JPS58214162A - 有機被膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、レーザ特に長波長側に発振波長を有する半導
体レーザを効果的に吸収し、別のエネルギーに変換しう
る有機被膜に関し、詳しくは半導体レーザを光ぶとした
鑞子写真方式プリンターの電子写真用感光被膜、半導体
レーザによる書込みと再生が可能な光ディ゛スク用被膜
あるいは赤外線カットフィルターなどに適用できる新規
な有機被膜に関する。

レーザを光源とした電子写真方式プリンターは、画像情
報に応じた電気信号によって、レーザの変調を行なわせ
、この変調されたレーザをガルバノミラ−などによって
感光体上に光走査して静電潜像を形成した後、トナー現
像および転写を順次施すことにより、所望の再生画像を
形成することができる。この際に用いられていたレーザ
は、一般にヘリウム−カドミウム（発振波長：４４１．
６ｎｍやヘリウム−ネオン（発振波長：　６３２．８ｎ
ｍ　）などのガスレーザであった。

従って、この様な光源九対して用いられる感光体は、６
５０ｎｍ程度までに分光増感されていればよく、例えば
ポリビニルカルバゾールとトリニトロフルオレノンとの
電荷移動錯体を感光層に用いたもの、セレンによって増
感させだテルル蒸着層を感光体に用いたもの、電荷輸送
層としてセレン蒸着層を導電層上に形成し、このセレン
蒸着層上にセレン−テルル蒸着層を形成させたことから
なる感光層を用いたもの、増感色素によって分光増感さ
せた硫化カドミウムを感光層に用いたもの、また有機顔
料を含有した電荷発生層と電荷輸送層に機能分離し、そ
の感光波長域を長波長側まで増感した感光層を用いたも
のなどが知られている。

一方、光デイスク技術で用いる記録被膜は、光学的に検
出可能な小さな（例えば、約１μ）ピットをらせん状又
は円形のトラック形態にして、高密度情報を記憶するこ
と・ができる。この様なディスクに情報を書込むには、
レーザ感応層の表面に集束したレーザを走査し、このレ
ーザ光線が照射された表面のみがピットを形成し、この
ピットをらせん状又は円形トラックの形態で形成する。

レーザ感応層は、レーザ・エネルギーを吸収して光学的
に検出可能なピットを形成できる。例えば、ヒートモー
ド記録方式では、レーザ感応層は熱エネルギーを吸収し
、その個所に蒸発又は融解により小さな凹部（ピット）
を形成できる。また、別のヒートモード記録方式では、
照射されたレーザ・エネルギーの吸収により、その個所
に光学的に検出可能な濃度差を有するピットを形成でき
る。

この光ディスクに記録された情報は、レーザをトラック
に沿って走査し、ピットが形成された部分とピットが形
成されていない部分の光学的変化を読み取ることによっ
て検出される。例えば、レーザがトラックに沿って走査
され、ディスクにより反射されたエネルギーがフォトデ
ィテクターによってモニターされる。ピットが形成され
ていない時、フォトディテクターの出力は低下し、一方
ピットが形成されている時はレーザ光線は下層の反射面
によって充分に反射されフォトディテクターの出力は大
きくなる。

この様な光ディスクに用いる記録媒体として、これまで
アルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、酸
化テルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜などの
無機物質を主に用いたものが提案されている。

ところで、近年レーザとして小型でしかも低コストの上
、直接変調が可能な半導体レーザが開発されているが、
このレーザの発振波長が７５００ｍ以上の波長を有して
いることが多い。

従って、この様な半導体レーザを用いて記録及び（又は
）再生を行なう場合には、レーザ感応被膜の吸収特性は
長波長側に吸収ピーク（一般に７５Ｑｎｍ〜８５０ｎｍ
の領域）を有する必要がある。

しかし、これまでのレーザ感応被膜、特に無機材料を主
成分として形成した・被膜は、レーザ光に対する反射率
が高いだめ、レーザの利用率が低くなり、高感度特性が
得られない欠点を有しており、しかも感応波長域を７５
０　ｎｍ以上とすることは、レーザ感応被膜の層構成を
複雑化したり、特にｄ子写真用感光被膜の場合では使用
した増感染料が繰り返し帯′屯−露光を行なっているう
ちに、退色してしまうなどの欠点を有している。

この様なことから、近年７５Ｑｎｍ以上の波長光に対し
て高感度特性を示す有機被膜が提案されている。例えば
、米国特許第４３１５９８３号、「几ｅｓｅａｃｈ　Ｄ
ｉｓｃｌｏｓｕｒｅ　Ｊ　２０５１７　（１９８１，５
）に開示のピリリウム系染料や［Ｊ、　Ｖａｃ、　Ｓｃ
ｌ。

Ｔｅｃｈｎｏｌ、　、　１８　（１）、　Ｊａｎ、／Ｆ
ｅｂ、　１９８１．　Ｐ２Ｏ３〜Ｐ１０９に開示のスク
ェアリリウム染料を含有した有機被膜が７５０ｎｍ以上
のレーザに対して感応性であることが知られている。

しかし、一般に有機化合物は吸収特性が長波長領域にな
るほど不安定で、わずかの温度上昇によって分解されや
すいなどの問題点を有すると同時に電子写真方式プリン
ターあるいは光ディスクで要求される各種の特性を満足
する必要があるため、必ずしも実用性の点で十分に満足
できる有機被膜が開発されているものとは言えないのが
現状である。

従って、本発明の第１の目的は、新規且つ有用な有機被
膜を提供することにある。

本発明の第２の目的は、長波長側、特に７５０ｎｍ以上
に吸収帯をもつ有機被膜を提供することにある。

本発明の第３の目的は、熱に対して安定な有機被膜を提
供することにある。

本発明の第４の目的は、レーザを光源とした電子写真方
式プリンターの電子写真用感光被膜を提供することにあ
る。

本発明の第５の目的は、７５Ｑｎｍ以上の波長域で高感
度な特性を有する電子写真用感光被膜を提供することに
ある。

本発明の第６の目的は、光デイスク記録用被膜を提供す
ることにある。

本発明の第７の目的Ｈ１７５０１ｍ以上の波長域で高感
度であり、しかも十分な８７Ｎ比を有する光デイスク記
録用被膜を提供することにあるＯ 一般弐ｍ ■へ、■ち、瓜、ｌ（４および鳥は水素原子、アルキル
基（メチル、エチル、プロピル、ブチル、アミルなど）
、アルコキシ基（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブ
トキシなど）又は置換もしくは未置換のアリール基（フ
ェニル、トリル、キシリル、ビフェニル、エチルフェニ
ル、メトキシジェニル、エトキシフェニル、クロロフェ
ニル、ジクロロフェニル、ジメチルアミノフェニル、ジ
ベンジルアミノフェニルなど）を示す。

前記一般式（１１で示される化合物の代表例を挙げると
次のとおりである。

これらの化合物は、例えば一般式 Ｒ□ （式中、Ｒ＋　、　Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲｓは前述
で定義したものと同様のものを意味する。）で示される
アズレン化合物とスクワリツク酸又はクロコン酸と適当
な溶媒中で反応させることによって容易に得ることがで
きる。

次に、前述の化合物のうち、代表的なものについて、そ
の合成法°を示す。

合成例（化合物應４） ２００ｍＪｌ三ノロフラスコに、３．４−ジヒト°口（
０，０１０５モル）と、１１−ブタノール８０ｍｌを加
え、攪拌しながら１００℃まで加熱し溶解させた。

次に、キノリン３−１１．４−シイチル−７−イツプロ
ビルアズレン４．４６　ｙ　（０，０２２５モル）およ
びベンゼン３０−を頴次フラスコ中に加え、反応ｆｆ−
開始させた。反応は９５〜１１０℃において、ベンゼン
４５１ｎＬ、ｎ−ブタノール３９ｍｊを分割添加しなが
ら、水を共沸留去させて５時間行なった。

反応液を冷却後、吸引濾過し、ｎ−ブタノール５０−、
メタノール１００　ｍｌで順次洗浄し、粗顔料を得た。

さらにテトラヒドロフラン１００−で２回煮沸濾過し、
顔料３．７１を得だ。収率７４．７　Ｎ元素分析：　　
分子式　Ｃ，Ｈ，０゜ 計算値　　　分析値 ｃ　：　８６．０２　　　８５．９１ Ｈ：　　７．２３　　　　７．３４ 溶液吸収スペクトル：クロロホルム中 λｍａｘ　＝　７７　Ｑ　ｎ＋ｎ 本発明の有機被膜は、米ディスク記録に用いることがで
きる。例えば、第１図に示す様な基板ｌのヒに前述の有
機被膜２を形成した記録媒体とすることができる。かか
る有機被膜２は、前述の化合物を真空蒸着によって形成
でき、まだバインダー中に前述の一般式（１）で示され
る化合物を含有させた塗工液を塗布することによつ°Ｃ
も形成することができる。塗工によって被膜を形成する
際、前述の化合物はバインダー中に分数状態で含有され
ていてもよく、あるいは非晶質状態で含有されていても
よい。好適なバインダーとしては、広範な樹脂から選択
することができる。具体的には、ニトロセルロース、リ
ン酸セルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、フ
ロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチン酸
セルロース、パルミチン酸セルロース、酢酸・プロピオ
ン酸セルロース、酢酸・酪酸セルロースなどのセルロー
スエステル類、メチルセルロース、エチルセルロース、
プロピルセルロース、ブチルセルロースなどのセルロー
スエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢
酸ビニル、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセター
ル、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンな−
どのビニル樹脂類、スチレンーブタジエ／コホリマー、
スチレ／−アクリロニトリルコポリマー、スチレン−ブ
タジェン−アクリロニトリルコポリマー、塩化ビニル−
酢酸ビニルコポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメチル
メタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリブチル
アクリレート、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポ
リアクリルアミド、ポリアクリロニトリルなどのアクリ
／’　ｍ　脂ａ　、ポリエチレンテレフタレートナどの
ポリエステル類、ポリ（４，４’−イソプロシリデンジ
フエニレンーコー１．４−シクロヘキシレンジメチレン
カーボネート）、ポリ（エチレンジオキシ−３，３′−
フェニレンチオカーボネート）、ポリ（４，４’−イン
グロビリデンジフエニレ／カ−ボネートーコーテレフタ
レート）、ポリ（４，４−イソプロピリデンジフ・エニ
レ／カーボネート）、ポリ（４，４’−３ＩＩＣ−ブチ
リ、デンジフェニレンカーボネート）、ポリ（４，４’
−イソプロピリデンジフェニレンカーボネート−ブロッ
ク−オキシエチレン）などのボリアリレート樹脂類、あ
るいはポリアミド類、ポリイミド類、エポキシ樹脂類、
フェノール樹脂類、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩
素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを用いる
ことができる。

塗工の際に使用できる有機溶剤は、バインダーの種類や
前述の化合物をバインダー中に含有させる際、分散状態
とするか、あるいは非晶質状態とするかによって異なっ
てくるが、一般には、メタノール、エタノール、イソプ
ロパツールなどのアルコール類、アセ・トン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノンな片のケトン・項、Ｎ、
Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトア
ミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスル
ホキシド類、テトラヒドロフチルエーテルなどのエーテ
ル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエス
テル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレ
ン、四塩化炭素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロ
ゲン化炭化水素類あるいはべ゛ンゼン、トルエン、キシ
レン、リグロイン、モノクロルベンゼン、ジクロルベン
ゼンなどの芳香族類などを用いることができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ピードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。

バインダーとともに有機被膜２を形成する際、前述の一
般式（１）で示される化合物の含有量は、有機被膜２中
において１〜９０重量％、好ましくは２０〜７０重景％
である。また、有機被膜２の乾燥膜厚あるいは蒸着膜厚
は、１０ミクロン以下−′好ましくは２ミクロン以下で
ある。

基板１としては、ポリエチレン、アクリル樹脂、ポリオ
レフィン樹脂、・フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
アミド、ポリイミドなどのプラスチック、ガラスあるい
は金属類などを用いることができる。

また、本発明は、第２図に示す様に基板ｌと有機被膜２
の間に反射層３を設けることができる。反射層３１ｄ、
アルミニウム、銀、クロムなどの反射性金属の蒸着層又
はラミネート層とすることができる。

有機被膜２け、第３図に示す集束されたレーザ光線４の
照射によってピット５を形成することができる。ピット
５の深さを有機被膜２の膜厚と同一にすると、ピット領
域における反射率を増加させることができる。読゛み出
しの際、書込みに用いたレーザ光線と同一の波長を有す
るが、強度の小さいレーザ光線を用いれば、読み出し光
がピット領域で大きく反射されるが、非ピット領域にお
いては吸収される。また、別の方法は有機被膜２が吸収
する第１の波長のレーザ光線で実時間書込みを行ない、
読み出しに有機被膜２を実質的に透過する第２の波長の
レーザ光線を用いることである。読み出しレーザ光線は
、ピット領域と非ビット領域における異なる膜厚によっ
て生じる反射層の変化に応答することができる。

本発明の有機被膜は、アルゴンレーザ（発振波長４８８
ｎｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６３３ｎｍ
）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長４４２ｎｍ
）などのガスレーザの照射によって記録することも可能
であるが、好ましくは７５Ｑｎｍ以上の波長を有するレ
ーザ、特にガリウムーアルミニウムーヒ素半導体レーザ
（発振波長７８０ｎｍ）などの近赤外あるいは赤外領域
に発振波長を有するレーザ光線の照射によって記録する
方法が適している。また、読み出しのためには、前述の
レーザ光線を用いることができる。この際、書込みと読
み出しを同一波長のレーザで行なうことができ、また異
なる波長のレーザで行なうことができる。

本発明の別の具体例では、電子写真感光体の感光層とし
て適用する。ことができる。また、かかる感光層を電荷
発生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光体にお
ける電荷発生層としても適用することができる。

・電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限
り多くの前述の光導電性を示す化合物を含有し、且つ発
生した電荷キャリアの飛程を短かくするために薄膜層、
例えば５ミクロン以下、好ましくは０．０１ミクロン〜
１ミクロンの膜厚をもつ薄膜層とすることが好ましい。

このことは、入射光量の大部分が電荷発生層で吸−収さ
れて、多くの電荷キャリアを生成すること、さらに発生
した′１荷キャリアを再結合や捕獲（トラップ）により
失活することなく電荷輸送層に注入する必要があること
に帰因している。

電荷発生層は、前述の化合物を適当なバインダーに分散
させ、これを基体の上に塗工することによって形成でき
、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成することによっ
て得ることができる。を荷発生層を塗工によって形成す
る際に用いうるバインダーとしては広範な絶縁性樹脂か
ら選択でき、またポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリ
ビニルア／トラセンやポリビニルピレンなどの有機光導
電性ポリマーがら選択できる。

好ましくけ、ポリビニルブチラール、ボリアリレート（
ビスフェノールＡとフタル酸の線取合体など。）ポリカ
ーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸
ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリ
アミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレ
タン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコ
ール、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げる
ことができる。電荷発生層中に含有する樹脂は、８０重
量％以下、好ましくは４０重量％以下が適している。

これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異
なり、また下達の′電荷輸送層や下引層を溶解しないも
のから選択することが好まし１／’ｉｏ具体的な有機溶
剤としては、メタノール、エタノール、イングロ、パノ
ールなどのアルコール類、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケト／類、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルボルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなどの
アミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類
、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコー
ルモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、
酢酸エチルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチ
レン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチ
レンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼ
ン、トルエン、キシレン、リフロイン、モノクロルベン
ゼ／、ジクロルベンゼンなどの芳香族類などを用いるこ
とができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーチインク法、ヒートコーチインク法、
マイヤーバーコーチインク法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。乾燥
は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好ま
しい。加熱乾燥は、３０℃〜２００℃の温度で５分〜２
時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なうことが
できる。

電荷輸送層は、前述の電荷発生層と心気的に接続されて
おす、電界の存在ドで電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらのＫｔ荷キャリアを
表面まで輸送できる機能を有している。この際、この電
荷輸送ＭＩ　Ｊ−ｔ　。

電荷発生層の上に積層されていてもよくまたその下に積
層されていてもよい。しかし、電荷輸送層は、電荷発生
層の上に積層されていることが望ましい。

電荷輸送層に督ける。に荷キャリアを輸送する物質（以
−ド、単に電荷輸送物質という）は、前述の電荷発生層
が感応する電磁波の波長域に実質的に非感応性であるこ
とが好ましい。ここで言う「電磁波」とは、ｒ線、Ｘａ
１紫外線、可視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線など
を包含する広義の「光線」の定義を包含する。電荷輸送
層の光感応性波長域が電荷発生層のそれと一致またはオ
ーバーラツプする時には、両者で発生した電荷キャリア
が相互に捕獲し合い、結果的には感度の低下の原因とな
る。

１荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質
があり、電子輸送性物質としては、クロルアニル、ブロ
モアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、２，４．７−ドリニトロー９−フルオレノン、
２．４．５．７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２
．４．７−）ジニトロ−９−ジシアノメチレンフルオレ
ノン、２、４．５．７−チトラニトロキサントン、２．
４．８−トリニドロチオキサントン等の電子吸引性物質
やこれら電子吸引物質を高分子化したもの等がある。

正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エチルカルバゾ
ール、Ｎ−インプロピルカルバソール、Ｎ−メチル−Ｎ
−フェニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチルカ
ルバゾール、Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−メチ
リデン−９−エチルカルバソール、Ｎ、Ｎ−ジフェニル
ヒドラジノ−３−メチリデン−１０−二チルフエノチア
ジン、Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン
−１０−エチルフェノキサジン、Ｐ−ジエチルアミノベ
ンズアルデヒドーＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｐ−
ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ−α−ナフチル−
Ｎ−フェニルヒドラゾン、Ｐ−ピロリジノベンズアルデ
ヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、１．３．３−　
）ジメチルインドレニン−ω−アルデヒド−１Ｎ、Ｎ−
ジフェニルヒドラゾン、Ｐ−ジエチルベンズアルデヒド
−３−メチルベンズチアゾリノン−２−ヒドラゾン等の
ヒドラゾン類、２，５−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）　−１，３，４−オキサジアゾール、■−フェニ
ルー３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−
ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、ｌ−〔キノリル
（２＋　］　−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−
５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ビラ“ゾリン、ｉ
−（ピリジルｆ２）　）　−３−（Ｐ−ジエチルアミノ
スチリル）−５−（、Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン、１．−［６−メドキシーピリジル（２）　］
　−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−ｓ−（Ｐ−
ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、■−〔ピリジル
（３１］　−３−（Ｐ　−ジエチルアミノスチリル）−
５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、■−
〔レピジル（２１］　−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチ
リル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、１−〔ピリジル（２）　）　−３−（Ｐ−ジエチル
アミノスチリル）−４−メチル−５（１）−ジエチルア
ミノフェニル）ピラゾリ／、１−〔ピリジル（２１］　
−３−（α−メチル−Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−
５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、■−
フ・二ニル−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４
−メチル−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾ
リン、ｌ−フェニル−３−（α−ベンジル−Ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニ
ル）ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラゾリン類
　２　　（１）−ジエチルアミノスチリル）−６−ジニ
チルアミノベンズオキサゾール、２−（Ｐ−ジエチルア
ミノフェニル）−４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）
−５−（２−クロロフェニル）オキサゾール等のオキサ
ゾール系化合物、２−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）
−６−ジニチルアミノペンゾチアゾール等のチアゾール
系化合物、ビス（４−ジエチルアミン−２−メチルフェ
ニル）−フェニルメタン等のトリアリールメタン系化合
物、１．１−ビス（４−Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ−２−
メチルフェニル）へブタン、１，１，２．２−テトラキ
ス（４−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル
）エタン等のポリアリールアルカン類、トリフェニルア
ミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、
ポリ−９−ビニルフェニルアントラセン、ピレン−ホル
ム′アルデヒド樹脂、エチル力ルバゾールホルムアルデ
ヒト樹脂等がある。

これらの有機′成荷輸、送物質の他に、セレン、セレン
−チルルアモルフ、アスシリコン、硫化カドミウムなど
の無機材料も用いることができる。

また、これらの電荷輸送物質は、１４捷たは２種以上組
合せて用いることができる。

電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リスチレンアクリロニトリル−スチレンコポリマー、ア
クリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポリ
アクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶縁性
樹脂−あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビ
ニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機光導電
性ポリマーを挙げることができる。

電荷輸送層は、電荷キャリア蕃輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般的
には、５ミクロン〜３０ミクロンであるが、好ましい範
囲は８ミクロン〜２０ミクロンである。塗工によって′
電荷輸送層を形成する際には、前述した様な適当なコー
ティング法を用いることができる。

この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感
光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。導電層
を有する基体としては、基体自体が導電性をもつもの、
例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ス
テンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、
ニッケル、インジウム、金や白金などを用いることがで
き、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金などを
真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラスチ
ック（例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化
ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂、
ポリフッ化エチレンなど）、導電性粒子（例えば、カー
ボンブラック、銀粒子など）を適当なバインダーととも
に／う・スチレンの上に被覆した基体、導電性粒子をプ
・ラスチックや紙に含浸した基体や導電性ポリマーを有
するプラスチックなどを用いることができる。

導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着（幾能を
もつ下引層を設けることもできる。下引層は、カゼイン
、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン
−アクリル酸コホリマー、ポリアミド（ナイロン６、ナ
イロン６６、ナイロン６１Ｏ１共重合ナイロン、アルコ
キシメチル化ナイロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン
、酸化アルミニウムなどによって形成できる。

Ｆ引層の膜厚は、０．１ミクロン〜５ミクロン、好１し
くは０．５ミクロン〜３ミクロンが適当である。

導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
を使用する場合において電荷輸送物質が’／［（子輸送
性物質からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する
必要があり、帯電後露光すると霧光部では電荷発生層に
おいて生成した電子が４荷輸送層に注入され、そのあと
表面に達して正電荷を中本Ｉ１１．、表面電位の減衰が
生じ未露光部との間に静１４℃コントラストが生じる。

この様にしてできた静電潜像を負荷′成性のトナーで現
像すれば可視像が得られる。これを直接定着するか、あ
るいはトナー像を祇やプラスチックフィルム等に転写後
、現像し定着することができる。

また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用
しても良く、特定のものに限定されるもので（ｌｊ：な
い。

一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場合、電荷
輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、ｐＫ光
すると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電
荷輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和
し、表面ｔに位の減衰が生じ未露光部との間に静電コン
トラストが生じる。現像時には電子輸送物質を用いた場
合とは逆に正電荷性トナーを用いる必要がある。

また、本発明の別の具体例では、前述のヒドラゾ７類、
ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、トリア
リールメタン類、ボリアリールアルカン類、トリフェニ
ルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール類など有機光
導電性物質や酸化炬鉛、硫化カドミウム、セレンなどの
無機光４１１ｉ性物質の増感剤として前述の化合物を含
有させた有機被膜とすることができる。この＋ｇ′機被
膜は、これらの光導電性物質と前述の化合物をバインダ
ーとともに塗工によって被膜形成される。また、別の具
体例では、前述の一般式（１１で示される化合物を含有
する有機被膜をＲ＆光層として用いることができる。

いずれの感光体においても、用いる顔料は一般式（１）
で示される化合物から選ばれる少なくとも１種類の顔料
を含有し、必要に応じて光吸収を高めたり、パンクロマ
チックな感光体を得るなどの目的で一般式（１）で示さ
れる化合物を２種類以上組合せたり、または公知の染料
、顔料から選ばれた電荷発生物質と組合せて使用するこ
とも可能である。

本発明の有機被膜は、前述の光デイスク記録体や電子写
真感光体のレーザ感応被膜として用いる他に、赤外線カ
ットフィルター、太＠電池あるいは光センサーなどにも
用いることができる。太陽電池は、例えば酸化インジウ
ムとアルミニウムを電極として、これらの間に前述の有
機被膜をサンドイッチ構造とすることによって調製でき
る。

本発明の有機被膜は、従来のレーザ用電子写真感光体と
比較して７５０ｎｍ以上の波長域で著しく高感度とする
ことができ、また従来の光デイスク記録体と比較しても
高感度でしかも十分に改善されたＳｌＮ比を与えること
ができる。

さらに、本発明で用いる化合物は、７５Ｑｎｍ以上に吸
収ピークを有し７ているにもかかわらず、熱に対して極
めて安定している利点を有している。

以下、本発明を実施例に従って説明する。

実施例】 アルミニウムシリンダー上にカゼインのアンモニア水溶
液（カゼイン！１．２ｇ、　２８９６’　　アンモニア
水１ｇ１水２２２　ｍｌ　）を浸漬コーティング法で塗
工し、乾燥して塗工量１．０ｇ／ｍ’の下引層を形成し
た。

次に、前述の化合物／ｒ６（／１１の化合物１重量部、
ブチラール樹脂（エスレツクＢＭ−２：１１水化学＠製
）１重量部とインゾロビルアルコール３０爪世部をボー
ルミル分散機で４時間分散した。

この分散液を先に形成した下引層の上に浸漬コーティン
グ法で塗工し、乾燥して電荷発生層を形成した。この時
の膜厚はＯ，３ミクロンであった。

次に、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ−フェ
ニル−Ｎ−α−ナフチルヒト２１７１重量部、ポリスル
ホン樹脂（Ｐ１７００：ユニオンカーバイド社製メ　１
重量部とモノクロルベンゼン６重量部を混甘し、攪拌機
で攪拌溶解した。この液を電荷発生層の上に浸漬コーテ
ィング法で塗工し、乾燥して電荷輸送層を形成した。

この時の膜厚は、１２ミクロンであった。

こうして調製した感光体に一５ＫＶのコロナ放電を行な
った。この時の表面電位を測定した（初期電位Ｖｏ）。

さらに、この感光体を５秒間暗所で放置した後の表面電
位を測定した（暗減衰Ｖｓ　）。感度は、暗減衰した後
の電位Ｖ、をｌ／２に減衰するに必要な露光量（Ｅ３／
ｉマイクロジュール／Ｃ−）を測定することによって評
価した。

この際、光源としてガリウム、アルミニウム・ヒ素半導
体レーザー（発振波長７８０１ｍ　）を用いた。こられ
の結果は、次のとおりであった。

Ｖｏ　：　　−５２０ボルト Ｖｓ　　：　　　−４８０ボルト Ｂ３，６　　：　　２．２マイクロジュール／ｄ実施例
２〜６ 実施例１で用いた化合物属（４）の化合物に代えて、第
１表に示す化合物をそれぞれ用いた＃１かは、実施例１
と全く同様の方法で感光体を調製し、この感光体の特性
を測定した。これらの結果を第１表に示す。

第　　１　　表 ３　　　化合物、（６（２）　　　−５４０−５００１
，７４化合物ｌｆ劃３）　　　−５２０−４７０２，６
５化合物ａ６（５）　　　−５３０−４９０１，８６化
合物／ｆｔ（６）　　　−５１０−４６５４，２実施例
７ 厚さ１００ミクロン厚のアルミ板上にカゼイ／のアンモ
ニア水溶液を塗布し、乾燥して膜厚１．１ミクロンのド
引層を形成した。

次に、２．４．７−　）ジニトロ−９−フルオレノ７５
　ｒ　トホＩＪ　−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平均分
子敏３００，０００　　’）５　ｔをテトラヒドロフラ
ン７Ｑｍｌに溶かして電荷移動錯化合物を形成した。こ
の電荷移動錯化合物と前述の化合物／ｆ６（４）の化合
物Ｉｆをポリエステル樹脂（バイロン：東洋紡製）５ｆ
”ｉテトラヒドロフラン７０−に溶かした液に加え、分
散した。この分散液を丁引層の上に乾燥後の膜厚が１２
ミクロンとなるで 様に塗布し、乾燥した。こうし−調製した感光体の帯電
特性を実施例１と同様の方法で測定した。これらの結果
は、次のとおりであった。但し、帯電極性は■としだ。

■ｏ：　　■４６０ボルト ■５：（→４２０ボルト ８％　：５．３マイクロジユール／　ｒａ実施例８ アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアル
ミ面上に膜厚１．１ミクロンのポリビニルアルコールの
被膜を形成した。

次に、実施例１で用いた前述の化合物１６（４）の化合
物の分散液を先に形成したポリビニルアルコール層の上
に、乾燥後の膜厚がＯ，Ｓミクロンとなる様にマイヤー
バーで塗布し、乾燥して電荷発生ｊ−４を形成した。

次に、構造式 のピラゾリン化合物５１とボリアリレート樹脂（ビスフ
ェノールＡとテレフタル酸−イノフタル酸の縮重合体）
５１をテトラヒドロフラン７０ｍｅに溶かした液をｒ民
荷発生層の上に乾燥後の膜厚が１０ミクロンとなる様に
塗布し、乾燥して電荷輸送層を形成した。

こうして調製した感光体の帯電特性を実施例Ｉと同様の
方法によって測定１−た。これの結果は、次のとおりで
あった。

Ｖｏ　：　　−５１０ボルト ＶＩｌ　：　　−４６０ボルト Ｈ３Ａ：３．２マイクロジユ一ル商 Ｍｉｌ述の各実施例から判るとおり、本発明の電子写Ａ
／ｉ８光休は、７５Ｑｎｍ以上の波長域で著しい高感度
特性を４１するとともに、初期纂１、位やｇ減衰などの
帯電特性に硯れＪいる。

実施例９ ニトロセルロース溶液（ダイセル化学工業■製；オーバ
ーレスラッカー−ニトロセルロース２５！１１％のメチ
ルエチルケト、ン溶液）１２重置部、前述の化合物、４
６（４）の化合物３取計部お上びメチルエチルケトフッ
０重量部を混合し、１−分に分散した。この分散液をア
ルミ蒸着ガラス板上に浸漬コーティング法により塗布し
た後、乾燥１７て０．６ｒ／ぜの記録層を得た。

こうして作成した光デイスク記録体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモータで１８０Ｏｒｐｍ
の回転を与えながら、スポットサイズ１．０ミクロンに
果束した５　ｍＷおよび８１１１１ｚのガリウムーアル
ミニウムーヒ素半導体レーザ（発掘波長７８０ｎ＋ｎ）
を記録層面にトラック状で照射して記録を行なった。

この記録された光ディスクの表面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピットが認められた。まだ、こ
の光ディスクに低出力のガリウムーアルミニウムーヒ素
半導体レーザを入射し、反射光の検知を行なったところ
、十分なＳ／Ｎ比を有する波形が得られた。

実施例ｉ。

前述の化合物Ａ（１１の化合物５００ｍ９を蒸着用モリ
ブチ／ポートに入れ、Ｉ　Ｘ　１０　ｍｎＨｆ以下に排
気した後、アルミ蒸着ガラス板に蒸着した。

蒸着中は真空室内の圧力が１０″ｍｍｌ４ｙ以上に上昇
しない様にヒーターを制御しながら、０．２ミクロンの
蒸着膜を形成させた。

実施例９と同様の方法で情報を再生したが、この除十分
な８７Ｎ比を有する。波形が認められた。

実施例１１ 前述の化合物面（５）の化合物を実施例１Ｏと同様の方
法でアルミ蒸着ガラス板の上に蒸着して、０６２ミクロ
ンの記録層を有する光ディスク記憶この光デイスク記録
体に実施例９と同様の方法で情報を記憶させてから、再
生したところ、十分なＳ／Ｎ比金有する波形が認ト、）
られた。又、情報を書き込みした後の記録層面を走査型
電子顕ｅ、鏡で観県したところ、鮮明なビットが形成さ
れていた。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明の有機被膜を光デイスク
記録体に用いた時の断面図で、第３図はこの光デイスク
記録体の実施態様を示す説明図である。 ｌ・・・基板、２・・・有機被膜、３・・・反射層、４
・・・レーザ光線、５・・・ビット。 特許出願人　　キャノン株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 Ｆ記一般式（１）で示される化合物を含有することを特
   徴とする有機被膜。 一般式（１） 瓜および馬、塊、塊および馬は、水素原子、アルキル基
   、アルコキシ基又は置換もしくは未置換のアリール基を
   示す。）