JPS593941A - 混成集積回路 - Google Patents
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- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
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- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は混成集積回路に係り、特にセラミック多層基板
上に形成された回路パターンに半導体ペレットが搭載さ
れ、上記回路パターンと上記半導体ペレットがワイヤで
接続される混成集積回路において、上記半導体ペレット
と上記回路パターンとの間のワイヤボンディング性を向
上させる技術を提供するものである。
上に形成された回路パターンに半導体ペレットが搭載さ
れ、上記回路パターンと上記半導体ペレットがワイヤで
接続される混成集積回路において、上記半導体ペレット
と上記回路パターンとの間のワイヤボンディング性を向
上させる技術を提供するものである。
従来は、セラミック基板の同一層に半導体ペレットのマ
ウントランドとワイヤポンディングパッドが形成されて
いた。しかし、この方法では、半導体ペレットをマウン
トする際、接着剤の樹脂成分が周囲のワイヤポンディン
グパッドににじみ出し、ワイヤボンディング性を劣化さ
せるという欠点や、半導体ペレットとセラミック基板上
のポンディングパッドに高低の差がある為、ワイヤボン
ディング時に上記半導体ペレットのエッヂにワイヤが接
触しやすいという欠点がある。
ウントランドとワイヤポンディングパッドが形成されて
いた。しかし、この方法では、半導体ペレットをマウン
トする際、接着剤の樹脂成分が周囲のワイヤポンディン
グパッドににじみ出し、ワイヤボンディング性を劣化さ
せるという欠点や、半導体ペレットとセラミック基板上
のポンディングパッドに高低の差がある為、ワイヤボン
ディング時に上記半導体ペレットのエッヂにワイヤが接
触しやすいという欠点がある。
本発明の目的は、このような欠点のない混成集積回路を
提供することにある。
提供することにある。
本発明の特徴は、セラミック多層基板上に形成された回
路パターンに半導体ペレットが搭載され。
路パターンに半導体ペレットが搭載され。
上記回路パターンと上記半導体ペレットがワイヤで接続
される混成集積回路において、上記牛導体ペレットがマ
ウントされたセラミック基板上に。
される混成集積回路において、上記牛導体ペレットがマ
ウントされたセラミック基板上に。
基板厚が半導体ペレットの厚さにほぼ等しく、上記半導
体ペレット部分がくシ抜かれ、且つ、表面にワイヤポン
ディングパッドが形成されているセラミック基板を積層
して製造される混成集積回路にある。
体ペレット部分がくシ抜かれ、且つ、表面にワイヤポン
ディングパッドが形成されているセラミック基板を積層
して製造される混成集積回路にある。
本発明によれば、半導体ベレットがマウントされる層と
ワイヤがボンディングされる層が別な為、マウント用接
着剤の樹脂成分のにじみによるワイヤボンディング性の
劣化を防ぐことができ、又、半導体ベレットとセラミッ
ク基板上のポンディングパッドとの高低の差がほとんど
ない為、ワイヤのエッヂタラ九を防ぐことができる。
ワイヤがボンディングされる層が別な為、マウント用接
着剤の樹脂成分のにじみによるワイヤボンディング性の
劣化を防ぐことができ、又、半導体ベレットとセラミッ
ク基板上のポンディングパッドとの高低の差がほとんど
ない為、ワイヤのエッヂタラ九を防ぐことができる。
次に本発明の実施例について説明する。第1図1は本実
施例の混成集積回路の部分平面図、第2図は第1図のX
−Yにおける断面図である。先ず。
施例の混成集積回路の部分平面図、第2図は第1図のX
−Yにおける断面図である。先ず。
図のように、セラミック基板l上に、回路パターン2及
び半一体ベレットのマウントランド5を形成する。次に
、上記マウントランド5に半導体ベレット7を搭載する
。その後、回路パターン及びワイヤポンディングパッド
4が形成されているセラミック基板3を上記セラミック
基板】に積層して、ワイヤボンディング等を行う。
び半一体ベレットのマウントランド5を形成する。次に
、上記マウントランド5に半導体ベレット7を搭載する
。その後、回路パターン及びワイヤポンディングパッド
4が形成されているセラミック基板3を上記セラミック
基板】に積層して、ワイヤボンディング等を行う。
以上のように製造された混成集積回路は、半導体ベレッ
トをマウントする為の接着剤の樹脂成分のにじみによる
ワイヤボンディング性の劣化及びワイヤのエッヂタッチ
を防ぐことができる。
トをマウントする為の接着剤の樹脂成分のにじみによる
ワイヤボンディング性の劣化及びワイヤのエッヂタッチ
を防ぐことができる。
第1図は本発明の一実施例を示す部分平面図で。
第2図はそのX−YKおける断面図である。
なお図において、1・・・・・・セラミック基板、2・
・・・・・回路パターン、3・・・・・・セラミック基
板、4・・・・・・ワイヤポンディングパッド、5・・
・・・・マウントランド、6・・・・・・接着剤、7・
・・・・・半導体ベレット、8・・・・・・ワイヤ、で
おる。
・・・・・回路パターン、3・・・・・・セラミック基
板、4・・・・・・ワイヤポンディングパッド、5・・
・・・・マウントランド、6・・・・・・接着剤、7・
・・・・・半導体ベレット、8・・・・・・ワイヤ、で
おる。
Claims (1)
- セラミック多層基板上に形成された回路パターンに半導
体ペレットが搭載され、上記回路パターyと上百己牛導
体ペレットがワイヤで接続される混成集積回路において
、上記半導体ペレットがマウントされたセラミック基板
上に、基板厚が半導体ペレットの厚さにほぼ等しく、上
記半導体ベレット部分がくり抜、かれ、且つ1表面にワ
イヤポンディングパッドが形成されてい名セラミック基
板を積層することを特徴とする混成集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57112211A JPS593941A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57112211A JPS593941A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 混成集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS593941A true JPS593941A (ja) | 1984-01-10 |
Family
ID=14581030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57112211A Pending JPS593941A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS593941A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63310744A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-19 | Fujikura Ltd | 希土類元素ド−プガラスの製造方法 |
-
1982
- 1982-06-29 JP JP57112211A patent/JPS593941A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63310744A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-19 | Fujikura Ltd | 希土類元素ド−プガラスの製造方法 |
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