JPS5943365B2

JPS5943365B2 - 円形薄板体の搬送装置

Info

Publication number: JPS5943365B2
Application number: JP11387379A
Authority: JP
Inventors: 将昭貞森
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1979-09-05
Filing date: 1979-09-05
Publication date: 1984-10-22
Also published as: JPS5637923A

Description

【発明の詳細な説明】この発明は、特に半導体ウェハ等の円形状の薄板体を搬
送するための円形薄板体の搬送装置に関するものである
。

周知のとおり、半導体ウェハ（以下単にウェハという）
は最小外形で最大面積を得るように円形を採用している
場合が圧倒的である。

また、その厚味は１００乃至６００μｍと極めて薄く、
破損しやすい。

さて、ウェハの加工過程においては、化学的、物理的な
表面処理、ホトリソグラフ処理におけるホトレジスト塗
布および現像等が何回となく繰返えされて所定領域に不
純物を拡散する工程が殆んどであり、これは公知である
。

ところで、ウェハ加工過程においては、ウェハの一生面
のみに処理を施す場合と両主面に処理を施す場合とがあ
る。

一般に集積回路素子用ウェハは一生面に整流器、制御整
流器用ウェハおよび一部のバイポーラ素子は両主面に処
理が施されている。

しかして従来は、第１図および第２図に示すようなプロ
セス間搬送手段が用いられていた。

すなわち、第１図はエヤーベアリング方式と称せられる
ウェハの搬送手段で、１はウェハ、２はエヤーベアリン
グ装置である。

２ａは直径０．５ｍｍ程度の細孔で、ウェハ１の搬送
方向に斜めに多数設けられている。

２ｂはガス導入路である。この場合、ガス導入路２ｂに
所定のガス３を送ると、ガス３は細孔２ａより噴出し、
これによりウェハ１は極くわずかに浮上し、矢印４の方
向に搬送されるようになっている。

しかしながら、この方式ではウェハ１の浮上する距離は
１０乃至１００μｍ程度と極めて少ないことと、噴出す
るガス３の圧力は実際はばらつくこと等の条件のために
搬送中にウェハ１がエアベアリング装置２上で停滞した
りあるいは異常に吹き飛んでしまう等の欠点がある。

この場合、ウニ・・１が一生面にのみ処理を施す機種で
あれば停滞によりウェハ１の裏面がエアベアリング装置
２と接するとしてもこれは許容される。

しがしながら、ウェハ１の両主面に処理を施す機種にお
いては、これは許容されない。

特にウェハ１の両面にホトレジストのような粘液を塗布
した場合は全（使用できない。

第２図はベルト搬送装置と称せられ、プーリ５の回転に
よりベルト６上に載置したウェハ１を搬送する方式であ
る。

この場合、ウニ・・１の搬送速度は容易に制御できるが
、やけりウェハ１０両主面に加工を施す場合、ベルト６
の接触跡が残留し、ウェハ１を汚染したり、傷付けたり
して好ましくない。

この発明は上記の点にかんがみなされたもので、ウニ・
・を立てて搬送することにより、ウニ・・の両主面を接
触せしめることのない確実な搬送手段を提供せんとする
ものである。

以下この発明について説明する。

第３図ａ、ｂ、ｃはこの発明の一実施例を示すもので、
第３図ａはウニ・・搬送装置の一部を破断して示した構
成斜視図、第３図す、ｃはウェハの搬送状態を説明する
ための要部断面図である。

第３図ａにおいて、７はこの発明によるウェハ搬送装置
で、スリット７ａおよび７ｂよりウェハ１を、例えばピ
ンセット８により出し入れするようになっている。

このウェハ搬送装置７の内部は幅および深さがウエノ・
１の厚味および直径より１乃至３關程度大なる溝ＩＣが
設けられている。

溝７Ｃの上部すなわち、ウニ・・１の上弦部に近接する
箇所は第３図すに示すように、ウエノ・１０両面よりエ
ヤーベアリング７ｄおよび７ｅに設けられた細孔より斜
め方向にガスが噴出し、ウェハ１の上弦部を矢印９の方
向に押しやる力を作用させる。

また、溝７ｃの下部、すなわちウェハ１の下弦部に近接
する箇所は第３図Ｃに示すように、エアーブレーキ７ｆ
および７ｇに設けられた細孔よりウニ・・１の両面に直
角方向にガスを噴出し、ウニ・・１の下弦部を一定位置
に固定する力を作用させる。

従ってウニ・・１には第３図ａに示すように矢印１０の
回転力が与えられ、矢印９の方向に搬送される。

しかして、このような搬送方式による場合は、ウェハ１
の両主面にはガス以外に何ら触れるものがないので、ウ
ェハ１を全くの無傷、かつ汚染することなく目的とする
場所まで搬送することができる。

また、構造も極めて簡単であり、安価に製作でき、かつ
故障も少ないという効果を有する。

なお、エヤーベアリング７ｄおよび７ｅとエヤーブレー
キ７ｆおよび７ｇのガス源には一般に除塵した乾燥空気
や窒素ガスが好適である。

また、その噴出圧力はウェハ１の大きさにより適時増減
する必要があるが、例えば直径５０７ｎ１１、厚さ３０
０μｍの半導体シリコンウニ・・の場合、窒素ガスの噴
出圧力は０．１〜１．０ｋｇ／ｃｒＡである。

また、ガス噴出孔径は０２〜０．５ｍｍ程度が適して
いる。

この発明の他の目的は、被搬送物体を一定の雰囲気下に
置くことである。

第１図および第２図の従来方式による場合は、ウニ・・
１の全面を、例えば窒素ガスでおおうことは極めて困難
である。

何故なら、例えば第１図の場合、ウェハ１下方のガス３
の噴出圧および量とウェハ１の上部の雰囲気ガス圧力と
のバランスをとることが非常に困難であり、第２図では
装置全体を窒素ガスでおおうとかなりの不経済性を強い
られることになるからである。

この発明による場合、搬送動力が窒素ガスであればウェ
ハ１はそのまま全体を窒素ガスで包むことができ、極め
て簡単に一定雰囲気下に制御し得るものである。

この場合、例えば、ウニ・・１にホトレジストの如き酸
素を嫌う物質を被着させて搬送する場合において極めて
効果を発揮する。

なお、上記実施例では円形薄板体として半導体ウェハを
例にして説明したが、半導体ウェハに、オリエンテーシ
ョンフラットと称する若干の切欠部があっても全体とし
て円形であれば十分適用し得るものである。

また、この発明は半導体ウニ・・に限らず、サファイア
板、セラミック板、ガラス板その他の円形薄板体であっ
ても同様に適用できることは勿論である。

さらに、上記実施例ではウェハ１の上弦部に回転力を、
下弦部にブレーキ力を付加する例について説明したが、
これは逆にしてもよく、要はウニ・・１が搬送される力
を作用させればよいことは明らかである。

以上説明したように、この発明は円形状の薄板体を立て
て支持する溝を基台中に設け、この溝の両側に薄板体上
の上弦部または下弦部に斜めに気体を噴出する細孔を設
け、さらに、溝の両側に薄板体の下弦部または上弦部に
直角に気体を噴出する細孔を設けたので、両側から直角
に噴出す気体により薄板体を溝中の一定位置に固定させ
ようとする力が作用し、この状態で両側から斜めに噴出
する気体により斜め方向に応じて薄板体を押しやる力が
作用するようになり、両者の力によって薄板体は溝の中
央に保持されながら進行することができるので、円形薄
板体に噴射するガス以外には何も接触することなく、従
って円形薄板体の両主面は汚染されたり損傷することが
なく、安全に搬送でき、しかも外気を断って特定の雰囲
気の中で搬送することも可能であるなどの効果を有する
。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のウェハ搬送手段を示す部分断面図、第２
図は他の従来例を示す正面略図、第３図ａはこの発明の
一実施例を示すウニ・・搬送装置の一部を破断した構成
斜視図、第３図すおよび、Ｃは第３図ａの要部を示す断
面図である。図中、１はウニ・・、７はウエノ・搬送装置、７ａ＋７
ｂはスリット、７ｃは溝、７ｄ、７ｅはエヤーベアリン
グ、７ｆ −＋７ｇはエヤーブレーキである。なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims

【特許請求の範囲】

１円形状の薄板体を立てて支持する溝を基台中に設け
、この溝の両側に前記薄板体の上弦部または下弦部に斜
めに気体を噴出する細孔を設け、さらに前記溝の両側に
前記薄板体の下弦部または上弦部に直角に気体を噴出す
る細孔を設けたことを特徴とする円形薄板体の搬送装置
。