KR100306996B1 - 신규 램프용 규산염계 형광체 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유로퓸을 활성제로 하는 하기 화학식 1의 형광체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
(Ba2-x-y-z-αSrxEuyMzNα)SiO4+δ
상기 식 중, x는 0≤x<2이고, y는 0.001≤y≤0.05이고, z는 0.001≤z≤0.1이고, α는 0≤α≤0.1이고, x+y+z+α는 0≤x+y+z+α≤2이고, δ는 -0.05≤δ≤0.05이고, M은 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y, Sc, Al, Ga, In이며, N은 Li, Na, K이다.
본 발명에 따라, 기존의 (Ba2-xSrx)SiO4:Eu2+형광체의 알칼리 토금속의 일부를 희토류 원소, 3족 원소, 알칼리 금속 이온 등으로 치환하여 형광체를 제조함으로써, 수은등에서 나오는 365 nm의 자외선과 자외선 발광 다이오드에서 나오는 370 nm 근처의 자외선에 대해 기존의 (Ba2-xSrx)SiO4:Eu2+형광체보다 80 % 이상 높아진 발광 효율을 얻을 수 있다.
따라서, 본 발명의 형광체는 수은등용 형광체로서의 특성으로서 바람직할 뿐 아니라 무수은등으로 사용하려는 백색 발광 다이오드를 제조하는데 사용되는 형광체로서도 바람직하다.

Description

신규 램프용 규산염계 형광체 {New Silicates Phosphors for Lamp}
본 발명은 수은등용으로서 뿐만 아니라 무수은등으로 사용하려는 백색 발광 다이오드를 제조하는데에도 바람직한 형광체 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
보다 구체적으로, 본 발명은 유로퓸을 활성제로 하는 하기 화학식 1의 형광체에 관한 것이다.
<화학식 1>
(Ba2-x-y-z-αSrxEuyMzNα)SiO4+δ
상기 식 중,
x는 0≤x<2이고, y는 0.001≤y≤0.05이고, z는 0.001≤z≤0.1이고, α는 0≤α≤0.1이고, x+y+z+α는 0≤x+y+z+α≤2이고, δ는 -0.05≤δ≤0.05이고, M은 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y, Sc, Al, Ga, In이며, N은 Li, Na, K이다.
또한, 본 발명은 출발물질을 상기 화학식 1의 조성에 따라 정량적으로 칭량하여 갈아준 후, 알루미나 도가니에 넣고 가열하는 제1 열처리 단계;
상기 제1 열처리가 끝난 시료를 전기로 안에서 자연 냉각시킨 후 다시 갈아주고 이를 보트에 담아 수소 기체나 수소와 질소 혼합 기체를 흘리는 관 전기로 안에서 가열하는 제2 열처리 단계; 및
상기 제2 열처리가 끝난 시료를 수소 기체나 수소와 질소 혼합 기체를 흘리는 관 전기로 안에서 자연 냉각시키는 단계를 포함하는, 상기 화학식 1의 형광체의 제조 방법에 관한 것이다.
종래 램프용 형광체로서 유로퓸을 물들인 규산염계 형광체 (Ba2-xSrx)SiO4:Eu2+(Eu의 농도는 0.0005에서 0.05까지임)가 이미 알려져 있다 (J.Electrochem. Soc. 115(11), 1181(1968) 및 미국 특허 제3,505,240호(1970.4.7.)). 이 형광체는 수은등에서 여기 원으로 사용되는 253.7 nm와 365 nm의 자외선에 대해 높은 발광 효율을 가지는 것으로 보고되어 있다. 그리고 x 값을 조절하여 녹색에서 노란색까지 다양한 색을 구현할 수 있다.
최근에는 InGaN 계의 발광 다이오드 (LED)에서 나오는 370 nm 근처의 자외선을 여기 원으로 사용할 수 있는 형광체를 다이오드에 발라서 백색 광을 내려는 시도가 있으며, (Ba2-xSrx)SiO4:Eu2+형광체는 이런 목적에도 사용할 수 있다 (Phosphor Research Society Meeting Digest, 264, 5 (1996); J. Crystal Growth 195, 242 (1998); 및 J. Crystal Growth 189/190, 778 (1998)).
본 발명의 목적은 기존의 (Ba2-xSrx)SiO4:Eu2+형광체를 변형하여 365 nm와 발광 다이오드에서 내는 자외선에 대해 발광 효율이 향상된 형광체를 얻는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예 1과 실시예 2에서 얻은 형광체와 종래의 Ba0.99Sr0.99Eu0.02SiO4형광체를 365 ㎚의 자외선으로 여기시켜 얻은 발광 분광분포도 (emission spectrum).
도 2는 본 발명의 실시예 1과 실시예 2에서 얻은 형광체와 종래의 Ba0.99Sr0.99Eu0.02SiO4형광체의 515 ㎚ 발광에 대한 여기 분광분포도 (excitation spectrum).
도 3은 본 발명의 실시예 3과 실시예 4에서 얻은 형광체와 종래의 Ba0.99Sr0.99Eu0.02SiO4형광체의 515 ㎚ 발광에 대한 여기 분광분포도.
도 4는 본 발명의 실시예 5에서 얻은 형광체와 종래의 Ba0.99Sr0.99Eu0.02SiO4형광체의 515 ㎚ 발광에 대한 여기 분광분포도.
본 발명자들은 (Ba2-xSrx)SiO4:Eu2+형광체의 알칼리 토금속의 일부를 희토류 원소인 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y, Sc 등과 3족 원소인 Al, Ga, In 등으로 치환해 주고 또 알칼리 금속 이온인 Li, Na, K 등으로 치환해 주었을 때 365 nm의 자외선에 대해서는 밝기를 80 % 이상까지 향상시킬 수 있음을 알게 되었다.
따라서, 본 발명은 유로퓸을 활성제로 하는 하기 화학식 1의 형광체에 관한 것이다.
<화학식 1>
(Ba2-x-y-z-αSrxEuyMzNα)SiO4+δ
상기 식 중,
x는 0≤x<2이고, y는 0.001≤y≤0.05이고, z는 0.001≤z≤0.1이고, α는 0≤α≤0.1이고, x+y+z+α는 0≤x+y+z+α≤2이고, δ는 -0.05≤δ≤0.05이고, M은 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y, Sc, Al, Ga, In이며, N은 Li, Na, K이다.
또한, 본 발명은 출발물질을 상기 화학식 1의 조성에 따라 정량적으로 칭량하여 갈아준 후, 알루미나 도가니에 넣고 가열하는 제1 열처리 단계;
상기 제1 열처리가 끝난 시료를 전기로 안에서 자연 냉각시킨 후 다시 갈아주고 이를 보트에 담아 수소 기체나 수소와 질소 혼합 기체를 흘리는 관 전기로 안에서 가열하는 제2 열처리 단계; 및
상기 제2 열처리가 끝난 시료를 수소 기체나 수소와 질소 혼합 기체를 흘리는 관 전기로 안에서 자연 냉각시키는 단계를 포함하는, 상기 화학식 1의 형광체의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 화학식 1의 형광체를 제조하는데 사용되는 합성 원료인 Si 화합물은 순도가 99% 이상인 SiO2이고, Ba, Sr, Eu, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy,Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y, Sc, Al, Ga, In 등은 순도 99.9 % 이상의 질산염, 탄산염 또는 산화물 형태, 구체적으로는 BaCO3, SrCO3, Eu2O3, Al2O3, Y2O3, Gd2O3등의 형태이며, Li, Na, K 등은 순도 99.9 % 이상의 탄산염 형태, 구체적으로는 Na2CO3등의 형태이다.
출발물질은 일반적으로 마노 막자사발에서 30분 이상 갈아준다. 그리고, 제1 열처리가 끝난 시료는 마노 막자사발에서 다시 10분간 갈아준다.
제1 열처리는 700 ℃ ~ 1000 ℃에서 2시간 ~ 4시간 동안 수행한다. 또한, 제2 열처리는 1000 ℃ ~ 1300 ℃에서 2시간 ~ 10시간 동안 수행한다.
이하, 실시예를 들어서 본 발명의 실시형태를 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들의 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
Ba0.97Sr0.97Eu0.02Al0.02Na0.02SiO4(x=0.97, y=0.02, z=0.02, α=0.02, δ=0, M=Al, N=Na)의 제조
출발물질 BaCO33.8292 g, SrCO32.8642 g, Eu2O30.0704 g, Al2O30.0204 g, Na2CO30.0212 g, SiO21.2065 g을 마노 막자 사발에서 30분 정도 섞었다. 이 혼합물을 알루미나 도가니에 옮겨 2시간에 걸쳐서 950 ℃ 까지 온도를 올려주고 950 ℃에서 2 시간 동안 반응시켰다.
상기 제1 열처리가 끝난 시료를 전기로 안에서 상온까지 자연 냉각시킨 후 마노 막자 사발에서 10 분간 갈아주었다. 이것을 백금 보트에 담아 관 전기로에넣고 3시간 동안 수소를 흘려 준 후 분 당 10 cc의 수소를 흘리면서 2시간에 걸쳐 1200 ℃ 까지 온도를 올려주고 1200 ℃에서 3시간 동안 가열하였다.
상기 제2 열처리가 끝난 시료를 수소를 흘리면서 전기로 안에서 자연 냉각시켜 형광체를 얻었다.
이 형광체의 밝기를 여러가지 여기 파장에서 같은 방법으로 만든 Ba0.99Sr0.99Eu0.02SiO4의 밝기와 비교한 결과, 365 nm에서 160 %, 400 nm에서 155 %, 450 nm에서 136 %의 밝기를 보였다.
본 실시예의 형광체 및 Ba0.99Sr0.99Eu0.02SiO4형광체의 발광 분광분포도는 같은 모양을 가지지만 여기 분광분포도는 조금 다른 모양을 가진다. 구체적으로, 도 1에는 365 nm의 자외선으로 여기시켜 얻은 두 형광체의 발광 분광분포도가 비교되어 있고, 도 2에 최대 발광 세기를 보이는 515 nm에 대한 두 형광체의 여기 분광분포도가 비교되어 있다.
<실시예 2>
Ba0.97Sr0.97Eu0.02Y0.02Na0.02SiO4(x=0.97, y=0.02, z=0.02, α=0.02, δ=0, M=Y, N=Na)의 제조
출발물질로서 BaCO33.8292 g, SrCO32.8642 g, Eu2O30.0704 g, Y2O30.0452 g, Na2CO30.0212 g, SiO21.2065 g을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 표제의 형광체를 합성하였다.
이 형광체의 밝기를 같은 방법으로 만든 Ba0.99Sr0.99Eu0.02SiO4의 밝기와 비교한 결과, 365 nm에서 181 %, 400 nm에서 182 %, 450 nm에서 175 %의 밝기를 보였다.
본 실시예의 형광체 및 Ba0.99Sr0.99Eu0.02SiO4형광체의 발광 분광분포도는 같은 모양을 가지지만 여기 분광분포도는 조금 다른 모양을 가진다. 구체적으로, 도 1에는 365 nm의 자외선으로 여기시켜 얻은 두 형광체의 발광 분광분포도가 비교되어 있고, 도 2에는 최대 발광 세기를 보이는 515 nm에 대한 두 형광체의 여기 분광분포도가 비교되어 있다.
<실시예 3>
Ba0.98Sr0.98Eu0.02Gd0.02SiO4.01(x=0.98, y=0.02, z=0.02, α=0, δ=0.01, M=Gd)의 제조
출발물질로서 BaCO33.8686 g, SrCO32.8937 g, Eu2O30.0704 g, Gd2O30.0725 g, SiO21.2065 g을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 표제의 형광체를 합성하였다.
이 형광체의 밝기를 같은 방법으로 만든 Ba0.99Sr0.99Eu0.02SiO4의 밝기와 비교한 결과, 365 nm에서 126 %, 400 nm에서 136 %, 450 nm에서 162 %의 밝기를 보였다.
본 실시예의 형광체 및 Ba0.99Sr0.99Eu0.02SiO4형광체의 발광 분광분포도는 같은 모양을 가지지만 여기 분광분포도는 서로 다른 모양이다. 구체적으로, 도 3에는 최대 발광 세기를 보이는 515 nm에 대한 두 형광체의 여기 분광분포도가 비교되어 있다.
<실시예 4>
Ba0.97Sr0.97Eu0.02Gd0.02Na0.02SiO4(x=0.97, y=0.02, z=0.02, α=0.02, δ=0, M=Gd, N=Na)의 제조
출발물질로서 BaCO33.8292 g, SrCO32.8642 g, Eu2O30.0704 g, Gd2O30.0725 g, Na2CO30.0212 g, SiO21.2065 g을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 표제의 형광체를 합성하였다.
이 형광체의 밝기를 같은 방법으로 만든 Ba0.99Sr0.99Eu0.02SiO4의 밝기와 비교한 결과, 365 nm에서 147 %, 400 nm에서 160 %, 450 nm에서 190 %의 밝기를 보였다.
본 실시예의 형광체 및 Ba0.99Sr0.99Eu0.02SiO4형광체의 발광 분광분포도는 같은 모양을 가지지만 여기 분광분포도는 서로 다른 모양이다. 구체적으로, 도 3에는 최대 발광 세기를 보이는 515 nm에 대한 두 형광체의 여기 분광분포도가 비교되어 있다.
<실시예 5>
Ba0.91Sr0.91Eu0.02Gd0.08Na0.08SiO4(x=0.91, y=0.02, z=0.08, α=0.08, δ=0, M=Gd, N=Na)의 제조
출발물질로서 BaCO33.5923 g, SrCO32.6870 g, Eu2O30.0704 g, Gd2O30.2900 g, Na2CO30.0848 g, SiO21.2065 g을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 표제의 형광체를 합성하였다.
이 형광체의 밝기를 같은 방법으로 만든 Ba0.99Sr0.99Eu0.02SiO4의 밝기와 비교한 결과, 365 nm에서 147 %, 400 nm에서 159 %, 450 nm에서 187 %의 밝기를 보였다. 그러나 280 nm 보다 짧은 파장에 대해서는 더 낮은 밝기를 보였다.
본 실시예의 형광체 및 Ba0.99Sr0.99Eu0.02SiO4형광체의 발광 분광분포도는 같은 모양을 가지지만 여기 분광분포도는 서로 다른 모양이다. 구체적으로, 도 4에는 최대 발광 세기를 보이는 515 nm에 대한 두 형광체의 여기 분광분포도가 비교되어 있다.
본 발명에 따라, 기존의 (Ba2-xSrx)SiO4:Eu2+형광체의 알칼리 토금속 자리의 일부를 희토류 원소인 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y, Sc 등과 3족 원소인 Al, Ga, In 등으로 치환해 주고 또 알칼리 금속 이온인 Li, Na, K 등으로 치환하여 형광체를 제조함으로써, 수은등에서 나오는 365 nm의 자외선과 자외선 발광 다이오드에서 나오는 370 nm 근처의 자외선에 대해 기존의 (Ba2-xSrx)SiO4:Eu2+형광체보다 80 % 이상 높아진 발광 효율을 얻을 수 있다.

Claims (5)

  1. 유로퓸을 활성제로 하는 하기 화학식 1의 형광체.
    <화학식 1>
    (Ba2-x-y-z-αSrxEuyMzNα)SiO4+δ
    상기 식 중,
    x는 0≤x<2이고, y는 0.001≤y≤0.05이고, z는 0.001≤z≤0.1이고, α는 0≤α≤0.1이고, x+y+z+α는 0≤x+y+z+α≤2이고, δ는 -0.05≤δ≤0.05이고, M은 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y, Sc, Al, Ga, In이며, N은 Li, Na, K이다.
  2. 출발물질을 하기 화학식 1의 조성에 따라 정량적으로 칭량하여 갈아준 후, 알루미나 도가니에 넣고 가열하는 제1 열처리 단계;
    상기 제1 열처리가 끝난 시료를 전기로 안에서 자연 냉각시킨 후 다시 갈아주고 이를 보트에 담아 수소 기체나 수소와 질소 혼합 기체를 흘리는 관 전기로 안에서 가열하는 제2 열처리 단계; 및
    상기 제2 열처리가 끝난 시료를 수소 기체나 수소와 질소 혼합 기체를 흘리는 관 전기로 안에서 자연 냉각시키는 단계를 포함하는, 하기 화학식 1의 형광체의 제조 방법.
    <화학식 1>
    (Ba2-x-y-z-αSrxEuyMzNα)SiO4+δ
    상기 식 중,
    x는 0≤x<2이고, y는 0.001≤y≤0.05이고, z는 0.001≤z≤0.1이고, α는 0≤α≤0.1이고, x+y+z+α는 0≤x+y+z+α≤2이고, δ는 -0.05≤δ≤0.05이고, M은 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y, Sc, Al, Ga, In이며, N은 Li, Na, K이다.
  3. 제2항에 있어서, 합성 원료인 Si 화합물은 순도가 99% 이상인 SiO2이고, Ba, Sr, Eu, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y, Sc, Al, Ga, In 등은 순도 99.9 % 이상의 질산염, 탄산염 또는 산화물 형태이며, Li, Na, K 등은 순도 99.9 % 이상의 탄산염 형태인 방법.
  4. 제2항에 있어서, 제1 열처리를 700 ℃ ~ 1000 ℃에서 2시간 ~ 4시간 동안 수행하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 제2 열처리를 1000 ℃ ~ 1300 ℃에서 2시간 ~ 10시간 동안 수행하는 방법.
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