JPS5931768B2 - 中点端子つき薄膜磁気ヘツド - Google Patents
中点端子つき薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS5931768B2 JPS5931768B2 JP6768476A JP6768476A JPS5931768B2 JP S5931768 B2 JPS5931768 B2 JP S5931768B2 JP 6768476 A JP6768476 A JP 6768476A JP 6768476 A JP6768476 A JP 6768476A JP S5931768 B2 JPS5931768 B2 JP S5931768B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic head
- terminal
- film magnetic
- center point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、中点端子つき多コイル積層型薄膜磁気ヘッド
に関する。
に関する。
中点端子つき薄膜磁気ヘッドの構造については、既に本
出願入により特願昭４５−１１７６００号、特願昭５０
−４１３０４号および実願昭５０〜１１１０６２号によ
り提案されている。
出願入により特願昭４５−１１７６００号、特願昭５０
−４１３０４号および実願昭５０〜１１１０６２号によ
り提案されている。
これらの発明および考案も多数巻の導体形成が可能であ
るが、多コイル形成しても磁気回路があまり大きくなら
ず、製造プロセスも複雑にならない記録再生効率の高い
中点端子つき薄膜磁気ヘッドとしては前記最後のもの（
実願昭５０−１１１０６２号）が適している。例えば、
２＋２ターンの巻数回を有する多コイル積層型薄膜磁気
ヘッドの構造を前記の提案に従つて具体化すると第１図
および第２図に示したものが得られる。
るが、多コイル形成しても磁気回路があまり大きくなら
ず、製造プロセスも複雑にならない記録再生効率の高い
中点端子つき薄膜磁気ヘッドとしては前記最後のもの（
実願昭５０−１１１０６２号）が適している。例えば、
２＋２ターンの巻数回を有する多コイル積層型薄膜磁気
ヘッドの構造を前記の提案に従つて具体化すると第１図
および第２図に示したものが得られる。
第１図は、薄膜磁気ヘッド素子の平面図で、第２図は第
１図のＡ−Ａ’断面図である。
１図のＡ−Ａ’断面図である。
この磁気ヘッドは、２コイル２層型中点端子つき薄膜磁
気ヘッドの一例で、基板１上に第１の磁性層２ａ（実線
）と第２の磁性層２ｂ（破線）から成る磁極片２によつ
て挾み込まれた第１の導体層３ａと第２の導体層３ｂか
ら成る導体と、ギャップｇとから構成されている。第１
の導体層３ａと第２の導体層３ｂは接続部４で電気的に
結合されており、接続部４以外の部分では絶縁層（図示
せず）により電気的に絶縁されている。また少くとも第
１と第２の磁性層で挾まれている導体は薄膜素子表面の
段差を少なくし、製造プロセスを容易にする上から、ま
た対向する磁性体間の漏洩磁束に対する逆起電力の発生
により漏洩磁路に対する磁気抵抗を増大させる上からも
、互いに導体間のすき間を埋めるように配置されている
。第１の導体層３ａおよび第２の導体層３ｂの始点と終
点には、それぞれ第１の接続端子および第２の接続端子
６が設けられ、また接続部４から、当該接続部分で電気
的に接続されてそれ以外の部分は絶縁層（図示せず）に
より絶縁されている中点端子７が引き出され、この中点
端子に対する第１の接続端子と第２の接続端子からの電
流を切り換えることによつて磁気回路内の磁束反転が可
能になり、効率のよい書き込みを行うことができる。上
記した多コイル積層型薄膜磁気ヘッドは少くとも磁極片
に挾み込まれた部分において、各層の導体を互いにずら
せて配置するのが望ましい。
気ヘッドの一例で、基板１上に第１の磁性層２ａ（実線
）と第２の磁性層２ｂ（破線）から成る磁極片２によつ
て挾み込まれた第１の導体層３ａと第２の導体層３ｂか
ら成る導体と、ギャップｇとから構成されている。第１
の導体層３ａと第２の導体層３ｂは接続部４で電気的に
結合されており、接続部４以外の部分では絶縁層（図示
せず）により電気的に絶縁されている。また少くとも第
１と第２の磁性層で挾まれている導体は薄膜素子表面の
段差を少なくし、製造プロセスを容易にする上から、ま
た対向する磁性体間の漏洩磁束に対する逆起電力の発生
により漏洩磁路に対する磁気抵抗を増大させる上からも
、互いに導体間のすき間を埋めるように配置されている
。第１の導体層３ａおよび第２の導体層３ｂの始点と終
点には、それぞれ第１の接続端子および第２の接続端子
６が設けられ、また接続部４から、当該接続部分で電気
的に接続されてそれ以外の部分は絶縁層（図示せず）に
より絶縁されている中点端子７が引き出され、この中点
端子に対する第１の接続端子と第２の接続端子からの電
流を切り換えることによつて磁気回路内の磁束反転が可
能になり、効率のよい書き込みを行うことができる。上
記した多コイル積層型薄膜磁気ヘッドは少くとも磁極片
に挾み込まれた部分において、各層の導体を互いにずら
せて配置するのが望ましい。
しかしこの場合、２つの半コイルを形成する導体が互い
にずれることになり、それぞれの磁気回路の構成が異な
つてしまい、前記した電流の切り換えにより互いに等し
い磁束を発生させることができず、最適実施例において
も電磁変換による出力電圧比で４：３程度となつている
。このようなアンバランスは書き込み回路あるいは読み
出し回路の構成を複雑にし、それに基づくエラー発生の
原因となり、特に電子計算機などの高度の信頼性を要求
されるものにおいては極めて重大な問題となる。従つて
本発明の目的は、中点端子つき多コイル型薄膜磁気ヘツ
ドにおける２つの半コイルにより発生される書き込み用
磁束を等価とすることによつて、その出力電圧を等しく
することである。本発明は上記目的を達成する為に、Ｎ
／２ターンを半コイルとする中点端子つき薄膜磁気ヘツ
ドにおいて、磁気回路に挟み込まれる導体の層数を４ｍ
、１層当りの導体コイル数をｎとしたとき、Ｎ−４ｍＸ
ｎを満足し、かつｍ≧１、ｎ〉１を満足する組合わせで
、ｎコイルを有する２ｍ層を単位とする２つの半コイル
を有する中点端子つき薄膜磁気ヘツドの構造を提供する
ことである。第３図及び第４図は、本発明の一実施例を
示すもので、図示のものは４＋４ターン型で２コイル４
層型中点端子つき薄膜磁気ヘツドの１例である。第３図
Ａ，ｂはこのヘツドの製造プロセスを説明するためのも
ので、第４図は完成後の第３図のＢＢ″断面を示す図で
ある。また第３図、第４図において第１図、第２図と同
一の符号はそれぞれ同一部分あるいは相当部分を示し、
第３図ａは第１の導体層３ａ（実線）と第２の導体層３
ｂ（破線）から形成される一方の半コイルを第３図ｂは
第３の導体層３ｃ（実線）と第４の導体層３ｄ（破線）
から成る他方の半コイルを示す。図示の構造において、
前記したごとく、少なくとも第１と第２の磁性層の対向
する部分においては、第４図に示したように、第１の導
体層のコイル間隙に第２の導体層が配置され、第２の導
体層のコイル間隙に前記第１の導体層と同位置に第３の
導体層を、また同様に第４の導体層が第２の導体層と同
位置にそれぞれずらして配置されている。また、第１の
導体層と第２の導体層は、第１のスルーホール４ａ１第
２の導体層と第３の導体層は第２のスルーホール４ｂ、
第３の導体層と第４の導体層は第３のスルーホール４ｃ
の各接続部で電気的に接続されており、その部分を除い
ては各層間に絶縁層（図示せず）が介在せしめられてい
る。第１および第４の導体層の始点と終点にはそれぞれ
第１の接続端子５および第２の接続端子６が設けられ、
第２および第３の導体層を接続する第２のスルーホール
から第３の導体層を利用して形成した中点端子７が引き
出されており第１の接続端子→中点端子あるいは第２の
接続端子一中点端子の電流切り換えにより、磁気回路内
の磁束反転が可能となる。
にずれることになり、それぞれの磁気回路の構成が異な
つてしまい、前記した電流の切り換えにより互いに等し
い磁束を発生させることができず、最適実施例において
も電磁変換による出力電圧比で４：３程度となつている
。このようなアンバランスは書き込み回路あるいは読み
出し回路の構成を複雑にし、それに基づくエラー発生の
原因となり、特に電子計算機などの高度の信頼性を要求
されるものにおいては極めて重大な問題となる。従つて
本発明の目的は、中点端子つき多コイル型薄膜磁気ヘツ
ドにおける２つの半コイルにより発生される書き込み用
磁束を等価とすることによつて、その出力電圧を等しく
することである。本発明は上記目的を達成する為に、Ｎ
／２ターンを半コイルとする中点端子つき薄膜磁気ヘツ
ドにおいて、磁気回路に挟み込まれる導体の層数を４ｍ
、１層当りの導体コイル数をｎとしたとき、Ｎ−４ｍＸ
ｎを満足し、かつｍ≧１、ｎ〉１を満足する組合わせで
、ｎコイルを有する２ｍ層を単位とする２つの半コイル
を有する中点端子つき薄膜磁気ヘツドの構造を提供する
ことである。第３図及び第４図は、本発明の一実施例を
示すもので、図示のものは４＋４ターン型で２コイル４
層型中点端子つき薄膜磁気ヘツドの１例である。第３図
Ａ，ｂはこのヘツドの製造プロセスを説明するためのも
ので、第４図は完成後の第３図のＢＢ″断面を示す図で
ある。また第３図、第４図において第１図、第２図と同
一の符号はそれぞれ同一部分あるいは相当部分を示し、
第３図ａは第１の導体層３ａ（実線）と第２の導体層３
ｂ（破線）から形成される一方の半コイルを第３図ｂは
第３の導体層３ｃ（実線）と第４の導体層３ｄ（破線）
から成る他方の半コイルを示す。図示の構造において、
前記したごとく、少なくとも第１と第２の磁性層の対向
する部分においては、第４図に示したように、第１の導
体層のコイル間隙に第２の導体層が配置され、第２の導
体層のコイル間隙に前記第１の導体層と同位置に第３の
導体層を、また同様に第４の導体層が第２の導体層と同
位置にそれぞれずらして配置されている。また、第１の
導体層と第２の導体層は、第１のスルーホール４ａ１第
２の導体層と第３の導体層は第２のスルーホール４ｂ、
第３の導体層と第４の導体層は第３のスルーホール４ｃ
の各接続部で電気的に接続されており、その部分を除い
ては各層間に絶縁層（図示せず）が介在せしめられてい
る。第１および第４の導体層の始点と終点にはそれぞれ
第１の接続端子５および第２の接続端子６が設けられ、
第２および第３の導体層を接続する第２のスルーホール
から第３の導体層を利用して形成した中点端子７が引き
出されており第１の接続端子→中点端子あるいは第２の
接続端子一中点端子の電流切り換えにより、磁気回路内
の磁束反転が可能となる。
以上説明したように、半コイルを偶数回の積層により構
成することによつて２つの半コイルが磁気回路的に等価
となり、バランスのとれた出力電圧が得られ、信頼性の
高い中点端子つき薄膜磁気ヘツドを得ることができる。
成することによつて２つの半コイルが磁気回路的に等価
となり、バランスのとれた出力電圧が得られ、信頼性の
高い中点端子つき薄膜磁気ヘツドを得ることができる。
さらに、製造においても半コイルを偶数回積層すること
によつて、中点端子の引き出し位置をコイルの外周に設
けることができ、コイル導体と同一の工程で中点端子を
形成することができる為、中点端子形成程を省いて効率
のよい中点端子つき薄膜磁気ヘツドを構成することがで
きる。
によつて、中点端子の引き出し位置をコイルの外周に設
けることができ、コイル導体と同一の工程で中点端子を
形成することができる為、中点端子形成程を省いて効率
のよい中点端子つき薄膜磁気ヘツドを構成することがで
きる。
第１図は中点端子つき薄膜磁気ヘツドを説明するための
ヘツド素子部の平面図、第２図は第１図のＡＡ′断面図
、第３図Ａ，ｂは本発明による一実施例の製造プロセス
を示した薄膜磁気ヘツド素子部の平面図、第４図はへツ
ド素子完成後の第３図ＢＢ′断面図である。 １：基板、２ａ，２ｂ：磁性層、２：磁極片、３ａ，３
ｂ：導体層、５，６：接続端子、４ａ，４ｂｙ４ｃ：ス
ルーホール、７：中点端子。
ヘツド素子部の平面図、第２図は第１図のＡＡ′断面図
、第３図Ａ，ｂは本発明による一実施例の製造プロセス
を示した薄膜磁気ヘツド素子部の平面図、第４図はへツ
ド素子完成後の第３図ＢＢ′断面図である。 １：基板、２ａ，２ｂ：磁性層、２：磁極片、３ａ，３
ｂ：導体層、５，６：接続端子、４ａ，４ｂｙ４ｃ：ス
ルーホール、７：中点端子。
Claims (1)
- １ Ｎ／２ターンを半コイルとする中点端子つき薄膜磁
気ヘッドにおいて、磁気回路に挾み込まれている導体の
層数を４ｍ、１層当りの導体コイル数をｎとしたとき、
Ｎ＝４ｍ×ｎを満足しかつｍ≧１、ｎ＞１を満足する組
合わせで、ｎコイルを有する２ｍ層を単位とする２つの
半コイルを構成したことを特徴とする中点端子つき薄膜
磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6768476A JPS5931768B2 (ja) | 1976-06-11 | 1976-06-11 | 中点端子つき薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6768476A JPS5931768B2 (ja) | 1976-06-11 | 1976-06-11 | 中点端子つき薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52151015A JPS52151015A (en) | 1977-12-15 |
| JPS5931768B2 true JPS5931768B2 (ja) | 1984-08-04 |
Family
ID=13352054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6768476A Expired JPS5931768B2 (ja) | 1976-06-11 | 1976-06-11 | 中点端子つき薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931768B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0254619B2 (ja) * | 1984-09-10 | 1990-11-22 | Nippon Denshin Denwa Kk |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5542352A (en) * | 1978-09-19 | 1980-03-25 | Seiko Epson Corp | Integrated head |
| US4713711A (en) * | 1985-05-08 | 1987-12-15 | International Business Machines | Thin film magnetic transducer having center tapped winding |
-
1976
- 1976-06-11 JP JP6768476A patent/JPS5931768B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0254619B2 (ja) * | 1984-09-10 | 1990-11-22 | Nippon Denshin Denwa Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52151015A (en) | 1977-12-15 |
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