JPS5940650A - 有機被膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明ｖ゛１、レーザ特に長波長側に発振波長を有する
半導体レーザを効果的に吸収し、別のエネルギーに変換
しうる有機被膜に関し、詳しくは半導体レーザを光源と
した電子写真方式プリンターの′亀子写真用感光被膜、
半導体レーザによる杏込みと再生が可能な光デイスク用
被膜あるいは赤外線カットフィルターなどに適用できる
新規な有機被膜に関する。

レーザを光源とした電子写真方式プリンターは、１ＩＩ
ｊｉ像情報に応じた正電信号によって、レーザの変調を
行なわせ、この変調されたレーザをガルバノミラ−など
によって感光体りに光走査して静電潜像を形成した後、
トナー現像および転写を順次施すことにより、所望の再
生画像を形成することができる。この際に用いられてい
だレーザは、一般にヘリウム−カドミウム（発振波長：
４４１．６ｎｍ）やヘリウム−ネオン（発振波長：　６
３２．８ｎｍ　）などのガスレーザであった。

従って、この様な′＃、源に対して用いられる感光体は
、６５０ｎｍ程度捷で分光増感されていればよく、例え
ばポリビニルカルバゾールトトリニトロフルオレノンと
の電荷移動錯体を感光層に用いたもの、セレンによって
増感させたテルル蒸着層を感光体に用いたもの、重荷輸
送層としてセレン蒸着層を導電層りに形成Ｌ　、このセ
レン蒸着層上にセレン−テルル蒸着層を形成させたこと
からなる感光層を用いたもの、増感色素によって分光増
感させた硫化カドミウムを感光層に用いたもの、また有
機顔料を含有した電荷発生層と電荷輸送層に機能分離し
、その感光波長域を長波長側まで増感した感光層を用い
たものなどが知られている。

一方、光デイスク技術で用いる記録被膜は、光学的に検
出可能な小さな（例えば、約１μｍ）ピットをらせん状
又は円形のトラック形態にして、高密度情報を記憶する
ことができる。この様なディスクに情報を書込むには、
レーザ感応層の表面に集束したレーザを走査し、このレ
ーザ光線が照射された表面のみがピットを形成し、この
ピットをらせん状又は円形トラックの形態で形成する。

レーザ感応層は、レーザ・エネルギーを吸収して光学的
に検出可能なピットを形成できる。例えば、ヒートモー
ド記録方式では、レーザ感応層は熱エネルギーを吸収し
、その個所に蒸発又は融解により小さな凹部（ピット）
を形成できる。また、別のヒートモード記録方式では、
照射されたレーザ・エネルギーの吸収により、その個所
に光学的に検出可能な濃度差を有するピットを形成でき
る。

この光ディスクに記録された情報は、レーザをトラック
に沿って走査し、ピットが形成された部分とピットが形
成されていない部分の光学的変化を読み取ることによっ
て検出さ庇る。例えば、レーザがトラックに沿って走査
され、ディスクにより反射されたエネルギーがフォトデ
ィテクターによってモニターされる。ピットが形成され
ていない時、フォトディテクターの出力は低下し、一方
ピットが形成されている時はレーザ光線は下層の反射面
によって充分に反射されフォトディテクターの出力は大
きくなる。

この様な光ディスクに用いる記録媒体として、これまで
アルミニウム蒸着膜などの金属薄膜、ビスマス薄膜、醸
化テルル薄膜やカルコゲナイド系非晶質ガラス膜などの
無機物質を主に用いたものが提案されている。

ところで、近年レーザとして小型でしかも低コストの上
、直接変調が可能な半導体レーザが開発されているが、
このレーザの発振波長が７５　Ｑ　ｎｍ以上の波長を有
していることが多い。

従って、この様な半導体レーザを用いて記録及び（又は
）再生を行なう場合には、レーザ感応被膜の吸収特性は
長波長側に吸収ピーク（一般に７５０ｎｍ〜８５０ｎｍ
の領域）を有する必要がある。

しかし、これまでのレーザ感応被膜、特に無機材料を主
成分として形成した被膜は、レーザ光に対する反射率が
高いため、レーザの利用率が低くなり、高感度特性が得
られない欠点を有しておす、シかも感応波長域ｅ７５０
ｎｍ以上とすることは、レーザ感応被膜の層構成を複雑
化したり、特に電子写真用感光被膜の場合では使用した
増感染料が繰り返し帯電−露光を行なっているうちに、
退色してしまうなどの欠点を有している。

この様なことから、近年７５０ｎｍ以上の波長光に対し
て高感度特性を示す有機被膜が提案されている。例えば
、米国特許４４３１５９８３号、［Ｒｅ５ｅａｃｈ　Ｄ
ｉｓｃｚｏｓｕｒｅ　Ｊ　２０５１７（１９８１，５）
に開示のビリリウム系染料や［Ｊ、　Ｖａｃ、　８ｃｌ
。

Ｔｅｃｈｎｏｌ！、　、　１８（１）　、　Ｊａｎ、／
Ｆ’ｅｂ、　１９８１．　Ｐ　１０５〜Ｐ１０９に開示
のスクェアリリウム染料を含有した有機被膜が７５０ｎ
ｍ以上のレーザに対して感応性であることが知られてい
る。

しかし、一般に有機化合物は吸収特性が長波長領域にな
る＃丘ど不安定で、わずかの温度上昇によって分解され
やすいなどの問題点を有すると同時に電子写真方式プリ
ンターあるいは光ディスクで要求される各種の特性を満
足する必要があるため、必ずしも実用性の点で十分に満
足できる有機被膜が開発されているものとｉｄＮえない
のが現状である。

従って、本発明の第１の目的は、新規且つ有用な有機被
膜を提供することにある。

本発明の第２の目的は、長波長側、特に７５０ｎｍ以上
に吸収帯をもつ有機被膜を提供するととにある。

本発明の第３の目的は、熱と昇華に対して安定な有機破
膜を提供することにある。

本発明の嬉４の目的は、レーザを光源とした電子写真方
式プリンタ、−の電子写真用感光被膜を提供することに
ある。

本発明の第５の目的は、７５０ｎｍ以上の波長域で高感
度な特性を有する電子写真用感光被膜を提供することに
ある。

本発明の第６の目的は、光デイスク記録用被膜を提供す
ることにある。

本発明の第７の目的は、７５０ｎｍ以上の波長域で高感
度であり、しかも十分な８７Ｎ比を有する光デイスク記
録用被膜を提供することにある。

本発明のかかる目的は、下記一般式（１）で示される化
合物を含有する有機被膜に達成される。

一般式（１）ｅ ■ 攬−ＣＨ＝Ｃ’Ｈ−１１，、−ＣＨ−ＣＨ−Ｃ−０Ｈ−
ＣＨ−１（１４−ＣＩＩ−ＣＨ−瓜Ｒ１ 槃式中爬、Ｒ５および視　は置換基を有していても良い
フェニル基、ナフチル基などの了り−ル基を示し、同じ
であっても異っていても良い。

１％、ｒｔ−ａおよび馬　の置換基としては、ジメチル
アミノ、ジエチルアミノ、ジエチルアミノ、ジブチルア
ミノ、ジフェニルアミノ、フェニルベンジルアミノ、フ
ェニルエチルアミン等の置換アミノ基、モルホリノ、ピ
ペリジノ、ピロリジニル等の環状アミン基、メトキシ、
エトキシ、ブトキシ等のアルコキシ基があげられる。鴇
およヒ■−はＰ−７エニレン、１．４−ナンチレン等の
隣接した２つの一〇〇＝Ｃｌ−基と共役二重結合系を形
成し置換基を有１７てぃても良いアリーレン基を示す。

置換基としては塩素、臭素、ヨーソ等のハロゲン原子、
メチル、エチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ等
のアルコキシ基があげらｔＬる。

θ　　　　ｅ（９ Ｃ，Ｈ，８０，、Ｃ，）Ｉ、８０．　、　Ｃ４Ｈ，Ｓｏ
、　、　Ｃ，ＩＩ、、８０．　、　Ｃ，ＩＩ、、ＳＯこ
マ　　　　　　　　　　　０　　　　　　　　　　　Φ
ト　　　　　　　　　　２　　　　　　　　　　　　　
Φ　ＣＪｕ６　　　　　　　　　貴　　　　　　　　　
Ｃごピ　　　　　　　　　　ＣｌＣｌ　　　　　　　　
　郡本発明の有機被膜は、毘ディスク記録に用いること
ができる。例えば、第１図に示す様な基板ｌの上に前述
の有機破膜２を形成し７た記録媒体とすることができる
。かかる有機被膜２は、前述の化合物を真空蒸着によっ
て形成でき、またバインダー中に前述のポリメチン系化
合物を含有さすだ塗工液を塗布することによっても形成
することができる。塗工によって被膜を形成する際、前
述の化合物はバインダー中に分散状態で’Ｆｎｆｉされ
ていてもよく、あるいは非晶質状態で含−Ｈされていて
もよい。好適なバインダーとしては、広範な樹脂から選
択することができる。具体的には、ニトロセルロース、
リン１俊セルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース
、プロピオン酸セルロース、醋酸セルロース、ミリスチ
ン酸セルロース、バルミチン酸セルロース、酢酸・プロ
ピオン酸セルロース、酢酸・酪酸セルロースなどのセル
ロースエステル類、メチルセルロース、エチルセルロー
ス、フロビルセルロース、フロルセルロースナトのセル
ロ−スエーテル類、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ酢１度ビニル、ポリビニルブチラール、ポリビニルア
セタール、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリド
ンなどのビニル樹脂類、スチレンーブタジエンコホリマ
ー、スチレン−アクリロニトリルコポリマー、スチレン
−ブタジェン−アクリロニトリルコポリマー、塩化ビニ
ル−酢酸ビニルコポリマーなどの共重合樹脂類、ポリメ
チルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリブ
チルアクリレート、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸
、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリルなどのア
クリル樹月旨類、ポリエチレンテレフタレートなどのポ
リエステル類、ポリ（４，４’−イソプロビリデンジフ
エニレンーコ−１，４−７クロヘキシレンジメチレンカ
ーボネート）、ポリ（エチレンジオキシ−３，イーフェ
ニレンチオカーボネート）、ポリ（４，４−イングロビ
リデンジフエニレンカーボネートーコーテレフタレート
）、ポリ（４，４−インプロピリデンジフェニレンカー
ボネート）、ポリ（４，４’　−５ｅｃ−フチリデンジ
フエニレンカーボネート）、ポリ（４，４’−イソプロ
ピリデンジフェニレンカーボネート−フロック−オキシ
エチレン）などのボリアリレート樹脂類、あるいはポリ
アミド類、ポリイミド類、エポキシ樹脂類、フェノール
４ｕ（１ｌｉｉ　＠、ポリエチレン、ボリフ゛ロビレン
、塩素化ポリエチレンなどのポリオレフィン類などを用
いることができる。

塗工の際に使用できる有機溶剤は、バインダーの種類や
前述の化合吻全バインダー中に含有させる際、分散状態
とするか、あるいは非晶質状態とするかによって異なっ
てくるが、一般には、メタノール、エタノール、イソプ
ロパツールなどのアルコール頃、アセトン、メチルエチ
ルケト／、シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド
などのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキ
７ド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレング
リコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、クロ
ロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン、四塩化炭
素、トリクロルエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水
素類あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、リグロイ
ン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香
族類々どを用いることができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ピードコーティング法、
マイヤーノく−コーティング法、ブレードコーティング
法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法
などＪ）コーティング法を用いて行なうことができる。

バインダーとともに有（幾被膜２を形成する際、前述の
ポリメチン系化合物の含有ｔは、有機被膜２中において
１〜９０重量ガ、好ましくけ２０〜７０重吐％である。

壕だ、有機破膜２の乾燥膜厚あるいは蒸着膜厚は、１０
ミクロン以下、好ましくは２ミクロン以下である。

基板ｌとしては、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリオ
レフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリア
ミド、ポリイミドなどのプラスチック、ガラスあるいは
金属類などを用いることができる。

壕だ、本発明は、第２図に示す様に基板ｌと有機破膜２
の間に反射層３を設けることができる。反射層３日１ア
ルミニウム、銀、クロムなどの反射性金属の蒸着層又ｔ
まラミネート層とすることができる。

有機破膜２は、第３図に示す集束されたレーザ光線４の
照射によってピント５ケ形成することができる。ピット
５の深さを有機被膜２の膜厚と同一にすると、ピット領
域における反射率を増加させることができる。読み出し
の際、書込みに用いたレーザ光線と同一の波長を有する
が、強関の小さいレーザ光線を用いれば、読み出し光が
ピット領域で大きく反射されるが、非ピット領域におい
ては吸収される。また、別の方法は有機被膜２が吸収す
る第１の波長のレーザ光線で実時間聾込みを行ない、読
み出しに有機被膜２を実質的に透過する第２の波長のレ
ーザ光線を用いることである。読み出しレーザ光線は、
ピット領域と非ピット傾城における異なる膜厚によって
生じる反射相の変化に応答することができる。

本発明の有機被膜は、アルゴンレーザ（発振波長４８８
ｎｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６３３１ｍ
）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長４４２ｎｍ
）などのガスレーザーの照射によって記録することも可
能であるが、好ましくは７５Ｑｎｍ以−ヒの波長を有す
るレーザ、特にガリウムーアルミニウムーヒ素半導体レ
ーザ（発振波長７８Ｑｎｍ　）などの近赤外あるいは赤
外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射によって記
録する方法が適している。また、読み出しのためには、
前述のレーザ光線を用いることができる。この際、書込
みと読み出］〜を同一波長のレーザで行なうことができ
、また異なる波長のレーザで行なうことができる。

本発明の別の具体例では、電子写真感光体の感光層とし
て適用することができる。また、かかる感光層を電荷発
生層と電荷輸送層に機能分離した電子写真感光体に督け
る電荷発生層としても適用することができる。

電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限り
多くの前述の光導重性を示す化合物を含有し、はつ発生
した電荷キャリアの飛程を短かくするだめに薄膜層、例
えば５ミクロン以下、好゛ましくｔＪ：０．０１ミクロ
ン〜１ミクロンの膜厚をもつ薄膜層とすることが好ま（
７い。このこと１１、入射）′ｌ：ｉ１．ｔの大部分が
ｉＫ、荷発生層で吸収されて、多くの゛重荷キャリアを
生成すること、さらに発生したＥｌ！荷キャリアを再結
合や捕獲（トラップ）により失活することなく電荷輸送
層に注入する必要があることに帰因している。

電荷発生層は、前述の化合物を適当なバインダーに分散
させ、これを基体の上に塗工することによって形成でき
、塘た〆（空蒸着装置により蒸着膜を形成することによ
って得ることができる。電荷発生層を塗工によって形成
する際に用いうるバインダーとしては広範な絶縁性樹脂
７５）ら選択でき、またポリーＮ−ビニルカルノくゾー
ル、ポリビニルアントラセンやポリビニルピレンなどの
有機光導電性ポリマーから選択できる。

好ましくは、ポリビニルブチラール、ボリアリレート（
ビスフェノールＡとフタル酸の縮重合体など、ポリカー
ボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢酸ビ
ニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリア
ミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタ
ン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げるこ
とができる。゛シ荷発生層中に含有する樹脂は、８０重
琶％以下、好ましくは４０重敏％以下が適している。

これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異
なり、また下達の電荷輸送層や下引層を溶解しないもの
から選択することが好ましい。具体的な有機溶剤として
は、メタノール、エタノール、イソプロノくノールなど
のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルム
アミド、ＮｌＮ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類
、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノメ
チルエーテル−１ト（ｒ）エーテル類、酢酸メチル、酢
酸エチルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチレ
ン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレ
ンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼン
、トルエン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼ
ン、ジクロルベンゼンナトの芳香族類などを用いること
ができる。

塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。乾燥
しｔ１室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好
ましい。加熱乾燥は、３０℃〜２００℃の温度で５分〜
２時間の範囲の時間で、静止または送風下で行々うこと
ができる。

電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、′成界の存在下で電荷発生層から注入さノｔた′
Ｉに荷キャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャ
リアを表面まで輸送できる機能を有している。この際、
この電荷輸送層は、電荷発生層の上に積層されていても
よくまたその下に積層されていてもよい。しかし、電荷
輸送層は、電荷発生層の一ヒに積層されていることが望
ましい。

電荷輸送層における電荷キャリアを輸送する物質（以下
、単に電荷輸送物質という）は、前述の電荷発生層が感
応する電磁波の波長域に実質的に非感応性であることが
好ましい。ここで言うｒｗ、磁波」とけ、γ線、Ｘ線、
紫外線、可視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを
包含する広義の「光線」の定義を包含する。１に荷輸送
層の光感応性波長域が電荷発生層のそれと一致またはオ
ーバーラツプする時には、両者で発生した電荷キャリア
が相尾に捕獲し合い、結果的には感度の低下の原因とな
る。

電荷輸送物質としては電子輸送性物質と旧孔輸送性物質
があり、電子輸送性物質としては、クロルアニル、ブロ
モアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、２，４．７−ドリニトロー９−フルオレノン、
２．４．５．７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２
．４．７−　トリニトロ−９−ジシアノメチレンフルオ
レノン、２、４．５．７−テトラニトロキサントン、２
．４．８−トリニドロチオキサントン等の電子吸引性物
質／ｊ生 やこれら電子吸引、物質を高分子化したもの等がある。

正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エチルカルバゾ
ール、Ｎ−イソプロピルカルバソール、Ｎ−メチル−Ｎ
−フェニルヒドラジノ−３−メチリテン−９−エチルカ
ルバゾール、Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−メチ
リデン−９−エチルカルバゾール、Ｎ、Ｎ−ジフェニル
ヒドラジ／−３−メチリデン−１０−エチルフェノチア
ジン、Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン
−１０−エチルフェノキサジン、Ｐ−ジエチルアミノベ
ンズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、Ｐ−
ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ−α−ナフチル−
Ｎ−フェニルヒドラゾン、Ｐ−ピロリジノベンズアルデ
ヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、１．３．３−ト
リメチルインドレニン−ω−アルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフ
ェニルヒドラゾン、Ｐ−ジエチルベンズアルデヒド−３
−メチルベンズチアゾリノン−２−ヒドラゾン等のヒド
ラゾンｉ、２．５−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェニル
）　−１，３，４−オキサジアゾール、１−フェニル−
３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエ
チルアミノフェニル）ピラゾリン、ｌ−〔キノリル（２
＋　）　−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−
（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−［ピ
リジル（２）　’）　−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチ
リル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、ｌ−［６−メドキシーピリジル（２）　）　−３−
（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）　−５−（Ｐ　−ジエ
チルアミノフェニル）ピラゾリン、１−〔ピリジルｆ３
１１−３−　（Ｐ　−ジエチルアミノスチリル）−５−
（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、ｌ−〔レ
ピジル（２１］　−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル
）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、
１−〔ピリジル（２）　’］　−３−（Ｐ−ジエチルア
ミノスチリル）−４−メチル−５−（Ｐ−ジエチルアミ
ノフェニル）ピラゾリン、ｌ−（ピリジル（２＋　１−
３７（α−メチル−Ｐ　−ジエチルアミノスチリル）−
５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、ｌ−
フェニル−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−
メチル−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、１−フェニル−３−（α−ベンジル−Ｐ−ジエチル
アミノスチリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル
）ピラゾリン、スピロピラゾリンなどのピラゾリン類、
２−（Ｐ−ジェチルアミノスチリル）−６−ジニチルア
ミノベンズオキサゾール、２−（Ｐ−ジエチルアミノフ
ェニル）−４−（Ｐ−ジメチルアミノフェニル）−５−
（２−クロロフェニル）オキサゾール等のオキサゾール
系化合物、２−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−
ジニチルアミノペンゾチアゾール等のチアゾール系化合
物、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）
−フェニルメタン等のトリアリールメタン系化合物、１
．１−ビス（４−Ｎ、Ｎ−ジエチルアミン−２−メチル
フェニル）へブタン、１，１，２．２−テトラキス（４
−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）エタ
ン等のポリアリールアルカン類、トリフェニルアミン、
ボＩＪ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、
ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ
−９−ビニルフェニルアントラセン、ピレン−ホルムア
ルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹
脂等がある。

これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セレン−テ
ルル、アモルファスシリコン、個を化カドミウムなどの
無機材料も用いることができる。

ｉだ、これらの電荷輸送物質は、１種または２　′！Ｉ
ｉ以上組合せて用いることができる。

電荷輸送物質に成膜性を有していない時には、適当なバ
インダーを選択することによって被膜形成できる。バイ
ンダーとして使用できる樹脂は、例えばアクリル樹脂、
ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リスチレンアクリロニトリル−スチレンコポリマー、ア
クリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリビニルフ
ｆ　ラール、ホリヒニルホルマール、ポリスルホン、ポ
リアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶縁
性樹脂、あるいｔまポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポ
リビニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有機光
導電性ポリマーを挙げることができる。

電荷輸送層は、電荷キャリアを帖送できる限界があるの
で、必要以上［膜厚を厚くすることができない。一般的
には、５ミクロン−３ｏミクロンであるが、好ましい範
囲は８ミクロン〜２０ミクロンである。塗工によって電
荷輸送層を形成する際には、前述した様な適当なコーテ
ィング法を用いることができる。

この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感
光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。４を層
を有する基体としては、基体自体が導電性をもつもの、
例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、拒鉛、ス
テンレス、バナジウム箋モリブテン１クロム、チタン、
ニッケル、インツウＡ１金や白金などを用いることがで
き、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化イ
ンジウム、酸化錫、酸化インジウム−Ｃ償化錫合金など
を真空蒸着法によって被膜形成された層を有するグラス
チック（例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩
化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂
、ポリフッ化エチレンなど）、４酸性粒子（例えば、カ
ーボンブラック、銀粒子など）を適当なバインダーとと
もにプラスチックの上に被覆した基体、導電性粒子をプ
ラスチックや紙に含浸した基体や４１を性ポリマーを有
するプラスチックなどを用いることができる。

導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引層を設けることもできる。下引層ハ、カゼイ／、
ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−
アクリル酸コホリマー、ポリアミド（ナイロン６、ナイ
ロン６６、ナイロ７６１　Ｑ、共重合ナイロン、アルコ
キンメチル化ナイロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン
、酸化アルミニウムなどによって形成できる。

下引層の膜厚は、０１ミクロン〜５ミクロン、好ましく
け０５ミクロン〜３ミクロンが適当テある。

導・電層、゛電荷発生層、′心術輸送層の順に積１りし
た感光体を使用する場会６でおいて電荷輸送物質が′妊
子輸送性物質からなるときは、・成荷輸送層表面を正に
帯′航する必媛があり、帯・覗後露光すると露光部では
電荷発生層において生成した電子が電荷輸送層に注入さ
れ、そのあと表面に達してＩＥ電荷を中和し、表面電位
の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラストが生じ
る。

この様にしてできた静電潜ｇＩを負荷電性のトナーで現
１象すれば可視像が得られる。これを直接定着するか、
あるいけトナー像を紙やプラスチックフィルム等に転写
後、現像し定着することができる。

また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知のものや公知の方法のいずれを採用
しても良く、特定のものに限定されるものではない。

一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場合、電荷
輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、その後表面に達して負電荷を中和し
、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コントラ
ストが生じる。現像時には電子輸送物質を用いた場合と
は逆に正電荷性トナーを用いる必要がある。

また、本発明の別の具体例では、前述のヒドラゾン類、
ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、トリア
リールメタン類、ポリアリールアルカン類、トリフェニ
ルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール類など有機光
導電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム、セレンなどの
無機光導電性物質の増感剤として前述の化合物を含有さ
せた有機被膜とすることができる。この有機被膜は、こ
れらの光導電性物質と前述の化合物をバインダーととも
に塗工によって被膜形成される。また、別の具体例では
、前述のポリメチン系化合物を含有する有機被膜を感光
層として用いることができる。

いずれの感光体においても、用いる顔料に一般式（１）
で示される化合物から選ばれる少なくとも１種類の顔料
を含有し、必要に応じて光吸収の異なる顔料を組合せて
使用した感光体の感度ヲ高めたり、パンクロマチックな
感光体を得るなどの目的で一般式（１）で示される化合
物を２種類以上組合せたり、または公知の染料、顔料か
ら選ばれた電荷発生物質と組合せて使用するこ　　“と
も可能である。

本発明の有機被膜は、前述の光デイスク記録体や電子写
真感光体のレーザ感応被膜として用いる他に、赤外線カ
ットフィルター、太陽電池あるいは光センサーなどにも
用いることができる。太陽電池は、例えば酸化インジウ
ムとアルミニウムを電極として、これらの間に前述の有
機被膜をサンドインチ構造とすることによって調製でき
る。

本発明の有機被膜は、従来のレーザ用電子写真感光体と
比較して７５Ｑｎｍ以上の波長域で著しく高感度とする
ことができ、また従来の光デイスク記録体と比較しても
高感度でしかも十分に改善されたＳ／Ｎ比を与えること
ができる。

さらに、本発明で用いる化合物は、７５０ｎｍ以上に吸
収ピークを有しているにもかかわらず、熱に対して極め
て安定している利点を有している。

以下、本発明を実施例に従って説明する。

実施例１ アルミニウムシリンダー上にカゼインのアンモニア水溶
液（カゼイン１１．２ｇ、２８％　アンモニア水１ｇ、
水２２２　ｍｌ　）を浸漬コーティング法で塗工し、乾
燥して塗工９１．　Ｏｇ　／　ｎ？の下引Ｍを形成した
。

次に、前述の化合物、４（１）の化合物１重量部、ブチ
ラール樹脂（エスレツクｆ３Ｍ−２：積水化学■爬）ｍ
屯量部とインプロピルアルコール３０重量部をボールミ
ル分散機で４時間分散した。

この分散液を先に形成したＦ錆層の上に浸漬コーティン
グ法で塗工し、乾燥１〜て電荷発生層を形成した。この
時の膜厚は０３μであった。

次に、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ−フェ
ニル−Ｎ−α−ナフチルヒドラゾン１重量部、ポリスル
ホン樹脂（Ｐｉ　７００　：ユニオンカーバイド社Ｍ、
）１重量部とモノクロルベンゼン６重着部を混合ｊ〜、
攪拌機で攪拌溶解した。この液を電荷発生層の上に浸漬
コーティング法で塗工し、乾燥して電荷輸送層を形成し
た。この時の膜厚は、１２μであつ、た。

こうして調製した感光体ＶＣ−５Ｋｖのコロナ放電を行
なった。この時の表面電位を測定した（初期電位Ｖｏ　
）。さらに、この感光体を５秒間暗所で放置した後の表
面電位を測定した（暗減衰Ｖｓ　）。感度は、暗減衰し
た後の電位■、を％に減衰するに必要な露光量（Ｅ％マ
イクロジュール／ｃ２）を測定することによって計測し
た。この際、光源としてガリウム、−アルミニウム・ヒ
素半導体レーザー（発振波長７８０ｎｍ　）を用いた。

これらの結果は、次のとおりであった。

Ｖｏ　ニー４７０ボルト Ｖ、　　：　　−４４０ボルト ５％　：３．５マイクロジユ一ル／ａｌ実施例２〜１３ 実施例１で用いた化合物置（１）の化合物に代えて、第
１表に示す化合物をそれぞれ用いたほかは、実施例１と
全く同様の方法で感光体を醐製し、この感光体の特性を
測定した。これらの結果を第１表に示す。

第１表 ２　　２　　４９０　　４７０　　　　　３．３３　　
３　　５４０　　５２５　　　　　３．７４　　４　　
４７０　　４５０　　　　　３．５５　　５　　４９５
　　４８０　　　　　３．７６　　６　　５３０　　５
２０　　　　　４．４７　　７　　５００　　４８５　
　　　　４、２８　　８　　５５５　　５３５　　　　
　３．８９　　９　　５６５　　５５０　　　　　４．
５１０　　１０　　５１５　　５００　　　　　４．６
１１　　１１　　４８５　　４６５　　　　　３．５１
２　　１２　　５６０　　５５０　　　　　４．８１３
　　１３　　５０５　　４９０　　　　　３．８実施例
１４ 厚さ１００ミクロン厚のアルミ板上にカゼインのアンモ
ニア水溶液を塗布し、乾燥して膜厚１、１ミクロンの下
引層を形成した。

次に、２．４．７−　）ジニトロ−９−フルオレノン５
２とポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ｆｆ平均分子ｊｉ
　３００，０００　）５　ｆをテトラヒドロフラン７０
ｒｎｔに溶かして電荷移動錯化合物を形成した。この電
荷移動錯化合物と前述の化合物Ａ　ｆｉｌの化合物１２
をポリエステル樹脂（バイロン：東洋紡製）５Ｆをテト
ラヒドロフラン７０−に溶かした液に加え、分散した。

この分散液を下引層の上に乾燥後の膜厚が１２ミクロン
となる様に塗布し、乾燥］７た。

て こうし丸調製した感光体の帯電特性を実施例１と同様の
方法で測定した。これの結果は、次のとおりであった。

但し、帯電極性は■とした。

Ｖｏ　：＋５７０ボルト Ｖ、：＋５４５ボルト Ｅ３Ａ：　　６．０マイクロジユ一ル／Ｃ＃！実施例１
５ アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアル
ミ面上に膜厚１．１ミクロンのポリビニルアルコールの
被膜を形成した。

次に、実施例１で用いた前述の化合物、ｌ６（１）の化
合物の分散液を先に形成したポリビニルアルコール層の
五に乾燥後の膜厚が０．５ミクロンとなる様にマイヤー
バーで塗布し、乾燥して電荷発生層を形成した。

次に、構造式 のピラゾリン化合物５ｖとボリアリレート樹脂（ビスフ
ェノールＡとテレフタル酸−イノフタル酸の縮重合体）
ｓｐｙテトラヒドロフッン７〇−に溶かした液を電荷発
生ｊ−の上に乾燥後の膜厚が１０ミクロンとなる様に塗
布し、乾燥して電荷輸送層を形成した。

こうして調製した感光体の＃電特性を実施例１と同様の
方法によって測定した。これの結果は、次のとおりであ
った。

Ｖｏ　　　：　　　４５５ボルト Ｖ、　　　：　　−４３５ボルト 則／２　：　　３．０マイクロジユール／ｄ前述の各実
施例から判るとおり、本発明の電子写真感光体は、７５
０ｎｎ１以上の波長域で著しい高感度特性を有するとと
もに、初期電位や暗減衰などの帯電特性に優れている。

実施例１６ ニトロセルロース溶液（ダイセル化学工業■製；オーハ
ーレスラッカー二ニトロセルロース２５重着％のメチル
エチルケトン溶液）１２重綾部、前述の化合物／ｌ６（
４１の化合物３重址部およびメチルエチルケトン７０重
量部を混合し、十分に攪拌した。この液をアルミ蒸着ガ
ラス板上に浸漬コーティング法により塗和した後、乾燥
して０．６ｆ／ｆｆＩ′の記録層を得た。

こうして作成した光デイスク記録体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモータで１８０　Ｏｒｐ
ｍの回転を与えながら、スポットサイズ１．０ミクロン
に集束した５ｍＷおよび８　Ｍ［ｌｚのガリウムーアル
ミニウムーヒ素半導体レーザ（発振波長７８０ｎｍ　）
を記録層面にトラック状で照射して記録を行なった。

この記録された光ディスクの表面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なピットが認められた。また、こ
の光ディスクに低出力のガリウムーアルミニウムーヒ素
半導体レープを入射し、反射光の検知を行なったところ
、十分なＳ／Ｎ比を有する波形が得られた。

実施し１１７ 前述の化合物／１６（５１の化合物５００■を蒸着用モ
リブテンボートに入れ、ｌ　Ｘ　１０’＋ｎｍＨｆ以下
に排気した後、アルミ蒸着ガラス板に蒸着した。

蒸着中は真空室内の圧力が１０’ｍｍＨ７以上に卜昇し
ない様にヒーターを制御しながら、０２ミクロンの蒸着
膜を形成させた。

こうして作成した光デイスク記録体に実施例１６と同様
の方法で情報を記憶させたところ、実施例１６と同様の
鮮明なビット≠；認められ、また実施例１６と同様の方
法で情報を再生したが、この際十分なＳ／Ｎ比を有する
波形が認められた。

実施例１８ 前述の化合物／ｐ＝（８１の化合物を実施例１７と同様
の方法でアルミ蒸着ガラス板の上に蒸着して、０２ミク
ロンの記録層を有する光デイスク記録体を作成した。

この光デイスク記録体に実施＠１６と同様の方法で情報
を記憶させてから、再生したところ、十分な８／Ｎ比を
有する波形が認められた。又、情報を書き込みした後の
記録層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明な
ビットが形成されていた。

実施例１９ 前述の化合物／ｆ６０Ｉ）の化合物を実施［ＨＪ１７と
同様の方法でアルミ蒸着ガラス板の辷に蒸着して、０．
２ミクロンの記録層を有する光デイスク記録体を作成し
た。

この光デイスク記録体に実施例１６と同様の方法で情報
を記憶させてから、再生したところ、十分なＳ／Ｎ比を
有する波形が認められた。又、情報を傅き込みした後の
記録層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明な
ビットが形成されていた。

実施例２０ 前述の化合物ｙ１６０ｓの化合物を実施例１７と同様の
方法でアルミ蒸着ガラス板の一ヒに蒸着して、０．２ミ
クロンの配録層を有する光デイスク記録体を作成した。

この光デイスク記録体に実施例１６と同様の方法で情報
を記憶させてから、再生したところ、十分なＳ／Ｎ比を
有する波形が認められた。父、情報を書き込みした後の
記録層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明な
ピットが形成されていた。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明の有機被膜を光デイスク
記録体に用いた時の断面図で、第３図はこの光デイスク
記録体の実施態様を示す説明図である。 １・・・基板　　　　　　２・・・有機破膜３・・反射
層　　　　　４・・レーザ光線５・・・ピット 躬？習 躬う凹

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 下記一般式（１）で示される化合物を含有すること全特
   徴とする有機被膜。 一般式（１） ％式％ （式中、Ｒ，、Ｉｔ、およびＲ％は置換又は未置換のア
   リール基を示す。鳥および戊は置換又は装置換のアリー
   レン基を示す。Ａｌｄアニオン残基をす。）