JPS5940649A - 有機被膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、レーザ特に長波長側に発振波長を有する半導
体レーザを効果的に吸収し、別のエネルギーに変換しう
る有機被膜に関し、詳しくは半導体１・−ザを光源とし
た電子写真方式プリンターの電子写真用感光被膜、半導
体レーザによる書込みと再生が可能な光デイスク用被膜
らるいハ赤外線カントフィルターなどに適用できる新規
な有機被膜に関する。 レーザを光源とした電子写真方式プリンターは、画像情
報に応じた電気信号に工つ−Ｃ、レーザの変調を行なわ
せ、この変調されたレーザをガルバノミラ−などによっ
て感光体」−に光走査して静電潜像を形成した後、トナ
ー現像および転写−ｋ　ｊ戯次施すことにより、所望の
再生画像を形成することができる。この際に用いられて
いたレーザは、一般にヘリウム−カドミウム（発振波長
：　４４１．６　ｎｍ）やヘリウム−ネオン（発振波長
：　６３２．８　ｎｍ）などのガスレーザであった。従
って、この様な光源に対して用いられる感光体は、６５
０　ｎｍ程度までに分光増感さノしていればよく、例え
ばポリビニルカルバゾールとトリニトロフルオレノンと
の電荷移動錯体を感光層に用いたもの、セレンによって
増感させたテルル蒸着層を感光体に用いたもの、電荷輸
送層としてセレン蕪着層を導１Ｍ、層上ＶＣ形成し。 とのセレン蒸着層上にセレン−テルル蒸着層を形成させ
たことからなる感光層を用いたもの、増感色素によって
分光増感させた硫化カドミウムを感光層に用いたもの、
また有機顔料金含有した電荷発生層と電荷輸送層に機能
分離し、その感光波長域を長波長側まで増感した感光Ｊ
―を用いたものなどが知られている。 一方、光デイスク技術で用いる記録被膜は光学的に検出
可能な小さな（例えば、約１μｍ）ピントをらせん状又
は円形のトランク形態にして、高密度情報を記憶するこ
とができる。この様なディスクに情報を書込むには、レ
ーザ感応層の表向に集束

【７たレーザを走査し、とのレ
ーザ光線が照射された表面のみがビットを形成し、この
ピントをらせん状又は円形トランクの形態で形成する。 レーザ感応層は、レーザ・エネルギー全吸収して光学的
に検出可能なピッｌ−を形成できる。例えば、ヒートモ
ード記録方式では、レーザ感応層は熱エネルギーを吸収
し、その個所に蒸発又は融解により小さな四部（ビット
）を形成できる。また、別のヒートモード記録方式では
、照射されたレーザ・エネルギーの吸収により、その個
所に光学的に検出可能な濃度差を有するピットケ形成で
きる。 この光ディスクに記録された情報は、レーザをトラック
に沿って走査し７、ビットが形成された部分とビットが
形成されていない部分の光学的変化を読み取ることによ
って検出さｌしる。例えば、１ノ−ザがトラックに沿っ
て走査さ！Ｌ１ディスクにより反射されたエネルギーが
フォトディテクターによってモニターされる。ピントが
形成されていない時、フォトディテクターの出力は低下
し、一方ビットが形成されている時はレーザ光腺は下層
の反射面によって充分に反射されフォトディテクターの
出力は大きくなる。 この様な光ディスクに用いる記録媒体として、これ−ま
でアルミニウム蒸着膜などの金部薄膜、ビスマス薄膜、
酸化テルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜など
の無慎物質奮主に用いたものが提案されている。 ところで近年レーザとして小型でしかも低コストの上、
直接変調が可能な半導体レーザが開発されていたが、こ
のレーザの発振波長が７５０ｎｍ以上の波長を有してい
ることが多い。従って、この棟な半導体レーザを用いて
記録及び（又は）再生を行なう場合には、レーザ感応被
膜の吸収特性は長波長側に吸収ピーク（一般に７５０Ｉ
ｌｎｌ〜８５０　ｎｍの領域）を有する必要があるＱし
か１２、こ′ｔ′Ｌまでのレーザ感応被膜、特に無機材
料を主成分として形成した被膜は、レーザ光に対する反
射率が高いため、レーザの利用率が低くなり、高感度特
性が得らｉＬない欠点を有【２ており、しかも感応波長
域を７５　＋］　ｎｍ以上とすることは、レーザ感応被
膜の層構成を複雑光 化したり、特に電子写真用感応被膜の場合では使用した
増感染料が繰り返し帯電−露光を行なっているうちに退
色してしまうなどの欠点を有している。 この様なことから、近年７５０ｎｍ以上の波長光に対し
て高感度特性を示す有機被膜が提案されている。例えば
、米国特許第４３１５９８３号、［Ｒｅ５ｅａｃｌｌＤ
ｉｓｃｌｏｓｕｒｅ　Ｊ　２０５１７　（１９８１，５
）　　に開示のピリリウム系染料や［Ｊ　、　Ｖａｃ　
、　Ｓｃｌ　、　Ｔｅｃｌｕｌｏｌ　＋１８　（１）　
、　Ｊａｎ、／Ｆ″ｅｔｌ　１９８４．Ｐ２Ｏ３〜Ｐ１
０９に開示のスクェアリリウム染料葡含′有（７た有機
被膜が７５０１１１７１以上のレーザに対して感応性で
あることが知られている。 し７かし、一般に有機化合物は吸収特性が長波長領域に
なるほど不安定で、わずかの温度上昇によって分解され
やすいなどの問題点を有すると同時に電子写真方式プリ
ンターあるいは光ディスクで要求される各種の特性を満
足する必要があるため、必ずしも実用性の点で十分に満
足できる有機被膜が開発されているものとけ言えないの
が現状である０ 従って、本発明のＨｘの目的は、新規且つ有用な有機被
膜を提供することにある。 本発明の嬉２の目的は、長波長側、特に７５０１１ｍ以
上に吸収螢葡もつ、ｆＪ一様被膜を提供することにある
。 本発明の第３の目的は、熱と昇華に対【２て安定な有機
被膜を提供することにある。 本発明の纂４０目的は、レーザを光源とした電子写真方
式プリンターの電子写真用感光被膜全提供することにあ
る。 本発明の第５の目的は、７５０　ｎｍ以上の波長域で高
感度な特性ケ有する電子写真用感光被膜ｆｔ提供するこ
とにある。 本発明の第６の目的は、光デイスク記録用被膜を提供す
ることにある。 本発明の第７の目的は、７５０　ｎｍ以上の波長域で高
感度であり、しかも十分なＳ／Ｎ比を有する光デイスク
記録用被膜を提供することにある。 本発明のかかる目的は、下記一般式＜１）で示される化
合物を含有する有機被膜に達成される。 一般式（１） （式中Ｒ１〜Ｉ’ｈおよびＲ４は置換基を有していても
良いフェニル基、カフナル基などのアリール基を示し、
同じであっても異っていても良い。■（１゜１６および
Ｒ，のｆ換基としては、ジエチルアミン、ジエチルアミ
ン、ジエチルアミン、ジブチルアミノ、シンエールｔミ
ノ、フェニルベンジルアミノ、ノエユルエナルアミノ等
の１ｄ換アミ７基、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジ
ニル等の環状アミノ基、メトキシ、エトキシ、ブトキシ
等のアルコキシ基があげられる。Ｒ１はＰ−フェニン／
、１１４−ナフチレン等の１ｉｌＩ接した２つの−ｃｉ
ｔ＝ｃｔｔ−基と兵役二重結合系全形成しｆ換基を有し
ていても良いアリーレン基：と示す。 置候基としては塩素１．！Ａ素、ヨーソ等の・・ロゲン
原子、メチル、エチル等のアルギル基、メトキシ、エト
キシ等のアルコキシ基があげられる。 ＡｏはＢｌ’＜０．ＣｌＯ４”、ＣＦ３００”’、ＰＦ
：ｅ、Ｃ１０，Ｂｒ０゜Ｐ等（７）　／−、ｏ　ケン原
子、Ｃｅ　Ｓ　Ｏｓｅ、　ＣＨｓ　Ｓ　Ｏｓｅ＋　Ｃｚ
）ＩｓＳＯ？：Ｃ５ＨｔＳＯｓ”　、Ｃｔ［１ｓＳＯｓ
”　、Ｃ５ＨｕＳＯｓ”、ＣａＨ＋５ＳＯａθ。 ”’＠−ｃ　　０−（３−０ ＩＣＨｔＳＯｓ　−Ｊ（２ＳＯ３、Ｃｅ　　　　ＣＩｂ
５Ｏｓ　。 θ０ｓＳＣＨｔＣＨｔ　ＯＣＨｚＣｆｂＳＯｓなどのア
ルキルジスルホン酸、％ａ　Ｓ　Ｒ２Ｃ−■＞　Ｃ■ｆ
２Ｓ　Ｏｓθ・θ０ｓＳＨｚＣ−基である。 具体的な化合物例を下記に列挙する。 八 ０１１、　ＯＨ。 （５） 串 ００Ｈ。 ０１ＪＩ（。 本発明の有機被膜は、光デイスク記録に用いることがで
きる。例えば、第１図に示す様な基板１の上に前述の有
機被膜２を形成した記録媒体とすることができる。かか
る有機波Ｍ２は、前述の化合物を真空蒸着によって形成
でき、またバインダー中に前述のポリメチン系化合物を
含有させた塗工液を塗布することによっても形成するこ
とができる。塗工によって被膜を形成する際、前述の化
合物はバインダー中に分散状態で含有されていてもよく
、あるいは非晶質状態で含有されていてもよい。好適な
バインダーとしては、広範な樹脂から選択することがで
きる。具体的には、ニトロセルロース、リン酸セルロー
ス、硫酸セルロース、酢酸セルロース、プロピオン酸セ
ルロース、ｆｌ＋［セルロース、ミリスチン酸セルロー
ス、パルミチン酸セルロース、酢酸、プロピオン酸セル
ロース、酢酸・醋酸セルロースなどのセルロースエステ
ル類、メチルセルロース、エチルセルロース、フロビル
セルロース、フロルセルロースナトのセルロースエーテ
ル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル
、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリ
ビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのビニル
樹脂類、ステレンーブタジエンコボリマー、スチレン−
アクリロニトリルコポリマー、スチレン−ブタジェン−
アクリロニトリルコポリマー、ｆｆｌ化ビニル−酢酸ビ
ニルコポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメチルメタク
リレート、ポリメチルアクリレート、ポリブチルアクリ
レート、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアク
リルアミド、ポリアクリｏニトリルなどのアクリル樹脂
類、ポリエチレンテレ７タレートなどのポリエステル類
、ポリ（４、４’−イソプロビリデンジフエニレンーコ
−１，４−シクロヘキシレンジメチレンカーボネート）
、ポリ（エチレンジオキシ−３，３’−フェニレンチオ
カーボネート）、ポリ（４，４′−イソプロピリデンジ
フェニレンカーボネートーコーテレフタレート）、ポリ
（４゜４′イソプロピリデンジフエニレンカーボネート
）、ポリ（４、４’　−ｓｅｃ〜プナリデンジフエニレ
ンカーボネート）、ポリ（４、４’−イングロピリデン
ジフエニレンカーボ＋−トーーｙロックーオキシエチレ
ン）などのボリアリレート樹１１１Ｍ、あるいはポリア
ミド類、ポリイミド類、エポキシ樹脂類、フェノール樹
脂類、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩素化ポリエチ
レンなどのポリオレフィン類などを用いることができる
。 塗工の際に使用できる有機解削は、バインダーの種類や
前述の化合物をバインダー中に含有させる際、分散状態
とするか、あるいは非晶質状態とするかによって異なっ
てくるが、一般には、メタノール、エタノール、インプ
ロパツールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド
などのアミド類、ジメナルスルホキシドなどのスルホキ
シド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレング
リコールモノメチルエーテルなどのニーデル類、酢酸メ
チム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、
トリクロルエチレンなどの脂肪族・・ロゲン化炭化水素
類あるいはベン上４トルエン、ギシレン、リグロイン、
モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類
などを用いることができる。 塗工は、ｆ！ｌ漬コーティング法、スプレーコーティン
グ法、スピンナーコーティング法、ヒートコーティング
法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーディン
グ法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング
法などのコーティング法を用いて行なうことができる。 バインダーとともに有機被膜２を形成する際前述のポリ
メチン系化合物の含有ｉＦｉ、有機破膜２中において１
〜９０重量優、好゛ましくは２０〜７０ｍｆｔ優である
。゛また、有機破膜２の乾燥膜厚あるいは蒸着膜厚は、
１０ミクロン以下、好ましくは２ミクロン以下である。 基板１としては、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリオ
レフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリア
ミド、ポリイミドなどのプラスチック、ガラスあるいは
金属類などを用いることができる。 また、本発明は、第２図に示す様に基板１と有機破膜２
の間に反射層３を設けることができる。反射層３は、ア
ルミニウム、銀、クロムなどの反射性金属の蒸着）−又
はラミネートｌ−とすることができる。 有機被膜２は、第３図に示す集束されたレーザｆ線・１
の照射によってピット５を形成することができる。ピッ
ト５の深さを有機被膜２の膜厚と同一にすると、ピット
領域における反射率を増加させることができる。絖み出
しの際、書込みに用いたレーザ光線と同一の波長を有す
るが、強度の小さいレーザ光線を用いれば、読み出し元
がピット領域で大きく反射されるが、非ピット領域にお
いては吸収される。また、別の方法は有機破膜２が吸収
する第１の波長のレーザ光線で実時間書込みを行ない、
読み出しに有機被膜２を実質的に透過する第２の波長の
レーザ光線を用いることである。読み出しレーザ光線は
、ビット領域と非ビット領域における異なる膜厚によっ
て生じる反射相の変化に応答することができる。 本発明の有機被膜は、アルゴンレーザ（発振Ｍ長４８８
ｎｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６３３ｎｍ
）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長４４２ｎｍ
）などのガスレーザーの照射によって配録することも可
能であるが好ましくは７５０ｎｍ以上の波長を有するレ
ーザ、特にガリウムーアルミニウムーヒ素半導体レーザ
（発振波長７８０　ｎ　ｍ　）などの近赤外あるいは赤
外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によって記
録する方法が適している。また、読み出しのためには、
前述のレーザ光線を用いることができる。この際、書込
みと読み出しを同一波長のレーザで行なうことができ、
また異なる波長のレーザで行なうことができる。 本発明の別の具体例では、電子写真感光体の感光層とし
て適用することができる０また、かかる感光層を電荷発
生層表電荷輸送ｌ−に機能分離した電子写真感光体にお
ける電荷発生層としても適用することができる。 電荷発生層は十分な吸光度を得るために、できる限シ多
くの前述の光導電性を示す化合物を含冶し、且つ発生し
ＩＣ電荷ギヤリアの飛程を短かくするために薄膜層、例
えば５ミクロン以下好ましくは００１ミクロン〜１ミク
ロンの膜厚をもつ薄膜層とすることが好ましい。このこ
とは、入射光重の大部分が電荷発生層で吸収されて、多
くの電荷ギヤリアを生成すること、さらに発生した電荷
キャリアを再結合や捕獲（トラップ）によシ失活するこ
となく電荷輸送層に注入する必要があることに帰因して
いる。 電荷発生層は、前述の化合物を適当なバインダーに分散
させ、これを基体の上に塗工することによって形成でき
、また真空蒸着装置によシ蒸着膜を形成することによっ
て得ることができる。電荷発生層を塗工によって形成す
る際に用いうるバインダーとしては広範な絶縁性樹脂か
ら選択でき、またポリ−Ｎ−ビニルカル・（ゾール、ポ
リビニルアントラセンやポリビニルピレンなどの有機光
導電性ポリマーから選択できる。 好ましくは、ポリビニルブチラール、ボリアリレート（
ビスフェノール人とフタル酸の縮重合体など。）ポリカ
ーボネート、ポリエステル、フエノギシ樹脂、ポリ酢酸
ビニｋ、７り’）ルｍ日旨、ポリアクリルアミド樹賎旨
、ポリアミド、ポリビニルピリジン１、セルロース系樹
脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニ
ルアルコール、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性ＪＲ
脂を挙げることができる。電荷発生層中に含有する樹脂
は、８０重量−以下、好ましくは４０重ｔＳ以下が適し
ている。 これらの＋Ｍ脂を溶解する清剤は、樹脂の種類によって
異なり、また下達の電荷輸送層中下引層を溶解しないも
のから撰択することが好ましい。具体的な有機ｍ剤とし
ては、メタノール、エタノール、イソプロパツールなど
のアルコール類、アセトン、メチルエテルケトン、シク
ロヘキサノンなどのケト／類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類
、ジメテルスルホギシドなどのスルホキシド類、テトラ
ヒドロ７ラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメ
チルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチ
ルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メテレ／、ジ
クロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなど
の脂肪族−・ロゲン化炭化水素類あるいはベンゼン、ト
ルエン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼン、
ジクロルベンゼンなどの芳香族類などを用いることがで
きる。 塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、プレードコーティング法
、ローラーコーティング法カーテンコーティング法など
のコーティング法を用いて行なうことができる。乾燥は
室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好ましい
。加熱乾燥は、３０℃〜２００℃の温度で５分〜２時間
の範囲の時間で、静止または送風下で行なうことができ
る。 電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともにこれらの電荷キャリアを表面
まで輸送できる機ｈεを有している。この際、この電荷
輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよく−ま
た、その下に積層されていてもよい。しかし、電荷輸送
層は、電荷発生ｊ−の上に積層されていることが望まし
い。 電荷輸送層における電荷キャリアを輸送する物質（以下
、単に電荷輸送物質という）は、前述の１に＃発生層が
感応する電磁波の波長域に実質的に非感応性であること
が好ましい。ここでピう「電磁波」とは、ｒ線、Ｘ線、
紫外線、可視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを
包含する広義の［光線］の定義を包含する。電荷輸送層
の尤感応性波長緘が電荷発生層のそれと一致またはオー
バーラツプする時にｔよ、両者で発生した電荷キャリア
が相互に捕獲し合い、結果的には感度の低下の原因とな
る。 電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質
があり、電子輸送性物質とし−Ｃは、クロルアニル、ク
ロモ−アニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキ
ノジメタン％２．”Ｊ、７−ドリニトロー９−フルオレ
ノン、２．４．５．７．−テトラニドｏ−９−フルオレ
ノン、２，４．７−）りニトロ−９−ジンアノメチレン
フルオレノン、２、４．５．７−テトラニトロキサント
ン、２．４．８−トリニドロチオキ′Ｖ−ントン等の重
子吸引性物質やこれら電子吸引物質を高分子化したもの
等がある。 正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エテＡ／　カル
／（ソー　ル、　Ｎ　−イ）　７”ピルカルバソール、
ＮｌｆルーＮ−フェニルヒドラジノ−３−メチリテン−
９−エナルカルパゾール、Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジ
ノ−３−メチリデン−９−エチルカルバゾール、　Ｎ、
Ｎ−ジンェニルヒトラジノー３−メチリデン−１０−エ
チルフェノデアジン、Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−
３−メチリデン−１Ｏ−エチルフェノキサジ７、Ｐ−ジ
エチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒ
ドラゾン、Ｐ−ジエチルアミノヘンズアルデヒドーＮ−
α−ナフチル−Ｎ−フェニルヒドラゾン、Ｐ−ピロリジ
ノベンズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、
１．３．３−　）リメナルイ／ドレニンーω−アルデヒ
ト−−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｐ−ジエチルベ
ンズアルデヒド−３−メチルベンズチアゾリノン−２−
ヒドラゾン等のヒドラゾンｒＡｓ　　２．５−ビス（Ｐ
−ジエチルアミノフェニル）　−１，３，４−オギサシ
゛γゾール、１−フェニル−３−（Ｐ−ジエチルアミノ
スチリル）　　５　　（ｐ−ジエチルアミノフェニル）
ピラゾリン、ｌ　　（キノリル（２））−３−（Ｐ−ジ
エチルアミノステリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフ
ェニル）ピラゾリン、】−〔ピリジル（２１）　−３−
（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチル
アミノフェニル）ピラゾリン、１−（６−メドキシービ
リジル（２１：］　−３−（Ｐ−ジエチルアミノステリ
ル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン
、ｌ−（ピリジル（２））−３−（Ｐ−ジエチルアミノ
スチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラ
ゾリン％１　　（レピジル＋２１）　−３−（Ｐ−ジエ
チルアミノステリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェ
ニルンピラゾリン、１−〔ピリジル（２））　−３−（
Ｐ−ジエチルアミノステリル）−４−メチル−ｓ　　（
１）−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、ｔ−（ピ
リジル＋２１）−３−（α−メチル−Ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−ＣＰ−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン、１〜フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノス
チリル）−４−メチル−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、１〜フェニル−３−（α−ベンジル
−Ｐ−ジエチルアミノステリル）−５−（Ｐ−ジエチル
アミノフェニル）ピラゾリン、スピロピラゾリンなどの
ピラゾリン類、２−（Ｐ−ジエテルアミノステリル）−
６−ジエチルアミノベンズオキサソー／Ｌ−、２（Ｐ−
ジエチルアミ／フェニル）−４−（Ｐ　−ジメチルアミ
ノフェニル”ｌ−５−（２−りｇロノエニール）オキ１
１ソ゛−ル等のオキツ゛ゾール糸ｒｔｓ台−′ｊ勿、２
−（Ｐ−ジエチルアミノステリル）−６−ジエカルアミ
ノペンゾチアゾール等のナアゾール系ｒヒ合物、ビス（
４−ツェナルアミノ−２−メチルフェニル）−フェニル
メタン等のトリアリールメタン糸化合物、ｌ、１−ビス
（４−１”Ｊ、Ｎ−ジエチルアミノ−２−メチルフェニ
ル）へブタン、１，１，２．２−テトラキス（４−１’
Ｊ、Ｎ〜ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）エタン
等のボリアリールアルカ７＃　　）リンエニルアミン、
ポリ−Ｎ　−ヒニルヵルハソール、ポリビニルピレン、
ポリビニルアントラセン、ポリヒニルアクリジン、ポリ
−９−ビニルノエニルγントラ七ン、ピレン−ホルムア
ルデヒド樹８凱　　エラールカルバゾールホルムアルデ
ヒド樹脂婚かりる。 これらの不機電荷輸送物質の他に、セレン、セレ／−テ
ルルアモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。 また、これらの電荷輸送物質は、１種１だは２種以上組
合せて用いることができる。 形成できる。バインダーとして使用できる樹脂は、例え
ばアクリル樹脂、ボリアリレート、ポリエステル、ポリ
カーボネート、ポリスチレンアクリロニトリルースナレ
ンコボリマー、アクリロニトリル−ブタジェンコポリマ
ー、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポ
リスルホン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素化
ゴムなどの絶縁性樹脂、めるいはポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルビレ／
などの有機光４箪性ポリマーを挙げることができる。 電荷輸送層は、電荷キャリアを輔送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般的
には、５ミクロン〜３０ミクロンであるが、好ましい範
囲は８ミクロン〜２０ミクロンである。塗工によって電
荷輸送層を形成する際には、前述した様な適当なコーテ
ィング法を用いることができる。 この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感
″Ｌ層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電
層を有する基体としては、基体自体が導電性をもつもの
、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、
ステンレス、バナジウム、モリフ”デン、クロム、チタ
ン、ニッケル、インジウム、金や白金などを用いること
ができ、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸
化インジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金な
どを真空蒸着法によつ−Ｃ被膜形成された１−を有する
プラスチック（例えばポリエチレン、ポリプロピレン、
ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリ
ル樹脂ポリフッ化エチレンなど）、導電性粒子（例えば
、カーボンブラック、銀粒子など）を適邑なバインダー
とともにプラスチックの上に破覆した基体、導電性粒子
をシラスナックや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを
有するプラスチックなどを用いることができる。 導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つＦ引ｌ−を設けることもできる。下引層は、カゼイン
、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチＬ／
ンーアクリル酸コポリマー、ポリアミド（′）−イロン
６、ナイロン６６１ナイロン６１０１共重合ナイロン、
アルコキシメチル化ナイロンなど）、ポリウレタン、ゼ
ラチン、酸化アルミニラＬなどによって形成できる０ 下引層の膜厚け、０．１ミクロン〜５ミクロン、好゛ま
しくけ０．５ミクロン〜３ミクロンが適当テある。 導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送性物質
からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要が
あり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層において
生成した電子が電荷輸送層に注入され、そのあと表面に
達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ未露光部
との間に静電コントラストが生じる。 この様にしてできた静電潜像を負荷電性のトナーで現像
すれば可視像が得られる。これを直接定后するンか、あ
乙いはトナーイ求を紙やプラスチックフィルム等に転写
後、現像し定着することができる。 また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
′ｇｌ像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現
像方法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを
採用しても良く、特定のものに限定されるものではない
。 一方％電荷輸送物質が正？Ｌ輸送物質から成る場合、電
荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光
すると露光部では電荷発生層において生成した正比が電
荷輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和
し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コント
ラストが生じる。現像時には電子輸送物質を用いた場合
とは逆に正電荷性トナーを用いる必要がある。 また、本発明の別の具体例でｔ゛土、前述のヒドラゾン
類、ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、ト
リアリールメタン類、ボリアリールアルカン類、トリフ
ェニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール類など有
機光導電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム、セレンな
どの無機光導電性物質の増感剤として前述のポリメチン
系化合物を含有させた有機被膜とすることができる。こ
の有機被膜はこれらの光導電性物質と前述の化合物をバ
インダーとともに塗工によって被膜形成される。また、
別の具体例では前述のポリメチン系化合物を含有する有
機被膜を感光層として用いることができる。 いずれの感光体においても、用いる顔料は一般式（１）
で示される化合物から選ばれる少なくとも１Ｍ類の顔料
を含有し、必要に応じて光吸収の異なる顔料を組合せて
使用した感光体の感度を高めたり、パンクロマチックな
感光体を得るなどの目的で一般式（１）で示される化合
物を２種類以上組合せたり、′または公知の染料、顔料
から選ばれ／Ｃ電荷発生物質と組合せて使用することも
ｉｆ能である。 本発明の有機被膜は、前述の光デイスク記録体や電子写
真感光体のレーザ感応被膜として用いる他に、赤外線カ
ットフィルター、太陽電池あるいは光センサーなどにも
用いることができる。太陽電池は、例えば酸化インジウ
ムとアルミニウムを電極として、これらの間に前述の有
機被膜をサン）゛イツチ構造とすることによって調製で
きる。 本発明の有機被膜は、従来のレーザ用電子写真感光体と
比較して７５０ｎｍ以−ヒの波長域で著しく高感度とす
ることができ、゛また従来Ｃ）光デイスク記録体と比較
しても高感度でしかも十分に改善されｆｃＳ／Ｎ比を与
えることができる。 ざらに、本発明で用いる化合物は、７５０　ｎｍ以上に
吸収ピークを有しているにもかかわらず熱に対して極め
て安定している利点を有している０ 以下、本発明を実施例に従って説明する。 実施例１ アルミニウムシリンダー上にカゼインのアンモニア水溶
液（カゼイン１１．２ｇ、２８％、アンモニア水ｔ　ｇ
、水２２２ｍｌ　）を浸漬コーティング法で塗工し、乾
燥して塗工ｉ　１．　Ｏｇ　／　ｎｔの下引層を形成し
た。 次に、前述の化合物点１の化合物１重量部、ブチラール
樹脂（エスレックＢＭ−２：積水化学＠製）ｉ重量部と
イソプロピルアルコール３０重量部をボールミル分散機
で４時間分散した。 この分散液を先に形成した下引層の上に浸漬コーティン
グ法で塗工し、乾燥して電荷発生層を形成した。この時
の膜厚は０，３μであった。 次に、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド〜Ｎ−フェ
ニル−Ｎ−α−ナフチルヒトラソン１皿斌部、ポリスル
ホン樹脂（Ｐ１７００：ユニオｙ　カー　ｔＺイ）’１
ＬＩＱ、ｌ　重量部とモノクロルベンセフ６重景部を混
合し、攪拌機で攪拌溶解した。この液を電荷発生層の上
に浸漬コーティング法で塗工し、乾燥して電荷輸送層を
形成した。 この時の膜厚は、１２μであった。 こうして調製した感光体に一５ｋＶのコロナ放ＩＩｔを
行なった。この時の表面電位を測定した（？７Ｊ期電位
Ｖｏ）。さらに、この感光体を５秒間暗所で放置した後
の表面電位を測定した（暗減衰Ｖ５）。 感度は、暗減衰した後の電位■をｌ／２に減衰するに必
要な露九短（Ｅ　１／２マイクロジユーノφＩ）を測定
することによって評価Ｌ−ｆｃ　ｏこの際、光源と１７
でガリウム、アルミニウム・ヒ素牛導体レーザー（発振
波長７８０ｎｍ）を用いた。これらの結果は、次のとお
りであった。 Ｅ’Ａ　：　　５．３−ｒイクロジュ−／ｌ／／ｃｔ／
１実施例２〜１３ 実施例１で用いた化合物ノに（１）の化合物をこ代えて
、第１表に示す化合物をそれぞれ用いたほかは、実施例
１と全く同様の方法で感光体を調製し、この感光体の特
性を測定した。これらの結果を第１表に示す。 第　１　表 ２　　　２　　５０５　　　４８５　　　　５．８３　
　　３　　４９５　　　４７０　　　　６．１４　　　
４　　４８０　　　４６５　　　　５．１５　　　５　
　４７５　　　４５＋１　　　　４．９６　　　６　　
４９０　　　４７ｏ　　　　　５．９７　　　７　　５
１０　　　５００　　　　６．０８　　　８　　５３０
　　　５２５　　　　６．３９　　　９　　５２０　　
　５（１５５，７１０１（］　　　５０（１４８５５，
６１１１１４９５・１７５　　　　５．２１２　　１２
　　５４＋１　　　５３５　　　　６．５１３　　１３
　　５４０　　　５３０　　　　４、（１実す出側ｔ４ 厚さ１００ミクロン厚のアルミ板上にカゼインのアンモ
ニア水溶液ｆ：塗布し、乾燥して膜厚１１ミク０／の下
引層全形成した。 次に、２．４．７−　トリニド０−９−フルオレノン５
ｇとボ’Ｊ−Ｎ−ピニルカルノ；ゾール（数平均分子！
３００，０００　）５　ｇをテトラヒドロフラン７（１
ｍ７１に浴かして電荷移’４ｂ錯化合物を形成した。こ
の電位移動錯化合物と前述の化合物ム（１）の化合物１
ｇをポリニスデル樹脂（バイロン東洋紡製）５ｇをテト
ラヒドロフラン７０ｍ１１（＝溶かした液に加え、分散
した。仁の分散液を下引層の上に乾燥後の膜厚が１２ミ
クロンとなる緑に塗布し、乾燥した。 こうして１！１製した感光体の帯電特性゛を実施例１と
同様の方法で測定し／ζ０これの結果は、次のとおりで
あった。但し、帯電極性はωとした。 Ｖｏ　　：　　＋５８０ボルト Ｖｓ　　：　　−１−５５５ボルト ｌｅｔ％ニア、２マイクロジユ一ル／ｃｕｒ実地例１５ アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアル
ミ面上に膜厚１．１ミクロンのポリビニルアルコールの
被膜全形成した。 次に、実施例１で用いた前述の化合番劇力の化合物の分
散液を先に形成したポリビニルアルコール層の上に乾燥
後の膜厚が０．５ミクロンとなる様にマｆヤーバーで塗
布し、乾燥して１に荷発生層を形成し５だ。 次に、構造式 のビラゾリン化合物５ｇとボリアリレート樹脂（ビスフ
ェノールＡとテレフタル酸−イノフタル酸の縮重合体）
５ｇをテトラヒドロフラン７０ｒｎｌに溶かした液を電
荷発生層の上に乾燥後の膜厚が１０ミクロンとなる様に
塗布し、乾燥して電荷輸送層を形成した。 こうして調りｌｊｌ、た感光体の帯電特性を実施例１と
同様の方法によって測定１．た。これの結果け、次のと
おりであった。 ｖｌ　　°　−４６０ボルト Ｖｓ’　　　４３５ボルト Ｅシイ　：５．５マー「り［１ジユール／　ｎＡ前述の
各実施例から判るとおり、本発明の電子写真感光体は、
７５０ｎｍ以上の波長域で著しい高感度特性を有すると
ともに、初期電位や暗減衰などの帯電特性に優れている
。 実施例１６ ニトロセルロース溶液（ダイセル化学工業■製；オーバ
ーレスラッカー：ニトロセルロース２５　重重９ｊのメ
チルエチルケトン＃肢）１２重ＩＢ部、前述の化合物扁
（４）の化合物３重量部およびメチルエチルケトン７０
ｆ［ＩＱ’部を混合し、子板上に浸漬コーティング法に
より塗布した後、乾燥してＱ　、　６　ｇ　／　ｒｕ”
の記録層を得た。 こうして作成１．た光デイスク記録体をターンテーブル
上に取り付け、ターンテーブルをモータで１８０　Ｏｒ
ｐｍの回転を与えながら、スポットサイズ１．０ミクロ
ンに集束した５　ｍＷおよび８　ＭＨｚのガリウムーア
ルミ二つムーヒ素半導体レーザ（発振波長７　ｇ　０　
＋１１１１　）を記録層面にトラック状で照射して記録
を行なった。 この記録された光ディスクの表面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピットが昭められた。捷た、こ
の光ディスクに低出力のガリウムーアルミニウムーヒ紫
半導体レーザを入射し２、反射光の検知を行なったとこ
ろ、十分なＳ／Ｎ比を有する波形がイｎられた。 実施例１７ 前述の化合物篇（２）の化合物５００ｍｇを蒸着用モリ
ブテンボートに入れ、Ｉ　Ｘ　１０’　ｍｍＨｇ以下に
排気ｊ−た後、アルミ蒸着ガラス板に蒸着し六。 蒸着中は真空室内の圧力が１０−”ｍｔａｋ１ｇ以上に
上昇しない様にヒーターを制御１〜ながら、０．２ミク
ロンの蒸着膜を形成させた。 こうして作成した光デイスク記録体に実施例１６と同様
の方法で情報を記憶させたところ、実施的１６と同様の
鮮明なピットが認められ、′まに実施例１６と同僚の方
法で情報を再生Ｉ−たが、この際十分なＳ／Ｎ比を有す
る波形が認められた。 実施例１８ 前述の化合物扁（８）の化合物を実施例１７と同様の方
法でアルミ蒸着ガラス板の上に蒸有して、０．２ミクロ
ンのＨ己録ノーを有する光デイスク記録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例１６と同様の方法で情報
を記憶させてから、再生またところ、十分なＳ／Ｎ比を
有する波形が認められた。又、情報を書き込みした後の
記録層面を走査型電子顕微鏡で観察］７たところ、鮮明
なピットが形成されていた。 実施例１９ 前述の化合物扁（６）の化合物を実施例１７と同様の方
法でアルミ蒸着ガラス板の一トに蒸〜して、０．２ミク
ロンの記録層を有する光デイスク記録体を作成１７た。 との光デイスク記録体に実施［Ｈ＋　１６と同様の方法
で情報を記憶させてから、再生しまたところ、十分なＳ
ｌＮ比を有する波形が認められた。父、情報を書き込み
Ｌまた陵の記録層面を走査型電子顕微鏡で観察【７たと
ころ、鮮明なピットが形成されていた。 実施例２０ 前述の化合物ＪｋＡＯ＜１４の化合物を実施例１７と同
様の方法でアルミ蒸着ガラス板の上に蒸篇して、０．２
ミクロンの記録層を有する光デイスク記録体を作成１２
ｔ（。 この光デイスク記録体に実ｈｍ例１６と同様の方法で情
報を記憶させてから、再生１〜たところ、十分なＳ／Ｎ
比を有する波形が認められた。父、情報を書き込みし、
た後の記録層面を走査型電子顕微鏡でｈｙ察ｊ７たとこ
ろ、鮮明なピットが形成されてｈた。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図ｔｔ１本発明の有機被膜を光デイス
ク記録体に用いた時の断面図で、第３図はこの光デイス
ク記録体の実施性ドロを示す説明図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 下記一般式（１）で示される化合物を含有すること全特
   徴とする有機被膜。 一般式（１） （式中、Ｒ＋　、Ｒ２およびＲ４は置換又は未置換のア
   リール基を示す。Ｒｓは置換又は未置換の７１７−・・
   基を示す・父はア＝オ〜残基である・）