JPS593983A - 光検知半導体装置 - Google Patents
光検知半導体装置Info
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- JPS593983A JPS593983A JP57112058A JP11205882A JPS593983A JP S593983 A JPS593983 A JP S593983A JP 57112058 A JP57112058 A JP 57112058A JP 11205882 A JP11205882 A JP 11205882A JP S593983 A JPS593983 A JP S593983A
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- Japan
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- light
- receiving element
- emitting element
- light emitting
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は光スィッチ等（こ用いられる光検知半導体装
！ｌ ｌこ関する。
！ｌ ｌこ関する。
従来、光検知半導体装置は例えば第１図に示すように構
成されていた。ｔなわち、発光面１及び受光面２をレン
ズ状に形成した透明樹ＩＩ旨３゜４により封止された発
光素子ベレット５及び受光素子ベレット６を、それぞれ
樹脂成形された外囲器７の離間対向して設けられた発光
素子収納部８及び受光素子収納部９（こ組込み配役した
ものである。
成されていた。ｔなわち、発光面１及び受光面２をレン
ズ状に形成した透明樹ＩＩ旨３゜４により封止された発
光素子ベレット５及び受光素子ベレット６を、それぞれ
樹脂成形された外囲器７の離間対向して設けられた発光
素子収納部８及び受光素子収納部９（こ組込み配役した
ものである。
この光検知半導体装置にあって、発光素子３より放射さ
れた光は、透明樹脂３内（こて第２図に示すように拡散
された後、外部へ放射され受光素子６側に伝達される。
れた光は、透明樹脂３内（こて第２図に示すように拡散
された後、外部へ放射され受光素子６側に伝達される。
第３図はその指向特性を示すもので、弱指向特性である
。
。
この光検知半導体装置においては、発光素子ペレット５
、受光素子ペレット６が配設されたリードフレーム１０
，１１＋こは反射手段が設：寸られていなく、そのたぬ
に指向特性１こ２ける半値角は広くなり、指向特性は弱
冷向性となる。
、受光素子ペレット６が配設されたリードフレーム１０
，１１＋こは反射手段が設：寸られていなく、そのたぬ
に指向特性１こ２ける半値角は広くなり、指向特性は弱
冷向性となる。
従って、発光素子ぺＬ・ット５から放射される光量に対
して、受光素子ペレット６に入射される光量が著しく減
少する。このため、従来、受光素子ペレット６は外光の
影響を受けやすく、光が電気信号１こ変換される際に誤
った電気信号を発生し、誤動作を生ずる恐れがあった。
して、受光素子ペレット６に入射される光量が著しく減
少する。このため、従来、受光素子ペレット６は外光の
影響を受けやすく、光が電気信号１こ変換される際に誤
った電気信号を発生し、誤動作を生ずる恐れがあった。
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的
に、発光素子の指向特性を強冷向性とすることができ、
効率よく光を伝達し、誤動作を防止できる光検知半導体
装置を提供すること（こある。
に、発光素子の指向特性を強冷向性とすることができ、
効率よく光を伝達し、誤動作を防止できる光検知半導体
装置を提供すること（こある。
この発明は、それぞれ窓を有し、離間対向して設けられ
た一対の収納部を備えた外囲器の前記収納部にそれぞれ
透明樹脂（こより封止された発光素子及び受光素子を収
納してなる光検知半導体装置（こおいて、前記発光素子
及び受光素子のそれぞれの封止透明樹脂に傾斜面からな
る反射面を設けるものである。
た一対の収納部を備えた外囲器の前記収納部にそれぞれ
透明樹脂（こより封止された発光素子及び受光素子を収
納してなる光検知半導体装置（こおいて、前記発光素子
及び受光素子のそれぞれの封止透明樹脂に傾斜面からな
る反射面を設けるものである。
Ｃ発明の実施例〕
以下、図面を８照してこの発明の一実施例を説明する。
第４図において、２Ｉは樹脂成形された外囲器である。
この外囲器２１には離間対向して発光素子収納部２２及
び受光素子収納部２３が設けられており、その対向面に
はそれぞれ光通過用の窓２イが形成されている。発光素
子収納部２２に収納される発光素子は、第５図に示すよ
うに、リートフレームシ２上に固着した発光素子ペレッ
ト２６をワイヤ２７でボンディング接続した後、例えば
エポキシ樹脂の透明樹脂２８で封止したものである。こ
の透明樹脂ｚ８には放射効率を向上させるためｌこ、発
光素子ペレット２６の前面にレンズ部２９が形成される
と共に、発光素子ペレット１６の両側面部には傾斜面（
反射面）ｓｏ、ｓｌが形成されている。受光素子収納部
２３に収納される受光素子も同様１こ、リートフレーム
シ２上１こ固着した受光素子ペレット３３をワイヤ３４
でボンディング接続した後、例えばエポキシ樹脂の透明
樹脂３５で封止したものである。この透明樹脂３５１こ
は受光効率を向上させるために、受光素子ペレット３３
の前面にレンズ部３６が形成されると共に、発光素子ペ
レット３３の両側面部には傾斜面（反射面）３７．３８
が形成されている。上記透明樹脂２８．３５それぞれの
傾斜面３０，３１，３７．３８にはホワイトコーティン
グ（又はフロスト加工）が施こされている。
び受光素子収納部２３が設けられており、その対向面に
はそれぞれ光通過用の窓２イが形成されている。発光素
子収納部２２に収納される発光素子は、第５図に示すよ
うに、リートフレームシ２上に固着した発光素子ペレッ
ト２６をワイヤ２７でボンディング接続した後、例えば
エポキシ樹脂の透明樹脂２８で封止したものである。こ
の透明樹脂ｚ８には放射効率を向上させるためｌこ、発
光素子ペレット２６の前面にレンズ部２９が形成される
と共に、発光素子ペレット１６の両側面部には傾斜面（
反射面）ｓｏ、ｓｌが形成されている。受光素子収納部
２３に収納される受光素子も同様１こ、リートフレーム
シ２上１こ固着した受光素子ペレット３３をワイヤ３４
でボンディング接続した後、例えばエポキシ樹脂の透明
樹脂３５で封止したものである。この透明樹脂３５１こ
は受光効率を向上させるために、受光素子ペレット３３
の前面にレンズ部３６が形成されると共に、発光素子ペ
レット３３の両側面部には傾斜面（反射面）３７．３８
が形成されている。上記透明樹脂２８．３５それぞれの
傾斜面３０，３１，３７．３８にはホワイトコーティン
グ（又はフロスト加工）が施こされている。
このような構成の光検知半導体装置にあっては、発光素
子及び受光素子共にその透明樹脂２８．３５に傾斜面（
反射面）ｓｏ、ｓｒ。
子及び受光素子共にその透明樹脂２８．３５に傾斜面（
反射面）ｓｏ、ｓｒ。
：Ｉ７，３Ｂを有すると共にこれらの部分にホワイトコ
ーティング（又はフロスト加工）が施されているため、
伝達光量及び指向特性が向上する。すなわち、第５図（
こ示すように、発光素子ペレット２６より放射された光
は、透明樹脂２８内で光が拡散されることなく、傾斜面
（反射面）ｓｏ、ｓｌで効率良く反射され受光素子側１
こ伝達される。そして、受光素子に到達した光も反射面
３７．３８で反射されて受光素子ペレット３３に効率良
く受光される。
ーティング（又はフロスト加工）が施されているため、
伝達光量及び指向特性が向上する。すなわち、第５図（
こ示すように、発光素子ペレット２６より放射された光
は、透明樹脂２８内で光が拡散されることなく、傾斜面
（反射面）ｓｏ、ｓｌで効率良く反射され受光素子側１
こ伝達される。そして、受光素子に到達した光も反射面
３７．３８で反射されて受光素子ペレット３３に効率良
く受光される。
第６図はこの光検知半導体装置の指向特性を示すもので
、強冷向特性が得られている。
、強冷向特性が得られている。
なお、上記傾斜面３０，３１，３７，３１１の角度は次
式より得られる。
式より得られる。
ｎｌ’ｓｉｎθ１＝ｎｌｓｌｎθ＊ ”””””’
（１１（ここで、θ、二光の空気側の入射角、θ、：
光の透明樹脂２１１．３５側の入射角、ｎ、：空気の屈
折率、ｎｔ：透明樹脂２８．３５の屈折率である。） 式（１）１こ θ１−９０°、 ｎ、＝１．Ｏ、ｆｉ
ｌ ：ｌ： １．５ ６を代入すると、 画θ、＝０．６４１ ・゛・６ｇ ＝ ａｒｅｓｆｎ Ｏ，６４１＝４０゜と
なる。従って、傾斜面３０，３１．３７゜３８の角度は
４０°以上有ればよい。
（１１（ここで、θ、二光の空気側の入射角、θ、：
光の透明樹脂２１１．３５側の入射角、ｎ、：空気の屈
折率、ｎｔ：透明樹脂２８．３５の屈折率である。） 式（１）１こ θ１−９０°、 ｎ、＝１．Ｏ、ｆｉ
ｌ ：ｌ： １．５ ６を代入すると、 画θ、＝０．６４１ ・゛・６ｇ ＝ ａｒｅｓｆｎ Ｏ，６４１＝４０゜と
なる。従って、傾斜面３０，３１．３７゜３８の角度は
４０°以上有ればよい。
〔発明の効果〕
以上のようにこの光検知半導体装置によれば、発光素子
の指向特性を強冷向性とすることができると共に効率良
く光を伝達することができるため、外光の影響の受けに
くく誤動作を防止することができる。
の指向特性を強冷向性とすることができると共に効率良
く光を伝達することができるため、外光の影響の受けに
くく誤動作を防止することができる。
第１図は従来の光検知半導体装置の構成を示す斜視図、
第２図は＠１図の装置の光伝達状態を示す図、第３図は
同じく指向特性図、第４図はこの発明の一実施例に係る
光検知半導体装置の構成を示す斜視図、第５図は第４図
の装置の光伝達状態を示す図、第６図は同じく指向特性
図である。 ２１・・・外囲器、２２ ・発光素子収納部、２３・受
光素子収納部、２４・・・窓、２６・・・発光素子ペレ
ット、２８・・・透明樹脂、３０．３１・・・傾斜面（
反射面）、３３・・・受光素子ベレット、３５・・透明
樹脂、３７．３８・傾ｆＰ＋面（反射面）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦矛１図
第２図は＠１図の装置の光伝達状態を示す図、第３図は
同じく指向特性図、第４図はこの発明の一実施例に係る
光検知半導体装置の構成を示す斜視図、第５図は第４図
の装置の光伝達状態を示す図、第６図は同じく指向特性
図である。 ２１・・・外囲器、２２ ・発光素子収納部、２３・受
光素子収納部、２４・・・窓、２６・・・発光素子ペレ
ット、２８・・・透明樹脂、３０．３１・・・傾斜面（
反射面）、３３・・・受光素子ベレット、３５・・透明
樹脂、３７．３８・傾ｆＰ＋面（反射面）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦矛１図
Claims (1)
- れぞれ透明樹脂により封止された発光素子及び受光素子
を収納してなる光検知半導体装置において、前記発光素
子における透明樹脂（こ前記発光素子から放射された光
を前記受光素子方向に反射させるための傾斜面からなる
反射面を設ける吉共に、前記受光素子における透明樹脂
に前記発光素子から放射された光を前記受光素子方向に
反射させるための傾斜面からなる反射面を役けたことを
特徴とする光検知半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57112058A JPS593983A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 光検知半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57112058A JPS593983A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 光検知半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593983A true JPS593983A (ja) | 1984-01-10 |
Family
ID=14576982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57112058A Pending JPS593983A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 光検知半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593983A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7435997B2 (en) * | 2000-08-24 | 2008-10-14 | Osram Gmbh | Component comprising a large number of light-emitting-diode chips |
-
1982
- 1982-06-29 JP JP57112058A patent/JPS593983A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7435997B2 (en) * | 2000-08-24 | 2008-10-14 | Osram Gmbh | Component comprising a large number of light-emitting-diode chips |
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