JPS60167335U - 熱処理装置 - Google Patents

熱処理装置

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Publication number
JPS60167335U
JPS60167335U JP5500584U JP5500584U JPS60167335U JP S60167335 U JPS60167335 U JP S60167335U JP 5500584 U JP5500584 U JP 5500584U JP 5500584 U JP5500584 U JP 5500584U JP S60167335 U JPS60167335 U JP S60167335U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
heat treatment
wall surface
wall
supporter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5500584U
Other languages
English (en)
Inventor
西沢　久雄
西井　清文
Original Assignee
大日本スクリ−ン製造株式会社
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Filing date
Publication date
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Priority to JP5500584U priority Critical patent/JPS60167335U/ja
Publication of JPS60167335U publication Critical patent/JPS60167335U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案に係る熱処理装置の第１実施例の概要を
示す縦断面図、第２図ないし第４図は支持器の部分の構
造を示す拡大縦断面図、第５図は本考案に係る熱処理装
置の第２実施例に示す支持器の部分の概要を示す縦断面
図、第６図は支持器の部分の構造を示す拡大縦断面図、
第７図は第６図の斜視図、第８図はウェハのローディン
グ及びアンローディング操作を示す模式平面図、第９図
は本考案に係る熱処理装置の第３実施例の概要を示す側
断面図、第１０図、は第９図のＸ−Ｘ断面図である。 １、４１．７１・・・加熱炉、３．５；４３．４５；７
３，７５．・・・光源、１１，５１．８１・・・ウェハ
、１３，５３，８３・・・支持器、２５．２５’・・・
垂直方向に高さを有する壁面、３３・・・切欠、３７．
３７’、５９・・・水平方向に幅を有する壁面、３１・
・・ＳｉＣコーティング。

Claims (9)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）ウェハを収容する加熱炉と、ウェハの表裏各面に
    それぞれ対向して配設された光源と前記加熱炉内でウェ
    ハや支持する支持器とを備え、前記光源からの光照射に
    よってウェハを加熱処理するようにした熱処理装置にお
    いて、前記支持器にウェハの周縁を囲繞する環状体を形
    成したことを特徴とする熱処理装置。
  2. （２）環状体は、支持器に支承されたウェハ平面に対し
    て垂直方向に高さを有する壁面により形成されてなる実
    用新案登録請求の範囲第１項記載の熱処理装置。
  3. （３）環状体は、支持器に支承されたウェハの表裏各面
    とそれぞれ略同−面内で水平方向に幅を有する壁面と、
    この壁面の外周縁に連接、前記ウェハ平面に対して垂直
    方向に高さを有する壁面とから形成されてなる実用新案
    登録請求の範囲第１項記載の熱処理装置。
  4. （４）垂直方向に高さを有する壁面には、ウェハ着脱用
    の垂直方向に延びる切欠を設けてなる実用新案登録請求
    の範囲第２項又は第３項記載の熱処理装置。
  5. （５）環状体は、支持器に支承されたウェハの表裏゛　
    　　各面とそれぞれ略同−面内で水平方向に幅を有する
    壁面により形成されてなる実用新案登録請求の範囲第１
    項記載の熱処理装置。
  6. （６）垂直方向に幅を有する壁面の内壁面側は、ウェハ
    の光吸収率と略同等又はそれ以上の光吸収率を有する部
    材で形成された実用新案登録請求の範囲第２項又は第３
    項記載の熱処理装置。
  7. （７）垂直方向に高さを有する壁面の内壁面側は、。 光反射面とされた実用新案登録請求の範囲第２項又は第
    ３項記載の熱処理装置。
  8. （８）　　水平方向に幅を有する壁面の内周縁部は、ウ
    ェハの光吸収率と略同等又はそれ以上の光吸収率を有す
    る部材で形成された実用新案登録第３項又は第５項記載
    の熱処理装置。
  9. （９）　　水平方向に幅を有する壁面の内周縁部は、光
    反射面劣された実用新案登録請求の範囲第３項又は第５
    項記載の熱処理装置。
JP5500584U 1984-04-14 1984-04-14 熱処理装置 Pending JPS60167335U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0338051A (ja) * 1989-06-29 1991-02-19 Applied Materials Inc 半導体ウェーハのハンドリング方法及び装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS593935A (ja) * 1982-06-30 1984-01-10 Ushio Inc 半導体ウエハ−を光照射で加熱する方法
JPS59178718A (ja) * 1983-03-29 1984-10-11 Sony Corp 半導体基体の処理装置

Patent Citations (2)

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