JPS5933910A - トランジスタのベ−ス回路 - Google Patents
トランジスタのベ−ス回路Info
- Publication number
- JPS5933910A JPS5933910A JP57144405A JP14440582A JPS5933910A JP S5933910 A JPS5933910 A JP S5933910A JP 57144405 A JP57144405 A JP 57144405A JP 14440582 A JP14440582 A JP 14440582A JP S5933910 A JPS5933910 A JP S5933910A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- emitter
- base
- voltage change
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、トランジスタ、特にパワートランジスタに
おいて、コレクタ・エミッタ間の急峻な電圧変化による
変位電流をベースに引き出すことによって、コレクタか
らエミッタに流れる電流を低減させるようにしたトラン
ジスタのベース回路に関するものである。一般に、）ラ
ンジスタ、特に高圧、大電流容量のパワートランジスタ
においては、コレクタ・エミッタ間の急峻な電圧変化ｄ
ｖ ／ ｄ ｔによりそのトランジスタに流れる変位
電流が大きくなり、トランジスタ破壊の原因となってい
る。
おいて、コレクタ・エミッタ間の急峻な電圧変化による
変位電流をベースに引き出すことによって、コレクタか
らエミッタに流れる電流を低減させるようにしたトラン
ジスタのベース回路に関するものである。一般に、）ラ
ンジスタ、特に高圧、大電流容量のパワートランジスタ
においては、コレクタ・エミッタ間の急峻な電圧変化ｄ
ｖ ／ ｄ ｔによりそのトランジスタに流れる変位
電流が大きくなり、トランジスタ破壊の原因となってい
る。
この発明は、上述の点にかんがみなされたもので、コレ
クタ・エミッタ間の急峻な電圧変化に際し、ベース・エ
ミッタ間を短絡することによって変位電流を低減させ、
トランジスタ破壊の原因を除去するトランジスタのベー
ス回路を提供することを目的とする。以下、この発明を
図面について説明する。
クタ・エミッタ間の急峻な電圧変化に際し、ベース・エ
ミッタ間を短絡することによって変位電流を低減させ、
トランジスタ破壊の原因を除去するトランジスタのベー
ス回路を提供することを目的とする。以下、この発明を
図面について説明する。
第１図はこの発明に係るトランジスタのベース回路の原
理を説明するためのブロック回路図、第２図はこの発明
に係るトランジスタのベース回路の一実施例を示す回路
図、第３図は第２図の実施例の各部の電圧電流波形を示
す図である。
理を説明するためのブロック回路図、第２図はこの発明
に係るトランジスタのベース回路の一実施例を示す回路
図、第３図は第２図の実施例の各部の電圧電流波形を示
す図である。
第１図において、１はトランジスタ、２は前記トランジ
スタ１を駆動するためのベース駆動装置、３は前記トラ
ンジスタ１のコレクタ・エミッタ間に印加される電圧の
変化ｄｖ／ｄｔを検出する電圧変化検出装置、４は前記
電圧変化検出装置３の出力信号で作動する開閉装置であ
る。
スタ１を駆動するためのベース駆動装置、３は前記トラ
ンジスタ１のコレクタ・エミッタ間に印加される電圧の
変化ｄｖ／ｄｔを検出する電圧変化検出装置、４は前記
電圧変化検出装置３の出力信号で作動する開閉装置であ
る。
次にこのブロック回路の動作を説明する。側らかの原因
でトランジスタ１のコレクタ・エミッタ間の電圧変化が
発生すると、その電圧変化を電圧変化検出装置３が検出
し、出力信号を開閉装置４に送る。開閉装置４は前記出
力信号を受けて作動し、トランジスタ１のベース・エミ
ッタ間を短絡する。この短絡によりトランジスタ１のコ
レクタ・エミッタ間の電圧変化による変位電流はエミッ
タに抜けずベースに引き出される。
でトランジスタ１のコレクタ・エミッタ間の電圧変化が
発生すると、その電圧変化を電圧変化検出装置３が検出
し、出力信号を開閉装置４に送る。開閉装置４は前記出
力信号を受けて作動し、トランジスタ１のベース・エミ
ッタ間を短絡する。この短絡によりトランジスタ１のコ
レクタ・エミッタ間の電圧変化による変位電流はエミッ
タに抜けずベースに引き出される。
次に、第１図のブロック回路を具体化した第２図の実施
例について説明する。第２図において、１０は抵抗器、
１１はコンデンサ、１２は第２のトランジスタ、１３は
抵抗器、１４はダイオードである。抵抗器１０とコンデ
ンサ１１と抵抗器１３で構成される微分回路は第１図の
電圧変化検出装置３に相当し、第２のトランジスタ１２
は第１図の開閉装置４に相当する。
例について説明する。第２図において、１０は抵抗器、
１１はコンデンサ、１２は第２のトランジスタ、１３は
抵抗器、１４はダイオードである。抵抗器１０とコンデ
ンサ１１と抵抗器１３で構成される微分回路は第１図の
電圧変化検出装置３に相当し、第２のトランジスタ１２
は第１図の開閉装置４に相当する。
次に動作を第３図の各部の電圧電流波形を参照りながら
説明する。ベース駆動回路の出力が第３図（ａ）のよう
に変化すると、トランジスタ１がターンオフしそのコレ
クタ電流は第３図（ｂ ）のよプに変化する。このコレ
クタ電流の変化により、コレクタ・エミッタ間に第３図
（ｅ）に示すよつな電圧変化ｄｖ／ｄｔが生ずる。この
電圧変化により、抵抗器１０、コンデンサ１１、抵抗器
１３からなる電圧変化検出装置３に電流が流れ、コンデ
ンサ１１に流れる充電電流は第３図（ｄ）に示すように
変化する。この充電電流は、抵抗器１３を通る電流とト
ランジスタ１２のベース電流に分流される。
説明する。ベース駆動回路の出力が第３図（ａ）のよう
に変化すると、トランジスタ１がターンオフしそのコレ
クタ電流は第３図（ｂ ）のよプに変化する。このコレ
クタ電流の変化により、コレクタ・エミッタ間に第３図
（ｅ）に示すよつな電圧変化ｄｖ／ｄｔが生ずる。この
電圧変化により、抵抗器１０、コンデンサ１１、抵抗器
１３からなる電圧変化検出装置３に電流が流れ、コンデ
ンサ１１に流れる充電電流は第３図（ｄ）に示すように
変化する。この充電電流は、抵抗器１３を通る電流とト
ランジスタ１２のベース電流に分流される。
′トランジスタ１２にベース電流が供給されると、トラ
ンジスタ１２はオン状態となりトランジスタ１０ペース
・エミッタ間を短絡する。この短絡によりトランジスタ
１のエミッタ・コレクタ間の電圧変化ｄ ｖ ／ ｄ
ｔによる変位電流は、エミッタに抜けずにベースに引き
出されることになり、トランジスタ１の破壊を防ぐこと
になる。
ンジスタ１２はオン状態となりトランジスタ１０ペース
・エミッタ間を短絡する。この短絡によりトランジスタ
１のエミッタ・コレクタ間の電圧変化ｄ ｖ ／ ｄ
ｔによる変位電流は、エミッタに抜けずにベースに引き
出されることになり、トランジスタ１の破壊を防ぐこと
になる。
以上詳細に説明したよプに、この発明に係るトランジス
、りのベース回路は、トランジスタのコレクタ・エミッ
タ間に印加される電圧の変化を検出する電圧変化検出装
置と、トランジスタのベース・エミッタ間に接続された
開閉装置とからなり、電圧変化検出装置が電圧変化を検
出したら開閉装置を作動させベース・エミッタ間を短絡
して変位電流をエミッタに通さずベースに引き出すよ５
にしたので、電圧変化による大きな変位電流からトラン
ジスタの破壊を防ぐというすぐれた効果を発揮するもの
である。
、りのベース回路は、トランジスタのコレクタ・エミッ
タ間に印加される電圧の変化を検出する電圧変化検出装
置と、トランジスタのベース・エミッタ間に接続された
開閉装置とからなり、電圧変化検出装置が電圧変化を検
出したら開閉装置を作動させベース・エミッタ間を短絡
して変位電流をエミッタに通さずベースに引き出すよ５
にしたので、電圧変化による大きな変位電流からトラン
ジスタの破壊を防ぐというすぐれた効果を発揮するもの
である。
また、バワートランジ久夕をインバータ等の用途に使用
した場合には、電圧変化ｄｖ／ｄｔによる変位電流でア
ーム短絡することがあるが、これを防止するのにもこの
発明は極めてすぐれたものである。
した場合には、電圧変化ｄｖ／ｄｔによる変位電流でア
ーム短絡することがあるが、これを防止するのにもこの
発明は極めてすぐれたものである。
第１図はこの発明に係るトランジスタのベース回路の原
理を説明するためのズｐツク回路図、第２図はこの発明
に係るトランジスタのベース［ｏｌＭの一実施例を示す
回路図、第３図は第２図の実施例の各都電圧、電流波形
を示す図である。 図中、１はトランジスタ、２はベース駆動装置、３は電
圧変化検出装置、４は開閉装置、１１はコンデンサ、１
２は第２のトランジスタ、１３は抵抗器、１４はダイオ
ードである。なお、図中の同一符号は同一または相当部
分を示す。 代理人 葛野信−（外１名） 第１図 第３図
理を説明するためのズｐツク回路図、第２図はこの発明
に係るトランジスタのベース［ｏｌＭの一実施例を示す
回路図、第３図は第２図の実施例の各都電圧、電流波形
を示す図である。 図中、１はトランジスタ、２はベース駆動装置、３は電
圧変化検出装置、４は開閉装置、１１はコンデンサ、１
２は第２のトランジスタ、１３は抵抗器、１４はダイオ
ードである。なお、図中の同一符号は同一または相当部
分を示す。 代理人 葛野信−（外１名） 第１図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （］）トランジスタのコレクタ・エミッタ間に印加され
る電圧の変化を検出する電圧変化検出装置と、前記トラ
ンジスタのベース・エミッタ間に接続された開閉装置と
からなり、前記電圧変化検出装置が電圧変化を検出した
とき前記開閉装置を作動させ前記トランジスタのベース
・エミッタ間を短絡する構成としたことを特徴とするト
ランジスタのベース回路。 （２）電圧変化検出装置として、コンデンサと抵抗器と
からなる微分回路を用いたことを特徴とする特許請求の
範囲第（１）項記載のトランジスタのベース回路。 （３）開閉装置として、半導体素子を用−たことを特徴
とする特許請求の範囲第（１１項記載のトランジスタの
ベース回路０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57144405A JPS5933910A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | トランジスタのベ−ス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57144405A JPS5933910A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | トランジスタのベ−ス回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5933910A true JPS5933910A (ja) | 1984-02-24 |
Family
ID=15361404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57144405A Pending JPS5933910A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | トランジスタのベ−ス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933910A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61136309A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | Kazuo Tsumura | トランジスタ保護装置 |
| US5427885A (en) * | 1993-03-26 | 1995-06-27 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Process for producing toner through suspension polymerization |
| FR2762726A1 (fr) * | 1997-04-29 | 1998-10-30 | Sgs Thomson Microelectronics | Etage de sortie d'amplificateur a protection contre les courts-circuits |
-
1982
- 1982-08-18 JP JP57144405A patent/JPS5933910A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61136309A (ja) * | 1984-12-07 | 1986-06-24 | Kazuo Tsumura | トランジスタ保護装置 |
| US5427885A (en) * | 1993-03-26 | 1995-06-27 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Process for producing toner through suspension polymerization |
| FR2762726A1 (fr) * | 1997-04-29 | 1998-10-30 | Sgs Thomson Microelectronics | Etage de sortie d'amplificateur a protection contre les courts-circuits |
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