JPS5940648A - 有機被膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、レーザ特に長波長側に発振波長を有する半導
体レーザを効果的に吸収し、別のエネルギーに変換し７
うる有機被膜に関し、詳しくは半導体レーザを光源とし
た電子写真方式プリンターの電子写真用感光被膜、半導
体レーザによる書込みと再生が可能な光ティスフ用液膜
あるいハ赤外線カントフィルターなどに適用できる新規
な有機破膜に関する３ レーザを光源とした省゛も子写真方式プリンターは、画
像情報に応じた電気信号によって、レーザの変調を行な
わせ、この変調されだレーザをガルバノミラ−などによ
って１１１Ｎ光体土に光走倉（２て静電潜像を形成した
＋＆、ｌ・ナー現像および転写を順次施すことにより、
所望の盲生画像を形成することができる。この際に用い
られていたレーザｌ土、一般にヘリウム−カドミウム（
発振波長：　４４１．６ｎｍ　　）やヘリウム−オオン
（発振θλ長’　６３２．８ｎｍ　）などのガスレーザ
であった。従って、この様な光源に対１〜て用いられる
感光体はｓ６５０ｎｍ程度捷でに分光増感されていれば
よく、例えはポリビニルカルバゾールとトリニトロフル
オｌ／ノンとの電荷移動錯体を感光層に用いたもの、セ
レンによって増感させたテルル蒸着層を感光体に用いた
もの、電荷輸送層としてセレン蒸着層を導電層上に形成
し、とのセレン蒸着層上にセレン−テルル類に層を形成
させたことからなる感光層を用いたもの、増感色累によ
って分光増感させた硫化カドミウムを感光層に用いたも
の、また有機顔料を含有した電荷発生層と電荷輸送層に
機能分離し、その感光波長域を長波長１１１１１まで増
感した感光層を用いたものなどが知られている 一方、光デイスク技術で用いるム己録被膜は、光学的に
検出可能な小さな（例えば、約１μリビツトをらせん状
又は円形のトランク形態にして１周密度情報を記憶する
ことができる。この様なディスクに１＃？報を１込むに
は、レーザ感応層の表面に集束したレーザを走査し、と
のレーザ光線が１１ハ射された表面のみがビットを形成
し。 このビットをらせん状又は円形トラックの形態で形成す
る。レーザ感応層は、レーザ・エネルギーを吸収して光
学的に検出可能なビットを形成できる。例えは、ヒート
モード記録方式ではレーザ感応層は熱エネルギーを吸収
し、その個所に蒸発又は融解によシ小さな凹部（ビット
）を形成できる。また、別のヒートモード記録方式では
、照射されたレーザ・エネルギーの吸収により、その０
４所に光学的に検出可能な淵「区差を有するビットを形
成できる。 この光ディスクに記録された情報は、レーザをトラック
に酎って走Ｆｄｆ　Ｌ、　、ビットが形成されたｉｌｆ
分とビットが形成されていない部分の光学的変化を読み
取ることによって検出される。例えに、レーザがトラッ
クに滑って走査され、ディスクにより反射されたエネル
ギーがフォトディテクターによってセニターされる。ビ
ットが形成されていない時、フォトディテクターの出力
は低下し、一方ビットが形成されている時はレーザ光線
は下層の反射面によって充分に反射されフォトディテク
ターの出力は犬きくなる。 この様な光ディスクに用いる記録媒体として。 これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄膜。 ビスマス薄１１６Ｌ、ｆ！＆化テルル＃　ＩＦやカルコ
ゲナイド系非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いた
ものが提案されている。 ところで、近年レーザとして小型でしかも低コストの上
、直接変調がＩ′ＩＪ化な半尋体レーザがｈｑされてい
るが、このレーザの発振波長が７５００（１１以上の波
長を有していることが多い。従って。 この様々半専体レーザを用いて記録及び（又は）再生を
行なう場合には、レーザ感応被験の吸収ｑ！ｉ性は長波
長側に吸収ピーク（一般に７５０　ｎｍ〜８５０　ｎｒ
ｎの領域）を有する必要がある。 しかし、これまでのレーザ感応層Ｈ＝ｓ％に無機Ｈ料を
主成分として形成した被膜は、レーザ光に対する反射率
がぬいため、レーザの利用率が低くなり、高感度特性が
得られない欠点を有しており、しかも感応波長域を７５
０　ｎｍ以上とすることは、レーザ感応被膜の層構成を
複雑化したり、特に電子写真用感光被験の場合では使用
した増感染料が縁り返し帯知１−鞘光を行なっているう
ちに、退色してしまうなどの欠点を有している。 この様なことから、近年７５０　ｎｍ以−ヒの波長光に
対して高感間特性を示す有機被膜が提案されている。例
えば、米国特許第４３１５９８３号。 ［Ｒｅ５ｅａｃｈ　ＤｉｓｃｊｏｓｕｒｅＪ２０５１７
　（１９８１−５）に開示のピリリウム系染料や［Ｊ、
Ｖａｃ、Ｓｃｊ、ＴｅｅｈｎｏｊＩｇｌ）、Ｊａｎ、／
１Ｆｅｂ、　１９８１．Ｐ２Ｏ３−Ｐ１１１９　　に開
示のスフエアリ１フウム染料を含有した有機被膜が７５
０ｎｍ以上のレーザに対して感応性でおることが知られ
ている。 しか（１、一般に７ｆ３機化合物は吸収特性が長波長領
域になるほど不安定で、わずかの温度上昇によって分解
されやすいなどの問題点を有すると同時に１に子写真方
式プリンターあるいは光ディスクで要求される各種の特
性を満足する必要があるため、必ずしも実用性の点で十
分に満足できる有（幾被膜が開発されているものとは言
えないのが現状である。 従って、本発明の第１の目的は、新規且つ有用な有機被
膜を提供することにｐ）る。 本発明の第２の目的は、長波長ｆｌｌｌ１％特に７５０
ｎｍ以上に吸収帯をもつ有機被膜を提供することにある
。 本発明の第３の目的は、熱と昇華に対して安定な有機液
ＩＩぐ（全提供することにある。 本発明の第４の目的は、レーザを光源とした電子写真方
式プリンターの電子写真用感光被膜を提供することにあ
る。 本発明の嬉５の目的はｍ７５０ｏｍ以上の波長域で高感
度な特性を有する電子写真用感光被膜を提供することに
ある。 本発明の第６の目的は、光デイスク記録用被膜を提供す
ることにある。 本発明の第７の目的は、７５０ｎｍ以上の波長域で高感
度であり、しかも十分なＳ／Ｎ比を有する光デイスク記
録用被膜を提供することにある。 本発明のかかる目的は、下記一般式（りで示される化合
物を含有する有機被膜に達成される。。 一般式（１） ％式％ （式中Ｒ１および１６は置換基を有していても良いフェ
ニル基、ナフチル基などのアリール基ヲ示し、同じであ
っても異っていても良い。Ｒ１およびＲｓの置換基とし
ては、ジメチルアミノ。 ジエチルアミノ、ジグロビルアミノ、ジブチルアミノ、
ジフェニルアミノ、フェニルベンジルアミノ、フェニル
エチルアミノ等の置換アミン基、モルホリノ、ピペリジ
ノ、ピロリジニル等の環状アミノ基、メトキシ、エトキ
シ、ブトキシ等のアルコキシ基があけられる。Ｒｓｔｄ
、　Ｐ　　フェニレン、ｌ、４−ナフチレン等の１４接
した２つの−Ｃｌ　＝　ＣＨ−基と共役二重結合系を形
成し置換基を有していても良いアリーレン基を示す。 置換基としては塩素、臭素、ヨーク等のハロゲン原子、
メチル、エチル等のアルキル基、メトキシ、エトキシ咎
のアルコキシ基があげられる。 ＡｅハＢＦ４ｅ、ｃｌｏ４ｅ、。Ｆ、。。。ｅ、ＰＦ６
θ、ｃ、ｅ。 ｅ　　θ Ｂｒ　、　Ｉ　　等ノハロゲン原子、ＣＩＢＯｓ　、　
ＣＨｓＳＯ富。 ＣｓＨｍＳＯｓ　、　Ｃ５ＫｖＳＯｓ　　、　ＣａＨＪ
Ｏ＊　　、　Ｃ５ＨｕＳＯａ　　ＩＣａＨｌｓＳＯｓ　
　、　ＣＨｓＣＨＣＪＳＯｓ　　、　ＣＪＣＨｉＣＨｍ
ＳＯｓ　　。 晶　　ｅ　　θ０−ｅ ｃａ、　　＞ＣＨ−ＳＯｓ　　　　、　　ＩＣＨ＊ＳＯ
ｓ　　　　、　　　　　　　　　　　ＣＨｉＳＯｓ　　
　　。 Ｇｃ’口・　θ０ｅ ＣＩ　　　　ＪＯｓ　　、　　　　ＣＨ＊ＣＨＪＯｓ　
など（Ｄ’７にキルスルホン酸、ｅｏ、８　ＣＨ，８０
ｓｅ　、θ０３８ＣＩ、Ｃ１１，ｓｏ、ｅ１ｅ０，８　
（０Ｌ）ａ８０ａｅｌｅＯＪＣＩＬＣＨａ　ＯＣＨｈＣ
ＨＪＯａθナトＯアルキルジスルホ／酸、 ジスルホン酸などのアニオン残基である。 、、、／ ／′ ／ 詔 牲　　三　　　　　　　　　芭　　　　　　　　邑→ 工　田 ＣＪＱ 守　　　　　　但　　　　　　色　　　　　　ｐ＼　／ 本発明の有機破膜は、光デイスク記録に用いることがで
きる。例えば、第１図に示す様な基板】の上に前述の有
機被膜２を形成した記録媒体とすることができる。かか
る有機破膜２は、前述の化合物を真空蒸着によって形成
でき、またバインダー中に前述のポリメチン系化合物を
含有させた塗工液を塗布することによっても形成するこ
とができる。塗工によって被膜を形成する際、前述の化
合物はバインダー中に分散状帖で含有されていてもよく
、あるいは非Ｊｆｉ　（ｍ状伸で含有されていてもよい
。好適なバインダーと

【２てＶｔ１広範な樹脂から選択
することができる。Ａ体的にハ、ニトロセルロース、リ
ン酸セルロース、硫酸セルロース、酢酸セルロース、プ
ロピオン酸セルロース、酪酸セルロース、ミリスチン酸
セルロース、バルミナン酸セルロース、酢酸・プロピオ
ン酸セルロース、酢酸・酪「賃セルロースナトのセルロ
ースエステル類、メザルセルロース、エチルセルロース
、プロビルセル口・〜ス、ブチルセルロースナトのセル
し１−スエーテル類、ボリスチｌ／ン、ポリ塩化ビニル
、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチラール、ポリビニル
アセタール、ポリビニルアルコ−／ヘ　ポリビニルピロ
リドンなどのビニル樹脂類、ステレンーブタジエンコボ
リマー、スチレン−アクリロニトリルコポリマー、スチ
レン−ブタジェン−アクリロニトリルコポリマー、ｊＨ
化ビニル−酢酸ビニルコポリマーなどの共徂合樹脂類、
ポリメチルメタクリレ−１・、ポリメチルアクリレート
、ポリプナルアクリレー　ト、ポリアクリル酸、ポリメ
タクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリ
ルなどのアクリル樹脂類、ボリエ子しンテレフタレート
などのポリエステル類、ポリ（４，４’−イングロビリ
デンジフェニレンーコ−１，４−シクロ−・キンレンジ
メチレンカーボネート）、ポリ（エチレンジ珂キシー３
，３′−フェニレン−ｆ−才力−ボネート）、ポリ、　
（４，４’−イソゾロビリデンジフェニレンヵーボネー
トーコーテレフタレート）、ポリ（４，４’−イングＩ
コピリデンジフエニレンカーホ゛＋−）　Ｌ　　ボ＋）
（４゜４’−５ｅｅ−ブナリデンジフエニレンカーボネ
ート）、ポリ（４，４’−イソプロビリデンジフエニレ
ンカーボイートーブロノク−オキシエチレン）ナトのボ
リアリレート樹脂類、あるいはポリアミド類、ポリイミ
ド類、エポキシ樹脂類、フェノール４６４１１＃　Ｍ　
、ポリエチレン、ボリブｒコビレン、塩素化ポリエチレ
ンなどのポリオレフィン類などを用いること、〉；でき
る。 塗工の際に使用できる有機溶剤ｉｔ、バインダーの種類
や前述の化合物をバインダー中に含有させる際、分散状
態とするか、あるいは非晶質状態とするかによって異な
ってくるが、一般には、メタノール、エタノール、イン
ゾロパ／　−ルなどのアルコール類、アセトン、ブチル
エテルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ、
Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジブチルアセトア
ミドなどのアミド類、ジメナルスルホギシドなどのスル
ホキシド類、テトラヒドロ７２ン、ジオキナン、エチレ
ングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢
酸ブチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、
クロロホルム、ｔｘ化メチレン、ジクロルエチレン、四
塩化炭素、トリクロルエチレンなどの１１）７肪族・・
ロゲン化炭化水素類あるいけベンゼン、トルエン、キル
ン、リグ「ｌイン、モノクロルベンゼン、ジクロルベン
ゼンなどの痔香族類などを用いることができる。 塗工ば、浸漬コーディング法、スプＬ／−コーディング
法、スピン太−コーティング法、ビードコーティング法
、マイヤーバーコーティング法、ブＬ／−トコーティン
グ法、ローラーコ・−ティング法、カーテンコーティン
グ法などのコーティング法を用いて行なうことができる
。 バインダーとともに有機被膜２を形成する際、前述のポ
リメチン系化合物の含有量は、有機板ｎｆＡ　２中にお
いて１〜９０市址％、Ｈ４しくけ２０〜７０重Ｍ％であ
る。また、有機被膜２の乾燥膜厚あるいは蒸着膜厚は、
１０ミクロン以下、好ましく　ｉ、ｉ：２ミクロン以下
である１、基板１としては、ポリエステル、アクリル樹
１ｊ「、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキ
シ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチック、
ガラスあるいけ金属類などを用いることができる。 また、本発明は、編２図に示す様ＶＣ基板１と有機被膜
２の間に反射層３を設けることができる。反射層３け、
アルミニウム、銀、クロムなどの反射性金属の蒸着層又
はラミネートノーとすることができる。 有機被膜２は、第３図に示す集束されたレーザ光線４の
照射によってビット５を形成することができる。ビット
５の深さを有機被膜２の膜厚と同一にすると、ビット領
域における反射率を増加させることができる。読み出し
の際、書込みに／、１（いたレーザ光線と同一の波長を
有するが、強度の小さいレーザ光線を用いれば、読み出
し２光がピット領域で大きく反射されるが、非ビット領
域においては吸収される。゛また、別の方法は有機被膜
２が吸収する第１の波長のレーザ光線で実時間書込みを
行ない、読み出しに有機被膜２を実質的に透過する第２
の波長のレーザ光線を用いることである。読み出しレー
ザ光線は、ピット領域と非ビット領域における異なる膜
厚によって生じる反射用の変化に応答することができる
。 本発明の有機被膜ｒよ、アルゴンレーザ（発振波長４８
８ｎｍ）、ヘリウム−ネオンレーザ（発振波長６３３　
ｎｍ　）、ヘリウム−カドミウムレーザ（発振波長４４
２　ｎｍ　）などのガスレーザーの照射によって記録す
ることも可能であるが、好−１しくけ７５０　ｎｍ以上
の波長を有するレーザ、特にガリウムーアルミニウムー
ヒ素半導体レーザ（発振波長７８　ｎ　ｎｍ　）などの
近赤外あるいは赤外領域に発振波長を有するレーザ光線
の照射によって記録する方法が遠しでいる。また、読み
出し４１）ためには、Ａｒ１述のレーザ光線を用いるこ
とができる。この際、曹込みと読み出しを同一波長のレ
ーザで行なうことができ、また異なる波長グ）１ノ−ザ
で行なうことができる。 本発明の別の具体例でＱｌ、市子写貞感光体の感光層と
して適用することができる。また、かかる感光層を゛電
荷発生層と電荷輸送層に機能分ｈｔ１ｔ、た重子写真感
光体における電荷発生層としても適用することができる
。 ′電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、でべろ限
り多くの前述の光導電性を示す化合物を含有１〜、且つ
発生した電荷キャリアの飛程を短かくするために薄膜層
、例えば５ミクロン以下、好ましくは０．０１ミクロン
〜１ミクロンの膜厚をもつ薄膜層とすることが好ましい
。このことは、入射光址の大部分が電荷発生層で吸収さ
れて、多くの電荷キャリアを生成すること、さらに発生
した電荷キャリアを再結合や捕獲（トラップ）により失
活することなく電荷輸送層に注入する必要があることに
帰因している。 電荷発生層に、前述の化合物を適癌なバインダーに分散
させ、これを基体の上に塗工することによって形成でき
、また真空蒸着装置により蒸着層を形成することによっ
て得ることができる。電荷発生Ｊ―を塗工によって形成
する際に用いうるバインダーとしては広範な絶縁性樹脂
から選択でき、またポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポ
リビニルアントラセンやポリビニルピレンなどの有機光
導電性ポリマーから選択できる。 好ましくは、ポリビニルアルコ−ル、ボリアリレート（
ビスフェノールＡと７タル酸の縮重合体など。）、ポリ
カーボネート、ポリエステル、フエノギシ樹脂、ポリ酢
酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポ
リアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウ
レタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアル
コール、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げ
ることができる。電荷発生層中に含有する樹脂は、８０
重景％以下、好ましくは４０重量％以下が適している。 これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類ｒｃよって
異なり、“また下達の電荷輸送層や下引層を溶解しない
ものから選択することが好ましい。具体的な有機溶剤と
しては、メタノール、エタノール、イソプロパツールな
どのアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサノンなどのケトン類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド
類、ジメチルスルホキシド々どのスルホキシド類、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールモノ
メチルエーテルナトのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エ
チルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、
ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレンな
どの脂肪族ノ・ロゲン化炭化水素類あるいはベンゼン、
トルエン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼン
、ジクロルベンゼンなどの芳香族類などを用いることが
できる。 塗工け、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーパーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どのコーティング法を用いて行なうことができる。乾燥
は、室温における指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好ま
しい。加熱乾燥をよ、３０″Ｃ〜２００°Ｃの温度で５
分〜２時間の範囲の時間で、静止または送風下で行なう
ことができる。 電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷
輸送層は、電荷発生層の上に積層されていてもよくまた
その下に積層されていてもよい。しかし、電荷輸送層は
、電荷発生層の一トに積層されてｂることが望ましい。 電荷輸送層における電荷キャリアを輸送する物質ｃ以下
、単に電荷輸送物質という）は、前述の電荷発生層が感
応する電磁波の波長域に実質的に非感応性であることが
好−ま（２い。ここで百う［電磁波１とは、γ線、Ｘ線
、紫外線、可視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線など
を包含する広義の「光線」の定義を包含する。電荷輸送
層の光感応外波長城が電荷発生層のそれと一致またはオ
ーバーラツプする時には、両者で発生１７た電荷ギヤリ
アが相互に捕獲１２合い、結果的には感度の低下の原因
となる。 電荷輸送物質としてＦｉ電子輸送性物質と正孔輸送性物
質があり、電子輸送性物質としては、クロルアニル、ブ
ロモアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノ
ジメタン、’２＋４１７−ドリニトロー９−フルオレノ
ン、２，４，５．７−テトラニトロ−９−フルオレノン
、２，４．７−ドリニトロー９−ジシ゛γノメテレンフ
ルオレノン、２、４．５．７−チトラニトロキサントン
、２．４゜８−トリニドロチオキサントン等の電子吸引
性物ｉｔやこれら電子吸引物質を高分子化したもの停が
ある。 正孔輸送性物ノ１４ｔとしては、ピレン、Ｎ−エチルカ
ルハソ・−ル、Ｎ−イソプロピルカルバソール、Ｎ−メ
チル−Ｎ−フェニルヒドラジノ−３−メチリテン−９−
エチルカルバゾール、Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−
３−メチリデン−９−エテルカルバゾール、Ｎ、Ｎ−ジ
フェニルヒドラシノー３−メチリデン−１０−エチルフ
ェッチアシン、Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−メ
チリデン−１０−エチルフェノキサジン、Ｐ−ジエチル
アミノベンズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾ
ン、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒドーＮ−α−す
７チルーＮ−７エニルヒドラゾン、Ｐ−ピロリジノベン
ズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、１，３
．３−）ジエチル・インドレニン−ω−アルデヒド−Ｎ
、Ｎ−ジフェニルｌニドラン゛ン、Ｐ−ジエチルベンズ
アルデヒド−３−メチルベンズチアゾリノン−２−ヒド
ラゾン等のヒドラゾン類、２．５−ビス（Ｐ−ジエチル
アミノフェニル）−１，３，４−；ｔキサジアゾール、
１−　フェニル−３−（Ｐ−ジエチルアミノステリル）
　−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、
１−Ｃキノリル（２）〕−３−（Ｐ−ジエチルアミノス
チリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾ
リン、１−ｒピリジル（２）’ｌ−３−（Ｐ−ジエチル
アミノステリル）−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル
）ピラゾリン、１−〔６−メドキシーピリシル（ｚｌｌ
−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−ジ
エチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−「ピリジル（
８１１−３−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（
Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−Ｃレピ
ジル（２１］−３−（Ｐ−９エチルアミノスチリル）−
５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−
〔ピリジル（２）　］　−３−（Ｐ−ジエチルアミノス
チリル）−４−メチル−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル（２））−３−（α
−メチル−Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（Ｐ−
ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−フェニル−
３−（））−ジエチルアミノスチリル）−４−メチル−
５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−
フェニル−３−（α−ベンジル−Ｐ−ジエチルアミノス
チリルｌ−５−（Ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾ
リン、スピロピラゾリンなどのピラゾリン類、２−（Ｐ
−ジエチルアミノスチリル）−６−ジニチルアミノベン
ズオキサソ・−ル、２−ＣＰ−ジエチルアミノフェニル
）−４−（Ｐ−ジメチルアミノフェニル）−５−（２−
クロロフェニル）オキサゾール等のオキサゾール系化合
物、２−（Ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジニチ
ルアミノペンゾチアゾール等のチアゾール系化合物、ヒ
ス（４−シ：ｒ−チルアミノー２−メチルフェニル）−
フェニルメタン等のトリアリールメタン系化合物、］　
＋　１−ビス（４−Ｎ、Ｎ−ジエチルアミン−２−メチ
ルフェニル）へブタン、１．１．２．２−ｆ　）ラ−？
／／ ス（４−Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル
）エタン等のボリアリールアルカン類、トリフェニルア
ミン、ポリーＮ−ビニルカルノ（ゾール、ポリビニルピ
レン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン
、ポリ−９−ビニルフェニルアントラセン、ピレン−ホ
ルムアルデヒド樹脂、エチルカルバソールホルムアルデ
ヒド これらの有機電荷６送物質の他に、セレン、セし／ンー
テルルアモルファスシリコン、硫化カドミウム々どの無
機材料も用いるこｋができる。 −２ｆ？：、これらの電荷輸送物質は、１種または２種
以上組合せて用いることができる。 電荷輸送物質Ｖ（成膜性を有していない時には、適当な
バインダーを選択することによって被膜形成できる。バ
インダーとして使用できる樹脂１．１、例えばアクリル
樹脂、ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリステレン、アクリロニトリル−スチレンコポリ
マー、アクリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルポルマール、ポリスルホ
ン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなど
の絶縁性樹脂、あるいけポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有
機光導電性ポリマーを皐げることができる。 ′に荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界がある
ので、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般
的には、５ミクロン−３ｏミクロンであるが、好ましい
範囲ｔす８ミクロン〜２０ミクロンである。塗エンこよ
って電荷輸送層を形成する際には、前述＋、ｋｍな適当
なコーティング法を用いることができる。 この（羞々電荷発生層と重荷輸送層の積層構造からなる
感光層は、導電層を有する基体の上に設けられる。４電
層を有する基体としては、基体自体が導電性をもつもの
、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、鋼、亜鉛、
ステンレス、バナジウム、モリブテン、クロム、チタン
、ニッケル、インジウム、金や白金などを用いることが
でき、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸化
インジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金など
を真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラス
ナック（例えばポリエチレン、ボリゾロビし・ン、ポリ
塩化ビニル、ポリエチレンテレフタし／−ト、アクリル
樹脂、ポリフッ化エチレンなど）、導電性粒子（例エバ
、カーボンフ゛ラック、蝉、！才１シイなど）を適当な
バインダーとともにシラスナックの上に被膜１、た基体
、導″屯性粒子をプラスチックや紙に含浸（また基体や
導電性ポリマーを有するプラスチックｈどを用いること
ができる。 導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着（攪能り
・もつ下引層を設けることもできる。下引ｋｌ　ｆ−ｔ
　、カゼイン、ポリビニルアルコ・−ル、二［ロセルロ
ース、エチレン−アクリル酸二Ｊ　ホＩＪマー、ポリア
ミド（ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン６１０、共
重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイロンなど）、ポ
リウレタン、ゼラチン、酸化アルミニウムなどによって
形成できる。 下引層の膜厚は、０．１ミクロン〜５ミクロン、好マシ
くは０．５ミクロン〜３ミクロンが適当である。 導電層、′＃Ｌ荷発生層、電荷輸送層の順に積Ｍｔ７た
感光体を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸送
性物質からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する
必要があり、帯を後露光すると露光部では電荷発生ｔ−
にお（八て生成した電子が電荷輸送層に注入され、その
あと表面に達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生
じ未露光部との間に静電コントラストが生じる。 この様にしてできた静電潜像を負荷電性の［・ナーで現
像すれげ可祝隊がイｎられる、これを直接定着するｚｌ
、あるいは１−ナー像を紙やプラスチックフィルム等に
転写後、現隊１定着すイ・ことができる。 また、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後
現像１７、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像
方法、定着力法は公知のものや公知の方法のいずれｆ採
用［−ても良く、特定のものに限定されるものでｅまな
い。 一方、電荷輸送物質が正孔輸送物質から成る場合、電荷
輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、霧光す
ると見客光部では電荷発生層において生成１７た正札が
電荷輸送層に注入され、その後表面に達１７て負電荷を
中＋１１シ、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静
電コントラストが生じる。′ｇｉ像時には電子輸送物質
を用いた場合とは逆に正電荷性トナーを用いる必要があ
る。 また、本発明の別の具体例では、前述のヒドラゾン類、
ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類、トリア
リールメタン類、ボリアリールアルカン類、トリフェニ
ルアミン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール類など有機光
導電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム、セレンなどの
勲機光導電性物質の増感剤と１−て前述の化合物を含有
させた有機被膜とすることができる。この有機被膜は、
これらの光導電性物質と前述の化合物をバインダーとと
もに塗工によって被膜形成される。１だ、別の具体例で
に、前述の化合物を含有する有機被膜を感光層として用
いる／−／ ／′ いずれの感光体においても、用いる顔料は一般式（１）
で示される化合物から選ばれる少なくとも１種類の顔料
を含有し、必要に応じて光吸収の異なる顔料を組合せて
使用した感光体の感度ヲ高めたり、パンクロマチックな
感光体を得るなどの目的で一般式（１）で示される化合
物を２種類以上組合せたり、−またけ公知の染料、顔料
から選ばれた電荷発生物質と組合せて使用することも可
能である。 本発明の有機被膜は、前述の光デイスク記録体や電子写
真感光体のレーザ感応破膜として用いる他に、赤外線カ
ットフィルター、太陽電池あるいは光センサーなどにも
用いることができる。太陽電池は、例えば酸化インジウ
ムとアルミニウムを電極として、これらの間に前述の有
機破膜をザンドイツチ構造とすることによって調製でき
る。 本発明の有機被膜は、従来のｌ／−ザ用電子写真感光体
と比較して７５０７４９１１以上の波長域で著しく高感
度とすることができ、また従来の光デイスク記録体と比
軸しても高感度でしかも十分に改善されたＳ／Ｎ比を与
えることができる。さらに、本発明で用いる化合物’１
１．７５０７１フル以上に吸収ピークを有！−でいるに
もかかわらず、熱に対して極めて安定している利点を有
している。 以下、本発明を実施例に従って＋（１）、明する。 実施例１ アルミニウムシリンダー上にカービインのアンモニア水
溶液（カゼイン１１．２ｇ、２８％アンモニア水１ｇｂ
水２２２ｍ１）を浸漬コーティング法で塗工し、乾燥し
て塗工量１．０ｇ／ｎ？の下引層を形成した。 次に、前述の化合物扁（１）の化合物１重ｈ１部、ブチ
ラール樹脂（′ｉ−スレツクＢＭ−２：積水化学仔υＩ
Ｉ’！！　’）　１型部部とイソプロピルアルコール３
０τ（ｔ　４重部をボールミル分散機で４時間分散した
。 この分散液を先に形成した下引層の上に浸漬コーティン
グ法で塗工し、乾燥し７て電荷発生層を形成した。この
時の膜厚け０．３μであ−）た。 次に、Ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ−フェ
ニル−Ｎ−α−ナフチルヒドラゾン１重晴部、ポリスル
ホン樹脂（Ｐ１７００：ユニオンカーバイト社Ｈｓ　　
ｌ−ａｍ部とモノクロルベンゼン６重量部を混合し、（
１を押接で攪拌溶解した。この液を′「ば荷発生層の一
ヒに浸漬コーディング法で塗工し、乾燥して電荷ｈａ送
層な形成した。 この時の膜厚は、１２μであった。 こう１−で調製した感光体に一５ＫＶのコロナ放′「ｋ
を行なった。この時の表面電位を測定した（初朋電位■
。）。さらに、この感光体を５秒間暗所で放置した後の
表面市１立を測定した（暗減衰へ）。感ＩＷは、暗減衰
した佐の電位又を１／２に減衰するに必要な露光量（Ｅ
；　１／２　　マイクロジュール／ｃｈりを測定するこ
とによって評価した。 この際、光源としてガリウム、アルミニウム・ヒ素半導
体レーザー（発振波長７８１１ｎｍ）を用いた。これら
の結果は、次のとおりであった。 Ｖ、ニー４９０ボルト Ｖ、　　：　　−４７５ボルト ＥＶ２　＝　　５７マイクロジユールＺノ、４実施例２
〜１０ 実施例１で用いた化合物層（１）の化合物に代えて、第
１表に示す化合物をそれぞれ用いたほかは、実施例１と
全く同様の方法で感光体を調製し、この感光体の特性を
迎］定した。これらの結毀を第１表に示す。 第１表 ２　　２　　５４０　　５２０　　　　　６．２３　　
３　　１１９０　　４７５　　　　６．６４　　４　　
４７０　　４６０　　　　　５．８５　　５　　４８５
　　４７０　　　　５．７６　　６　　５３５　　５１
５　　　　６．５７　　７　　５６０　　５５（１６，
７８８４９０４７５６，３ ９９５２５５１５６，０ １０１０５５５５４５６，９ 実施例１１ ｔＷさ１００ミクロン厚のアルミ板上にカゼインのアン
モニア水溶液を塗布し、乾燥して膜厚１．１ミクロンの
下引層を形成した。 次に２．４．７−１リニトロ−９−フルオレノ１５ｆと
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平均分子量３００，
０００　）５＠をテトラヒドロフラン７０ｍ１に溶かし
て電荷移動錯化合物を形成した。 この電荷移動錯化合物と前述の化合物層（１）の化した
液に加え、分散した。この分散液を下引層の上に乾燥後
の膜厚が１２ミクロンとなる様に塗布し、乾燥した。 こうした調製した感光体の帯電特性を実施例１と同様の
方法で測定した。これの結果は、次のと１、・りであっ
た。但（７、帯電極性は０）とした。 Ｖｏ　：　　＋５４０ボルト Ｖ、　　：　　＋５２５ボルト Ｅ％　＝７，７マイクロジユールＡＪ 実施例】２ アルミ蒸着ポリエチレンプレフタレートフィルムのアル
ミ面上に１換厚１．１ミクロンのポリビニルアルコール
の被膜を形成した。 次に、実施例１で用いた前述の化合物ム（４）の化合物
の分散液を先に形成したポリビニルアルコール層の上に
乾燥後の膜厚が０．５ミクロンとなる様にマイヤーバー
で塗布し、乾燥して電荷発生層を形成した０ 次に、構造式 のピラゾリン化合物５２とボリアリレート樹脂（ビスフ
ェノールＡとテレフタル酸−インフタル酸の縮重合体）
５ｆをテトラヒドロフラン７０　？ｌｌｔに溶かした液
を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が１０ミクロンとなる
様に塗布し、乾燥して電荷輸送層を形成した。 こうして調製した感光体の帯′＃ｈｔ特性を実施例１と
同様の方法によって測定した。こＪｔの結果は、次のと
おりであった。 Ｖｏ　ニー５３（ｌボルト Ｖ、　　：　　−５２０ボルト ＥＨ：　　　５．９−フィクロジュール／、Ｉ４前述の
各実施例から判るとおシ、本発明の電子写真感光体は、
７５０ｎｍ以上の波長域で著しい高感度特性を有すると
ともに、初期電位や暗減衰などの帯電特性に優れている
。 実施例１３ ニトロセルロース溶液（ダイセル化学工業帽）製；オー
バーレスラッカ：ニトロセルロース２５重量襲のメチル
エチルケトン溶液）１２重量部、前述の化合物ｘ（２）
の化合物３屯量部およびメチルエチルケトン７０重量部
を混合し、十分に攪拌した。この液をアルミ蒸着ガラス
板−Ｆに浸漬コーティング法により塗布した後、乾燥し
て０．６ｔＡ＋？の記録層を得た。 こうして作成した光デイスク記録体をターンテーブルヒ
に取り付け、ターンテーブルをモータで１８００　ｒｐ
フＩｌの回転を与えながら、スポットサイズ１．０ミク
ロンに集束した５　２１４Ｗおよび８ＭＨｚのガリウム
ーアルミニウムーヒ素半導体レーザ（う６振波長７８０
ｎｍ）を記録層面にトラック状で照射し７て記録を行な
った。 この記録された光ディスクの表面を走査型電子顕微鏡で
観察したところ、鮮明なビットが認められた。また、こ
の光ディスクに低出力のガリウムーアルミニウムーヒ素
半導体レーザを入射し、反射光の検知を行なったところ
、十分なＳ／Ｎ比を有する波形が得られた。 実施例１４ 前述の化合物洗（３）の化合物５００　ｒｒｔｙを蒸着
用モリブテンボートに入れ、Ｉ　Ｘ　］　Ｏｍｍ１１ｙ
以下に排気した後、アルミ蒸着ガラス板に蒸着した。 蒸着中は貞空室内の圧力が１０　ｍｍＨｙ　ｕ、−Ｌに
上昇しない様にヒーターを制御しながら、（）２ミク１
１ンの蒸着ＨＱを形成させだ。 こうして作成した光デイスク記録体に実施例１３と同様
の方法で１＃報を記憶させたところ、実施例１３と同様
の鮮明なピットが認めらね、〜まだ実施例１３と同様の
方法で情報を再生【７たが、この際十分、なＳ／Ｎ比を
有する波形が認められた。 実施例１５ 前述の化合物ノ１６（５）の化合物を実施例１４と同様
の方法でアルミ蒸着ガラス板の上に蒸着して、０．２ミ
クロンの記録層を有する光デイスク記録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例１３と同様の方法で情報
を記憶させてから、再生したところ、十分な８２とＮ比
を有する波形が認められた。又、ｔｆ！報を書き込みし
た後の記録層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、
鮮明なビットが形成されていた。 実施例１６ 前述の化合物点（６）の化合物を実施例１４と同様の方
法でアルミ蒸着ガラス板の上に蒸着して、０．２ミクロ
ンの配録層を有す°る光デイスク記録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例１３と同様の方法で情報
を記憶させてから、・再生したところ、十分なＳ／Ｎ比
を有する波形が認められた。又、情報を書き込みした後
の記録層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明
なピッＩ・が形成されていた。 実Ｍｌｉ例１７ 前述の化合物Ａ（８）の化合物を実施例１４と同様の方
法でアルミ蒸着ガラス板の上に蒸着して、０．２ミクロ
ンの記録層を有する光デイスク記録体を作成した。 この光デイスク記録体に実施例１３と同様の方法で情報
を記憶させてから、再生したところ、十分なＳ、／Ｎ比
を有する波形がｇめられた。又、情報を書き込みした後
の記録層面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、鮮明
なピットが形成されていた。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明の有４ａ被膜を光デイス
ク記録体に用いた時の断面図で、第３図はこの光デイス
ク記録体の実施態様を示す説明図である。 １・・・基板　　　　２・・・有機波膜３・・・反射層
　　　４・・・レーザ光線５・・・ピット

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 下記一般式（１）で示される化合物を含有するととを特
   徴とする有機被膜。 一般式（１） ） ％式％ （式中、ＲＩおよびＲｍは置換又は未置換のアリール基
   を示す。１７ｍは置換又は未置換のアリーレン基を示す
   。９はアニオン残基である。）