JPS5932150A - バイポ−ラモノリシツクic - Google Patents
バイポ−ラモノリシツクicInfo
- Publication number
- JPS5932150A JPS5932150A JP14291582A JP14291582A JPS5932150A JP S5932150 A JPS5932150 A JP S5932150A JP 14291582 A JP14291582 A JP 14291582A JP 14291582 A JP14291582 A JP 14291582A JP S5932150 A JPS5932150 A JP S5932150A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- island
- transistor
- potential
- substrate
- bipolar monolithic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/761—PN junctions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明&」、バイポーラモノリシックlC(集積回路
)において、例えばフィル負荀の出力回路でそのフィル
負葡に生じる逆起電力により島の電位が基板の電位以下
になったときに隣接する島かも蚕生トランジスタが発生
することな防止するよ5にしたバイポーラモノリシック
Icに関する。
)において、例えばフィル負荀の出力回路でそのフィル
負葡に生じる逆起電力により島の電位が基板の電位以下
になったときに隣接する島かも蚕生トランジスタが発生
することな防止するよ5にしたバイポーラモノリシック
Icに関する。
従来のバイポーラモノリシックIcKおける寄生トラン
ジスタの発生忙ついて説明する。第1図におい工、11
はPfiシリコン半導体基板で、複数のN層の島12.
,12□・・・が形成されている。また、13は8i0
2膜である。
ジスタの発生忙ついて説明する。第1図におい工、11
はPfiシリコン半導体基板で、複数のN層の島12.
,12□・・・が形成されている。また、13は8i0
2膜である。
そ1−て、第1図における島12.に第2図に示Jよう
なトランジスタQ+を形成し、このトランジスタQ、の
コレクタ側にコイルLを接続した場合には次のよ5にし
て寄生トランジスタが発生1−る。つまり、フィルムに
逆起電力が発生ずることにより、島121に形成されて
いるトランジスタQ、のフレフタ電位(A点の電位)、
つまり島12!の電位が基板11の電位より低くなるこ
とがある。このような場合には、島122に隣接する島
12.と上記トランジスタ94間には第2図に示すよう
な寄生トランジスタQ2が発生する。このような寄生ト
ランジスタQ20発生を防止する方法として島12.と
島12.の間隔を離したり、基tfi11のP#度(つ
まり、寄生トランジスタQ、のベース濃度)を上け℃、
寄生トランジスタQ!のhfeを下けて少しでも寄生ト
ランジスタの影響を落とすよ5KLでいた。
なトランジスタQ+を形成し、このトランジスタQ、の
コレクタ側にコイルLを接続した場合には次のよ5にし
て寄生トランジスタが発生1−る。つまり、フィルムに
逆起電力が発生ずることにより、島121に形成されて
いるトランジスタQ、のフレフタ電位(A点の電位)、
つまり島12!の電位が基板11の電位より低くなるこ
とがある。このような場合には、島122に隣接する島
12.と上記トランジスタ94間には第2図に示すよう
な寄生トランジスタQ2が発生する。このような寄生ト
ランジスタQ20発生を防止する方法として島12.と
島12.の間隔を離したり、基tfi11のP#度(つ
まり、寄生トランジスタQ、のベース濃度)を上け℃、
寄生トランジスタQ!のhfeを下けて少しでも寄生ト
ランジスタの影響を落とすよ5KLでいた。
しかし、上記したような従来施こされていた寄生トラン
ジスタの発生の防止力法では完全に寄生トランジスタの
発生を止めることはできなかった。さらにまた、コイル
負荷がなされているトランジスタの近くに他の島を設け
ることができず素子0)集積度が上がらないという欠点
があった。
ジスタの発生の防止力法では完全に寄生トランジスタの
発生を止めることはできなかった。さらにまた、コイル
負荷がなされているトランジスタの近くに他の島を設け
ることができず素子0)集積度が上がらないという欠点
があった。
この発明は上記の点vc鑑みてなされたもので、そり)
目的はバイポーラモノリシックICKおする寄生トラン
ジスタの発生を防止するよ5にしたバイポーラモノリシ
ックlCを提供することにある。
目的はバイポーラモノリシックICKおする寄生トラン
ジスタの発生を防止するよ5にしたバイポーラモノリシ
ックlCを提供することにある。
〔発明の概要〕
バイポーラモノリシンクIIcおい″C素子となるべき
島と島の間に第3の島を設け、その第3の島の電位を基
板の電位に固定して寄生トランジスタの発生を防止する
ようにしている。
島と島の間に第3の島を設け、その第3の島の電位を基
板の電位に固定して寄生トランジスタの発生を防止する
ようにしている。
以−F1図面を谷照し℃この発明の一実施例を説明する
。第3図及び第4図におい又第1図と同一名称には同一
番号を付することにする。第3図におい−(、J涌12
.と島12.との間には+ 島12.が形成されて、上記島1211はN領域14
、 Aj’層16.P領域16を介して基板IIと′r
(L気菌に短絡されている。
。第3図及び第4図におい又第1図と同一名称には同一
番号を付することにする。第3図におい−(、J涌12
.と島12.との間には+ 島12.が形成されて、上記島1211はN領域14
、 Aj’層16.P領域16を介して基板IIと′r
(L気菌に短絡されている。
従つ又、第4図において、コイルLがコレクター口11
に接続されている島122に形成されるトランジスタQ
2に逆起電力が発生しA点の電位が接地電位均下になっ
た場合には、寄生トランジスタQtKは島12sを介し
工基板1〕から電流が流れるため、島12.に形成され
る別のトランジスタは保穫されることKなる。。
に接続されている島122に形成されるトランジスタQ
2に逆起電力が発生しA点の電位が接地電位均下になっ
た場合には、寄生トランジスタQtKは島12sを介し
工基板1〕から電流が流れるため、島12.に形成され
る別のトランジスタは保穫されることKなる。。
なお、上記実施例においては島12sは島12、 と島
12.間に設けたが、島12tを囲むように島I23を
設けても良い。
12.間に設けたが、島12tを囲むように島I23を
設けても良い。
以」二詳述し、たより−にこの発明によれば、ノ(イボ
ーフ七ノリシックICにおいで、素子となるべき島と島
の間に第3の島を設H1その第3σ)島の?5GLを基
板の電位に固定するようにしたf)で、素子とICるべ
き高量に発生する寄生トランジスタの発生を防止するこ
とかでき、素子σ)集積層を大幅に増大させることがで
きる0
ーフ七ノリシックICにおいで、素子となるべき島と島
の間に第3の島を設H1その第3σ)島の?5GLを基
板の電位に固定するようにしたf)で、素子とICるべ
き高量に発生する寄生トランジスタの発生を防止するこ
とかでき、素子σ)集積層を大幅に増大させることがで
きる0
第1図(A)は従来のバイポーラモノリシックICの円
→(図、同図(I3)はその断if+i〜図11第2図
は従来のバイポーラモノリシックICに発生する寄生ト
ランジスタを示1図、第3図CAJはこσ)発明の一実
施例に係るバイポーラモノリシックICの平面図、同図
(Blは七〇ItJ+ rf]+図、第4図は同実施例
において寄生トランジスタの発生σン防止を説明する図
である。 11・・・基板、l 2.、 I 2.、12.・・・
島、14・・・N領域、I5・・・AI!層。
→(図、同図(I3)はその断if+i〜図11第2図
は従来のバイポーラモノリシックICに発生する寄生ト
ランジスタを示1図、第3図CAJはこσ)発明の一実
施例に係るバイポーラモノリシックICの平面図、同図
(Blは七〇ItJ+ rf]+図、第4図は同実施例
において寄生トランジスタの発生σン防止を説明する図
である。 11・・・基板、l 2.、 I 2.、12.・・・
島、14・・・N領域、I5・・・AI!層。
Claims (2)
- (1)バイポーラモノリシックIcの素子が形成される
所定の第1の島と第2の島間に第3σ)島を設け、上記
第3の島と基也とを接続したことを特徴とするバイポー
ラモノリシックl0 - (2)上記第3の島は上記第1の島あるいは第2の島を
囲むように形成したことを特徴とする特『′f請求の範
囲第1項記載のバイポーラモノリシックIC0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14291582A JPS5932150A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | バイポ−ラモノリシツクic |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14291582A JPS5932150A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | バイポ−ラモノリシツクic |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5932150A true JPS5932150A (ja) | 1984-02-21 |
Family
ID=15326575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14291582A Pending JPS5932150A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | バイポ−ラモノリシツクic |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5932150A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1130648A1 (en) * | 2000-02-29 | 2001-09-05 | STMicroelectronics S.r.l. | Method and device for limiting the substrate potential in junction isolated integrated circuits |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5698839A (en) * | 1980-01-10 | 1981-08-08 | Rohm Co Ltd | Integrated circuit for dc load |
-
1982
- 1982-08-18 JP JP14291582A patent/JPS5932150A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5698839A (en) * | 1980-01-10 | 1981-08-08 | Rohm Co Ltd | Integrated circuit for dc load |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1130648A1 (en) * | 2000-02-29 | 2001-09-05 | STMicroelectronics S.r.l. | Method and device for limiting the substrate potential in junction isolated integrated circuits |
US6624502B2 (en) | 2000-02-29 | 2003-09-23 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method and device for limiting the substrate potential in junction isolated integrated circuits |
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