JPS5936814B2 - 受動複合素子パッケ−ジ - Google Patents

受動複合素子パッケ−ジ

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JPS5936814B2
JPS5936814B2 JP54052358A JP5235879A JPS5936814B2 JP S5936814 B2 JPS5936814 B2 JP S5936814B2 JP 54052358 A JP54052358 A JP 54052358A JP 5235879 A JP5235879 A JP 5235879A JP S5936814 B2 JPS5936814 B2 JP S5936814B2
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忠重 今野
直治 秋野
正敏 石橋
隆 横山
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/02Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、抵抗またはインダクタンス素子とコンデンサ
素子との組合せより成る受動複合素子を、複数組有する
受動複合素子パツケージに関する。
たとえば電子機器の高周波ノイズフイルタとして、LC
π型構造のものを実現する場合、従来は、第1図に示す
ように、コイル1の軸方向両端に固着したリード線2,
3を同一方向に折曲げると共に、コイル1の下方の、リ
ード線2,3間に、共通リード端子4を間に挟んで、チ
ツプコンデンサ5,6を半田付け固定し、さらに全体に
絶縁樹脂7をモールドした構造としてあつた。しかし上
述のような構造であると、コイル1のリード線2,3と
共通リード端子4との間にチツプコンデンサ5,6を半
田付け固定する際の安定性が悪く、半田付け作業中にチ
ツプコンデンサが位置ズレを生じ、最悪の場合には脱落
してしまう欠点があり、信頼性、量産性に欠ける面があ
つた。
また、LCπ型回路を複数組必要とする場合、第1図に
示す構造の受動複合素子を必要数だけ用意し、それぞれ
をプリント回路基板等に実装しなければならず、回路実
装作業が面倒で量産性に欠ける欠点があつた。本発明は
上述する欠点を除去し、受動複合素子を複数組必要とす
る場合のプリント回路基板への実装が非常に容易で、し
かも信頼性が高く量産性に優れた受動複合素子パツケー
ジを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、絶縁樹脂モールド
より成る外装体内に少なくとも2種類の受動回路素子よ
り構成される受動複合素子を複数個有し、該受動複合素
子のリード端子を前記外装体から同一方向に導出した受
動複合素子パツケージにおいて、前記外装体の厚さ方向
における同一横断面上に前記受動複合素子に導通接続さ
せる導体を埋設し、この導体の両側の前記外装体の幅方
向に、互いに対向する一対の前記リード端子を植設し、
前記受動回路素子の一方は、両端に導出した電極を前記
一対のリード端子間に挟みこんで導通接続させ、前記受
動回路素子の他方は、前記受動回路素子の一方の上方ま
たは下方に、電極の一方が前記導体に対接して導通接続
し、かつ電極の他方が前記リード端子の一つに導通接続
するように配置させたことを特徴とする。
以下実施例たる添付図面を参照し、本発明の内容を具体
的に説明する。
第2図は本発明に係る受動複合素子パツケージの一部欠
損平面図、第3図は第2図A−A線上における正面部分
断面図、第4図は第2図B−B線上における側面断面図
をそれぞれ示している。図において、8は絶縁樹脂より
成る外装体であシ、トランスフアモールドまたはインジ
エクシヨンモールドによ)六面体状に成形されている。
該外装体8の内部には、その長さ11方向に、一定ピツ
チg1をもつて、2種類の第1、第2の受動回路素子9
,10,11を一組とする受動複合素子X1〜X4を、
複数組埋設してある。前記第1の受動回路素子9は、こ
の実施例ではインダクタンス素子として構成してあう、
軸方向の貫通孔9aを有して円筒状に形成されたフエラ
イトビーズ9bをコアとし、該フエライトビーズ9bの
貫通孔9a内壁面および軸方向の両端面9c,9dに導
電層9eを被着した構造となつている。
導電層9eを形成する具体的な方法としては、例えばフ
エライトピーズ9bの全面にNi無電解メツキを施した
後、フエライトビーズ9bの外周部分に被着されたメツ
キ層をセンタレス研磨によつて削除する方法が考えられ
る。このように、この実施例では、第1の受動回路素子
たるインダクタンス素子9を、フエライトビーズ9bを
コアとするもので構成してあるので、従来のコイルを用
いたものと異なつて、コイル導体となる導電層9eをN
i無電解メツキ等の手段によつて量産的に処理形成し、
量産性を高めることができる。導電層9eを形成する代
わ)に、貫通孔9a内に導線を貫通させてもよい。また
、第5図に示すように、フエライトビーズ9B1の外周
にコイル9E1を巻回したものや、第6図に示すように
、フエライトビーズ9B2の外周面に導電層9E2を螺
旋状に被着形成したものを使用することもできる。更に
はインダクタンス素子の代わシにカーボン抵抗体等の抵
抗素子を使用することもできる。一方、第2の受動回路
素子10,11は、平板矩形状のチツプコンデンサとし
て構成され、その相対向二端面に端部電極10a,10
b、11a,11bを設けた構造となつている。端部電
極10a,10b111a,11bは一般には外部との
接続部分となるもので、実質的な容量を定めるべく、誘
電体の厚み方向に対向して備えられる対の電極にそれぞ
れ導通接続されている。また、チツプコンデンサ10,
11としては、単層形、積層形等、各種のタイプのもの
を使用することができるが、この実施例の場合のように
、第1の受動回路素子9を構成するインダクタンス素子
のインダクタンス値が小さい場合には、インダクタンス
値の不足を補う意味から、積層形のものを使用して容量
を大きくとることが望ましい。
なお、この実施例では、チツプコンデンサ10,11は
2個備えられているが、必ずしもこの個数には限定され
ない。12は共通端子、13,14は該共通端子12の
両側に互いに対向するように設けられた一対のリード端
子である。
これらは外装体8の厚さ方向における同一横断面上に設
けられ、受動複合素子X1〜X4を取付け固定すると同
時に、その電極を外装体8の外部へ導出する働きを有す
る。まず共通電極12は、外装体8の同一横断面上の幅
W1方向の略中間部に、その長さ11の方向に沿つて設
けられ、対となつているリード端子13,14に対応す
る部分に、ほぼ直角に切り起された電極接続片12aと
、第2の受動回路素子たるチツプコンデンサ10,11
の幅W2より若干大きめの間隔d1を有して斜めに折曲
げられた阻止片12bを設けてある。また共通端子12
の両端には、外装体8の幅方向の両端面8a,8bから
外部へ導出され、同一方向に折曲げられた共通りード端
子12c〜12fを設けてある。一方、リード端子13
,14は、外装体8の長さ11方向に、間隔g1を介し
て複数個配列してあシ、外装体8の内部に埋設される部
分に、ほぼ直角に折曲げ形成された電極接続片13a,
14aを設けると共に、該電極接続片13a,14aの
両側に、チツプコンデンサ10,11を載せる平板状の
支持片13b,14bを設けてある。
また、リード端子13,14は、外装体8の幅W1方向
の二端面8a,8bから外部へ導出され、同一方向に、
同一長さとなるように折曲げてある。チツプコンデンサ
10,11は、阻止片12bによつて横ズレを阻止しな
がら共通端子12及びリード端子13(または14)の
支持片13b(または14b)上に載置した上で、端部
電極10a,10bを電極接続片12a,13aまたは
14aに半田付け固定してある。このように、第2の受
動回路素子たるチツプコンデンサ10,11を共通端子
12及びリード端子13(または14)の支持片13b
(または14b)上に載置した上で、端部電極10a,
10bを電極接続片12a,13aまたは14aに半田
付け固定する構造であると、位置ズレ、脱落等を生じる
ことなく、チツプコンデンサ10,11を正確かつ確実
に位置決し、端部電極10a,10bを電極接続片12
a,13aまたは14aに確実に導通接続させることが
できる。また、第1の受動回路素子たるインダクタンス
素子9は、チツプコンデンサ10,11の上に載せ、か
つリード端子13,14の電極接続片13a,14aを
貫通孔9a内に折曲げたうえで導電層9e上に半田付け
固定してある。
このように、インダクタンス素子9とチツブコンデンサ
10,11とを重ねるように配置する構造であると、外
装体8内における受動複合素子X1〜X4の配置密度が
高くなり、小型でしかも多数の受動複合素子を有する高
密度実装の受動複合素子パツケージを実現することがで
きる。また、インダクタンス素子9の両端をリード端子
13,14の電極接続片13a,14aによつて挟持し
、導電層9eに導通接続させる構造であると、インダク
タンス素子9の取付けに当つて単にリード端子13,1
4の電極接続片13a,14a間にインダクタンス素子
9を挟込めばよく、その組込み作業が非常に容易になる
と同時に、取付け後の支持安定性が良好になり、信頼性
が向上する。上記実施例に示す受動複合素子パツケージ
は、第7図に示すように、インダクタンス素子9の両側
にコンデンサ10,11の一端を接続し、該コンデンサ
10,11の他端を共通に接続した回路構成をとる。
また、受動複合素子X1〜X4の各各は、互いに独立し
たリード端子13,14と、共通端子12とを有するL
Cπ形の構造をとジ、それぞれのリード端子13,14
及び共通端子12を、外装体8の二端面8a,8bから
同一方向に導出した所謂デユアルインラインパツケージ
方式となシ、デイツプモールド外装のCと同様の形態を
とることとなる。したがつて、ICと同様にプリント回
路基板に挿入接続することができ、その挿入接続作業が
非常に容易になシ、Cと共存させた場合にも、プリント
回路基板の体裁を統一することができる。しかも、モノ
リシツク構造となるため、機械的強度が大きく、かつ苛
酷な条件下でも高い信頼性を発揮させることができる。
また、本発明に係る受動複合素子パツケージは一般には
共通端子12をアース端子とし、リード端子13,14
を入出力端子とするノイズフイルタとして使用されるも
のであるが、この場合、共通端子12による誘導リアク
タンスの影響で、高周波の入力雑音成分がアース側に落
ちないため、入力側と出力側とが、コンデンサ10,1
1によりカツプリングを起し、減衰特性が悪化する場合
がある。その対策として、第8図に示すように、共通端
子12をリード端子13,14側で共通端子12A,1
2Bに二分し、コンデンサ10,11を入力側で分離す
る方法が考えられる。このような構造であると、第9図
に示すような回路構成となv、コンデンサ10,11に
よるカツプリングが防止され、入力雑音成分が出力側に
出なくなるから、減衰特性が向上する。なお、共通端子
12A,12Bのリード端子12A1,12A2、12
B1,12B2の内、例えばリード端子12A1,12
B1は省き、リード端子12A2,12B2を備える構
造とすることもできる。
次に本発明に係る受動複合素子パツケージの製造方法に
ついて詳説する。
第10図a1〜A6,bl〜B6はその製造工程を説明
する図である。
まず第10図Al,blに示すように、黄銅、燐青銅ま
たはベリリウムカツパ等の弾性、電気伝導性に富む金属
板を使用し、所定パターンを有するリードフレーム18
を作成する。
リードフレーム18の所定パターンは、プレス加工また
は化学的エツチング処理等によつて作成することができ
る。また、リードフレーム18は、帯状の金属板上に所
定パターンを一定間隔で連続的に形成(実施例はこの方
法を示す)してもよく、所定パターンを有する一個のリ
ードフレームとして形成してもよい。リードフレーム1
8は、幅W3方向の中間部に共通端子フレーム部19を
設けると共に、該共通端子フレーム部19の両外側に、
長さ!2の方向に沿つてリード端子フレーム部20,2
1を配列したパターンを有している。
共通端子フレーム部19は、リード端子フレーム部20
,21を結ぶ線上にH型の切抜き孔22を有し、この切
抜き孔22によつて第2図〜第4図に示した電極接続片
12aとなる舌片19aを形成してある。
またリード端子フレーム部20,21と対向する端縁部
には、阻止片12bとなる突片19bを、間隔d1を介
して設けてある。さらに、共通端子フレーム部19の長
さ12方向の両端には、共通リード端子部19c〜19
fを設けてある。該共通リード端子部19c〜19fは
、その先端部を外枠23に連続させてあう、従つて共通
端子フレーム部19は外枠23と一体になつている。一
方、リード端子フレーム部20,21は、ピツチ間隔g
1を有して長さ12方向に配夕1ルてあ抵共通端子フレ
ーム部19と対向する端部に、第2図〜第4図の電極接
続片13a,14aとなる舌片20a,21aと支持片
13b,14bとなる突片20b,21bとを有してい
る。
またこのリード端子フレーム部20,21は接続部24
によつて互いに一体に接続され、更に外端部を外枠23
に接続して一体化してある。次に第10図A2,b2に
示すように、リードフレーム18の共通子フレーム部1
9における舌片19a、リード端子フレーム部20,2
1の舌片20a,21aを、同一方向にほぼ直角に折曲
げると同時に、共通端子フレーム部19の阻止片19b
を斜めになるように折曲げる。
次に第10図A3,b3に示すように、共通端子フレー
ム部19とリード端子フレーム部20,21の間に第2
の受動回路素子となるチツプコンデンサ10,11を載
せる。
チツプコンデンサ10,11は、共通端子フレーム部1
9、リード端子フレーム部20,21の舌片19a,2
0a,21aに端部電極10a,10b゛,11a,1
1bが圧接し、かつ突片19b,19bによつて位置ズ
レが防止される。次に第10図A4,b4に示すように
、チツプコンデンサ10,11の上に第1の受動回路素
子たるインダクタンス素子9を載せたうえで、その貫通
孔9a内に舌片20a,21aの線端部を折曲げ挿入し
、これによつてインダクタンス素子9をリードフレーム
18上に固定する。
次にこの状態で半田槽に通し、インダクタンス9の導電
層9e及びチツプコンデンサ10,11の端部電極10
a,10b111a,11bに、共通端子フレーム部1
9及びリード端子フレーム部20,21の舌片19a,
20a,21aをそれぞれ半田付け固着した後、第10
図A5,b5に示すように、共通端子フレーム部19及
びりード端子フレーム部20,21を外枠23から切離
すと同時に、接続部24をも切落し、第2図〜第4図の
共通端子12及びリード端子13,14として独立させ
る。
この場合、共通端子12、りード13,14は、インダ
クタンス素子9、チツプコンデンサ10,11に半田付
け固定されているから、共通端子12、リード端子13
,14がバラバラに分解する恐れは全く存在しない。次
に第10図A6,b6に示すように、共通リード端子1
9c〜19fとリード端子部20,21を残して、イン
ダクタンス素子9、チツプコンデンサ10,11をトラ
ンスフアモールドまたはインジエクシヨンモールド等に
より絶縁樹脂モールドし、外装体8を形成する。
このモールド工程後、共通リード端子19c〜19f、
リード端子部20,21を同一方向に折曲げることによ
シ、第2図〜第4図に示すデユアルインラインパツケー
ジタイプの受動複合素子パツケージが完成する。
なお、第8図に示す構造の受動複合素子パツケージを得
るには、第11図に示すように、2つの共通端子フレー
ム部19A,19Bを有するりードフレームを使用すれ
ばよい。
第12図及び第13図は本発明に係る受動複合素子パツ
ケージの他の実施例を示している。
この実施例では、リードフレームに代つて、アルミナ、
フエノールまたはガラスエポキシ等よシ成る基板25上
に、共通リードパターン26,27を形成すると共に、
該共通リードパターン26,27の外側に、一定ピツチ
間隔G2を有して複数のり−ドパターン28a〜28h
,29a〜29hを形成したものを使用し、共通リード
パターン26とリードパターン28a〜28hとの間に
チツプコンデンサ10を、また共通リードパターン27
とリードパターン29a〜29hとの間にチツプコンデ
ンサ11をそれぞれ固着すると共に、各り−ドパターン
28a〜28h,29a〜29hに導通接続したリード
端子30a〜30hと31a〜31hとの間に第1の受
動回路素子たるインダクタンス素子9を固着した構造と
してあり、第9図に示したと同様の回路構成となる。な
お、実施例では、インダクタンス素子9は基板25の下
側に配置してあるが、第2図〜第4図と同様にチツプコ
ンデンサ10,11の上に配置してもよい。
また、第12図、第13図では外装体は省いて示してあ
るが、完成品としては外装体を有することは言うまでも
ない。以上述べたように、本発明は、絶縁樹脂モールド
より成る外装体内に少なくとも2種類の受動回路素子よ
り構成される受動複合素子を複数個有し、該受動複合素
子のリード端子を前記外装体から同一方向に導出した受
動複合素子パツケージにおいて、前記外装体の厚さ方向
における同一横断面上に前記受動複合素子に導通接続さ
せる導体を埋設し、この導体の両側の前記外装体の幅方
向に、互いに対向する一対の前記リード端子を植設し、
前記受動回路素子の一方は、両端に導出した電極を前記
一対のリード端子間に挟みこんで導通接続させ、前記受
動回路素子の他方は、前記受動回路素子の一方の上方ま
たは下方に、電極の一方が前記導体に対接して導通接続
し、かつ電極の他方が前記リード端子の一つに導通接続
するように配置させたことを特徴とするから、デイツプ
モールド形のICパツケージと同様のデユアルインライ
ンタイプであつて、受動複合素子を複数組必要とする場
合のプリント回路基板への実装が非常に容易で、しかも
信頼性が高く量産性に優れた受動複合素子パツケージを
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の受動複合素子の正面図、第2図は本発明
に係る受動複合素子パツケージの一部欠損平面図、第3
図は第2図A−A線土における正面部分断面図、第4図
は第2図B−B線上に}ける側面断面図、第5図及び第
6図は第1の受動回路素子の他の実施例を示す断面図及
び正面図、第7図は第2図〜第4図に示した受動複合素
子パツケージの等価回路図、第8図は共通端子とリード
端子の他の配置図、第9図はその等価回路図、第10図
a1〜A6は本発明に係る受動複合素子パツケージの製
造方法を示す図、第10図b1〜B6は第10図a1〜
A6のC1〜C6に}ける側面断面図、第11図はリー
ドフレームの他の実施例における平面図、第12図は本
発明に係る受動複合素子パツケージの他の実施例におけ
る基板の斜視図、第13図は同じくその組立状態を示す
斜視図である。 8・・・外装体、9・・・第1の受動回路素子、10,
1・・・第2の受動回路素子、12・・・共通端子、3
,14・・・リード端子。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 絶縁樹脂モールドより成る外装体内に少なくとも2
    種類の受動回路素子より構成される受動複合素子を複数
    個有し、該受動複合素子のリード端子を前記外装体から
    同一方向に導出した受動複合素子パッケージにおいて、
    前記外装体の厚さ方向における同一横断面上に導体を埋
    設し、この導体の両側の前記外装体の幅方向に、互いに
    対向する一対の前記リード端子を植設し、前記受動回路
    素子の一方は、両端に導出した電極を前記一対のリード
    端子間に挟みこんで導通接続させ、前記受動回路素子の
    他方は、前記受動回路素子の一方の上方または下方に、
    電極の一方が前記導体に対接して導通接続し、かつ電極
    の他方が前記リード端子の一つに導通接続するように配
    置させたことを特徴とする受動複合素子パッケージ。 2 前記受動回路素子の一方は、インダクタンス素子で
    あり、前記受動回路素子の他方はコンデンサ素子である
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の受動複
    合素子パッケージ。 3 前記インダクタンス素子は、柱状のフェライトビー
    ズをコアとするものより成ることを特徴とする特許請求
    の範囲第2項に記載の受動複合素子パッケージ。 4 前記インダクタンス素子は、円筒状に形成されたフ
    ェライトビーズの貫通孔内に導電槽を被着させたものよ
    り成ることを特徴とする特許請求の範囲第3項に記載の
    受動複合素子パッケージ。 5 前記コンデンサ素子は、1個の前記インダクタンス
    素子に対して2個設けられることを特徴とする特許請求
    の範囲第2項、第3項または第4項に記載の受動複合素
    子パッケージ。 6 前記2つのコンデンサ素子のそれぞれの電極の一方
    は、前記インダクタンス素子の両端の電極に接続され、
    電極の他方は共通に接続されることを特徴とする特許請
    求の範囲第5項に記載の受動複合素子パッケージ。 7 前記2つのコンデンサ素子のそれぞれの電極の一方
    は、前記インダクタンス素子の電極に接続され、電極の
    他方は互いに独立した前記リード端子に接続されること
    を特徴とする特許請求の範囲第5項に記載の受動複合素
    子パッケージ。
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