JPS5941533B2 - 酸化膜の評価方法 - Google Patents
酸化膜の評価方法Info
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- JPS5941533B2 JPS5941533B2 JP10387179A JP10387179A JPS5941533B2 JP S5941533 B2 JPS5941533 B2 JP S5941533B2 JP 10387179 A JP10387179 A JP 10387179A JP 10387179 A JP10387179 A JP 10387179A JP S5941533 B2 JPS5941533 B2 JP S5941533B2
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- Japan
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- oxide film
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- electron beam
- luminescence
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- Expired
Links
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 10
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 carbon ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004141 dimensional analysis Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000002284 excitation--emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電子線励起発光によるスペクトル解析をもと
に、立体構造をした半導体素子の各種酸化膜等を評価す
る方法に関するものである。
に、立体構造をした半導体素子の各種酸化膜等を評価す
る方法に関するものである。
従来の酸化膜(例えば510、)の評価法の代表例とし
てはC−V(CAPACITANCE−VOLTAGE
)法が挙げられる。C−V法は酸化膜についてのきわめ
て優れた評価方法であるが、その実施には、シリコン基
板上に単一の酸化膜を形成し、その上に金属薄膜をつけ
るなど、いわゆるMOS(METAL−OXIDE−S
EMICONDNCTOR)構造が必須である。従つて
シリコン上に酸化膜を形成しただけの状態、あるいは多
層の酸化膜が形成された状態(現実の半導体素子構造の
大部分はこの状態である)での評価は不可能であつた。
またC−V法では酸化膜の電子状態あるいは化学状態に
ついての情報はあまり得られない。一方酸化膜の電子状
態、あるいは化学状態についての解析をする方法として
はESCA(ELECTRONSPECTROSCOP
YFORCHEMICALANALYSIS)法、光吸
収法、あるいはESR(ELECTRONSPINRE
SONANCE)法などがあるが、これもC−V法と同
じく、現実の半導体パターンに於ての測定はきわめて難
しい。又AES(AUGERELECTRONSPEC
TROSCOPY)法は半導体素子のパターンにそつて
酸化膜の分析を行いうるものの、オージエ電子の脱出深
さは表面から数〜数+Λであり、三次元分析をするため
には表面をスパッタエッチングする必要があり破壊検査
となる。又AES法は本来元素分析法であり、化学状態
あるいは電子状態について必ずしも有効な解析方法とは
言えない。以上従来の酸化膜評価法はいずれも精密化、
多様化する半導体素子構造に即して、その構成酸化膜を
評価するには不十分であつた。この発明は上記従来の欠
点をカバーし、複雑な半導体素子構造のままで酸化膜の
電子状態や化学状態等についての評価を行う方法を提供
するものである。電子線励起発光ならびに分光測定装置
は通常の走査形電子顕微鏡に付加しうるものであり、概
略を第1図に示す。
てはC−V(CAPACITANCE−VOLTAGE
)法が挙げられる。C−V法は酸化膜についてのきわめ
て優れた評価方法であるが、その実施には、シリコン基
板上に単一の酸化膜を形成し、その上に金属薄膜をつけ
るなど、いわゆるMOS(METAL−OXIDE−S
EMICONDNCTOR)構造が必須である。従つて
シリコン上に酸化膜を形成しただけの状態、あるいは多
層の酸化膜が形成された状態(現実の半導体素子構造の
大部分はこの状態である)での評価は不可能であつた。
またC−V法では酸化膜の電子状態あるいは化学状態に
ついての情報はあまり得られない。一方酸化膜の電子状
態、あるいは化学状態についての解析をする方法として
はESCA(ELECTRONSPECTROSCOP
YFORCHEMICALANALYSIS)法、光吸
収法、あるいはESR(ELECTRONSPINRE
SONANCE)法などがあるが、これもC−V法と同
じく、現実の半導体パターンに於ての測定はきわめて難
しい。又AES(AUGERELECTRONSPEC
TROSCOPY)法は半導体素子のパターンにそつて
酸化膜の分析を行いうるものの、オージエ電子の脱出深
さは表面から数〜数+Λであり、三次元分析をするため
には表面をスパッタエッチングする必要があり破壊検査
となる。又AES法は本来元素分析法であり、化学状態
あるいは電子状態について必ずしも有効な解析方法とは
言えない。以上従来の酸化膜評価法はいずれも精密化、
多様化する半導体素子構造に即して、その構成酸化膜を
評価するには不十分であつた。この発明は上記従来の欠
点をカバーし、複雑な半導体素子構造のままで酸化膜の
電子状態や化学状態等についての評価を行う方法を提供
するものである。電子線励起発光ならびに分光測定装置
は通常の走査形電子顕微鏡に付加しうるものであり、概
略を第1図に示す。
まず加熱フィラメント1から発した電子線4はコンデン
サレンズ3及び対物レンズ5などの電子光学系により整
形、走査され、酸化膜試料1を照射する。その結果試料
から励起されたルミネッセンス9を水晶窓10及びレン
ズ11を通して集光し、回折分光器12に導き分光する
。分光された光は光電子増倍管13で増幅され、オペレ
ーシヨナルアンプ18でさらに増幅されCRTl9上に
輝度変調像としてデイスプレイされるか、あるいは、電
子線のブランキングシステム(パルス発生器14及びブ
ランキング板2)と同期させたロツクインアンプ15で
増幅し、X−Yレコーダ]6にスペタトルとして記録す
る。測定例として乾燥酸素雰囲気で作成されたSiO2
のスペクトルを第2図aに、ウエツト酸素囲気で作成さ
れたSiO2のスペクトルを第2図bに、又乾燥酸素雰
囲気で作成したSiO2に炭素をイオン打込した酸化膜
のスペクトルを第2図cにそれぞれ示す。
サレンズ3及び対物レンズ5などの電子光学系により整
形、走査され、酸化膜試料1を照射する。その結果試料
から励起されたルミネッセンス9を水晶窓10及びレン
ズ11を通して集光し、回折分光器12に導き分光する
。分光された光は光電子増倍管13で増幅され、オペレ
ーシヨナルアンプ18でさらに増幅されCRTl9上に
輝度変調像としてデイスプレイされるか、あるいは、電
子線のブランキングシステム(パルス発生器14及びブ
ランキング板2)と同期させたロツクインアンプ15で
増幅し、X−Yレコーダ]6にスペタトルとして記録す
る。測定例として乾燥酸素雰囲気で作成されたSiO2
のスペクトルを第2図aに、ウエツト酸素囲気で作成さ
れたSiO2のスペクトルを第2図bに、又乾燥酸素雰
囲気で作成したSiO2に炭素をイオン打込した酸化膜
のスペクトルを第2図cにそれぞれ示す。
その結果、290nm及び560nmのルミネツセンス
バンドは乾燥酸素雰囲気による酸化膜に、〜415nm
のルミネツセンスバンドは炭素を含む酸化膜に、又〜6
50nmのルミネツセンスバンドは水素を含む酸化膜に
それぞれ特徴的である事がわかる。従つてこれらのバン
ドに波長をセツトし、CRT上に出る各バンドのルミネ
ツセンス像を観察すると、それぞれのバンドを特徴とす
る酸化膜だけが選択的に観察される。しかも電子線の侵
入深さは加速電圧を変える事により、酸化膜の場合、約
0.1〜10μmの間で可変であり、又半導体素子に使
用される酸化膜の厚みではこれらルミネツセンスの減衰
は殆ど無視できる事を考え合わせると、深さ方向の各酸
化膜の分布に関する情報が詳しく得られることがわかる
。又〜290nm及び〜560nmのバンドは電子線照
射による酸化膜の組成変化に対応したバンドであり、従
つて、これらのバンドによるルミネツセンス像の時間変
化をみれば電子線照射による酸化膜の組成変化に対応し
たマツピングが可能となる。又〜450nm及び〜65
0nmのバンドなどを利用すれば、酸化膜形成プロセス
の評価も可能である。以上のように、この発明によれば
、半導体素子の構成要素たる各種酸化膜をその立体構成
のままで電子状態、欠陥あるいは不純物などについて評
価できるものである。
バンドは乾燥酸素雰囲気による酸化膜に、〜415nm
のルミネツセンスバンドは炭素を含む酸化膜に、又〜6
50nmのルミネツセンスバンドは水素を含む酸化膜に
それぞれ特徴的である事がわかる。従つてこれらのバン
ドに波長をセツトし、CRT上に出る各バンドのルミネ
ツセンス像を観察すると、それぞれのバンドを特徴とす
る酸化膜だけが選択的に観察される。しかも電子線の侵
入深さは加速電圧を変える事により、酸化膜の場合、約
0.1〜10μmの間で可変であり、又半導体素子に使
用される酸化膜の厚みではこれらルミネツセンスの減衰
は殆ど無視できる事を考え合わせると、深さ方向の各酸
化膜の分布に関する情報が詳しく得られることがわかる
。又〜290nm及び〜560nmのバンドは電子線照
射による酸化膜の組成変化に対応したバンドであり、従
つて、これらのバンドによるルミネツセンス像の時間変
化をみれば電子線照射による酸化膜の組成変化に対応し
たマツピングが可能となる。又〜450nm及び〜65
0nmのバンドなどを利用すれば、酸化膜形成プロセス
の評価も可能である。以上のように、この発明によれば
、半導体素子の構成要素たる各種酸化膜をその立体構成
のままで電子状態、欠陥あるいは不純物などについて評
価できるものである。
従つて今までいかなる手法でもできなかつたような、例
えば、LSパタ一におけるCVD(CHEMICALV
APORl)EPOSlTlON)膜と熱酸化膜の分離
識別が簡単に行え、半導体素子製造プロセスの開発や評
価、さらには不良解析などがより正確にかつ詳しく行え
る事が期待されるものである。
えば、LSパタ一におけるCVD(CHEMICALV
APORl)EPOSlTlON)膜と熱酸化膜の分離
識別が簡単に行え、半導体素子製造プロセスの開発や評
価、さらには不良解析などがより正確にかつ詳しく行え
る事が期待されるものである。
第1図は電子線励起発光強度により酸化膜を評価するた
めにこの発明に於て使用する装置の1例を示す構成図、
第2図は第1図装置により得られた電子線励起発光スペ
クトルの例を示す図である。
めにこの発明に於て使用する装置の1例を示す構成図、
第2図は第1図装置により得られた電子線励起発光スペ
クトルの例を示す図である。
Claims (1)
- 1 半導体基板上の酸化膜試料に電子線を照射してその
酸化膜から励起されるルミネッセンスをスペクトルとし
て検出し、上記酸化膜試料を立体構成のままで電子状態
あるいは化学状態の評価を行なうことを特徴とする酸化
膜の評価方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10387179A JPS5941533B2 (ja) | 1979-08-15 | 1979-08-15 | 酸化膜の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10387179A JPS5941533B2 (ja) | 1979-08-15 | 1979-08-15 | 酸化膜の評価方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5627640A JPS5627640A (en) | 1981-03-18 |
JPS5941533B2 true JPS5941533B2 (ja) | 1984-10-08 |
Family
ID=14365492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10387179A Expired JPS5941533B2 (ja) | 1979-08-15 | 1979-08-15 | 酸化膜の評価方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5941533B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4800278A (en) * | 1985-06-06 | 1989-01-24 | Nippon Ceramic Co., Ltd. | Pyroelectric infrared sensor |
DE102009015341A1 (de) * | 2009-03-27 | 2010-10-07 | Carl Zeiss Ag | Verfahren und Vorrichtungen zur optischen Untersuchung von Proben |
NL2005080C2 (en) * | 2010-07-14 | 2012-01-17 | Univ Delft Tech | Inspection apparatus and replaceable door for a vacuum chamber of such an inspection apparatus. |
US9939382B2 (en) | 2013-03-28 | 2018-04-10 | Jfe Steel Corporation | Method of checking forsterite, apparatus that evaluates forsterite, and production line that manufactures steel sheet |
JP5962677B2 (ja) * | 2014-01-09 | 2016-08-03 | Jfeスチール株式会社 | 方向性電磁鋼板表面の絶縁被膜の密着性の評価方法 |
-
1979
- 1979-08-15 JP JP10387179A patent/JPS5941533B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5627640A (en) | 1981-03-18 |
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