JPS5923414Y2 - 両面目合せ露光機のウエ−ハチヤツク機構 - Google Patents

両面目合せ露光機のウエ−ハチヤツク機構

Info

Publication number
JPS5923414Y2
JPS5923414Y2 JP14265677U JP14265677U JPS5923414Y2 JP S5923414 Y2 JPS5923414 Y2 JP S5923414Y2 JP 14265677 U JP14265677 U JP 14265677U JP 14265677 U JP14265677 U JP 14265677U JP S5923414 Y2 JPS5923414 Y2 JP S5923414Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
hole
double
chuck mechanism
wafer chuck
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP14265677U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5468558U (ja
Inventor
啓四郎 米沢
Original Assignee
日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 filed Critical 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社
Priority to JP14265677U priority Critical patent/JPS5923414Y2/ja
Publication of JPS5468558U publication Critical patent/JPS5468558U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS5923414Y2 publication Critical patent/JPS5923414Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はサイリスナ等の製造に用いられる両面目合せ露
光機のウェーハチャック機構の改良に関する。
サイリスタ等の半導体装置を製造する場合、ウェーハの
両面に同時にフォトエツチング処理を施すことがあり、
両面目合せ露光機が使用されている。
この両面目合せ露光機のウェーハチャック機構は、第1
図および第2図に示すように、ウェーハチャック本体1
の透孔2内に適当数(図示例は4個)の吸気孔4を有す
る爪3を突設し、この爪3上に両面にフォトレジスト膜
を形成したウェーハ5を載置し、吸気孔4を真空に引い
て爪3にウェーハ5を吸着して、ウェーハ5の上方およ
び下方にウェーハ5と離隔してマスクM、、M2を配置
し、マスクM1の上方およびマスクM2の下方から同時
に紫外線6,7を照射して、投影方式で露光するように
なっている。
しかしながら、透孔2内に爪3が突出していると、この
爪3が下方からの紫外線7に対して、ウェーハ5の下面
に影をつくり、この影の部分の半導体素子が不良となる
ために、一枚のウェーハ5から得られる半導体ペレット
数が少なくなるという欠点があった。
本考案はこのような点にかんがみ提案されたもので、ウ
ェーハチャック本体の透孔をウェーハよりも大径にし、
かつこの透孔の周辺部で透孔よりも小径のウェーハを支
持した透明板を吸着せしめたことを特徴とする。
以下、本考案の一実施例を図面により説明すると、第3
図は本考案に係るウェーハチャック機構の平面図、第4
図は第3図のIV−IV線に沿う縦断面図である。
図において、10はウェーハチャック本体で、ウェーハ
よりも大径の透孔11を有する。
この透孔11の周辺部には適当数(円示例は8個)の吸
気孔13を有する段部12が設けられている。
前記段部12上には、透孔11よりも小径のウェーハ1
4を挾持した石英、水晶等よりなる透明板15.16が
載置され、吸気孔13を真空に引くことによって、透明
板16が段部12に吸着保持されている。
この状態で上方および下方から紫外線17.18がマス
クM19M2の上方および下方から同時に照射されて、
投影方式で露光される。
なお、上記実施例に示すように下側の透明板16にウェ
ーハ14を収納するための凹部を設けた場合は、透明板
16上でウェーハ14が移動するのを防止できる。
また上側の透明板15はウェーハ14を押圧して、ウェ
ーハ14に若干のソリがある場合でも、そのソリを修正
する作用と共に、ウェーハ14の移動を阻止するのに役
立つ。
場合によっては、平坦な2枚の透明板を用いてウェーハ
14を挾持してもよく、あるいは下側のみの透明板を用
いてもよい。
また、段部12は図示例のように透孔11の全周辺部に
わたって設ける場合の他、複数個所に部分的に設けても
よい。
本考案は以上のように、ウェーバチャック本体にウェー
バよりも大径の透孔を設け、かつ透孔の周辺部で透孔よ
りも小径のウェーバを支持した透明板を吸着せしめたも
のであるから、ウェーバの全面にわたって露光すること
が可能となり、ウェーバの有効利用が図れ、一枚のウェ
ーバから得られる半導体ペレット数が増大するという効
果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のウェーバチャック機構の平面図、第2図
は第1図のII −II線に沿う縦断面図、第3図は本
考案に係るウェーバチャック機構の一実施例の平面図、
第4図は第3図のIV−IV線に沿う縦断面図である。 10・・・・・・ウェーバチャック本体、11・・・・
・・透孔、12・・・・・・段部、13・・・・・・吸
気孔、14・・・・・・ウェーバ、15゜16・・・・
・・透明板。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ウェーハチャック部本体にウェーハよりも大径の透孔を
    設け、かつ透孔の周辺部で透孔よりも小径のウェーハを
    支持した透明板を吸着せしめてなる両面目合せ露光機の
    ウェーハチャック機構。
JP14265677U 1977-10-24 1977-10-24 両面目合せ露光機のウエ−ハチヤツク機構 Expired JPS5923414Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14265677U JPS5923414Y2 (ja) 1977-10-24 1977-10-24 両面目合せ露光機のウエ−ハチヤツク機構

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14265677U JPS5923414Y2 (ja) 1977-10-24 1977-10-24 両面目合せ露光機のウエ−ハチヤツク機構

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5468558U JPS5468558U (ja) 1979-05-15
JPS5923414Y2 true JPS5923414Y2 (ja) 1984-07-12

Family

ID=29119599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14265677U Expired JPS5923414Y2 (ja) 1977-10-24 1977-10-24 両面目合せ露光機のウエ−ハチヤツク機構

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5923414Y2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5468558U (ja) 1979-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5923414Y2 (ja) 両面目合せ露光機のウエ−ハチヤツク機構
US5885756A (en) Methods of patterning a semiconductor wafer having an active region and a peripheral region, and patterned wafers formed thereby
JPH0620903A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6155106B2 (ja)
JPS5623746A (en) Manufacture of semiconductor device
JPH0613292A (ja) X線露光用マスクの製造方法
JPH022606A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0322904Y2 (ja)
JPS6017907Y2 (ja) フオト・マスク
JPH05218183A (ja) 半導体ウエハ用真空チャックステージ
KR910006040B1 (ko) 포토레지스트의 측벽 프로파일 개선방법
JPS6118955A (ja) レテイクルマスク
JPS5724538A (en) Preparation of semiconductor device
JPS63188938U (ja)
KR960001367Y1 (ko) 패턴 마스크 구조
JPS5932893B2 (ja) 特殊基準マ−クを用いたマスクのアライメント方法
JPS59194440A (ja) パタ−ン形成装置
JPS6341156U (ja)
JPS6334266Y2 (ja)
JPS6242423A (ja) ホトレジスト法
JPS60234318A (ja) 写真処理方法
JPH0556645B2 (ja)
JPS58200534A (ja) パタ−ン形成方法
JPS55160430A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS6031228A (ja) ホトレジスト露光方法