JPS5923353B2 - ガ−ネット結晶構造を有するテレビウム−付活発光材料 - Google Patents
ガ−ネット結晶構造を有するテレビウム−付活発光材料Info
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- JPS5923353B2 JPS5923353B2 JP52053820A JP5382077A JPS5923353B2 JP S5923353 B2 JPS5923353 B2 JP S5923353B2 JP 52053820 A JP52053820 A JP 52053820A JP 5382077 A JP5382077 A JP 5382077A JP S5923353 B2 JPS5923353 B2 JP S5923353B2
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- garnet crystal
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は支持体上に被着し、テルビウムで付活したガー
ネット結晶構造を有する発光材料およびこの材料を設け
た発光スクリーンに関する。
ネット結晶構造を有する発光材料およびこの材料を設け
た発光スクリーンに関する。
更に、本発明はかかる発光スクリーンを具えた低圧水銀
蒸気放電灯に関する。ガーネット結晶構造を有するイッ
トリウムおよび／または稀土類金属類のアルミン酸塩、
例えば式：Ｙ３Ａｌ５０１２を有するイットリウムアル
ミニウムガーネットは他の稀土類金属類による活性化に
対して適当なホスト格子（ｈｏｓｔｌａｔｔｉｃｅｓ）
を有する。
蒸気放電灯に関する。ガーネット結晶構造を有するイッ
トリウムおよび／または稀土類金属類のアルミン酸塩、
例えば式：Ｙ３Ａｌ５０１２を有するイットリウムアル
ミニウムガーネットは他の稀土類金属類による活性化に
対して適当なホスト格子（ｈｏｓｔｌａｔｔｉｃｅｓ）
を有する。
かかるガーネットにおいて、アルミニウムを全部または
ｌ部分ガリウムで置換することができる。かかる活性化
は適当に励起した場合に効果的に発光する材料を生成さ
せる。レーザー材料として用いられる既知の材料として
は、例えばプラセオジムおよび／またはネオジムで付活
したガーネットを挙げることができる。陰極線により励
起した時に極めて効果的に発光する既知材料はセリウム
−付活アルミン酸イットリウムガーネット（オランダ特
許出願第６７０６０９５号）である。フィリップスリサ
ーチレポート（ＰｈｉｌｉｐｓＲｅｓｅａｒｃｈＲｅｐ
ｏｒｔｓ）１名、４８１〜５０４（１９６７）には紫外
線により励起でき、かつ多くの目的に望ましい特性テル
ビウム放射を生ずるテレビウムー付活Ｙ３Ａｌ５０１２
について記載されている。従来のテレビウムー付活ガー
ネットの大きい欠点としては、この材料が約２７５ｎｍ
においてむしろシャープ励起最大を有することである。
２５４ｎｍの波長を有する輻射線による励起の際、励起
スペクトルの最大における励起においての光束の約１０
％に相当する程度の光速が得られるだけである。
ｌ部分ガリウムで置換することができる。かかる活性化
は適当に励起した場合に効果的に発光する材料を生成さ
せる。レーザー材料として用いられる既知の材料として
は、例えばプラセオジムおよび／またはネオジムで付活
したガーネットを挙げることができる。陰極線により励
起した時に極めて効果的に発光する既知材料はセリウム
−付活アルミン酸イットリウムガーネット（オランダ特
許出願第６７０６０９５号）である。フィリップスリサ
ーチレポート（ＰｈｉｌｉｐｓＲｅｓｅａｒｃｈＲｅｐ
ｏｒｔｓ）１名、４８１〜５０４（１９６７）には紫外
線により励起でき、かつ多くの目的に望ましい特性テル
ビウム放射を生ずるテレビウムー付活Ｙ３Ａｌ５０１２
について記載されている。従来のテレビウムー付活ガー
ネットの大きい欠点としては、この材料が約２７５ｎｍ
においてむしろシャープ励起最大を有することである。
２５４ｎｍの波長を有する輻射線による励起の際、励起
スペクトルの最大における励起においての光束の約１０
％に相当する程度の光速が得られるだけである。
この結果、材料は低圧水銀蒸気放電灯（すなわち、２５
４ｎｍ一励起）に用いるのに適当でない。化合物Ｙ３Ａ
ｌ５Ｏｌ２において、アルミニウムの同じ割合をシリコ
ンで同時に置換する場合には、イツトリウムをマグネシ
ウムで全部または１部を置換することができることは知
られている。
４ｎｍ一励起）に用いるのに適当でない。化合物Ｙ３Ａ
ｌ５Ｏｌ２において、アルミニウムの同じ割合をシリコ
ンで同時に置換する場合には、イツトリウムをマグネシ
ウムで全部または１部を置換することができることは知
られている。
（Ｃ．Ａ．Ｏｌ．７５（１９７１）アブストラクト黒５
５６３８ｔ）また、かかるガーネツトにおけるアルミニ
ウムをマグネシウムおよびシリコンの等原子量（Ｅｑｕ
ｉａｔＯｍｉｃｑｕａｎｔｉｔｉｅｓ）で置換すること
ができる。この置換において、材料のガーネツト構造は
保持される。本発明の目的は上述する従来のテルビウム
一付活ガーネツトの欠点を除去しかつ例えば低圧水銀蒸
気放電灯における多くの利点を有する発光テルビウム一
付活ガーネツトを提供することにある。
５６３８ｔ）また、かかるガーネツトにおけるアルミニ
ウムをマグネシウムおよびシリコンの等原子量（Ｅｑｕ
ｉａｔＯｍｉｃｑｕａｎｔｉｔｉｅｓ）で置換すること
ができる。この置換において、材料のガーネツト構造は
保持される。本発明の目的は上述する従来のテルビウム
一付活ガーネツトの欠点を除去しかつ例えば低圧水銀蒸
気放電灯における多くの利点を有する発光テルビウム一
付活ガーネツトを提供することにある。
本発明のガーネツト結晶構造を有するテルビウム一付活
発光材料は次式：Ｌｎ３−Ｘ−ＰＴｂＰＡ５−Ｘ−２ｙ
ＭｅＩＩＸ＋ＹＭｅＩＶＸ＋ＹＯｌ２（式中、Ｌｎは少
なくとも１種のイツトリウム、ガドリニウムおよびルテ
チウムを示し、Ａは少なくとも１種のアルミニウムおよ
びガリウムを示しかつＡで示された元素の４０％モルま
でをスカンジウムで置換することができ、Ｍｅは少なく
とも１種のマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム
および亜鉛を示し、およびＭｅは少なくとも１種のシリ
コン、ゲルマニウムおよびジルコニウムを示す）で表わ
され、かつ次の要件：０くＸく２．８ ０＜．ｙく２．０ ０．４≦ｘ＋ｙ≦２・８ ０．０２くｐ≦１．５０ ｘ＋ｐ≦３．０ を満していることを特徴とする。
発光材料は次式：Ｌｎ３−Ｘ−ＰＴｂＰＡ５−Ｘ−２ｙ
ＭｅＩＩＸ＋ＹＭｅＩＶＸ＋ＹＯｌ２（式中、Ｌｎは少
なくとも１種のイツトリウム、ガドリニウムおよびルテ
チウムを示し、Ａは少なくとも１種のアルミニウムおよ
びガリウムを示しかつＡで示された元素の４０％モルま
でをスカンジウムで置換することができ、Ｍｅは少なく
とも１種のマグネシウム、カルシウム、ストロンチウム
および亜鉛を示し、およびＭｅは少なくとも１種のシリ
コン、ゲルマニウムおよびジルコニウムを示す）で表わ
され、かつ次の要件：０くＸく２．８ ０＜．ｙく２．０ ０．４≦ｘ＋ｙ≦２・８ ０．０２くｐ≦１．５０ ｘ＋ｐ≦３．０ を満していることを特徴とする。
本発明における発光材料は置換ＸＬｎ＋ＸＡ→ＸＭｅ＋
ＸＭｅ、例えばＸＹ＋ＸＡｌ−＋ＸＭｇ＋ＸＳｉ、また
は置換２ｙＡ−＋ＹＭｅ＋ＹＭｅ、例えば２ｙＡ１−＋
ＹＭｇ＋ＹＳｉｌまたはこれら両置換を実施した発光ガ
ーネツトを含有する。
ＸＭｅ、例えばＸＹ＋ＸＡｌ−＋ＸＭｇ＋ＸＳｉ、また
は置換２ｙＡ−＋ＹＭｅ＋ＹＭｅ、例えば２ｙＡ１−＋
ＹＭｇ＋ＹＳｉｌまたはこれら両置換を実施した発光ガ
ーネツトを含有する。
これらの置換を実施する割合はパラメータｘおよびｙの
それぞれで示される。かかる置換は発光材料の励起バン
ドを著しく拡大する驚くべきことを見出した。この結果
、本発明における発光ガーネツトは２５４ｎｍにおいて
水銀一共鳴線で著しく励起する。このように、低圧水銀
蒸気放電灯においてテルビウム一付活ガーネツトを実際
的に用いることができることについては本発明以前にお
いて知られていないものと思われる。上述する一般式か
ら明らかなように、更に、イツトリウムまたはガドリニ
ウムおよび／またはルテチウムを陽イオンとして選択で
きる。
それぞれで示される。かかる置換は発光材料の励起バン
ドを著しく拡大する驚くべきことを見出した。この結果
、本発明における発光ガーネツトは２５４ｎｍにおいて
水銀一共鳴線で著しく励起する。このように、低圧水銀
蒸気放電灯においてテルビウム一付活ガーネツトを実際
的に用いることができることについては本発明以前にお
いて知られていないものと思われる。上述する一般式か
ら明らかなように、更に、イツトリウムまたはガドリニ
ウムおよび／またはルテチウムを陽イオンとして選択で
きる。
ランタンは少量では妨害しないから適当に少量（例えば
Ｌｎの１０モル％まで）にする。Ａで示されているアル
ミニウムおよび／またはガリウムは４０モル％までのス
カンジウムで本発明における発光ガーネツトにおいて置
換することができる。発光特性は極めて小さい割合にお
いて変化するだけである。しかし多量の使用は格子に吸
収されないので適当でない。更に、ＭｇおよびＳｉは置
換元素として適当である。更に、またＭｇ．Ｃａおよび
／またはＳｒおよび／またはＺｎを二価置換物として用
いることができる。バリウムは少量（例えばＭｅの１０
モル％まで）では害を与えないけれども望ましくない。
更に、またＳｉ，．ＧｅおよびＺｒは四価置換物として
適当である。元素ＭｅおよびＭｅ（ｘ＋ｙ）の含有量は
、ガーネツトの励起スペクトルにおける置換のより低い
効果を得る場合は別として、少なくとも０．４にする必
要がある。
Ｌｎの１０モル％まで）にする。Ａで示されているアル
ミニウムおよび／またはガリウムは４０モル％までのス
カンジウムで本発明における発光ガーネツトにおいて置
換することができる。発光特性は極めて小さい割合にお
いて変化するだけである。しかし多量の使用は格子に吸
収されないので適当でない。更に、ＭｇおよびＳｉは置
換元素として適当である。更に、またＭｇ．Ｃａおよび
／またはＳｒおよび／またはＺｎを二価置換物として用
いることができる。バリウムは少量（例えばＭｅの１０
モル％まで）では害を与えないけれども望ましくない。
更に、またＳｉ，．ＧｅおよびＺｒは四価置換物として
適当である。元素ＭｅおよびＭｅ（ｘ＋ｙ）の含有量は
、ガーネツトの励起スペクトルにおける置換のより低い
効果を得る場合は別として、少なくとも０．４にする必
要がある。
２．８以上のｘの値および２．０以上のｙの値（および
２．８以上のｘ＋ｙの値）は用いることができない。
２．８以上のｘ＋ｙの値）は用いることができない。
なんとならば、かかる材料は固体状態反応により得るこ
とができないか、または極めて困難であるためである。
本発明における発光ガーネツトのテルビウム含有量ｐは
上述する広い範囲から選択することができる。
とができないか、または極めて困難であるためである。
本発明における発光ガーネツトのテルビウム含有量ｐは
上述する広い範囲から選択することができる。
０．０２より少ないｐの値は、励起紫外線の吸収が余り
に低いために用いることができない。
に低いために用いることができない。
ｐ濃度の値が高くなると光束は小さくなる。このために
、１．５０以上のｐの値は使用しない。一般式において
Ｌｎで示されている元素に対して、イツトリウムは最高
の光束を得ることができるために望ましい。アルミニウ
ムガーネツトは極めて高い光束を生ずるために、元素Ａ
としてアルミニウムが好ましい。
、１．５０以上のｐの値は使用しない。一般式において
Ｌｎで示されている元素に対して、イツトリウムは最高
の光束を得ることができるために望ましい。アルミニウ
ムガーネツトは極めて高い光束を生ずるために、元素Ａ
としてアルミニウムが好ましい。
更に、アルミニウムはガリウムおよびスカンジウムより
著しく安価である。二価置換物Ｍｅとしてはマグネシウ
ムが好ましい。
著しく安価である。二価置換物Ｍｅとしてはマグネシウ
ムが好ましい。
この理由としては、この元素は２５４ｎｍ輻射線の吸収
に関して最大の改良を達成し、この結果として高い光束
を生ずるためである。また、シリコンを四価置換物Ｍｅ
ＩＶとして選択する場合には、２５４ｎｍ一輻射線の最
適吸収を達成する。このためにシリコンの使用は好まし
い。Ｘ．．ｙおよびｐのパラメータを次に示す範囲：０
．５〈Ｘ〈１．７０〈ｙ〈１．５ ｘ＋ｙく２．２５ ０．０５くｐく０．７５、特に次に示す範囲：０．７５
〈Ｘ〈１．２５０くｙ〈０．７５ ｘ＋ｙ〈１．７５ ０．１０くｐ＜（０．５０ に選択する場合には、上述する一般式による発光カーネ
ツトにより最良の結果が得られることを実験により確め
た。
に関して最大の改良を達成し、この結果として高い光束
を生ずるためである。また、シリコンを四価置換物Ｍｅ
ＩＶとして選択する場合には、２５４ｎｍ一輻射線の最
適吸収を達成する。このためにシリコンの使用は好まし
い。Ｘ．．ｙおよびｐのパラメータを次に示す範囲：０
．５〈Ｘ〈１．７０〈ｙ〈１．５ ｘ＋ｙく２．２５ ０．０５くｐく０．７５、特に次に示す範囲：０．７５
〈Ｘ〈１．２５０くｙ〈０．７５ ｘ＋ｙ〈１．７５ ０．１０くｐ＜（０．５０ に選択する場合には、上述する一般式による発光カーネ
ツトにより最良の結果が得られることを実験により確め
た。
このために上記範囲のＸ．ｙおよびｐの値が好ましい。
本発明における発光ガーネツトは低圧水銀蒸気放電灯に
用いるのに極めて優れている。
用いるのに極めて優れている。
種々の用途、例えば光複写装置において、これら放電灯
により放射される緑色テルビウム輻射線は著しく望まし
い。本発明におけるガーネツトは他の発光材料と一緒に
普通のイルミネーシヨンのための低圧水銀蒸気放電灯に
用いることができる。次に、本発明を実施例および添付
図面について説明する。
により放射される緑色テルビウム輻射線は著しく望まし
い。本発明におけるガーネツトは他の発光材料と一緒に
普通のイルミネーシヨンのための低圧水銀蒸気放電灯に
用いることができる。次に、本発明を実施例および添付
図面について説明する。
第１図において、１は本発明における低圧水銀蒸気放電
灯のガラス壁を示す。
灯のガラス壁を示す。
放電灯の両端に電極２および３を設け、放電灯の作動に
おいてかかる電極間に放電を生ずる。放電灯にはスター
テングガスとして作用する希ガス混合物および更に少量
の水銀を含有させる。壁１の内側上には本発明における
発光ガーネツトを含有する発光被膜４を被覆する。発光
被膜４は普通の手段、例えば発光材料含有懸濁物により
かかる壁１に被着する。本発明における発光ガーネツト
は成分酸化物の混合物を高温度に加熱することにより得
ることができる。また、温度の増加においてかかる酸化
物を生成する化合物、例えば炭酸塩または水酸化物から
出発することができる。通常、加熱は２または３以上の
段階で実施するのが好ましい。この場合、各加熱操作後
に、得られた生成物を粉砕および均質化する。通常、加
熱工程は中性または弱い還元雰囲気中で１０００〜１５
００℃の範囲の温度で行なう。炭酸塩または水酸化物か
ら出発する場合には、最初の加熱操作を空気中で行なう
。このためにこの第１加熱操作は低い温度、例えば７０
『Ｃで行なうことができる。通常、焼成は化学量論的割
合の所望化合物からなる混合物から出発する。しかしな
がら、僅かに過剰量の１種または２種以上の置換物は一
般に悪影響を及ぼすことがなく、反応を促進させる。特
に、比較的に過剰量のＡｌ２Ｏ３（例えば、５０％まで
）を悪影響なく用いることができる。実施例 １ 混合物を次の成分から作つた： Ｙ２Ｏ３３．Ｏ４８７ＭｇＯＯ ．６Ｏ５ｙＡｌ２Ｏ３３．Ｏ５ ９７ＳｉＯ２Ｏ．９Ｏｌ７Ｔｂ ７０．５６１７ この混合物を半融アルミナ坩堝に入れ、次いでこの坩堝
を蓋付石英皿に配置した。
おいてかかる電極間に放電を生ずる。放電灯にはスター
テングガスとして作用する希ガス混合物および更に少量
の水銀を含有させる。壁１の内側上には本発明における
発光ガーネツトを含有する発光被膜４を被覆する。発光
被膜４は普通の手段、例えば発光材料含有懸濁物により
かかる壁１に被着する。本発明における発光ガーネツト
は成分酸化物の混合物を高温度に加熱することにより得
ることができる。また、温度の増加においてかかる酸化
物を生成する化合物、例えば炭酸塩または水酸化物から
出発することができる。通常、加熱は２または３以上の
段階で実施するのが好ましい。この場合、各加熱操作後
に、得られた生成物を粉砕および均質化する。通常、加
熱工程は中性または弱い還元雰囲気中で１０００〜１５
００℃の範囲の温度で行なう。炭酸塩または水酸化物か
ら出発する場合には、最初の加熱操作を空気中で行なう
。このためにこの第１加熱操作は低い温度、例えば７０
『Ｃで行なうことができる。通常、焼成は化学量論的割
合の所望化合物からなる混合物から出発する。しかしな
がら、僅かに過剰量の１種または２種以上の置換物は一
般に悪影響を及ぼすことがなく、反応を促進させる。特
に、比較的に過剰量のＡｌ２Ｏ３（例えば、５０％まで
）を悪影響なく用いることができる。実施例 １ 混合物を次の成分から作つた： Ｙ２Ｏ３３．Ｏ４８７ＭｇＯＯ ．６Ｏ５ｙＡｌ２Ｏ３３．Ｏ５ ９７ＳｉＯ２Ｏ．９Ｏｌ７Ｔｂ ７０．５６１７ この混合物を半融アルミナ坩堝に入れ、次いでこの坩堝
を蓋付石英皿に配置した。
石英皿には所望の加熱雰囲気を確立するためのガスを供
給する。炉内において、混合物を３ステツプの加熱操作
を施した。これらの各加熱操作はそれぞれ２時間にわた
りＮ２中１１５０℃、Ｎ２中１４００℃およびＮ２中１
４５０℃で１容量％のＨ２で行なつた。かようにして式
：Ｙｌ．８ＯＴｂＯ．２ＯＡｌ４ＭｇＳｉＯｌ２を満足
させ、かつｘ一線回折分析によりガーネツト結晶構造を
有する発光材料を得た。このガーネツトは紫外線（約２
５４ｎｍ）で励起して標準と比較して２０３．０％の光
束を達成した。励起輻射線の吸収は７５．０％であつた
。比較のために、式：Ｙ２．８５ＴｂＯ．ｌ，Ａｌ５Ｏ
ｌ２の従来のガーネツトの光束は８．２％であり、励起
輻射線の吸収は４４，２％であつた。ここにおいて光束
測定のための次の実施例において用いる標準としては光
束を約５０％減少するような割合の非発光炭酸カルシウ
ムと混合したアンモニアおよびマンガンで付活したカル
シウムーハロホスフエートを用いた。第２図は上述する
ようにして得たガーネツトの励起スペクトルを示してい
る。
給する。炉内において、混合物を３ステツプの加熱操作
を施した。これらの各加熱操作はそれぞれ２時間にわた
りＮ２中１１５０℃、Ｎ２中１４００℃およびＮ２中１
４５０℃で１容量％のＨ２で行なつた。かようにして式
：Ｙｌ．８ＯＴｂＯ．２ＯＡｌ４ＭｇＳｉＯｌ２を満足
させ、かつｘ一線回折分析によりガーネツト結晶構造を
有する発光材料を得た。このガーネツトは紫外線（約２
５４ｎｍ）で励起して標準と比較して２０３．０％の光
束を達成した。励起輻射線の吸収は７５．０％であつた
。比較のために、式：Ｙ２．８５ＴｂＯ．ｌ，Ａｌ５Ｏ
ｌ２の従来のガーネツトの光束は８．２％であり、励起
輻射線の吸収は４４，２％であつた。ここにおいて光束
測定のための次の実施例において用いる標準としては光
束を約５０％減少するような割合の非発光炭酸カルシウ
ムと混合したアンモニアおよびマンガンで付活したカル
シウムーハロホスフエートを用いた。第２図は上述する
ようにして得たガーネツトの励起スペクトルを示してい
る。
この第２図において励起輻射線の波長を横軸に取り、相
対光束ＬＯｒｅｌを縦軸に取つた。この曲線から明らか
なように、励起スペクトルは２５０〜３００ｎｍの範囲
の比較的に広いバンドを有し、このために材料は水銀の
２５４ｎｍ共鳴輻射線によつて適当に励起することがで
きた。また、第２図は上記例に記載した従来のガーネツ
トの励起スペクトル（曲線２）を示している。かかる従
来のガーネツトの重要な励起バンドは非常に狭く、しか
も材料は低 二圧水銀蒸気放電灯に実際使用するのに適
当でないことがわかる。第３図は実施例１により作つた
本発明におけるガーネツトの放射スペクトルを示してい
る。
対光束ＬＯｒｅｌを縦軸に取つた。この曲線から明らか
なように、励起スペクトルは２５０〜３００ｎｍの範囲
の比較的に広いバンドを有し、このために材料は水銀の
２５４ｎｍ共鳴輻射線によつて適当に励起することがで
きた。また、第２図は上記例に記載した従来のガーネツ
トの励起スペクトル（曲線２）を示している。かかる従
来のガーネツトの重要な励起バンドは非常に狭く、しか
も材料は低 二圧水銀蒸気放電灯に実際使用するのに適
当でないことがわかる。第３図は実施例１により作つた
本発明におけるガーネツトの放射スペクトルを示してい
る。
スペクトルは特有のＴｂ放射からなる。第３図におい
二て、波長λ（Ｎｍ）を横軸に取り、一定波長間隔に対
する放射ラジエントエネルギ一Ｅを縦軸に取つた。本発
明における発光ガーネツトを製造する場合には、いわゆ
る形成反応を促進しおよび／または ｊ形成温度を減少
する溶融塩を有利に用いることができる。
二て、波長λ（Ｎｍ）を横軸に取り、一定波長間隔に対
する放射ラジエントエネルギ一Ｅを縦軸に取つた。本発
明における発光ガーネツトを製造する場合には、いわゆ
る形成反応を促進しおよび／または ｊ形成温度を減少
する溶融塩を有利に用いることができる。
適当な溶融塩にはホウ酸またはＢ２Ｏ３、特に塩化アン
モニウム、弗化アンモニウム、塩化マグネシウム、塩化
イツトリウムおよび弗化アル※※ミニウムの如きハロゲ
ン化物を包含する。実施例 ２ＭｇＣ１２・６Ｈ２０と
して１０モル％マグネシウムを溶融塩として過剰に添加
する以外は実施例１に記載する割合の材料から混合物を
作つた。
モニウム、弗化アンモニウム、塩化マグネシウム、塩化
イツトリウムおよび弗化アル※※ミニウムの如きハロゲ
ン化物を包含する。実施例 ２ＭｇＣ１２・６Ｈ２０と
して１０モル％マグネシウムを溶融塩として過剰に添加
する以外は実施例１に記載する割合の材料から混合物を
作つた。
この混合物を各２時間づつＮ２中１３５０℃でおよびＮ
２中で１３００℃で２回加熱した。かようにして、実施
例１において得た材料と同じ式を有しかつ実施例１の材
料の光束より約１０％大きい光束を有する生成物を得た
。実施例 ３ 共沈水酸化物（ＣＯ．ｒｅｃｉｉｐｉｔａｔｅｄｈｙｄ
ｒＯｘｉｄｅｓ）から有利に出発して本発明における発
光ガーネツトを作つた。
２中で１３００℃で２回加熱した。かようにして、実施
例１において得た材料と同じ式を有しかつ実施例１の材
料の光束より約１０％大きい光束を有する生成物を得た
。実施例 ３ 共沈水酸化物（ＣＯ．ｒｅｃｉｉｐｉｔａｔｅｄｈｙｄ
ｒＯｘｉｄｅｓ）から有利に出発して本発明における発
光ガーネツトを作つた。
この目的のために、Ｙ２Ｏ３およびＴｂ４Ｏ７をＨＮＯ
３に溶解した溶液を作つた。この溶液にＭｇおよびＡ１
の硝酸塩を添加した。しかる後に、この溶液に所望量の
ＳｉＯ２を分散させ、これにアンモニアをＰＨｌＯ〜１
１になるまで添加した。かようにして得た式：Ｙｌ．８
ＴｂＯ．２Ａｌ４ＭｇＳｉＯｌ２を満足する成分元素か
らなる沈殿物を開放半融アルミナ坩堝内で空気中で７０
０℃に２時間にわたり加熱した。
３に溶解した溶液を作つた。この溶液にＭｇおよびＡ１
の硝酸塩を添加した。しかる後に、この溶液に所望量の
ＳｉＯ２を分散させ、これにアンモニアをＰＨｌＯ〜１
１になるまで添加した。かようにして得た式：Ｙｌ．８
ＴｂＯ．２Ａｌ４ＭｇＳｉＯｌ２を満足する成分元素か
らなる沈殿物を開放半融アルミナ坩堝内で空気中で７０
０℃に２時間にわたり加熱した。
しかる後に、生成物を各２時間づつ、すなわちＮ２中１
３５０℃およびＮ２中１３００℃で２回加熱した。得ら
れた生成物は２５４ｎｍで励起した時に１８０．７％の
光束を有していた。次に示す表１〜６には本発明におけ
る発光ガーネツトの組成、光束および吸収量を示してい
る。
３５０℃およびＮ２中１３００℃で２回加熱した。得ら
れた生成物は２５４ｎｍで励起した時に１８０．７％の
光束を有していた。次に示す表１〜６には本発明におけ
る発光ガーネツトの組成、光束および吸収量を示してい
る。
光束（ＬＯ）は上述する標準に比較した％で示している
。２５４ｎｍ輻射線の吸収（Ａ）は％で示している。
。２５４ｎｍ輻射線の吸収（Ａ）は％で示している。
表中に包含されている材料はすべて実施例１と同様にし
て作つた。「製造」の欄は表中の各材料に対する焼成条
件（温度、雰囲気）を記載している。各加熱操作は２時
間にわたり行なつた。
て作つた。「製造」の欄は表中の各材料に対する焼成条
件（温度、雰囲気）を記載している。各加熱操作は２時
間にわたり行なつた。
第１図は本発明における発光ガーネツトを具えた低圧水
銀蒸気放電灯の説明用線図、第２図は本発明による発光
ガーネツトおよび従来の発光ガーネツトとの比較励起ス
ペクトル曲線、および第３図は本発明における発光ガー
ネツトの放射スペクトル曲線図を示す。 １・・・・・・低圧水銀蒸気放電灯のガラス壁、２，３
・・・・・・電極。
銀蒸気放電灯の説明用線図、第２図は本発明による発光
ガーネツトおよび従来の発光ガーネツトとの比較励起ス
ペクトル曲線、および第３図は本発明における発光ガー
ネツトの放射スペクトル曲線図を示す。 １・・・・・・低圧水銀蒸気放電灯のガラス壁、２，３
・・・・・・電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 次式： Ｌｎ＿３＿−＿ｘ＿−＿ｐＴｂ＿ｐＡ＿５＿−＿ｘ＿−
＿２＿ｙＭｅ＾II＿ｘ＿＋＿ｙＭｅ＾IV＿ｘ＿＋＿ｙＯ
＿１＿２（式中、Ｌｎは少なくとも１個のイットリウム
、ガドリニウムおよびルテチウムを示し、Ａは少なくと
も１種のアルミニウムおよびガリウムを示し、かつＡで
示された元素の４０モル％までをスカンジウムで置換す
ることができ、Ｍｅ＾IIは少なくとも１種のマグネシウ
ム、カルシウム、ストロンチウムおよび亜鉛を示し、お
よびＭｅ＾IVは少なくとも１種のシリコン、ゲルマニウ
ムおよびジルコニウムを示す）で表わされ、かつ次の要
件：０＜ｘ＜２．８ ０≦ｙ≦２．０ ０．４≦ｘ＋ｙ≦２．８ ０．０２≦ｐ≦１．５０ ｘ＋ｐ≦３．０ を満していることを特徴とするガーネット結晶構造を有
するテルビウム−付活発光材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NLAANVRAGE7605094,A NL181063C (nl) | 1976-05-13 | 1976-05-13 | Luminescerend scherm; lagedrukkwikdampontladingslamp; werkwijze voor de bereiding van een luminescerend materiaal. |
| NL000007605094 | 1976-05-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52138487A JPS52138487A (en) | 1977-11-18 |
| JPS5923353B2 true JPS5923353B2 (ja) | 1984-06-01 |
Family
ID=19826189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52053820A Expired JPS5923353B2 (ja) | 1976-05-13 | 1977-05-12 | ガ−ネット結晶構造を有するテレビウム−付活発光材料 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPS5923353B2 (ja) |
| BE (1) | BE854520A (ja) |
| CA (1) | CA1102104A (ja) |
| DE (1) | DE2719611C2 (ja) |
| FR (1) | FR2351498A1 (ja) |
| GB (1) | GB1533507A (ja) |
| NL (1) | NL181063C (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE19638667C2 (de) * | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
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| JP3818043B2 (ja) * | 2000-10-12 | 2006-09-06 | 株式会社日立製作所 | 緑色蛍光体およびそれを用いた画像表示装置 |
| JP4032682B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2008-01-16 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体 |
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| DE10360546A1 (de) * | 2003-12-22 | 2005-07-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff |
| TWI413274B (zh) | 2005-03-18 | 2013-10-21 | Mitsubishi Chem Corp | 發光裝置，白色發光裝置，照明裝置及影像顯示裝置 |
| JP2007112951A (ja) * | 2005-10-24 | 2007-05-10 | Fujifilm Corp | 無機化合物及びこれを含む組成物と成形体、発光装置、固体レーザ装置 |
| US7560046B2 (en) * | 2005-12-22 | 2009-07-14 | General Electric Company | Scintillator material and radiation detectors containing same |
| US20100059668A1 (en) * | 2005-12-22 | 2010-03-11 | Robert Joseph Lyons | Scintillator material and radiation detectors containing same |
| US20070262288A1 (en) * | 2006-05-09 | 2007-11-15 | Soshchin Naum | Inorganic fluorescent powder as a solid light source |
| DE102008051029A1 (de) * | 2008-10-13 | 2010-04-15 | Merck Patent Gmbh | Dotierte Granat-Leuchtstoffe mit Rotverschiebung für pcLEDs |
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| US20130116756A1 (en) * | 2010-07-13 | 2013-05-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Uv-a or uv-b-emitting discharge lamp |
| DE102010047474A1 (de) * | 2010-10-06 | 2012-04-12 | Merck Patent Gmbh | Mn-aktivierte Leuchtstoffe |
| EP2966149B1 (en) * | 2013-03-08 | 2018-01-10 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Rare earth aluminum garnet-type inorganic oxide, phosphor and light-emitting device using same |
Family Cites Families (6)
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|---|---|---|---|---|
| FR1522322A (fr) * | 1967-02-28 | 1968-04-26 | Centre Nat Rech Scient | Nouveaux composés luminescents, leur mode de préparation et leurs applications |
| US3544479A (en) * | 1967-12-28 | 1970-12-01 | Gen Electric | Lithium vanadium garnet phosphors |
| AU2767471A (en) * | 1970-04-21 | 1972-10-19 | Nv. Philips' Gloeilampenfabrieken | Luminescent screen |
| JPS5431474B2 (ja) * | 1973-12-11 | 1979-10-06 | ||
| GB1500902A (en) * | 1974-01-17 | 1978-02-15 | Thorn Electrical Ind Ltd | Phosphors and their preparation |
| US3965031A (en) * | 1975-05-19 | 1976-06-22 | Gte Laboratories Incorporated | Red emitting phosphors |
-
1976
- 1976-05-13 NL NLAANVRAGE7605094,A patent/NL181063C/xx not_active IP Right Cessation
-
1977
- 1977-05-03 DE DE2719611A patent/DE2719611C2/de not_active Expired
- 1977-05-09 US US05/795,009 patent/US4093890A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-05-10 GB GB19537/77A patent/GB1533507A/en not_active Expired
- 1977-05-11 BE BE177491A patent/BE854520A/xx not_active IP Right Cessation
- 1977-05-11 CA CA278,300A patent/CA1102104A/en not_active Expired
- 1977-05-12 JP JP52053820A patent/JPS5923353B2/ja not_active Expired
- 1977-05-13 FR FR7714696A patent/FR2351498A1/fr active Granted
Also Published As
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|---|---|
| DE2719611A1 (de) | 1977-12-01 |
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| US4093890A (en) | 1978-06-06 |
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| FR2351498A1 (fr) | 1977-12-09 |
| NL181063B (nl) | 1987-01-02 |
| DE2719611C2 (de) | 1984-12-06 |
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| CA1102104A (en) | 1981-06-02 |
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| JPS52138487A (en) | 1977-11-18 |
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