JPS59231914A - クロツク信号発生回路 - Google Patents

クロツク信号発生回路

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Publication number
JPS59231914A
JPS59231914A JP58106984A JP10698483A JPS59231914A JP S59231914 A JPS59231914 A JP S59231914A JP 58106984 A JP58106984 A JP 58106984A JP 10698483 A JP10698483 A JP 10698483A JP S59231914 A JPS59231914 A JP S59231914A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
node
signal
gate
drain
output
Prior art date
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Pending
Application number
JP58106984A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Nakaizumi
中泉 一雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP58106984A priority Critical patent/JPS59231914A/ja
Publication of JPS59231914A publication Critical patent/JPS59231914A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01Modifications for accelerating switching
    • H03K19/017Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
    • H03K19/01728Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in synchronous circuits, i.e. by using clock signals

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はCMO8)ランジスタを用いたクロック信号発
生回路に関する。CMOSスタティック・メモリはNM
OSダイナミック・メモリに比べ消費電力が小さくかつ
回路構成が簡単である反面メモリ・セルがトランジスタ
6ケで構成されて−・るため、大容量化が困難である。
そこで両者の利点を生かし周辺回路に0M08回路を採
用した1トランジスタ型ダイナミツクメモリの開発が行
なわれるようになってきた。
ダイナミック型メモリではメモリ・セルへの+1I11
書込みレベルは電位が高いほどデータ保持時間及び耐α
線特性の点で有利であるため、ワード線のレベルを(電
源電圧■DD+トランジスタしき(・値電圧VT )以
上に持ち上げ、メモリ・セルへの111′書込みレベル
をVDDにしている。
従来の0MO8)ランリスクを用いたクロック信号発生
回路は出力端子と電源電圧(以下VDDとする。)との
間にPチャンネル・トランジスタ(以下Pch Trと
する。)を用いて(・るため単なるインバータ回路で+
11ルベルをVDD  電位にできる。しかし、0MO
8)ランリスクは栴造上VDDと接地電圧(以下GND
とする。)どの間にN P N P。
構成のサイリスク(以下8CRとする。)が存在するた
め0MO8)ランリスクを用いたクロック信号発生回路
の出力をプート容量を用いてVDD以上の電位にすると
上記SCμが導通(以下ONという。)してVDDから
GNDへ過電流が流れるため出力をVDD以上にできな
いという欠点があった。
本発明の目的は上記SC几をONさせずに出力をVDD
以上にできるクロック信号発生回路を提供する事である
本発明によれば、0MO8)ランリスクを用いたクロッ
ク信号発生回路において、第1のインバータ回路の入力
を第1の入力信号に、出力を第1の節点にそれぞれ接続
し、第1のトランジスタのドレインを前、記第1の節点
に、ゲートを第2の入力信号に、ソースを第2の節点に
それぞれ接続し、前記第1.第2の節点間に第1の遅延
回路と第1のコンデンサの直列回路をそう入し、第2の
トランジスタのドレインを前記第2の節点に、ゲートを
第3の節点に、ソースを第1の電源にそれぞれ接続し、
第3のトランジスタのドレインを第2の電源に、ゲート
を前記第2の節点に、ソースを出力信号にそれぞれ接続
し、第4のトランジスタのドレインを前記出力信号に、
ゲートを前記第1の入力信号に、ソースを前記第1の電
源にそれぞれ接続し、第2のインバータ回路の入力を前
記第2の入力信号に、出力を前記第3の節点にそれぞれ
接続し、前記第3の節点と前記出力信号間に第2の遅延
回路と第2のコンデンサーの直列回路をそう入してなる
回路で構成されていることを特徴とするクロック信号発
生回路が得られる。
次に、本発明をその実施例に従い図面を用いて詳細に説
明する。
第1図は本発明の一実施例を示す回路接続図でNlに、
ゲートは入力信号病Nに、ソースはVftjにそれぞれ
接続され、Nチャンネルトランジスタ(以下Nch T
rとする。)Q2のドレインは節点N、に、ゲートは入
力信号52’INに、ソースはGNDにそれぞれ接続さ
れ、トランジスタ(以下Trとする。)QlとQ、で入
力信゛号J’INを入力、節点N8を出力とするインバ
ータ1を構成する。NchTrQ、のドレインは節点N
1に、ゲートはプル・アップ信号OUに、ソースは節点
N、にそれぞれ接続され、Pch Tr Q、のドレイ
ンは節点Nsに、ゲートは節点Nlに、ソースはVDD
にそれぞれ接続さね、Nch Tr Qaのドレインは
節点N3に、ゲートは節点N、に、ソースはGNDにそ
れ−ぞれ接続され、コンデンサーC1の一方は節点N3
に、他方はGNDにそれぞれ接続されPch Tr Q
eのドレインは節点N4に、ゲートは節点N3に、ソー
スはVDDにそれぞれ接続され、Nch Tr Qtの
ドレインは節点N番に、ゲートは節点N、に、ソースは
GND にそれぞれ接続され、TrQ4− Qa −Q
e −Qtとコンデン方は節点N、に、他方は節点N4
にそれぞれ接続され、Nch Tr Qaのドレインは
節点N2に、ゲートは節点N、に、ソースはGNDにそ
れぞれ接続されNch Tr QllのドレインはVD
Dに、ゲートは節点N、に、ソースは出力信号〆OUT
 Kそれぞれ接続され、Nch Tr Ql。のドレイ
ンは出力信号1ouTに、ゲートは入力信号OINに、
ソースはGNDにそれぞれ接続され、Pch Tr Q
llのドレインは節点NIlに、ゲートはプル・アップ
信号OUに、ソースはvDDにそれぞれ接続され、Nc
h Tr Ql2のドレインは節点N6に、ゲートはプ
ル・アップ信号OUに、ソースはGNDにそれぞれ接続
され、 TrQ* * v Qt tでプル・アップ信
号ダυを入力、節点N。
を出力とするインバータ3を構成する。Pch TrQ
8.のドレインは節点N6に、ゲートは節点N5にソー
スはvDDにそれぞれ接続され、Nch TrQ14の
ドレインは節点N6に、ゲートは節点N。
に、ソースはGNDにそれぞれ接続され、コンデンサー
C8の一方は節点N6に、他方はG N Dにそれぞれ
接続され、Pch Tr Q、、のドレインは節点N7
に、ゲートは節点N6に、ソースはVDDにそれぞれ接
続され、Nch Tr C16のドレインは節点N7に
、ゲートは節点N6に、ソースはGNDにそれぞれ接続
されT r Qts t C14y Qlt t Qt
eとコンデンサー〇、で節点N、を入力、節点N7を出
力とする遅延回路4を構成する。コンデンサー04の一
方は出力信号0゜UTに他方は節点N、にそれぞれ接続
する。
次に第2図を用(・て第1図の本発明によるクロック信
号発生回路の動作を説明する。
)        時刻t、で入力信号病NがIOlル
ベルになると節点へ、が1lI11レベルになり、Nc
b Tr Q、はプル・アップ信号ダυが11ルベルで
あるためONしており、節点N、はNchのしき(・値
電圧をVTN(以下VTNとする。)とすると(VDD
〜VTN )  にガり出力mMlourハCVDD−
2VrN”)IKナル。
時刻t、で、遅延回路2の出力である節点N4が111
11ノベルになるとコンデンサー〇tのカップリングに
よって節点N2が(VDD十vTN )  以上に々り
出力信号0ovtはVDDになる。時刻t3で7”ル・
アップ信号1uが101ルベルになると、インバータ3
の出力である節点N、が111ルベルになりNchTr
 C8がONして節点N、はlOルベルになる。
又、遅延回路4の出力である節点N、がl1llルベル
になるとコンデンサーC4の力、ブリングによって出力
信号0゜UTは(VDD+ VTN )以上に力る。
以上説明したように本発明ではクロック信号発生回路に
於て、VDI)を超える電位になる節点にPch Tr
を接続して(・カいためNPNP又はPN PN構造が
無くクロック信号発生回路の出力をVDD以上の電圧に
できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のクロック信号発生回路の一実施例を示
す回路接続図、第2図は第1図の回路の動作を説明する
ためのタイミングチャート図である。 図中、QeeQatQasQy〜Qt。s Qlt t
 Q10 # QxaはNch TrtQIIQ4.Q
af Qtst Qtst QxsはPch Tr 。 N、〜ヘラは節点名、!’INは入力信号、OUはプル
・アップ信号、戸OUTは出力信号、1,3はインバー
タ回路、2,4は遅延回路、C1〜C4はコンデンサー
、VDDIIi電源を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. CMO8)ランジスタを用いたクロック信号発生回路に
    おいて、第1のインバータ回路の入力を第1の入力信号
    に、出力を第1の節点にそれぞれ接続し、第1のトラン
    ジスタのドレインを前記第1の節点に、ゲートを第2の
    入力信号に、ソースを第2の節点にそれぞれ接続し、前
    記第1.第2の節点間に第1の遅延回路と第1のコンデ
    ンサの直列回路をそう人し、第2のトランジスタのドレ
    インを前記第2の節点に、ゲートを第3の節点に、ソー
    スを第1の電源にそれぞれ接続し、第3のトランジスタ
    のドレインを第2の電源に、ゲートを前記第2の節点に
    、ソースを出力信号にそれぞれ接続し、第4のトランジ
    スタのドレインを前記出力信号に、ゲートを前記第1の
    入力信号に、ソースを前記第1の電源にそれぞれ接続し
    、第2のインバータ回路の入力を前記第2の入力信号に
    、出力を前記第3の節点にそれぞれ接続し、前記第3の
    節点と前記出力信号間に第2の遅延回路と第2のコンデ
    ンサーの直列回路をそう人してなる回路で構成されてい
    ることを特徴とするクロック信号発生回路。
JP58106984A 1983-06-15 1983-06-15 クロツク信号発生回路 Pending JPS59231914A (ja)

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JP58106984A JPS59231914A (ja) 1983-06-15 1983-06-15 クロツク信号発生回路

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JPS59231914A true JPS59231914A (ja) 1984-12-26

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ID=14447523

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JP58106984A Pending JPS59231914A (ja) 1983-06-15 1983-06-15 クロツク信号発生回路

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0886379A1 (en) * 1994-03-30 1998-12-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Voltage-level shifter

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5839117A (ja) * 1982-06-07 1983-03-07 Sharp Corp Mosトランジスタ駆動回路

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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