JPS593935A - 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法 - Google Patents
半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法Info
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- JPS593935A JPS593935A JP11150082A JP11150082A JPS593935A JP S593935 A JPS593935 A JP S593935A JP 11150082 A JP11150082 A JP 11150082A JP 11150082 A JP11150082 A JP 11150082A JP S593935 A JPS593935 A JP S593935A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェハーを光照射で加熱する方法に関す
る。
る。
最近、半導体ウェハー（以下単に「ウエノ・−」という
。）への不純物の導入方法として、不純物濃度、接合の
深さを精密に制御し得ることから、不純物をイオン状態
にして加速してウエノ・−に打ち込むイオン注入法が使
用されてきている。このイオン注入法においては、イオ
ンが注入された後のウェハーの表面における結晶状態が
変化して荒れたものとなるため、この荒れを消失せしめ
て良好な表面状態とするために、イオン注入後約１ｏｏ
ｏＣまたはそれ以上の温度にウェハーを加熱処理する必
要があり、この加熱処理は、注入された不純物の深さ方
向の濃度分布が熱拡散により変化しないように短時間で
行なわなければならない。
。）への不純物の導入方法として、不純物濃度、接合の
深さを精密に制御し得ることから、不純物をイオン状態
にして加速してウエノ・−に打ち込むイオン注入法が使
用されてきている。このイオン注入法においては、イオ
ンが注入された後のウェハーの表面における結晶状態が
変化して荒れたものとなるため、この荒れを消失せしめ
て良好な表面状態とするために、イオン注入後約１ｏｏ
ｏＣまたはそれ以上の温度にウェハーを加熱処理する必
要があり、この加熱処理は、注入された不純物の深さ方
向の濃度分布が熱拡散により変化しないように短時間で
行なわなければならない。
また、生産性を向上させるためＫもウェハ〜の急速加熱
、急速冷却が要請されている。
、急速冷却が要請されている。
このような要請により、最近、ウェハーを光照射で加熱
する方法が開発され、この方法によれば、わずか数秒間
という短時間で１０００Ｃ〜１４００ｔＺ’まで昇温か
可能である。
する方法が開発され、この方法によれば、わずか数秒間
という短時間で１０００Ｃ〜１４００ｔＺ’まで昇温か
可能である。
しかしながら、ウェハー、例えば単結晶シリコンをこれ
に単に光照射することにより、数秒間以内の短時間にお
いて、温度１０００Ｃ前後の処理温度に昇温せしめ更に
この処理温度に保つという加熱処理を施す場合には、昇
温時及び処理温度時においてウェハーにおける外周近傍
部と中央部との間に比較的大きな温度差が生じ、この温
度差が原因となってウェハーに後の処理工程で支障をき
たすような大きな１反り」が発生し、更には「スリップ
ライン」と呼ばれる損傷が発生することが分った。
に単に光照射することにより、数秒間以内の短時間にお
いて、温度１０００Ｃ前後の処理温度に昇温せしめ更に
この処理温度に保つという加熱処理を施す場合には、昇
温時及び処理温度時においてウェハーにおける外周近傍
部と中央部との間に比較的大きな温度差が生じ、この温
度差が原因となってウェハーに後の処理工程で支障をき
たすような大きな１反り」が発生し、更には「スリップ
ライン」と呼ばれる損傷が発生することが分った。
これは、ウェハーの厚さは普通０．５１１Ｘ前後程度と
非常に薄く、厚さ方向における温度分布は、時間的には
１０４秒の桁の程度で緩和されるので実質的には悪影響
を及ぼすことはないが、ウェハーの面に沿った方向にお
ける温度分布け、たとえウェハーの表面を均一な照射エ
ネルギー密度で光照射しても、ウエノ・−外周近傍部か
らの熱放散がウーエハーの中央部からの熱放散よりも相
当大きいので、昇温時においてはウェハーの外周近傍部
の温度がウェハーの中央部の温度に追従できず、処理温
度時においてもウエノ・−の外周近傍部の温度がウェハ
ーの中央部の温度にまで達することがなく、結局ウニ′
バーの外周近傍部の温度はウニ／％−の中央部の温度よ
り相当に低くなってしまうからであるＯ このようにウニ／・−に大きな「反り」が発生すると、
後の処理〒程例えばフォトエツチング処理工程において
パターン像が乱れるため支障をきたし、また「スリップ
ライン」が発生すると、ウェハ７そのものが半導体材料
として使用し得ない無価値なものとなり重大な損失を招
くこととなる。
非常に薄く、厚さ方向における温度分布は、時間的には
１０４秒の桁の程度で緩和されるので実質的には悪影響
を及ぼすことはないが、ウェハーの面に沿った方向にお
ける温度分布け、たとえウェハーの表面を均一な照射エ
ネルギー密度で光照射しても、ウエノ・−外周近傍部か
らの熱放散がウーエハーの中央部からの熱放散よりも相
当大きいので、昇温時においてはウェハーの外周近傍部
の温度がウェハーの中央部の温度に追従できず、処理温
度時においてもウエノ・−の外周近傍部の温度がウェハ
ーの中央部の温度にまで達することがなく、結局ウニ′
バーの外周近傍部の温度はウニ／％−の中央部の温度よ
り相当に低くなってしまうからであるＯ このようにウニ／・−に大きな「反り」が発生すると、
後の処理〒程例えばフォトエツチング処理工程において
パターン像が乱れるため支障をきたし、また「スリップ
ライン」が発生すると、ウェハ７そのものが半導体材料
として使用し得ない無価値なものとなり重大な損失を招
くこととなる。
本発明は斯かる観点からなされたものであって、半導体
ウェハーを光照射で加熱する方法において、後の処理工
程に支障をきたすような大きな「反り」及び「スリップ
ライン」のような損傷が生じないよ、うな加熱方法を提
供することを目的とし、その特徴とするところは、モリ
ブデンやタングステン、タンタルの如き高融点金属より
成り光照射を受けて昇温する補助加熱源を半導体ウエノ
・−の外周近傍部に近接して配置し、前記補助加熱源で
半導体ウェハーの主に外周近傍部を補助的に加熱しなが
ら、半導体ウエノ・−を光照射で加熱する方法であって
、 の値を０．６〜１．４の範囲内となるよう規定したこと
にある。
ウェハーを光照射で加熱する方法において、後の処理工
程に支障をきたすような大きな「反り」及び「スリップ
ライン」のような損傷が生じないよ、うな加熱方法を提
供することを目的とし、その特徴とするところは、モリ
ブデンやタングステン、タンタルの如き高融点金属より
成り光照射を受けて昇温する補助加熱源を半導体ウエノ
・−の外周近傍部に近接して配置し、前記補助加熱源で
半導体ウェハーの主に外周近傍部を補助的に加熱しなが
ら、半導体ウエノ・−を光照射で加熱する方法であって
、 の値を０．６〜１．４の範囲内となるよう規定したこと
にある。
（但し、ηｌ及びη雪はそれぞれ補助加熱源及び半導体
ウェハーの反射率を表わし、 ρ１及びρ２はそれぞれ補助加熱源及び半導体ウェハー
の比重を表わし。
ウェハーの反射率を表わし、 ρ１及びρ２はそれぞれ補助加熱源及び半導体ウェハー
の比重を表わし。
ｄ＋及びｄ２はそれぞれ補助加熱源及び半導体ウェハー
の厚さを表わし、 Ｃ＋及び０はそれぞれ補助加熱源及び半導体ウェハーの
比熱を表わす。） 以下図面を参照しながら本発明方法の一実施例を説明す
る。
の厚さを表わし、 Ｃ＋及び０はそれぞれ補助加熱源及び半導体ウェハーの
比熱を表わす。） 以下図面を参照しながら本発明方法の一実施例を説明す
る。
第１図は、光照射炉内に配置されたウエノ・−１を上方
から見た加熱方法の説明図、第２図は、第１図を側方か
ら見た説明図であって、図には示されていないがウエノ
・−１の上方及び下方には、各々消費電力１１５０Ｗの
棒状の７１０ゲン電球１２本を一平面゛上に近接して並
べて成る面光源が配置され、この面光源によりウエノ１
−１の表面における・照射エネルギー密度が均一、とな
り且つウエノ・−１の表面温度がウエノ・−１の中央部
１ａで約１２００Ｃになるように゛ウエノ・−１が光照
射されるようになっている。光照射のための前記面光源
の全消費電力は約２８ＫＷに及び、ウエノ・−１は直径
４インチ、厚さｄ２が０．０４ｃｒｎ、波長１００００
λの光に対する反射率η２が０，３、比重ρ２が２．３
３ （９／ｃｍす、比熱Ｃ２が０．９５（ジュール／Ｉ
Ｉ−Ｃ）の円板状であってホウ素をイオン注入した単結
晶シリコンより成るもの１−η２ であシ、このウエノ・−１の物性値β−２□、ｄ□−Ｃ
。
から見た加熱方法の説明図、第２図は、第１図を側方か
ら見た説明図であって、図には示されていないがウエノ
・−１の上方及び下方には、各々消費電力１１５０Ｗの
棒状の７１０ゲン電球１２本を一平面゛上に近接して並
べて成る面光源が配置され、この面光源によりウエノ１
−１の表面における・照射エネルギー密度が均一、とな
り且つウエノ・−１の表面温度がウエノ・−１の中央部
１ａで約１２００Ｃになるように゛ウエノ・−１が光照
射されるようになっている。光照射のための前記面光源
の全消費電力は約２８ＫＷに及び、ウエノ・−１は直径
４インチ、厚さｄ２が０．０４ｃｒｎ、波長１００００
λの光に対する反射率η２が０，３、比重ρ２が２．３
３ （９／ｃｍす、比熱Ｃ２が０．９５（ジュール／Ｉ
Ｉ−Ｃ）の円板状であってホウ素をイオン注入した単結
晶シリコンより成るもの１−η２ であシ、このウエノ・−１の物性値β−２□、ｄ□−Ｃ
。
（但し、単位はｏｎ”−Ｃ／ジュールである。）の値は
約７．９である。
約７．９である。
２は、厚さｄｌがＱ、Ｑ３ｃｒｎ、内径が１ｌｃｆｎ、
外径が１３ｆｆｉ、波長１００００＾の光に対する反射
率ηｌが０．５、比重ρ１が１０．２ （１７ｃｍ ）
、比熱Ｃ１が０．２８（ジュール／ｇ・Ｃ）の円環状で
あり、その表面ＫＳｉ（ｈのコーティングを施したモリ
ブデン板より成る補助加熱源であって、この補助加熱源
２はウェハー１−の外周近傍部１ｂを主として加熱する
よう、例えばウェハー１の外周近傍部１ｂの外方側斜上
方或いは外方側斜下方に位置するよう当該外周近傍部１
ｂに近接して配置する。この補助加熱源２には石英製の
爪２ａが幾つか固定して設けられており、この爪２ａに
よりウェハー１が支持されている。前記補助加熱源２の
物性値α−−エコニ−（但し、ρ１ｊｄ１−Ｃｔ 単位はｃｒｎ２・Ｃ／ジュールである。）の値は約５．
８３であり、前記βに対するαの比／βの値は約０．７
４である０ そして前記面光源によりウェハー１及び補助加熱源２に
光照射する。
外径が１３ｆｆｉ、波長１００００＾の光に対する反射
率ηｌが０．５、比重ρ１が１０．２ （１７ｃｍ ）
、比熱Ｃ１が０．２８（ジュール／ｇ・Ｃ）の円環状で
あり、その表面ＫＳｉ（ｈのコーティングを施したモリ
ブデン板より成る補助加熱源であって、この補助加熱源
２はウェハー１−の外周近傍部１ｂを主として加熱する
よう、例えばウェハー１の外周近傍部１ｂの外方側斜上
方或いは外方側斜下方に位置するよう当該外周近傍部１
ｂに近接して配置する。この補助加熱源２には石英製の
爪２ａが幾つか固定して設けられており、この爪２ａに
よりウェハー１が支持されている。前記補助加熱源２の
物性値α−−エコニ−（但し、ρ１ｊｄ１−Ｃｔ 単位はｃｒｎ２・Ｃ／ジュールである。）の値は約５．
８３であり、前記βに対するαの比／βの値は約０．７
４である０ そして前記面光源によりウェハー１及び補助加熱源２に
光照射する。
上記方法によれば、ウェハー １の両面が上方及び下方
から面光源により光照射を受けて主加熱が行なわれるが
、ウェハー１の外周近傍部１ｂに近接して、光照射を受
けて昇温する高融点金属より成る補助加熱源２を配置す
るようにしているため、前記面光源よりの光照射を受け
て補助加熱源２が昇温され、しかも、理由は後述するが
、補助加熱源２の物性値αとウニ・・−１の物性値βと
の比りの値が０，６′〜１．４の範囲内にあるため、ウ
ェハー１の昇温速度と補助加熱源２の昇温速度とがほぼ
一致するようになり、従ってこの補助加熱源２によりウ
ェハー１の外周近傍部１ｂが間接的ではあるが、伝導熱
を受けて補助的に加熱されるようになり、この結果中央
部１ａと外周近傍部１ｂとの温度差が極めて小さくなっ
てウェハー１の全体の温度が均一化されるようになり、
結局後の処理工程で支障をきた。すような大きな１反り
」の発生を防止することができると共に「スリップライ
ン」の発生を防止することができる。実際ウェハー１の
中央部１ａの温度は約１２００ｔ：’となるのに対して
ウェハー１の外周近傍部１ｂの温度は約１１７０ｃ程度
となり、この外周近傍部１゛ｂの温度は稍低めにはなる
ものの、後の処理工程で支障をきたすような大きな「反
り」が発生せず、しかも「スリップライン」も発生せず
、ウェハー１を良好に加熱処理することができる。とこ
ろで補助加熱源２による補助加熱を行なわない他は上述
の実施例と同様の方法によりウェハー１の加熱処理を行
なったところ、ウェハー１の外周近傍部１ｂの温度は約
１０８０Ｃとかなり低い値となり、後の処理工程に支障
をきたすような大きな「反り」が発生し、しかもウェハ
ー１の周辺に「スリップライン」の発生が認められた。
から面光源により光照射を受けて主加熱が行なわれるが
、ウェハー１の外周近傍部１ｂに近接して、光照射を受
けて昇温する高融点金属より成る補助加熱源２を配置す
るようにしているため、前記面光源よりの光照射を受け
て補助加熱源２が昇温され、しかも、理由は後述するが
、補助加熱源２の物性値αとウニ・・−１の物性値βと
の比りの値が０，６′〜１．４の範囲内にあるため、ウ
ェハー１の昇温速度と補助加熱源２の昇温速度とがほぼ
一致するようになり、従ってこの補助加熱源２によりウ
ェハー１の外周近傍部１ｂが間接的ではあるが、伝導熱
を受けて補助的に加熱されるようになり、この結果中央
部１ａと外周近傍部１ｂとの温度差が極めて小さくなっ
てウェハー１の全体の温度が均一化されるようになり、
結局後の処理工程で支障をきた。すような大きな１反り
」の発生を防止することができると共に「スリップライ
ン」の発生を防止することができる。実際ウェハー１の
中央部１ａの温度は約１２００ｔ：’となるのに対して
ウェハー１の外周近傍部１ｂの温度は約１１７０ｃ程度
となり、この外周近傍部１゛ｂの温度は稍低めにはなる
ものの、後の処理工程で支障をきたすような大きな「反
り」が発生せず、しかも「スリップライン」も発生せず
、ウェハー１を良好に加熱処理することができる。とこ
ろで補助加熱源２による補助加熱を行なわない他は上述
の実施例と同様の方法によりウェハー１の加熱処理を行
なったところ、ウェハー１の外周近傍部１ｂの温度は約
１０８０Ｃとかなり低い値となり、後の処理工程に支障
をきたすような大きな「反り」が発生し、しかもウェハ
ー１の周辺に「スリップライン」の発生が認められた。
ところで、前記の通り、光照射による加熱は、短時間昇
温に特徴があり、したがって、前記補助加熱源が光照射
を受けて昇温する場合、ウェハーと同じか若しくはほぼ
同じように短時間昇温するものでなければならない。こ
れは、補助加熱源の昇温速度がウェハーの昇温速度より
相当に小さい場合には、補助加熱効果が小さくてウェハ
ーの′外周近傍部の温度があまり上昇せず、また上述と
逆の場合には、ウェハーの外周近傍部の温度が高くなシ
過ぎ、何れの場合にも本発明の目的を達成することが困
難となるからである。
温に特徴があり、したがって、前記補助加熱源が光照射
を受けて昇温する場合、ウェハーと同じか若しくはほぼ
同じように短時間昇温するものでなければならない。こ
れは、補助加熱源の昇温速度がウェハーの昇温速度より
相当に小さい場合には、補助加熱効果が小さくてウェハ
ーの′外周近傍部の温度があまり上昇せず、また上述と
逆の場合には、ウェハーの外周近傍部の温度が高くなシ
過ぎ、何れの場合にも本発明の目的を達成することが困
難となるからである。
ウェハーにしても、補助加熱源にしても、その昇温速度
−、−（但し、ΔＴは温度の微小変化を、△ｔは微小時
間を表わす。）は、光照射面に垂直な面上での光照射エ
ネルギー密度をｙｆ （Ｗ／、、す、その面積′を８
（ｃｍ”）、 、厚さをｄ−２比重をρ（ｇんり、比熱
をＣ（ジュール／Ｉ・ｃ）、反射率をダとすると、ρ・
ｄ−８−Ｃ−葺＝〆パ（１−η）・Ｓ−χで表わされ、
χは、放射、伝導、対流等による熱ロスで、この口°ス
け、第１項の値に比べ小さいので近似的には、 ρ・ｄ−８−Ｃ−３□キ１ｌ−（１１）−ｓと表わすこ
とができる。従って補助加熱源の設計ファクターとして
はｊｂｄ下で表わされる物性値を用い、補助加熱源の物
性値α−１−７１ｘがウェハーρ１・ｄＩ −Ｃ１ １−η２ の物性値β＝□−にほぼ等しくなるようにす〃ｐｄ２
・ Ｃ２ ればよいが、実際上けαとβとの比ツβの値が０６〜】
４の範囲内であれば、補助加熱効果が良好に得られるこ
とが実験的に調べた結果判明した。
−、−（但し、ΔＴは温度の微小変化を、△ｔは微小時
間を表わす。）は、光照射面に垂直な面上での光照射エ
ネルギー密度をｙｆ （Ｗ／、、す、その面積′を８
（ｃｍ”）、 、厚さをｄ−２比重をρ（ｇんり、比熱
をＣ（ジュール／Ｉ・ｃ）、反射率をダとすると、ρ・
ｄ−８−Ｃ−葺＝〆パ（１−η）・Ｓ−χで表わされ、
χは、放射、伝導、対流等による熱ロスで、この口°ス
け、第１項の値に比べ小さいので近似的には、 ρ・ｄ−８−Ｃ−３□キ１ｌ−（１１）−ｓと表わすこ
とができる。従って補助加熱源の設計ファクターとして
はｊｂｄ下で表わされる物性値を用い、補助加熱源の物
性値α−１−７１ｘがウェハーρ１・ｄＩ −Ｃ１ １−η２ の物性値β＝□−にほぼ等しくなるようにす〃ｐｄ２
・ Ｃ２ ればよいが、実際上けαとβとの比ツβの値が０６〜】
４の範囲内であれば、補助加熱効果が良好に得られるこ
とが実験的に調べた結果判明した。
この比ｆｆ、７．の値が０．６未満の場合には、補助加
熱効果が小さくてウェハーの外周近傍部の温度が６士り
上昇せず依然として中央部の温度より相当に低く仮の処
理工程に支障をきたすような大きな「反り」が発生する
と共に「スリップライン」の発生が認められ、−力比／
βの値が１４を越える場合には、逆にウェハーの外周近
傍部の温度が中央部の温度よりも相当に高くなり過ぎて
前者と同様に大きな「反り−１及び「スリップライン」
の発生が認めら１Ｌｆｒ−０ 同、反射率η１及びη２け波長１００００Ａにおける反
射率の値を採用（７ている。、 前記実施例において、モリブデンの代りにタングステン
やタンタルを使用しても前記比／βの値が、０． ｆｉ
〜１１．１の範囲内に抑制されていると、ト記貯辷Ｖと
１．ｉ］様に、昇温速度が類似し、補助加熱源として有
効に作用する。
熱効果が小さくてウェハーの外周近傍部の温度が６士り
上昇せず依然として中央部の温度より相当に低く仮の処
理工程に支障をきたすような大きな「反り」が発生する
と共に「スリップライン」の発生が認められ、−力比／
βの値が１４を越える場合には、逆にウェハーの外周近
傍部の温度が中央部の温度よりも相当に高くなり過ぎて
前者と同様に大きな「反り−１及び「スリップライン」
の発生が認めら１Ｌｆｒ−０ 同、反射率η１及びη２け波長１００００Ａにおける反
射率の値を採用（７ている。、 前記実施例において、モリブデンの代りにタングステン
やタンタルを使用しても前記比／βの値が、０． ｆｉ
〜１１．１の範囲内に抑制されていると、ト記貯辷Ｖと
１．ｉ］様に、昇温速度が類似し、補助加熱源として有
効に作用する。
本発明は、以上の実施例からも理解されるように、外周
近傍部１ｂからの熱放散による温度低下を相殺するよう
に、補助加熱源をウエノ・−の外周近傍部１ｂに近接し
て配置し、外周近傍部１ｂを補助的に加熱してやり、中
央部と外周近傍部との温度差をＩ」・さくし、ウニ・・
−全面の温度を均一化することによって、後の処理工程
に支障をきだす大きな「反り」及び［−スリップライン
」の発生を防止しようとするものである。
近傍部１ｂからの熱放散による温度低下を相殺するよう
に、補助加熱源をウエノ・−の外周近傍部１ｂに近接し
て配置し、外周近傍部１ｂを補助的に加熱してやり、中
央部と外周近傍部との温度差をＩ」・さくし、ウニ・・
−全面の温度を均一化することによって、後の処理工程
に支障をきだす大きな「反り」及び［−スリップライン
」の発生を防止しようとするものである。
以上本発明方法の具体的一実施例を説明したが、本発明
はこれに限定されず種々変更を加えることができる。例
えば補助加熱源２ば、第３図に示すように、複数例えば
４つに分割した補助υ口熱源２１．２２，２３．２４
をそれぞれ対称的につ７）＼−１の外周近傍部１ｂに
近接して配置するようにしてもよい。また面光源がウェ
ハー１のヒ方或いは下方の一方側のみに配置されている
場合には、ウェハー１の面光源に対向する面とは反対同
１に補助加熱源２が位置されるようにすれば、補助加熱
源２をウニ・・−１の外周近傍部１ｂの直上或いは直下
に位置せしめても補助加熱源２が面光源からウェハー１
に照射される光を遁ぎることかないので好ましい。また
ウェハー１の支持と補助加熱源２の支持は全く別個の支
持機構により支持するようにしてもよい。
はこれに限定されず種々変更を加えることができる。例
えば補助加熱源２ば、第３図に示すように、複数例えば
４つに分割した補助υ口熱源２１．２２，２３．２４
をそれぞれ対称的につ７）＼−１の外周近傍部１ｂに
近接して配置するようにしてもよい。また面光源がウェ
ハー１のヒ方或いは下方の一方側のみに配置されている
場合には、ウェハー１の面光源に対向する面とは反対同
１に補助加熱源２が位置されるようにすれば、補助加熱
源２をウニ・・−１の外周近傍部１ｂの直上或いは直下
に位置せしめても補助加熱源２が面光源からウェハー１
に照射される光を遁ぎることかないので好ましい。また
ウェハー１の支持と補助加熱源２の支持は全く別個の支
持機構により支持するようにしてもよい。
以上のように本発明方法は、モリブデンやタングステン
、タンタルの如き高融点金属より成り光照射を受けて昇
温する補助加熱源を半導体ウェハーの外周近傍部に近接
して配置し、前記補助加熱源で半導体ウェハーの主に外
周近傍部を補助的に加熱しながら、半導体ウエノ・−を
光照射で加熱する方法であって、 前記半導体ウニ・・−の物性値β−Ｌ二ｐ−にρ２°ｄ
２ “ Ｃ！ 対する前記補助加熱源の物性値α＝−１−η１ のρ１
°ｄ１ ・Ｃ１ 比“ろの値を０６〜１．４の範囲内となるよう規定する
ことによって、ウエノ飄−面上の温度分布の均一性を改
善し、後の処理工程に支障をきたす大きな［−反り−１
及び「スリップライン」のような損傷を抑制することが
でき、実用上の価値は極めて太きい０
、タンタルの如き高融点金属より成り光照射を受けて昇
温する補助加熱源を半導体ウェハーの外周近傍部に近接
して配置し、前記補助加熱源で半導体ウェハーの主に外
周近傍部を補助的に加熱しながら、半導体ウエノ・−を
光照射で加熱する方法であって、 前記半導体ウニ・・−の物性値β−Ｌ二ｐ−にρ２°ｄ
２ “ Ｃ！ 対する前記補助加熱源の物性値α＝−１−η１ のρ１
°ｄ１ ・Ｃ１ 比“ろの値を０６〜１．４の範囲内となるよう規定する
ことによって、ウエノ飄−面上の温度分布の均一性を改
善し、後の処理工程に支障をきたす大きな［−反り−１
及び「スリップライン」のような損傷を抑制することが
でき、実用上の価値は極めて太きい０
第１図及び第２図はそれぞれ本発明方法の一実施例を示
す説明用平面図及び説明用縦断正面図、第３図は本発明
方法の他の実施例を示す説明用平面図である。 １・・・半導体ウェハー ２・・・補助加熱源１ａ・
−・中央部 １ｂ・・・外周近傍部１ｃ・・
・外周部 ２ａ−・・爪２１．２２，２３．
２４・・・補助加熱源革１図 第２図 第３図 １４７
す説明用平面図及び説明用縦断正面図、第３図は本発明
方法の他の実施例を示す説明用平面図である。 １・・・半導体ウェハー ２・・・補助加熱源１ａ・
−・中央部 １ｂ・・・外周近傍部１ｃ・・
・外周部 ２ａ−・・爪２１．２２，２３．
２４・・・補助加熱源革１図 第２図 第３図 １４７
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）モリブデンやタングステン、タンタルの如き高融点
金属よシ成）光照射を受けて昇温する補助加熱源を半導
体ウェハーの外周近傍部に近接して配置し、前記補助加
熱源で半導体ウェハーの主に外周近傍部を補助的に加熱
しながら、半導体ウェハーを光照射で加熱する方法であ
って、比Ｖβの値を０６〜１．４の範囲内となるよう規
定したことを特徴とｊる半導体ウェハーを光照射で加熱
する方法。 （但し、ηｌ及びη２はそれぞれ補助加熱源及び半導体
ウェハーの反射率を表わし、 ρ１及びρ２はそれぞれ補助加熱源及び半導体ウェハー
の比重を表わし、 ｄ＋及びｄ３はそれぞれ補助加熱源及び半（２） 導体ウエノ・−の厚さを表わし。 Ｃ＋及びＣ２はそれぞれ補助加熱源及び半導体ウエノ・
−の比熱を表わす。）
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11150082A JPS593935A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法 |
| US06/445,492 US4468259A (en) | 1981-12-04 | 1982-11-30 | Uniform wafer heating by controlling light source and circumferential heating of wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11150082A JPS593935A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593935A true JPS593935A (ja) | 1984-01-10 |
| JPS6331096B2 JPS6331096B2 (ja) | 1988-06-22 |
Family
ID=14562866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11150082A Granted JPS593935A (ja) | 1981-12-04 | 1982-06-30 | 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593935A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167335U (ja) * | 1984-04-14 | 1985-11-06 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 熱処理装置 |
| JPH02291118A (ja) * | 1988-12-30 | 1990-11-30 | Ag Processing Technol Inc | ウェハーの表面及び周囲加熱のための放射熱源を利用したウェハー均一加熱方法及びその装置 |
| US5310339A (en) * | 1990-09-26 | 1994-05-10 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus having a wafer boat |
| US11610803B2 (en) | 2020-10-20 | 2023-03-21 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Mounting fixture of bearing ring for wafer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58175826A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-10-15 | Ushio Inc | 半導体を光照射で加熱する方法 |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11150082A patent/JPS593935A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58175826A (ja) * | 1981-12-04 | 1983-10-15 | Ushio Inc | 半導体を光照射で加熱する方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60167335U (ja) * | 1984-04-14 | 1985-11-06 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 熱処理装置 |
| JPH02291118A (ja) * | 1988-12-30 | 1990-11-30 | Ag Processing Technol Inc | ウェハーの表面及び周囲加熱のための放射熱源を利用したウェハー均一加熱方法及びその装置 |
| US5310339A (en) * | 1990-09-26 | 1994-05-10 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus having a wafer boat |
| US11610803B2 (en) | 2020-10-20 | 2023-03-21 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Mounting fixture of bearing ring for wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6331096B2 (ja) | 1988-06-22 |
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