンドン、１９６４年、６９〜１６０頁及び２１９〜２
２８頁に記載されているように、調製することができる
。 反応生成物として形成される一・ロゲン化銀粒子は、好
ましくは、比較的に狭い粒径頻度分布を呈示する。すな
わち、この形成されるハロゲン化銀粒子は、好ましくは
、単分散されている。一般的に、このような分散体にお
いて、平均粒径よりも小さい重量で５％未満の・・ロゲ
ン化銀粒子と平均粒径よりも大きい数で約５％未満の一
・ロゲン化銀粒子とはその平均粒径から約４０％以上ま
での範囲で直径が変化する。単分散度の定義は、屡々、
より簡単に、重量又は数で最低９５％の″゛ロゲン化銀
粒子の直径をその平均粒径から４０％以下まで変化させ
るのに必要なものとして述べられている。好ましくかつ
最適な単分散の定義は、先の定義にみられる４０％とい
う基準点をそれぞれ２５％及び１０％に置き換えたもの
である。ここに参照する直径は有効直径であり、すなわ
ち、顕微鏡又は顕微鏡写真を通して観察した場合に・・
ロゲン化銀粒子の投影面積に面積が相当する円の直径を
意味している。・・ロゲン化銀粒子の粒径の測定は、さ
らに詳しく、ミーズ及びジエームズ、「写真プロセスの
理論（ザ・セオリ・オブ・ザ・フオトグラフイツク・プ
ロセス）」、第３版、マクミラン、１９６６年、３６〜
４３頁に記載されている。多分散・・ロゲン化銀粒子、
すなわち、比較的に広い粒径頻度分布を有するものは、
生長段階の間におこる追加の核生成によつて、そして粒
子から粒子までの生長速度の変化（個々の一・ロゲン化
銀粒子における結晶の不規則に原因して生じ得る）によ
つて調製することができる。多分散の輻射線感応性・〜
ロゲン化銀粒子は、広い露光ラチチユードと低いコント
ラストとを必要とする写真用途に関して一般的に有望で
あり、また、単分散の輻射線感応性粒子は、高コントラ
スト、オストワルド熟成によるコアーシエル粒子の形成
、ブレンデイング、そして均一なカブリ生成又は増感を
必要とするものを含めたいろいろな写真用途に関して有
望である。 単分散の輻射線感応性一・ロゲン化銀粒子は、グラフィ
ツクアーツ及び直接ポジ型写真においてとりわけ有利で
ある。単分散の″゛ロゲン化銀粒子は、多分散の・・ロ
ゲン化銀粒子に比較してより均一であるので、多くの写
真用途に関して多分散一・ロゲン化銀粒子よりもより最
適にかつより効果的に処理することができる。例えば、
イリングスワースの米国特許第３５０１３０５号を参照
されたい。 この技術分野における一般的なやり方として、不ぞろい
の単分散ハロゲン化銀分散体をブレンドしてコントラス
ト、ラチチユード及びその他の写真学的性質を調製する
方法がある。・・ロゲン化銀乳剤を調製する場合に、反
応器中に含まれる乳剤成分の全量を基準にして０．２〜
約１０重量％の解膠剤濃度を使用することができる。 ・・ロゲン化銀乳剤の形成の前及びその間において、反
応器中に含まれる解膠剤の濃度を約６重量％以下（全量
基準）に保つのが有利である。一ロゲン化銀の形成の前
及びその間において反応器中の解膠剤の濃度を約２〜６
％（全量基準）の範囲内で保ち、そして遅れて補助的に
ビヒクルを添加することによつて乳剤ビヒクル濃度を最
適塗膜特性に向けて上向きに調節することが一般的なや
り方である。初期において形成される乳剤は、一・ロゲ
ン化銀１モル当り約５〜５０７の解膠剤、好ましくは・
・ロゲン化銀１モル当り約１０〜３０ｆの解膠剤を含有
するであろうと考えられる。・・ロゲン化銀１モル当り
３００ｙの高さまで濃度を増加させるために追加のビヒ
クルを遅れて添加することができる。好ましくは、調製
済みの乳剤中に含まれるビヒクルの濃度は、一・ロゲン
化銀１モル当り、５０７以下である。ビヒクルは、写真
要素の形成のためにそれを塗布し、そして乾燥する場合
、好ましくは乳剤層の約３０〜７０重量％を形成する。
ビヒクル（バインダ及び解膠剤の両者を包含する）は、
・・ロゲン化銀乳剤中において普通に用いられているビ
ヒクルのなかから選択することができる。好ましい解膠
剤は、親水性コロイドであり、このコロイドを単独で使
用するかもしくは疎水性物質と組み合わせて使用するこ
とができる。適当な親水性物質は、天然産出物質、例え
ば蛋白質、蛋白質誘導体、セルロース誘導体、例えばセ
ルロースエステル、ゼラチン、例えばアルカリ処理ゼラ
チン（牛の骨又は牛皮のゼラチン）又は酸処理ゼラチン
（豚皮のゼラチン）、ゼラチン誘導体、例えばアセチル
化ゼラチン、フタル化ゼラチン等、多糖類、例えばデキ
ストラン、アラビアゴム、ゼイン、カゼイン、ペクチン
、コラーゲン誘導体、コロジオン、寒天、くず粉などを
包含しており、これらの物質は、ユツツイ等の米国特許
第２６１４９２８号及び同第２６１４９２９号、ローワ
等の米国特許第２６９１５８２号、同第２６１４９３０
号、同第２６１４９３１号、同第２３２７８０８号及び
同第２４４８５３４号、ゲーツ等の米国特許第２７８７
５４５号及び同第２９５６８８０号、ヒンメルマン等の
米国特許第３０６１４３６号、フアーレル等の米国特許
第２８１６０２７号、ライアンの米国特許第３１３２９
４５号、同第３１３８４６１号及び同第３１８６８４６
号、ダーシユ等の英国特許第１１６７１５９号ならびに
米国特許第２９６０４０５号及び同第３４３６２２０号
、ガーリ一の米国特許第３４８６８９６号、ガツアード
の英国特許第７９３５４９号、ゲーツ等の米国特許第２
９９２２１３号、同第３１５７５０６号、同第３１８４
３１２号及び同第３５３９３５３号、ミラー等の米国特
許第３２２７５７１号、ボイャー等の米国特許第３５３
２５０２号、メランの米国特許第３５５１１５１号、ロ
ーマ一等の米国特許第４０１８６０９号、ルチアーン凾
英国特許第１１８６７９０号及び同第１４８９０８０号
、ポリ等のペルキー特許第８５６６３１号、英国特許第
１４９０６４４号及び同第１４８３５５１号、アラセ等
の英国特許第１４５９９０６号、サロの米国特許第２１
１０４９１号及び同第２３１１０８６号、フオールセン
の米国特許第２３４３６５０号、ユツツイの米国特許第
２３２２０８５号、ローワの米国特許第 ２５６３７９１号、タルボツト等の米国特許第２７２５
２９３号、ビルホーンの米国特許第２７４８０２２号、
デポウ等の米国特許第２９５６８８３号、リツチイの英
国特許第２０９５号、デストブナ一の米国特許第１７５
２０６９号、シエパード等の米国特許第２１２７５７３
号、リールグの米国特許第２２５６７２０号、ガスパ一
．の米国特許第２３６１９３６号、フオーマ一の英国
特許第１５７２７号、スチーブンスの英国特許第１０６
２１１６号、そしてヤマモト等の米国特許第３２９２３
５１７号に記載されている。 ビヒクル（ビヒクル増量剤、例えばラテツクス １の形
をした物質を包含する）としての親水性コロイド解膠剤
と組み合わせで一般的に用いられるその他の物質は、合
成高分子解膠剤、キヤリヤ一及び／又はバインダ、例え
ばポリ（ビニルラクタム）、アクリルアミド重合体、ポ
リビニルアルコール及 １びその誘導体、ポリビニルア
セタール、アルキル及びスルホアルキルアクリレート及
びメタクリレートの重合体、加水分解したポリビニルア
セタール、ポリアミド、ポリビニルピリジン、アクリル
酸重合体、無水マレイン酸共重合体、ポリアルキ ２レ
ンオキシド、メタクリルアミド共重合体、ポリビニルオ
キサゾリジノン、マレイン酸共重合体、ピニルアミン共
重合体、メタクリル酸共重合体、アクリロイルオキシア
ルキルスルホン酸共重合体、スルホアルキルアクリルア
ミド共重合体、ポリア 〉ルキレンイミン共重合体、ポ
リアミン、Ｎ−Ｎ−ジアルキノげミノアルキルアクリレ
ート、ビニルイミダゾール共重合体、ビニルスルフイド
共重合体、ハロゲン化スチレン重合体、アミンアクリル
アミド重合体、ポリベプチド、その他を包含しており、
ここれらの物質は、ホーリスタ一等の米国特許第３６７
９４２５号、同第３７０６５６４号及び同第３８１３２
５１号、ローワの米国特許第２２５３０７８号、同第２
２７６３２２号、同第２２７６３２３号、同第２２８１
７０３号、同第・２３１１０５８号及び同第２４１４２
０７号、ローワ等の米国特許第２４８４４５６号、同第
２５４１４７４号及び同第２６３２７０４号、ペリ一等
の米国特許第３４２５８３６号、スミス等の米国特許第
３４１５６５３号及び同第３６１５６２４号、スミスの
米国特許第 ３４８８７０８号、ホワイトレイ等の米国特許第３３９
２０２５号及び同第３５１１８１８号、フイツツゲラル
ドの米国特許第３６８１０７９号、同第３７２１５６５
号、同第３８５２０７３号、同第３８６１９１８号及び
同第３９２５０８３号、フイッッゲラルド等の米国特許
第３８７９２０９号、ノツトルフの米国特許第３１４２
５６８号、ホツク等の米国特許第３０６２６７４号及び
同第３２２０８４４号、タン等の米国特許第２８８２１
６１号、シャツプの米国特許第２５７９０１６号、ホエ
ヴア一の米国特許第２８２９０５３号、アレス等の米国
特許第２６９８２４０号、プリエスト等の米国特許第３
００３８７９号、メリール等の米国特許第３４１９３９
７号、スト−ハムの米国特許第３２８４２０７号、ロー
マ一等の米国特許第３１６７４３０号、ウイリアムズの
米国特許第２９５７７６７号、ドーソン等の米国特許第
２８９３８６７号、スミス等の米国特許第２８６０９８
６号及び同第２９０４５３９号、ポンチゼロ等の米国特
許第３９２９４８２号及び同第３８６０４２８号、ポン
チゼロの米国特許第３９３９１３０号、ダイクストラの
米国特許第３４１１９１１号、ダイクストラ等のカナダ
特許第７７４０５４号、リーム等の米国特許第３２８７
２８９号、スミスの英国特許第 １４６６６００号、スチーブンスの英国特許第１０６２
１１６号、フオアダイスの米国特許第２２１１３２３号
、マルチネスの米国特許第２２８４８７７号、ワトキン
スの米国特許第２４２０４５５号、ジヨーンズの米国特
許第２５３３１６６号、ボルトンの米国特許第２４９５
９１８号、グラヴエスの米国特許第２２８９７７５号、
ヤツケルの米国特許第２５６５４１８号、アンル一等の
米国特許第２８６５８９３号及び同第２８７５０５９号
、リーズ等の米国特許第３５３６４９１号、プロードヘ
ツド等の英国特許第１３４８８１５号、テイラ一等の米
国特許第３４７９１８６号、メリール等の米国特許第３
５２０８５７号、ベーコン等の米国特許第３６９０８８
８号、ボーマンの米国特許第３７４８１４３号、デイツ
キンソン等の英国特許第８０８２２７号及び同第８０８
２２８号、ウツドの英国特許第８２２１９２号、そして
イグチ等の英国特許第１３９８０５５号に記載されてい
る。 これらの付加の物質は、一・ロゲン化銀沈殿の間に反応
器中に存在させる必要がないというものの、塗布に先が
けて乳剤に添加するのが常法である。特定の親水性コロ
イドを含めたビヒクル物質ならびにそれと組み合わせて
有用な疎水性物質は、本発明の写真要素の乳剤層中にお
いてのみならず、その他の層中、例えばオーバーコート
層中、中間層中、そして乳剤層の下方に位置する層中に
おいてもまた同様に使用することができる。本発明方法
の実施に必須ではないけれども、・・ロゲン化銀生成過
程において反応器中で一・ロゲン化銀粒子の熟成を行う
ことが望ましい。 既知のハロゲン化銀溶剤は熟成を促進するのに有用であ
る。例えば、アンモニア及び化学量論的に過剰量の一・
ラードイオンは共に反応器中に存在するならば・・ロゲ
ン化銀熟成を促進することが知られている。それ故、反
応器中にハライド塩溶液を注入するとそれ自体によつて
熟成が促進されることは明白である。その他の熟成剤を
用いることもできるし、またこれらの熟成剤は銀及び一
・ラード塩を添加する※前に反応器中の分散媒体中に予
め混入せしめたり、またはハライド塩、銀塩または解膠
剤の１種または２種以上と共に反応器中に混入すること
もできる。また、別の態様として熟成剤をハライド及び
銀塩添加の過程に於いて独立して混入することができる
。とりわけ好ましい熟成剤は硫黄を含有するものである
。 マッグブライト米国特許第３２７１１５７号、ジヨーン
ズ米国特許第３５７４６２８号及びローゼクランツ等米
国特許第３４７３７３１３号に記載されているような常
用されるチオエーテル熟成剤を用いることができる。・
・ロゲン化銀モル当たり銀の重量に基づいて０．０５乃
至５０ｔ、好ましくは約０．１乃至２０Ｖの濃度範囲を
得るに十分なチオエーエル熟成剤が用いられる。好まし
い有機チオエーテル・・ロゲン化銀溶剤のあるものは次
の式で表わすことができる。 上式において、ｒ及びｍはｏ乃至４の整数であ．り；ｎ
は１乃至４の整数であり；ｐおよびｑはｏ乃至３の整数
であり；Ｘは酸素原子（−Ｏ−）、硫黄原子（−Ｓ−）
、カルバミルラジカル（ ｛ＮＨ− ）、カルボニルラ
ジカル（ − Ｃ − ）またはカルボキシラジカル（
−ＣＯＨ）；Ｒ及びＲ’はエチレンオキシドラジカル（
−０−ＣＨ２ＣＨ２−）；Ｑ及びｚはヒドロキシラジカ
ル（−０Ｈ）、カルボキシラジカルまたはアルコキシラ
ジカル（−０−アルキル）（アルキル基中の炭素原子数
は１乃至５である）：Ｑ及びＺはまた上記Ｘについて説
明した置換基となつて環状化合物を形成してもよい。 本発明の乳剤を形成するのに適当な好ましい有機チオエ
ーテルハロゲン化銀熟成剤には次式で表わされる化合物
が含まれる。 および 七式において、ｒは１乃至３の整数であり；ｓは１乃至
２の整数であり；Ｒ２は１乃至５個の炭素原子を有する
アルキレンラジカルであり、好ましくはエチレン（−Ｃ
Ｈ２ＣＨ２−）であり；Ｒ３は１乃至５個の炭素原子を
有するアルキルラジカル、好ましくはエチルであり：Ｒ
４は１乃至５個の炭素原子を有するアルキレンラジカル
、好ましくはメチレン（−ＣＨ２−）である。 チオエーテル熟成剤に代えてアルカリ金属塩のようなチ
オシアネート塩を用いることができる。 もつとも代表的なチオシアネート塩はチオシアネートカ
リウム及びアンモニウム塩である。チオシアネート塩の
使用量は常用されるいかなる量であつてもよいが、好ま
しいチオシアネート塩の使用量は一ロゲン化銀モル当た
り銀重量に基づき約０．１乃至２０グラムである。チオ
シアネート熟成剤を用いる先行技術の教示は上述の二ー
ツ等米国特許第２２２２２６４号、ロウエ等米国特許第
２４４８５３４号及びイリングスワース米国特許３３２
００６９号に見られる。ここではこれらの特許の内容に
代えてこれらの特許を引用するにとどめる・分散媒体の
一部を分離するけれども・・ロゲン化銀粒子を分散体中
に残留せしめる既知の技術の中では、限外沢過が本発明
方法の実施に特に有利な手法である。種々の限外Ｆ過技
術が知られている。図示せる限外▲過装置１５は簡便な
常用されるいかなる構成であつてもよい。例えば、有用
な限外▲過装置及びそれらの利用はリサーチ・ディスク
ローシャー、１０２巻、１９７２年１０月、アイテム１
０２０８、ハゲマイヤ一等リサーチ・ディスクローシャ
ー、１３１巻、１９７５年３月、アイテム１３１２２、
ポネツト、リサーチ・ディスクローシャー、１３５巻、
１９７５年７月、アイテム１３５７７、ベルグ等西ドイ
ツ特許公開第２４３６４６１号及びボルトン米国特許第
２４９５９１８号に記載されている。 好ましくは、限外ｐ過は分散体を反応器中からポンプ送
液して限外▲過装置の半透膜と接触せしめ、膜の両側に
圧力差を生ぜしめることにより達成する。 使用する半透膜はある特定の大きさ以下の分子を投下す
るがより大きな分子及び・・ロケン化銀粒子は分散体中
に残留せしめるような大きさの気孔を有する。適当な膜
は分子量の透過カツトオフ値が約５００乃至３００００
０もしくはそれ以上の範囲、好ましくは約５００乃至５
００００の範囲である膜の中から選ぶことができる。一
般に特定の透過カツトオフ値を選択することは限外▲過
の開始時点における・・ロゲン化銀粒子の大きさ並びに
分散体及び／または可溶性塩類の分離操作の後に残存す
る分散体中に残留せしめるべき物質の最低分子量の関数
である。幸いにも、・・ラードと塩溶液（例えば硝酸ア
ルカリ）との可溶性反応生成物の分子量が低いので、一
ロゲン化粒子及び分散体中に存在し得る解膠剤を選択的
に残留せしめるための透過カツトオフ値の選択は容易で
ある。限外▲過装置へ送られる分散体の圧力は広範囲に
亘つて変えることができる。 通常、供給圧力は約１００ｐｓｉｇであり、残留物の排
出圧力は約１０ｐｓｉｇ以下である。膜の前後における
圧力差は通常約４０乃至６０ｐｓｉの範囲である。もち
ろん、限外沢過装置の構成、分散体の粘度、残留物の濃
度及び所望残留物の純度に依存して、当業者ならば上記
範囲外の圧力においても実施することができる。限外▲
過装置の運転は好ましくは常用される・・ロゲン化銀沈
殿生成温度範囲内の温度で行われる。限外▲過に用いる
膜は通常、比較的厚い多孔質構造体上に極端に微細な気
孔を有する非常に薄い層が担持された構造を有する異方
性膜である。 有用な膜は種々の重合体材料、例えば、ポリ塩化ビニル
、ポリビニルカルボキシレート（例えば、ポリ蟻酸ビニ
ル及びポリ酢酸ビニル）、ポリビニルアルコール、ポリ
スルホン、ポリビニルエーテル、ポリアクリルアミド及
びポリメタクリルアミド、ポリイミド、ポリエステル、
ポリフルオロアルキレン（例えば、ポリテトラフルオロ
エチレン及びポリ弗化ビニリデン）、並びに、セルロー
ス及びセルロースエステル（例えば、セルロースアセテ
ート、セルロースブチレート及びセルロースアセテート
ブチレート）のようなセルロース系重合体から形成する
ことができる。シングル限外沢過装置を含む単純な限外
沢過ループについて本発明方法を説明したが、本発明を
逸脱することなくこの限外沢過ループに変更を加え得る
ことは理解されよう。 例えば、シンク羽恨外ｐ過装置を用いるのに代えて２ま
たはそれ以上の限外▲過装置を直列に配置して用いるこ
とができる。さらに、２またはそれ以上の独立した限外
沢過ループを用いることもできる。複数限外沢過ループ
を用いることもできる。例えば、限外沢過装置１５が比
較的高いカツトオフ値を有する場合、流路１７からなる
取出された分散媒体を実質的により低いカツトオフ値を
示す第２の限外▲過装置へ送ることができる。第２の限
外沢過装置の残留物は次いで反応器へもどすことができ
る。限外▲過装置によつて除去される分散媒体の割合は
慣用される流量及び圧力差の調製手法に従つて任意の値
に調製することができる。 銀と・〜ラード塩の同時添加の完了段階における一・ロ
ゲン化銀分散体の容量比（供給した材料の合計容量に対
する百分率として）は所望する・・ロゲン化銀分散体特
性に依存して大幅に変えることができる。解膠剤の非存
在下に且つ希薄・・ラード塩洗浄液を用いて・・ロゲン
化銀分散体を形成せしめる場合除去する分散体の割合は
非常に高くすることができる。通常除去する分散媒体（
溶存塩を含む）の割合は供給する物質合計容量の約１０
乃至９０％である。一般に、除去する分散媒体の割合は
供給する物質合計量の少なくとも５０％であることが望
ましい。本発明方法に従つて、特に解膠剤の非存在下に
・・ロゲン化銀分散体を調製する過程において、非常に
高割合の分散媒体を第３のジニットを通じて供給するこ
とができる。１つの好ましい形態においては第３のジニ
ットによつて上述の希薄ハライド塩水溶液を第１及び第
２のジニットから供給される銀及び一・ラード塩溶液を
合わせた流量の１０乃至３０倍の流量を持つて供給する
。 そのような場合第３のジニットと限外▲過装置とが一体
に作・動して・・ロケン化銀分散体の可溶性塩濃度を著
しく低減する。第３のジニットによつて供給される分散
媒体の過剰量は沢過により容易に除去することができ、
そして使用のために選ばれた限外沢過装置内に最良の流
量レベルを提供する点で明らかに・有利であり得る。第
１及び第２のジニットを通過せしめた後第３のジニット
を通じての供給及び限外沢過を行うことが特に考えられ
る。 さらに、第１及び第２のジニット並びに／または第３の
ジニットのみを開く期間とを交代することが考えられる
。従つて、一ロゲン化銀を生成する過程、・・ロゲン化
銀生成における中断時及び／または・・ロゲン化銀生成
完了後に第３のジニット及び限外ｐ過装置とが一体にＺ
４なつて可溶性塩濃度を低減することができる。 解膠剤の非存在下には一ロゲン化銀粒子の大きさが増大
するので、フロキユレーシヨンの危惧が増大しまた可溶
性塩濃度を低減せしめることが重要となる。第３のジニ
ットを通過する流れの流量は運転が進むにつれて漸進的
に増大する。また、運転の進みに伴つて第１及び第２の
ジニットを通じて銀及び・・ラード塩溶液を供給するよ
り高い頻度で中断することができる。所望の大きさを有
する・・ロゲン化銀粒子を製造するに十分な量の銀及び
・・ラード塩溶液を加えた後にそれらの添加を完了する
。 所望ならば必要に応じてその後上記塩の１種を加えるこ
とによつて・叩ゲン化銀分散体の銀イオン濃度を調製す
ることができる。限外沢過は銀とハライド塩との同時添
加と共に完了することもできるし、または第３のジニッ
トを用いないかもしくはそれを閉じた場合においてすら
追加の可溶性塩及び分散媒体の除去を継続することもで
きる。すべての添加および限外沢過を完了した時、一・
ロゲン化銀分散体は常法に従つて反応器から取出し以後
の処理に服す。例えば、一・ロゲン化銀分散体はリサー
チ・ディスクローシャー、アイテム１７６４３、第節、
エマルジヨン洗浄に記載されるような慣用技術に従つて
反応器から取出し洗浄することができる。本発明の最も
単純な態様においては・・ロゲン化銀粒子の核形成及び
生長段階は同一反応器中でシングルバツチ・ダブルジェ
ット沈殿の過程で行われる。しかしながら、ハロゲン化
銀沈殿生成は特に生長段階が完了した後中断することが
できる。また、上述の単一反応器に代えて別々の２つの
反応器を用いることもできる。ハロゲン化銀粒子の核形
成段階は上流側の反応器（核形成器とも言う）中で行い
、得られた・・ロゲン化銀粒子核の分散体を下流側の反
応器（生長反応器とも言う）へ移して一和ゲン化銀粒子
の生長段階を達成することもできる。このようなタイプ
の一配置においては閉じられた核生成器を用いて、前に
引用したポツセ等、フオスタ一等、フイニカム等及びフ
エルヒル等の特許に開示されるように生長反応器の上流
に於いて反応成分を受入れ混合することができる。これ
らの配置において生長反応器の内容物は核生成器へ再循
環する。一ロゲン化銀粒子の生成及び生長の制御にとつ
て重要である種々のパラメーター、例えばＰＨ、ＰＡｇ
、熟成、温度及び耐流時間は別々の核生成器及び生長反
応器ごとに独立して制御することができる。 核生成器の下流の生長反応器で起こる・・ロゲン化銀粒
子生長と全く独立して・・ロゲン化銀粒子核生成を行う
には、生長反応器中に存在する一ロゲン化銀粒子の＝部
を核生成器へ再循環すべきでない。このようにハロゲン
化銀粒子の核生成段階は成長段階とは独立して行うこと
ができるので、パッチダブルジェット手法に加えて常用
されるハロゲン化銀沈殿生成手法によつて、例えば上述
のジエームス、トリベリ及びスミス、クラエス及びター
ウイリガ一等の許許に記載されるようなシングルジェッ
トと連続ダブルジェット沈殿生成手法によつて・・ロゲ
ン化銀粒子の核生成段階を行い得ることは明らかである
。銀塩溶液は独立して核生成器のみにまたは核生成器と
成長反応器の両者に導くことができる。 一・ラード塩溶液を最初に核生成器中に存在せしめ、及
び／または核生成器中に導入することができる。可溶性
ハライド塩は限外▲過により除去され、またハロゲン化
銀粒子の成長は化学量論的過剰量のハライドイオンの存
在下に行うことが一般に望まれているので、多くの場合
可溶性ハライド塩は核生成器からまたは独立して生長反
応器へ加えることになろう。解膠剤の供給または可溶性
塩の希釈に使用する上述の第３のジニットは核生成器も
しくは生長反応器またはこれら両者に指向することがで
きる。第３のジニットを反応により生成した可溶性塩の
希釈に用いる時は第３のジニットは生長反応器中へ指向
せしめることが望ましい。核生成器と生長反応器とを組
合わせ用いる場合は限外Ｐ過ループは第１図に示すよう
に生長反応器に関連づけて、この限外▲過ループによつ
て分散体が成長反応器から受理されると共に生長反応器
へもどされるようにすることが望ましい。生長反応器か
ら核生成器へ再循環せしめる場合限外Ｐ過ループを用い
て生長反応器から最初に受理した各生成器へ分散体をも
どすことができる。もちろん、その他の変更配置も可能
である。必要なことではないが、本発明方法により調製
された一・ロゲン化銀分散体とその他の慣用される手法
により調製された・〜ロゲン化銀分散体とを混合するこ
とも考えられる。 この混合はハロゲン化ノ銀沈殿生成の直後に行つてもよ
いしまたコーテイング前の以後のいかなる段階において
行うこともできる。 調製された・・ロゲン化銀分散体はさらに前述のリサー
チ・ディスクローシャー、アイテム１７６４３に記載さ
れるような常法に従つて処理することができる。 ・和ゲン化銀分散体は第節化学的増感に記載されるよう
に化学的に増感することができる。これらは第節スペク
トル増感及び減感に記載されるようにスペクトル増感し
または減感することができる。また、第Ｖ節螢光増白剤
及び第節カブリ防止剤及び安定剤に記載されるように慣
用されるその他の写真用添加剤をハロゲン化銀分散体へ
添加することができる。これらの添加物は第舐節添加方
法に記載されるような慣用技術に従つて・〜ロゲン化銀
分散体へ添加することができる。また、添加物特にスペ
クトル増感色素は一・ロゲン化銀沈殿生成に先立つて反
応器中に装入し、またはこれらの物質を・・ロゲン化銀
沈殿生成の過程好ましくは生長段階において反応器中へ
装入することも考えられる。このような技術は、ビル米
国特許第３６２８９６０号、ロツカ一等米国特許出願第
８８１２３０号（１９７８年２月２７日出願）及びロツ
カ一米国特許出願第９４４６６６号（１９７８年９月２
２口出願）に記載されている。ビヒークルの添加は上述
の添加物を一・ロゲン化銀分散体へ添加し終わるまで遅
らせることが特に考えられる。上述の添加物はビヒーク
ルの非存在下に添加する方がより有効だからである。ビ
ヒークルと共に第ｘ節硬膜剤に記載されるような硬膜剤
が用いられる。・〜ロゲン化銀分散体を用いていかなる
所望慣用形態を有する一・ロゲン化銀写真要素も形成す
ることができる。 常用される写真要素の例及びそれらの写真要素の特徴は
、リサーチ・ディスクグローシャー、アイテム１７６４
３、第節カラー材料、第節吸収及び散乱材料、第Ｍ節コ
ーティング助剤、第節可塑剤及び滑剤、第Ｘ節無光沢化
剤、第ｘ支持体、第ＸＸ節現像剤、第Ｗ節現像改質剤、
第Ｘ節物理的現象システム、第ＸＸ節像転写システム、
第ＸＸ［Ｖ節乾式現像システム、第ＸＸＶ節プリント及
びリトグラフイ一、第ＸＸ節焼出し、および第ＸＸ節直
接プリントに記載されている。写真要素の・・ロゲン化
銀分散体及びその他の層は第ＸＶ節コーテイング及び乾
燥方法に記載される手法によつてコーテイングすること
ができる。写真要素の露出及び処理は第ｘ節露光及び第
惠節処理に記載される常法に従づて行うことができる。
下記の例は本発明を説明するものである。 例１ コロイドを含まないノ叩ゲン化銀調製物のデモンストレ
ーシヨン第１段階・・・・・・核生成 図面に示したような装置を使用した。 分散媒体の本体３となすため、最初に４８１の０．００
５モル臭化カリウム溶液を反応器１に収容した。次いで
、第１のジエツト７及び第２のジニット９を通して銀塩
溶液及び一・ラード塩溶液を同時に装入した。銀塩溶液
は１．００モルの硝酸銀水溶液であり、そしてカリウム
塩溶液は１．０１モルの臭化カリウム水溶液であつた。
ジニットの流量は一定であり、そして４０ｍ１／分に等
しかつた。３０分間の運転時間で一・ロゲン化銀調製の
核生成段階の完結をみた。 核生成段階の間、反応器の内容物を４０℃、ＰＨ＝５．
５及びＰＡｇ−９．２８で保持した。第２段階・・・・
・・一・ロゲン化銀核の洗浄反応器から１５００ｍ１／
分の流量で一ロゲン化銀分散体を取り出し（図面には流
路１５で示されている）、そして限外▲過装置１５に供
給した。限外沢過装置には、ＳＯｃｉｅｔｅＲｈＯｎｅ
ＰＯｕｌｅｎｃから市販されている、１イの作用面と１
００００〜２００００１／イ／２４ｈｒ．のろ過容量と
を具えているポリ（ビニルアセテート）半透膜、タイプ
ＩＲＩＳ３Ｏ２２、を取り付けた。形成された硝酸カリ
ウム水溶液は臭化銀沈殿の間における副生成物であり、
半透膜を通過した後、１１／分の流量で流路１７で示さ
れるようにして回収した。Ｐ過の済んだ・・ロゲン化銀
分散体は、流路１９で示されるようにして、５００ｍ１
／分の流量で反応器に戻した。この段階は２８分間にわ
たつて実施した。全部で２８１の溶解塩類が取り出され
、また、その間、２５１の洗浄液が第３のジニットを通
して装入され、そのため、反応媒体の容量がほぼ一定に
保たれた。この洗浄作業を再び繰り返した。第３段階・
・・・−・一・ロゲン化銀結晶の生長第３のジニット１
１及び限外ろ過ループの運転を続ける間に再び第１及び
第２のジエツト７及び９をスタートさせた。 この段階を１５分間にわたつて継続した。第４段階・・
・・・・・・ロゲン化銀結晶の洗浄第２設階を反復した
。 但し、ここでは１５分間。第５段階・・・・・・・・ロ
ゲン化銀結晶の生長第３段階を反復した。後続の調製及
び検査 最終洗浄段階の完了時にフタル化ゼラチンを添加し、そ
して凝集洗浄と再分散とを常法に従い順次続けて実施し
た。 この作業を２回反復した。次いで、乳剤濃度を調節する
ために水及びゼラチン水溶液を添加した。結果として、
容量３．８１の乳剤は１モルの臭化銀と５重量％のゼラ
チンとを含有した。得られた乳剤を金及び硫黄増感した
。顕微鏡による検査から、得られた乳剤は平均直径０．
３ミクロンの・・ロゲン化銀粒子を含有する単分散乳剤
であるということが明らかになつた。この乳剤をポリ（
エチレンテレフタレート）支持体上に塗布し、そしてセ
ンシトメモリ一検査を行なつた。この乳剤の性質は、ゼ
ラチンの存在において・・ロゲン化銀沈殿を行なうこと
により調製した対゛照の乳剤のそれに同じであつた。こ
のことは、輻射線感応性一・ロゲン化銀分散体の調製に
おけるこの方法の有用性を立証するものであつた。例２ 解膠ハロゲン化銀調製物のデモンストレーシヨン正六面
体の単分散した０．２５ミクロン臭沃化銀（沃化物２．
５モル％）乳剤を次のようにして調製した。 第１段階・・・・・・核生成 前記例１の場合と同じ装置を使用した。 反応器１には、最初に下記の溶液Ａを収容した。はげし
く攪拌しながら、下記の溶液Ｂ及びＣを同時に３６分間
にわたつて溶液Ａに添加し、その間、溶液Ａｆ）ＰＡｇ
値を８．７で保持した。溶液Ａ 第２段階・・−・・・生長 沈殿の開始後５分、反応器の内容物を２個のラセン状に
巻いた（直径２インチ×３フイート）ポリスルホン（平
均分子量１０００）限外Ｐ過膜装置内を乳剤１．８ｋｇ
／分の割で循環させ、よつて、上記と同じ割合（流量）
で乳剤から水を除去した。 除去した水は、溶液Ｂ及びＣを介して反応器に装入し、
よつて、沈殿段階の残りを通じて一定の反応器容量（６
０８１）を保持した。 溶液Ｂ及びＣの添加が完了（３６分間）した後、乳剤を
３７，８℃に冷却し、そして次に３個（直径２インチ×
３フイート）のポリスルホン（平均分子量２００００）
半透膜装置内を、乳剤のＰＡｇ値が８．２になるまで、
循環させた。追加のゼラチン（１２．２４ｋｇ）を添加
し、乳剤を４３．３℃に加熱し、ゼラチンが溶解するま
で攪拌し、そして次に追加の水を加えて全量を７２．０
ｋｇとした。次いで、乳剤を冷却し、そして貯蔵した。
本発明は、特にその好ましい態様を参照して記載されて
いるけれども、本発明の精神及び範囲内において種々の
変更及び修正を施し得るということを理解されたい。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 銀塩とハライド塩を溶液状態において反応させて分
   散媒体の存在下にハロゲン化銀粒子核および可溶性塩を
   生成せしめ、この生成したハロゲン化銀粒子核と分散媒
   体が存在する反応器中でハロゲン化銀粒子を生長せしめ
   ることからなる輻射線感応性ハロゲン化銀分散体を形成
   する方法において、（１）ハロゲン化銀粒子の生長過程
   において上記分散媒体中に存在するハロゲン化銀を増大
   せしめ、これと同時に、（２）分散媒体の一部を分離し
   、且つ（３）ハロゲン化銀粒子を残存分散体中に残留せ
   しめることを特徴とするハロゲン化銀分散体を形成する
   方法。 ２ 分散媒体が親水性コロイド解膠剤を含む請求の範囲
   第１項記載の方法。 ３ ハロゲン化銀分散体中に形成されるハロゲン化銀粒
   子が実質的に単分散である請求の範囲第１項または第２
   項に記載の方法。 ４ ハロゲン化銀粒子を反応器中で熟成せしめる請求の
   範囲第１項〜第３項のいずれかに記載の方法。 ５ 反応器中にアンモニア、ハライドイオン、チオエー
   テル熟成剤および／またはチオシアネート熟成剤を存在
   させる請求の範囲第４項記載の方法。 ６ ハロゲン化銀粒子の生長過程において分散媒体中に
   存在するハロゲン化銀を増大せしめながら、反応器中の
   ハロゲン化銀分散体の容量を実質的に一定に保持する請
   求の範囲第１項〜第５項のいずれかに記載の方法。 ７ 分散体中に親水性コロイド解膠剤を実質的に含有せ
   しめず、且つ分散体中に存在する可溶性塩の濃度をリッ
   トル当り０．１モルより低く維持する請求の範囲第１項
   または第３項〜第６項のいずれかに記載の方法。 ８ 分散媒体の分離部分とともに可溶性塩を分散体から
   分離する請求の範囲第１項〜第７項のいずれかに記載の
   方法。 ９ 分散体中の可溶性塩の濃度をハロゲン化銀粒子生長
   過程においてリットル当り０．０１モル未満に維持する
   請求の範囲第８項記載の方法。 １０ 溶液状態のハライド塩および銀塩とともに０．１
   モル濃度未満のハライド塩水溶液を流す請求の範囲第７
   項記載の方法。 １１ ０．１モル濃度未満のハライド塩水溶液の流量が
   銀塩溶液とハライド塩溶液の合計流量の１０〜３０倍で
   ある請求の範囲第１０項記載の方法。 １２ 銀塩とハライド塩とを一緒に反応器中へ流入せし
   める請求の範囲第１項〜第１１項のいずれかに記載の方
   法。 １３ 反応器として核生成器と生長反応器とからなる反
   応器を用い、銀塩とハライド塩をともに核生成器中へ流
   入せしめるとともに、核生成器中の内容物を生長反応器
   中へ移し、該生長反応器中でハロゲン化銀粒子の生長を
   行わせてハロゲン化銀分散体を形成する請求の範囲第１
   項〜第１１項のいずれかに記載の方法。 １４ 生長反応器中に形成されたハロゲン化銀分散体を
   核生成器へ再循環せしめる請求の範囲第１３項記載の方
   法。 １５ 生長反応器中に形成されたハロゲン化銀分散体は
   核生成器へ再循環せしめない請求の範囲第１３項記載の
   方法。 １６ ｐＡｇ、ｐＨ、温度、熟成および／または滞留時
   間を核生成器および生長反応器中で独立して制御する請
   求の範囲第１５項記載の方法。 １７ 反応器から分散体の一部を取出し、この分散体の
   取出部分を循環して半透膜に通し、さらに残留せる取出
   部分を反応器へ戻す請求の範囲第１項〜第１６項のいず
   れかに記載の方法。 １８ 反応器から取出したハロゲン化銀は合計運転時間
   の１０％未満の間反応器外に滞在せしめる請求の範囲第
   １７項記載の方法。 １９ 反応器から取出すハロゲン化銀は反応器中に存在
   するハロゲン化銀合計量の５０％未満である請求の範囲
   第１７項記載の方法。 ２０ 反応器から取出すハロゲン化銀は反応器中に存在
   するハロゲン化銀合計量の２５％未満である請求の範囲
   第１９項記載の方法。 ２１ 分離される分散媒体の合計量は反応器中へ供給さ
   れる物質合計量の１０〜９０％である請求の範囲第１７
   項記載の方法。 ２２ 分離される分散媒体の合計量は反応器中へ供給さ
   れる物質合計量の５０〜９０％である請求の範囲第２１
   項記載の方法。 ２３ 銀塩とハライド塩の溶液の供給が完了した後追加
   の分散媒体を反応器中へ流入せしめる請求の範囲第１項
   〜第２２項記載の方法。 ２４ 半透膜がポリスルホンセルロースアセテートまた
   はポリ醋酸ビニル膜である請求の範囲第１７項記載の方
   法。 ２５ 半透膜が分子量カットオフ値５００〜５００００
   を有する請求の範囲第１７項記載の方法。