JPS592325A - 絶縁膜のエツチング方法 - Google Patents
絶縁膜のエツチング方法Info
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- JPS592325A JPS592325A JP11061682A JP11061682A JPS592325A JP S592325 A JPS592325 A JP S592325A JP 11061682 A JP11061682 A JP 11061682A JP 11061682 A JP11061682 A JP 11061682A JP S592325 A JPS592325 A JP S592325A
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- etching
- insulation film
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- ion beam
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）技術分野
本発明は絶縁膜と導体金属とのエツチングレートの差が
大きい；イオンビームエツチング方法、さらに特定すれ
ば導体上に形成した絶縁膜のエツチング方法に関する。
大きい；イオンビームエツチング方法、さらに特定すれ
ば導体上に形成した絶縁膜のエツチング方法に関する。
（２）技術の背景
通常イオンビームエツチングはイオンミリングとも言わ
れ、カウフマン型を基本とするイオンガンを備えたエツ
チング装置によって、ｋｒ’ｃイオン化しグリッドで加
速し、対象物体全物理的にエツチングする。このエツチ
ングレートは、一部の対象部質を除いて、エツチングに
選択性を示さない。
れ、カウフマン型を基本とするイオンガンを備えたエツ
チング装置によって、ｋｒ’ｃイオン化しグリッドで加
速し、対象物体全物理的にエツチングする。このエツチ
ングレートは、一部の対象部質を除いて、エツチングに
選択性を示さない。
（３）従来技術と問題点
Ａｒイオンビームエツチングは、装置を侵食することが
少ないので、簡便なカウフマン型ガンによってイオンビ
ームを発生させることができるが、金属たとえばｋｔ配
線上に形成した層間絶縁膜たとえば燐硅酸ガラス（ＰＳ
Ｇ ）、５ｉｏ２を方旺しようとするときは、Ａｔと絶
縁膜とのエツチングレートの差がほとんどないので、絶
縁膜と同時にＡｔが工。
少ないので、簡便なカウフマン型ガンによってイオンビ
ームを発生させることができるが、金属たとえばｋｔ配
線上に形成した層間絶縁膜たとえば燐硅酸ガラス（ＰＳ
Ｇ ）、５ｉｏ２を方旺しようとするときは、Ａｔと絶
縁膜とのエツチングレートの差がほとんどないので、絶
縁膜と同時にＡｔが工。
チングされる欠点がある。
（４）発明の目的
本発明の目的は上記欠点を解消することである。
（５）発明の構成
本発明の上記目的は、イオンビームエツチングにおいて
、ＣＦ＋含目が５〜３０体積チのＡｒ −Ｃ１ｉ”４混
合ガスを使用することによって、絶縁膜と導体金屑との
エツチングレートの差を犬きくすることを特徴とする、
導体の絶縁膜をエツチングする方法によって達成するこ
とができる。
、ＣＦ＋含目が５〜３０体積チのＡｒ −Ｃ１ｉ”４混
合ガスを使用することによって、絶縁膜と導体金屑との
エツチングレートの差を犬きくすることを特徴とする、
導体の絶縁膜をエツチングする方法によって達成するこ
とができる。
ガスの組成はＡｒ体棟百分率が５％よｐ少ないときは、
Ａｒを食む効果が■少なくて物理的エツチングが行なわ
れ、３０％より多いときはイオンビームの反応性が大き
くなシすぎて、通常使用するカウフマン型ガンは侵食さ
れる。
Ａｒを食む効果が■少なくて物理的エツチングが行なわ
れ、３０％より多いときはイオンビームの反応性が大き
くなシすぎて、通常使用するカウフマン型ガンは侵食さ
れる。
（６）実施例
ガスの組成をＣＦ４１０体積係を含むＡｒとし、真空度
５ Ｘ １０−５−３Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ、加速電圧０
５〜１、５ ｋＶ、 ’ｌｒ、ｍ密１．ｉ ｏ、 １〜
１ ｍＡ１０ｍ２として、ｋｌ およびＰＳＧをエツ
チングした。ＰＳＧのエツチングレートはＡｔに対して
５倍であり、ＰＳＧの代わシにＳｔＯ□を使用した場合
も同様にＡｔに対してほぼ５倍であった。
５ Ｘ １０−５−３Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ、加速電圧０
５〜１、５ ｋＶ、 ’ｌｒ、ｍ密１．ｉ ｏ、 １〜
１ ｍＡ１０ｍ２として、ｋｌ およびＰＳＧをエツ
チングした。ＰＳＧのエツチングレートはＡｔに対して
５倍であり、ＰＳＧの代わシにＳｔＯ□を使用した場合
も同様にＡｔに対してほぼ５倍であった。
（７） 発明の効果
本発明は、通常のカウフマン型・イオンガンを使用して
下地の導体金網全損傷することなく、絶縁膜を均一性お
よび制御性よくイオンビームエツチングすることができ
る。
下地の導体金網全損傷することなく、絶縁膜を均一性お
よび制御性よくイオンビームエツチングすることができ
る。
（３）
Claims (1)
- １、 イオンビームエツチングにおいて、ＣＦ４含量が
５〜３０体積チのＡｒ −ＣＦ、混合ガスを使用するこ
とによｐ１絶縁膜と導体金属とのエツチングレートの差
を大きくすることを特徴とする、導体上の絶縁膜をエツ
チングする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11061682A JPS592325A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 絶縁膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11061682A JPS592325A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 絶縁膜のエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592325A true JPS592325A (ja) | 1984-01-07 |
Family
ID=14540325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11061682A Pending JPS592325A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 絶縁膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592325A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01170813A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 水銀秤量器 |
| JPH0534513A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Shimadzu Corp | 格子板の製造方法 |
-
1982
- 1982-06-29 JP JP11061682A patent/JPS592325A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01170813A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 水銀秤量器 |
| JPH0534513A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Shimadzu Corp | 格子板の製造方法 |
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