JPH1082737A - 半田材の表面酸化度の評価方法 - Google Patents

半田材の表面酸化度の評価方法

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JPH1082737A
JPH1082737A JP23646896A JP23646896A JPH1082737A JP H1082737 A JPH1082737 A JP H1082737A JP 23646896 A JP23646896 A JP 23646896A JP 23646896 A JP23646896 A JP 23646896A JP H1082737 A JPH1082737 A JP H1082737A
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JP
Japan
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solder material
photoelectron
surface oxidation
ultraviolet
oxide film
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Pending
Application number
JP23646896A
Other languages
English (en)
Inventor
Naohito Mitsunari
尚人 三成
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Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 大気のような常温常圧の雰囲気中で簡便に測
定でき、試料に制約がなく、インライン評価が可能な半
田材の表面酸化度の評価方法を提供する。 【解決手段】 大気雰囲気紫外線光電子分光法により半
田材の大気雰囲気紫外線光電子スペクトルを測定し、得
られた光電子スペクトルから当該半田材の表面酸化膜よ
り放出される光電子の放出強度Sを求め、求めた光電子
放出強度Sを、予め求めた半田材の表面酸化率と表面酸
化膜より放出される光電子の放出強度Sとの関係に当て
はめて、当該半田材の表面酸化率を求める。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半田材の製造工程
又は半田材を用いる電子部品組立工程において、半田材
の表面酸化度を評価する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半田材の製造工程又は半田材を用いる電
子部品の組立工程において、製造された半田材又は使用
している半田材の表面がどの程度酸化されているかを早
く知ることは、半田材及びこれを用いて組み立てられた
電子部品の品質保持のうえで極めて重要である。
【0003】一般に、半田材の表面酸化度の評価は、オ
ージェ分析法(AES)、光電子分光分析法(XPS、
UPS)、二次イオン質量分析法(SIMS)等を用い
て行われている。即ち、上記いずれかの方法を利用し、
半田材に電子線又はX線を照射することによって、半田
材から放出される物質特有の波長を持ったオージェ電
子、光電子、又は二次イオンを検出し、そのスペクトル
を解析して表面酸化度を評価する方法が行われていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半田材
の表面酸化度の評価方法は、いずれも大きな装置を必要
とし、しかも高真空中で測定しなければならなかった。
従って、これらの評価方法では、測定できる試料に制約
があり、例えば大型の半田材や電子部品等は測定が困難
であった。このため、測定装置を実生産ラインに組み込
んで評価することが難しく、インライン評価への適用は
不可能であった。
【0005】本発明は、このような従来の事情に鑑みて
なされものであり、大気のような常温常圧の雰囲気中で
簡便且つ迅速に測定でき、試料に制約がなく、インライ
ン評価が可能な半田材の表面酸化度の評価方法を提供す
ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明が提供する半田材の表面酸化度の評価方法
は、大気雰囲気紫外線光電子分光法により半田材の大気
雰囲気紫外線光電子スペクトルを測定し、得られた光電
子スペクトルから当該半田材の表面酸化膜より放出され
る光電子の放出強度を求め、求めた光電子放出強度を予
め求めた半田材の表面酸化率とその表面酸化膜より放出
される光電子の放出強度との関係に当てはめて、当該半
田材の表面酸化率を求めることを特徴とする。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明者は、測定に高真空を必要
としない評価方法について研究した結果、半田材の表面
酸化度と大気雰囲気紫外線光電子分光法により得られる
スペクトル強度が対応することを見い出し、本発明に至
ったものである。
【0008】本発明の大気雰囲気紫外線光電子分光法に
よる半田材の表面酸化度の評価方法は、図1に示すよう
に、半田材1の表面に紫外線2を照射し、半田材1から
放出される光電子3を検出するものであり、全てを大気
雰囲気中又は常温常圧の不活性ガス雰囲気中で行うこと
ができる。
【0009】具体的に説明すると、紫外線ランプ4から
発せられる紫外線からモノクロメーター5で所望波長の
紫外光2を選び出し、この所望波長の紫外線2を半田材
1に照射する。紫外線2の照射を受けた半田材1から
は、半田材1の構成物質に特有な波長を持った光電子3
が放出されるので、この光電子3を検出器6で検出する
ことによって、紫外線光電子分光装置7で光電子スペク
トルが得られる。
【0010】このとき、照射される紫外線の波長を連続
的に変化させると、紫外線のエネルギーが被照射物の仕
事関数より大きなエネルギーになったとき被照射物より
光電子の放出が起こる。典型的な半田材であるPb/5
%Snの大気雰囲気紫外線光電子スペクトルを図2に示
した。図2の横軸には照射される紫外線のエネルギーを
励起エネルギーとして示してある。また、縦軸は光電子
スペクトル強度のn乗規格化された光電子イールドであ
り、通常nは0.5の値をとる。
【0011】この図2から分かるように、Pd/5%S
nの半田材の場合、4.5eV付近に仕事関数があり、
この仕事関数より大きなエネルギーを持つ(波長の小さ
い)紫外線の照射によって、半田材の金属部分からの光
電子の放出が観測される。更に紫外線の励起エネルギー
を高めていくと、5.5eV付近に変曲点が現れる。本
発明者の検討により、錫と鉛の酸化膜の光電子スペクト
ルとの比較から、この変曲点より高エネルギー側の光電
子スペクトルは半田材の表面酸化膜からの光電子放出に
対応することが分かった。
【0012】この事実の確認によって、変曲点より高エ
ネルギー側のスペクトル線と、仕事関数から変曲点まで
のスペクトル線を延長した線に囲まれた三角形(任意の
基準励起エネルギーまで)の面積が、半田材の表面酸化
膜からの光電子放出強度Sに相当することが分かる。従
って、表面酸化膜からの光電子放出強度Sは図2に斜線
で示す三角形の面積として、下記数式1で求めることが
できる。
【0013】
【数1】S=m×h/2 ここで、hは半田材の表面酸化膜からの光電子放出が起
きる励起エネルギーと所望の基準励起エネルギーとの差
(eV)、mは基準励起エネルギーでの光電子イールド
と、半田材の金属部分からの光電子放出の延長線が基準
励起エネルーと交わる交点での光電子イールドとの差
(カウント/eV)であり、従ってSは無次元となる。
【0014】尚、図2のような大気雰囲気紫外線光電子
スペクトルを得るためには、半田材の材質の変動による
敷居値(仕事関数に対応する)の変化を見込み、測定デ
ータの正確性を期するために、仕事関数を示すエネルギ
ーよりも小さいエネルギーの紫外線から照射していくこ
とが必要である。この点を考慮して、半田材に照射する
紫外線のエネルギーは3.4eVから連続的に増加させ
ることが好ましい。また、表面酸化膜からの光電子放出
強度Sの誤差を少なくするために、図2に斜線で示す三
角形の面積が十分大きくなる励起エネルギー(基準励起
エネルギー)まで紫外線を照射することが望ましい。か
かる基準励起エネルギーは、装置、半田材の材質等を考
慮して適宜決定すればよい。
【0015】このように大気雰囲気紫外線光電子分光法
を用いて、同一組成で異なる酸化度の各半田材を用いて
表面酸化膜からの光電子放出強度Sを求めると共に、同
一の各半田材を従来の方法(例えばX線光電子分光法X
PS)で予め測定して表面酸化率を求めれば、表面酸化
膜からの光電子放出強度Sと表面酸化率との相対的な関
係を例えば検量線等として得ることができる。
【0016】例えば組成がPb−5%Snで表面酸化度
の異なる6種類の半田材について、上記のようにして表
面酸化膜からの光電子放出強度Sと表面酸化率をそれぞ
れ求め、両者の関係を下記表1に示すと共に、この関係
をグラフに表した検量線を図3に示した。
【0017】
【表1】 表面酸化膜からの光電子放出強度 半田材の表面酸化率(%)試料番号 S(大気雰囲気紫外線光電子分光法) (XPSによる) No.1 1.14 22.7 No.2 1.28 27.9 No.3 1.57 34.5 No.4 2.29 43.6 No.5 0.74 14.0 No.6 1.15 21.3
【0018】表1及び図3から、大気雰囲気紫外線光電
子スペクトルにより求めた半田材の表面酸化膜からの光
電子放出強度Sが、XPSにより求めた半田材の表面酸
化率に良く対応している(検量線の直線性が優れてい
る)ことが分かる。
【0019】よって、本発明に従って、予め図3の検量
線のように、表面酸化膜からの光電子放出強度Sと表面
酸化率との関係を求めておくことにより、表面酸化度が
未知の半田材試料について大気雰囲気紫外線光電子分光
法によって表面酸化膜からの光電子放出強度Sを測定す
れば、この光電子放出強度Sを予め求めた検量線等に当
てはめて、半田材試料の表面酸化度を評価することがで
きる。
【0020】
【発明の効果】本発明によれば、従来方法のように高真
空を用いる必要がないので、真空装置などの大型装置を
必要とせず、常温常圧下の大気雰囲気中や不活性ガス雰
囲気中で、簡便且つ迅速に半田材の表面酸化度を評価す
ることができる。しかも、実生産工程に近い環境での評
価ができるうえ、サンプルの大きさに制限ないので、製
品をその場で検査評価するインライン評価が可能であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法に用いる大気雰囲気紫外線光電子分
光法を示す模式図である。
【図2】半田材の大気雰囲気紫外線光電子分光スペクト
ルを示しすグラフである。
【図3】半田材表面酸化膜からの光電子放出強度SとX
PS測定から得られた表面酸化率との関係を示すグラフ
である。
【符号の説明】
1 半田材 2 紫外線 3 光電子 4 紫外線ランプ 5 モノクロメーター 6 検出器 7 紫外線光電子分光装置

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 大気雰囲気紫外線光電子分光法により半
    田材の大気雰囲気紫外線光電子スペクトルを測定し、得
    られた光電子スペクトルから当該半田材の表面酸化膜よ
    り放出される光電子の放出強度を求め、求めた光電子放
    出強度を予め求めた半田材の表面酸化率とその表面酸化
    膜より放出される光電子の放出強度との関係に当てはめ
    て、当該半田材の表面酸化率を求めることを特徴とする
    半田材の表面酸化度の評価方法。
  2. 【請求項2】 半田材に照射する紫外線のエネルギーを
    3.4eVから連続的に増加させることを特徴とする、
    請求項1に記載の半田材の表面酸化度の評価方法。
JP23646896A 1996-09-06 1996-09-06 半田材の表面酸化度の評価方法 Pending JPH1082737A (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007058117A1 (ja) 2005-11-15 2007-05-24 Omron Corporation 半田材検査装置
EP1801565A2 (en) 2005-08-25 2007-06-27 Omron Corporation Solder material test apparatus, and method of controlling the same
WO2007083488A1 (ja) * 2006-01-17 2007-07-26 Omron Corporation 半田材検査方法および半田材検査装置、制御プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2008008764A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Omron Corp 検査方法、検査装置、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体
US7531801B2 (en) 2005-02-22 2009-05-12 Omron Corporation Solder material test method and apparatus, control program and computer-readable recording medium
CN105651719A (zh) * 2016-01-21 2016-06-08 苏州大学 一种提高果胶酶活性及稳定性的超临界流体处理方法
CN106064281A (zh) * 2016-05-31 2016-11-02 韩华新能源(启东)有限公司 光伏涂锡带可焊性的快速判别方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7531801B2 (en) 2005-02-22 2009-05-12 Omron Corporation Solder material test method and apparatus, control program and computer-readable recording medium
EP1801565A2 (en) 2005-08-25 2007-06-27 Omron Corporation Solder material test apparatus, and method of controlling the same
EP1801565A3 (en) * 2005-08-25 2010-03-03 Omron Corporation Solder material test apparatus, and method of controlling the same
WO2007058117A1 (ja) 2005-11-15 2007-05-24 Omron Corporation 半田材検査装置
WO2007083488A1 (ja) * 2006-01-17 2007-07-26 Omron Corporation 半田材検査方法および半田材検査装置、制御プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2007192596A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Omron Corp 半田材検査方法および半田材検査装置、制御プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2008008764A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Omron Corp 検査方法、検査装置、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN105651719A (zh) * 2016-01-21 2016-06-08 苏州大学 一种提高果胶酶活性及稳定性的超临界流体处理方法
CN106064281A (zh) * 2016-05-31 2016-11-02 韩华新能源(启东)有限公司 光伏涂锡带可焊性的快速判别方法
CN106064281B (zh) * 2016-05-31 2018-07-20 韩华新能源(启东)有限公司 光伏涂锡带可焊性的快速判别方法

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