JPS61283680A - けい光スクリ−ン - Google Patents
けい光スクリ−ンInfo
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- JPS61283680A JPS61283680A JP61125947A JP12594786A JPS61283680A JP S61283680 A JPS61283680 A JP S61283680A JP 61125947 A JP61125947 A JP 61125947A JP 12594786 A JP12594786 A JP 12594786A JP S61283680 A JPS61283680 A JP S61283680A
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- JP
- Japan
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- silicate
- fluorescent
- silicates
- radiation
- terbium
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/778—Borates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/77747—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、支持体上に形成され且つ燐灰石(apati
te)結晶構造を有するけい光珪酸塩より成るけい光層
をそなえたけい光スクリーンに関するものである。
te)結晶構造を有するけい光珪酸塩より成るけい光層
をそなえたけい光スクリーンに関するものである。
公開されたオランダ国特許出願第8006223号には
、アルカリ土類金属と稀土類金属とのけい光珪酸塩より
成るけい光層が開示されており、これ等の珪酸塩は6方
晶系燐灰石結晶構造を有し、−膜構造式Mea Lnb
(AO4) 8X2に相当する。この構造式では9≦
a+b≦10で、Lnはガドリニウムおよび場合によっ
てはイツトリウムふよび/またはランタンを表す。Me
は、Ca、 Sr、 Ba、 MgおよびZnのような
アルカリ土類金属で、一方Aは珪素、燐および/または
硼素を表す。Xはハロゲン、酸素または場合によっては
空部位(vacant 5ites)を表わす。
、アルカリ土類金属と稀土類金属とのけい光珪酸塩より
成るけい光層が開示されており、これ等の珪酸塩は6方
晶系燐灰石結晶構造を有し、−膜構造式Mea Lnb
(AO4) 8X2に相当する。この構造式では9≦
a+b≦10で、Lnはガドリニウムおよび場合によっ
てはイツトリウムふよび/またはランタンを表す。Me
は、Ca、 Sr、 Ba、 MgおよびZnのような
アルカリ土類金属で、一方Aは珪素、燐および/または
硼素を表す。Xはハロゲン、酸素または場合によっては
空部位(vacant 5ites)を表わす。
これ等公知のけい光珪酸塩は鉛または鉛とテルビウムお
よび/またはマンガンによって付活される。
よび/またはマンガンによって付活される。
けれども、ガドリニウムを含まず、アンチモン、鉛、錫
、アンチモンとマンガンまたは鉛とマンガンで付活され
たこの種のけい光珪酸塩もオランダ国特許出願第700
5708号に記載されている。
、アンチモンとマンガンまたは鉛とマンガンで付活され
たこの種のけい光珪酸塩もオランダ国特許出願第700
5708号に記載されている。
テルビウム元素は、多くの結晶格子に固有緑色Tb3+
放射線を発生する極めて効率のよいけい光を生じるので
、屡々用いられるけい光材料用付活剤である。けれども
、紫外線により励起されると、効率のよいけい光を得る
ために、けい光材料をその材料の励起スペクトルの極大
またはこの極大に極めて近い波長を有する放射線で励起
することが必要とされる。このような材料の重要な用途
は、低圧水銀蒸気放電ランプに見出される。この種のラ
ンプでは、約254nmの波長を有する紫外線が主とし
て発生される。多くのTb付活材料の大きな欠点は、テ
ルビウム励磁帯域の極大が254nmより比較的遠いと
ころにある波長に見出されるということである。この場
合には、励起エネルギーが先づ別の付活剤に吸収され、
しかる後このエネルギがテルビウムに移された場合にの
み効率的なけい光を得ることができる。この吸収と移行
の間に云う迄もなく損失が生じ得る。
放射線を発生する極めて効率のよいけい光を生じるので
、屡々用いられるけい光材料用付活剤である。けれども
、紫外線により励起されると、効率のよいけい光を得る
ために、けい光材料をその材料の励起スペクトルの極大
またはこの極大に極めて近い波長を有する放射線で励起
することが必要とされる。このような材料の重要な用途
は、低圧水銀蒸気放電ランプに見出される。この種のラ
ンプでは、約254nmの波長を有する紫外線が主とし
て発生される。多くのTb付活材料の大きな欠点は、テ
ルビウム励磁帯域の極大が254nmより比較的遠いと
ころにある波長に見出されるということである。この場
合には、励起エネルギーが先づ別の付活剤に吸収され、
しかる後このエネルギがテルビウムに移された場合にの
み効率的なけい光を得ることができる。この吸収と移行
の間に云う迄もなく損失が生じ得る。
本発明は、新しいけい光材料、更に詳しく云えば、テル
ビウムで付活され、テルビウム内で直接に励起されるこ
とのできる材料を得ることを目的とするものである。
ビウムで付活され、テルビウム内で直接に励起されるこ
とのできる材料を得ることを目的とするものである。
本発明は、冒頭に記載した種類のけい光スクリーンにお
いて、珪酸塩が構造式 %式% に相当し、この場合、Lnは元素Y、LaおよびGdの
少なくとも1つを、Mlは元素ML CaおよびSrの
少なくとも1つをまたMIIlは元素AIおよびBの少
なくとも1つを表わし、また 0≦X≦1.9 0≦y≦1.9 X+y≦1.9 0≦p≦3 0≦q≦x +y 0.1≦p+q であることを特徴とするものである。
いて、珪酸塩が構造式 %式% に相当し、この場合、Lnは元素Y、LaおよびGdの
少なくとも1つを、Mlは元素ML CaおよびSrの
少なくとも1つをまたMIIlは元素AIおよびBの少
なくとも1つを表わし、また 0≦X≦1.9 0≦y≦1.9 X+y≦1.9 0≦p≦3 0≦q≦x +y 0.1≦p+q であることを特徴とするものである。
Lnが元素”sLaおよび/またはGdを表すものとし
た場合格子Ln (Sin4) 、N2をベースとする
窒素含有珪酸塩燐灰石は、適当な付活によってけい光材
料を形成することが見出された。特に紫外線による励起
に基く極めて有効なけい光を有する材料は、Lnの部位
で置換された活性剤元素テルビウムおよびジルコニウム
で得られる。燐灰石基本格子Ln(S104) 6N2
はそれ自身は公知である(例えば「ジャーナル・オブ・
マテリアル・ソシェティ(J。
た場合格子Ln (Sin4) 、N2をベースとする
窒素含有珪酸塩燐灰石は、適当な付活によってけい光材
料を形成することが見出された。特に紫外線による励起
に基く極めて有効なけい光を有する材料は、Lnの部位
で置換された活性剤元素テルビウムおよびジルコニウム
で得られる。燐灰石基本格子Ln(S104) 6N2
はそれ自身は公知である(例えば「ジャーナル・オブ・
マテリアル・ソシェティ(J。
Mater、 Sci、 )1976年、11(7)
、’130.5〜1309頁参照)。
、’130.5〜1309頁参照)。
前記の格子において、燐灰石結晶構造を変えることなし
にLnの一部を元素Mg、 CaおよびSrの1つまた
はそれ以上で置換しまたSiの一部をA1および/また
はBで置換できることが見出された。両置換と共に、電
荷補償を得るためにNの同じモル量を0で置換せねばな
らない。化合物LJo(S+04)sN2と酸素のみを
含有するLnBMT2(S+04)0゜およびLnIo
(S+04) 4 (M”04) 202間に窒素含
有量が減少してゆく連続的な一連の化合物が可能である
ことが見出された。窒素含有珪酸塩と酸素のみを含む珪
酸塩とはテルビウムによる付活に基づいて異なる励起ス
ペクトルを有することが見出された。本発明によるテル
ビウム付活珪酸塩の大きな利点は、Nと0の比を適当に
選ぶことによって励起スペクトルの極大の位置を成る限
られた範囲内で所定の用途に望ましい値に合せることが
できるということである。
にLnの一部を元素Mg、 CaおよびSrの1つまた
はそれ以上で置換しまたSiの一部をA1および/また
はBで置換できることが見出された。両置換と共に、電
荷補償を得るためにNの同じモル量を0で置換せねばな
らない。化合物LJo(S+04)sN2と酸素のみを
含有するLnBMT2(S+04)0゜およびLnIo
(S+04) 4 (M”04) 202間に窒素含
有量が減少してゆく連続的な一連の化合物が可能である
ことが見出された。窒素含有珪酸塩と酸素のみを含む珪
酸塩とはテルビウムによる付活に基づいて異なる励起ス
ペクトルを有することが見出された。本発明によるテル
ビウム付活珪酸塩の大きな利点は、Nと0の比を適当に
選ぶことによって励起スペクトルの極大の位置を成る限
られた範囲内で所定の用途に望ましい値に合せることが
できるということである。
前述の構造式と本発明によるけい光スクリーンのけい光
珪酸塩に対する条件から、Lnの最大で1.9モルをM
g、 Caおよび/またはSrで置換することができ(
X≦1.9)またやはり5in4の最大で1.9モルを
AlO4および/または80.で置換できる(y≦1.
9)ことがわかる。Lnと5104の両方の置換が同時
に行われる場合には、これ等の置換全体がやはり最大で
1.9である(×+y≦1.9)。実際に、けい光珪酸
塩が最少量の窒素(珪酸塩のモル当りNo、 1モル)
を有することが必要である。Tbだけ(q=O)での付
活に際しては、テルビウムの含有量pは少なくとも0.
1である、というのはpの値がそれより少なければ励起
放射線の吸収が小さ過ぎるため、得られる光束が余りに
小さいからである。このテルビウム含有量は最大でも3
である、というのは、それよりも大きな値では濃度消失
(concentrationquench ing)
のため得られる光束が小さ過ぎるからである。テルビウ
ム付活珪酸塩はTb”の固有の緑色の線放射線(lin
e emission)を有する。本発明をもたらした
実験によると、更に、四価のジルコニウムによる付活に
よって、スペクトルの近紫外線部分迄の濃い青の帯域で
効率的に発光するけい光珪酸塩が得られることがわかっ
た。Ln3+イオンの四価ジルコニウムによる部分的な
置換と共に、Lnの等モル量をMl+で置換しおよび/
または5104の等モル量をMnl04で置換せねばな
らない。ジルコニウム含有量qは、値0.1 と1.9
(全体のMおよび/またはMlo、置換の最大値)の間
にあるように選ばれる。
珪酸塩に対する条件から、Lnの最大で1.9モルをM
g、 Caおよび/またはSrで置換することができ(
X≦1.9)またやはり5in4の最大で1.9モルを
AlO4および/または80.で置換できる(y≦1.
9)ことがわかる。Lnと5104の両方の置換が同時
に行われる場合には、これ等の置換全体がやはり最大で
1.9である(×+y≦1.9)。実際に、けい光珪酸
塩が最少量の窒素(珪酸塩のモル当りNo、 1モル)
を有することが必要である。Tbだけ(q=O)での付
活に際しては、テルビウムの含有量pは少なくとも0.
1である、というのはpの値がそれより少なければ励起
放射線の吸収が小さ過ぎるため、得られる光束が余りに
小さいからである。このテルビウム含有量は最大でも3
である、というのは、それよりも大きな値では濃度消失
(concentrationquench ing)
のため得られる光束が小さ過ぎるからである。テルビウ
ム付活珪酸塩はTb”の固有の緑色の線放射線(lin
e emission)を有する。本発明をもたらした
実験によると、更に、四価のジルコニウムによる付活に
よって、スペクトルの近紫外線部分迄の濃い青の帯域で
効率的に発光するけい光珪酸塩が得られることがわかっ
た。Ln3+イオンの四価ジルコニウムによる部分的な
置換と共に、Lnの等モル量をMl+で置換しおよび/
または5104の等モル量をMnl04で置換せねばな
らない。ジルコニウム含有量qは、値0.1 と1.9
(全体のMおよび/またはMlo、置換の最大値)の間
にあるように選ばれる。
ジルコニウムによる付活に際しては、しnに対しイツ)
+Jウムを選ぶと最適の結果が得られる。したがって
、Lnがイツトリウムでp=0であるけい光スクリーン
が好ましい。
+Jウムを選ぶと最適の結果が得られる。したがって
、Lnがイツトリウムでp=0であるけい光スクリーン
が好ましい。
テルビウムによる付活に際しては、Lnに対してランタ
ンが選ばれた珪酸塩を用いるのが有利である。このけい
光珪酸塩は実際に高い量子収量(qu−antum e
fficiency)を有し、特に低圧水銀蒸気放置ラ
ンプに用いられた時に極めて高い励起放射線吸収を有し
、このため大きな光束を得ることかできる。更にこの珪
酸塩におけるMI+によるLnの一部置換および/また
はBO,による5104の一部置換は。
ンが選ばれた珪酸塩を用いるのが有利である。このけい
光珪酸塩は実際に高い量子収量(qu−antum e
fficiency)を有し、特に低圧水銀蒸気放置ラ
ンプに用いられた時に極めて高い励起放射線吸収を有し
、このため大きな光束を得ることかできる。更にこの珪
酸塩におけるMI+によるLnの一部置換および/また
はBO,による5104の一部置換は。
量子収量の増加をきたす。したがって、本発明では、珪
酸塩が構造式
3%式% に相当するけい光スクリーンが好ましい。
酸塩が構造式
3%式% に相当するけい光スクリーンが好ましい。
このようなスクリーンでは、珪酸塩内でLnに対し一部
がガドリニウムで置換されたランタンを選ぶと最適な結
果が得られる。したがって、本発明のけい光スクリーン
の好ましい実施態様では、珪酸塩は構造式 %式% に相当し、ここでZは0.5 ≦Z≦5.0である。
がガドリニウムで置換されたランタンを選ぶと最適な結
果が得られる。したがって、本発明のけい光スクリーン
の好ましい実施態様では、珪酸塩は構造式 %式% に相当し、ここでZは0.5 ≦Z≦5.0である。
本発明のけい光スクリーンの有利な用途は、低圧水銀蒸
気放電ランプに見出される、というのは、このようなラ
ンプではけい光珪酸塩が最適に励起されるからである。
気放電ランプに見出される、というのは、このようなラ
ンプではけい光珪酸塩が最適に励起されるからである。
珪酸塩の励起スペクトルの極大は、実際に、0とNの比
を適当に選ぶことによって、これ等ランプ内に発生する
254nm放射線に十分に適合させることができる。
を適当に選ぶことによって、これ等ランプ内に発生する
254nm放射線に十分に適合させることができる。
けい光珪酸塩は、成分元素の酸化物または温度上昇によ
ってこれ等酸化物を生じる化合物から形成された出発原
料の混合物の高温における固相反応(solid 5t
ate reaction)によって得ることができる
。おもに窒素がSi3N4 として混合物に加えられ、
この場合一般に過剰な窒素例えば20〜30モル%の窒
素が用いられる。面相反応の進行を助成するために、同
様に僅かに過剰な珪素例えば約10モル%の珪素を用い
ることができ、混合物は次いで弱い還元ふん囲気内で1
200℃〜1700℃の温度で一回または数回加熱され
、かくしてけい光珪酸塩が形成される。
ってこれ等酸化物を生じる化合物から形成された出発原
料の混合物の高温における固相反応(solid 5t
ate reaction)によって得ることができる
。おもに窒素がSi3N4 として混合物に加えられ、
この場合一般に過剰な窒素例えば20〜30モル%の窒
素が用いられる。面相反応の進行を助成するために、同
様に僅かに過剰な珪素例えば約10モル%の珪素を用い
ることができ、混合物は次いで弱い還元ふん囲気内で1
200℃〜1700℃の温度で一回または数回加熱され
、かくしてけい光珪酸塩が形成される。
以下に本発明のけい光スクリーンに適したけい光珪酸塩
の実施例を図面、製法例および多数の測定結果を参照し
て更に詳しく説明する。
の実施例を図面、製法例および多数の測定結果を参照し
て更に詳しく説明する。
第1図は管状ガラス壁1を有する低圧水銀蒸気放電ラン
プの断面図を線図的に示す。このランプの両端には電極
2および3が配設され、この電極の間に動作暗放電が維
持される。このランプには、少量の水銀と始動ガスとし
ての稀ガスが入れられる。壁1はけい光スクリーンの支
持体を形成し、内面には、本発明のけい光珪酸塩より成
るけい光層4が設けられる。このけい光層4は、通常の
方法例えばけい光珪酸塩を有するサスペンションによっ
て壁1に施すことができる。
プの断面図を線図的に示す。このランプの両端には電極
2および3が配設され、この電極の間に動作暗放電が維
持される。このランプには、少量の水銀と始動ガスとし
ての稀ガスが入れられる。壁1はけい光スクリーンの支
持体を形成し、内面には、本発明のけい光珪酸塩より成
るけい光層4が設けられる。このけい光層4は、通常の
方法例えばけい光珪酸塩を有するサスペンションによっ
て壁1に施すことができる。
例 1
混合物は
0、648g (DCaCO3
5、847gのY2O3
1、672gのSiO□
0、636gの5i3N4
2、086gのZr0C1□’8H20よりつくられた
。この混合物はAl2O3のるつぼ内で1300℃で1
時間加熱され、このるつぼを経て容積で5%の水素を含
む窒素流(51/m1n)が通された。
。この混合物はAl2O3のるつぼ内で1300℃で1
時間加熱され、このるつぼを経て容積で5%の水素を含
む窒素流(51/m1n)が通された。
冷却および微粉砕の後、得られた製品は同じふん囲気内
で再び1400℃で1時間加熱された。冷却右よび均質
化後、2rCaYe (SiOJ 6N2の構造式のジ
ルコニウム付活珪酸塩が得られた。X線回折分析による
と、この珪酸塩は(本発明によるけい光珪酸塩の以下の
すべての例と同様に)燐灰石構造を有することが示され
た。短波長の紫外線(主として254nm)で励起され
ると、この燐灰石は、約425nmに極大を有しまた約
1105nの半値幅を有する帯域の青い放射線を示した
。第2図はこの放射線のスペクトルエネルギ分布を示す
。この図では、nmで表わした波長人が横軸に、任意の
単位の相対放射線の強さEが縦軸にとられている。珪酸
塩は47%の量子収量を有し、一方励起254nm放射
線の吸収は5%であった。
で再び1400℃で1時間加熱された。冷却右よび均質
化後、2rCaYe (SiOJ 6N2の構造式のジ
ルコニウム付活珪酸塩が得られた。X線回折分析による
と、この珪酸塩は(本発明によるけい光珪酸塩の以下の
すべての例と同様に)燐灰石構造を有することが示され
た。短波長の紫外線(主として254nm)で励起され
ると、この燐灰石は、約425nmに極大を有しまた約
1105nの半値幅を有する帯域の青い放射線を示した
。第2図はこの放射線のスペクトルエネルギ分布を示す
。この図では、nmで表わした波長人が横軸に、任意の
単位の相対放射線の強さEが縦軸にとられている。珪酸
塩は47%の量子収量を有し、一方励起254nm放射
線の吸収は5%であった。
例2−18
前記の例1に記載されたと同様にして、異なる組成の多
数のテルビウム付活けい光珪酸塩がつくられた。所要の
テルビウムはTb40.とじて出発混合物に加えられた
。これ等珪酸塩の構造式と254nm放射線での励起に
よる量子収量(%でのQE)およびこの励起放射線の吸
収(%でのA)の測定結果とを次の表に示す。これ等の
珪酸塩の放射線はTb3+の固有の線放射線である。第
3図は例2の珪酸塩の放射線のスペクトルエネルギ分布
を示す。
数のテルビウム付活けい光珪酸塩がつくられた。所要の
テルビウムはTb40.とじて出発混合物に加えられた
。これ等珪酸塩の構造式と254nm放射線での励起に
よる量子収量(%でのQE)およびこの励起放射線の吸
収(%でのA)の測定結果とを次の表に示す。これ等の
珪酸塩の放射線はTb3+の固有の線放射線である。第
3図は例2の珪酸塩の放射線のスペクトルエネルギ分布
を示す。
1) 例3のしa、Tb(Sin4) 6N2と例13
のLa9Tb(Sin4)(B[14)ONの珪酸塩お
よび酸素だけを含む珪酸塩(本発明によるものではない
が)LasTb(SiO4)4(BO4)20□の励起
スペクトルの極大は夫々257゜240および236n
mに見られた。
のLa9Tb(Sin4)(B[14)ONの珪酸塩お
よび酸素だけを含む珪酸塩(本発明によるものではない
が)LasTb(SiO4)4(BO4)20□の励起
スペクトルの極大は夫々257゜240および236n
mに見られた。
第1図は本発明のけい光スクリーンをそなえた低圧水銀
蒸気放電ランプの断面図 第2図はジルコニウム付活珪酸塩の放射線のスペクトル
エネルギ分布図 第3図はテルビウム付活珪酸塩の放射線スペクトル図で
ある。 ■・・・管状ガラス壁 2,3・・・電極4・・・
けい光層
蒸気放電ランプの断面図 第2図はジルコニウム付活珪酸塩の放射線のスペクトル
エネルギ分布図 第3図はテルビウム付活珪酸塩の放射線スペクトル図で
ある。 ■・・・管状ガラス壁 2,3・・・電極4・・・
けい光層
Claims (4)
- 1. 支持体上に形成され且つ燐灰石結晶構造を有す
るけい光珪酸塩より成るけい光層をそなえたけい光スク
リーンにおいて、 珪酸塩は構造式 Ln_1_0_−_x_−_p_−_qM^II_xTb
_pZr_q(SiO_4)_6_−_y(M^IIIO
_4)_yO_x_+_y_−_qN_2_−_x_−
_y_+_qに相当し、この場合、Lnは元素Y、La
およびGdの少なくとも1つを、M^IIは元素Mg、C
aおよびSrの少なくとも1つをまたM^IIIは元素A
lおよびBの少なくとも1つを表わし、また 0≦x≦1.9 0≦y≦1.9 x+y≦1.9 0≦p≦3 0≦q≦x+y 0.1≦p+q であることを特徴とするけい光スクリーン。 - 2. Lnはイツトリウムでp=0である特許請求の
範囲第1項記載のけい光スクリーン。 - 3. 珪酸塩は構造式La_1_0_−_x_−_p
M^II_xTb_p(SiO_4)_6_−_y(BO
_4)_yO_x_+_yN_2_−_x_−_yに相
当する特許請求の範囲第1項記載のけい光スクリーン。 - 4. 珪酸塩は構造式La_1_0_−_x_−_p
_−_zGd_zM^II_xTb_p(SiO_4)_
6_−_y(BO_4)_yO_x_+_yN_2_−
_x_−_yに相当し、この場合0.5≦z≦5.0で
ある特許請求の範囲第1項記載のスクリーン。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8501600 | 1985-06-04 | ||
NL8501600A NL8501600A (nl) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | Luminescerend scherm en lagedrukkwikdampontladingslamp voorzien van een dergelijk scherm. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61283680A true JPS61283680A (ja) | 1986-12-13 |
Family
ID=19846087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61125947A Pending JPS61283680A (ja) | 1985-06-04 | 1986-06-02 | けい光スクリ−ン |
Country Status (5)
Country | Link |
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