JPS592315A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPS592315A JPS592315A JP11216782A JP11216782A JPS592315A JP S592315 A JPS592315 A JP S592315A JP 11216782 A JP11216782 A JP 11216782A JP 11216782 A JP11216782 A JP 11216782A JP S592315 A JPS592315 A JP S592315A
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- Japan
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- tcnq
- foil
- solid electrolytic
- cathode
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Primary Cells (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Fuel Cell (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は固体電解コンデンｆに関する。固体電解コンデ
ンサは陽極酸化皮膜を有するアルミニウムなどの弁作用
のある金鴎に固体電解質を付看した構ａを何している。
ンサは陽極酸化皮膜を有するアルミニウムなどの弁作用
のある金鴎に固体電解質を付看した構ａを何している。
従来よシ嵐産化されているとの種コンデンサにおいて、
それを構成する固体“電解質はほとんど二酸化マンガン
であるが、近年、二酸化マンガンの弱点、坤も二酸化マ
ンガン形成のための硝酸マンガンからの熱分解時に上記
金属の陽極酸化皮膜が損傷ｔ−受けること、又二酸化マ
ンガンによる陽極酸化皮膜の修復性が乏しいことなどを
改讐する固体電解質として有゛機千尋体、主１ＣＴＣＮ
Ｑ塩を用いることが提案された。こ賢に、’ｒｃＮｑと
）１７．７ 、ａ 、Ｂテｔうｖｙノｑノｐメタンな意
味Ｔる。
それを構成する固体“電解質はほとんど二酸化マンガン
であるが、近年、二酸化マンガンの弱点、坤も二酸化マ
ンガン形成のための硝酸マンガンからの熱分解時に上記
金属の陽極酸化皮膜が損傷ｔ−受けること、又二酸化マ
ンガンによる陽極酸化皮膜の修復性が乏しいことなどを
改讐する固体電解質として有゛機千尋体、主１ＣＴＣＮ
Ｑ塩を用いることが提案された。こ賢に、’ｒｃＮｑと
）１７．７ 、ａ 、Ｂテｔうｖｙノｑノｐメタンな意
味Ｔる。
しかし乍ら、Ｔｅ１（Ｑ塩は通常粉末状の結晶であｐ％
その結晶自体高いＩＩ！４度や上記皮膜の良好な修復性
を示Ｉものの、粉末状結晶であるがために加工性に難が
ある。即ち、弁作用のある＊属にＴＣＮＱ塩の結晶をど
の様にして旬着するかという問題がある。特に固体電解
コンデンサに用＾る弁作用のある金属は多孔質の場合が
多いが、祈る多孔質金属へｏＴＯＩＱ塩の一様な含浸的
１着は困難を極める。史にｌ［要なことは、ＴＣＮＱ塩
自体がそのＵ着作業ＦＲｖこ常に変質などによる劣化の
危険性をはらんでいることである。
その結晶自体高いＩＩ！４度や上記皮膜の良好な修復性
を示Ｉものの、粉末状結晶であるがために加工性に難が
ある。即ち、弁作用のある＊属にＴＣＮＱ塩の結晶をど
の様にして旬着するかという問題がある。特に固体電解
コンデンサに用＾る弁作用のある金属は多孔質の場合が
多いが、祈る多孔質金属へｏＴＯＩＱ塩の一様な含浸的
１着は困難を極める。史にｌ［要なことは、ＴＣＮＱ塩
自体がそのＵ着作業ＦＲｖこ常に変質などによる劣化の
危険性をはらんでいることである。
本発明者等は、上記の点ｒ＃１にみ、ＴＣ！ＮＱ塩を用
いた全く新規な固体題辞コンデンｆを既に提案した。そ
の構造は、特願唱５６−５１３８１６づに詳細に説明さ
れているが、要約すれば、コンデンサ素子と、液化状態
で目口記素子ｒ含浸妊れたＴＯＮＱ坂からなる固体電解
質とを含むこと？特徴としている。
いた全く新規な固体題辞コンデンｆを既に提案した。そ
の構造は、特願唱５６−５１３８１６づに詳細に説明さ
れているが、要約すれば、コンデンサ素子と、液化状態
で目口記素子ｒ含浸妊れたＴＯＮＱ坂からなる固体電解
質とを含むこと？特徴としている。
祈る新規な固体電解コンデンサによれば、ＴＣＮＱ塩の
コンデンサ素子との含浸率が１圃まｐ、かつＴＣＮＱ塙
不米の優れた性質を活かすことができ、コンデンサ素子
の向ｔが図れる。
コンデンサ素子との含浸率が１圃まｐ、かつＴＣＮＱ塙
不米の優れた性質を活かすことができ、コンデンサ素子
の向ｔが図れる。
従来の−Ｍｋ的な固体庫解コンデンサでは、粉末状の弁
作用のある金＠ｔベンット状に焼結し、それを化成処理
したものをコンデンサ素子とし、所る素子に固体電解質
を含浸している。
作用のある金＠ｔベンット状に焼結し、それを化成処理
したものをコンデンサ素子とし、所る素子に固体電解質
を含浸している。
ＴＣＮＱ塩な液化状態でコンデンサ素子に含浸する上記
の新規な技術によれば、上記従来の如き、ペレット状焼
結素子を用いた固体電解コンデンサのみならず、巻取り
型素子を由いた固体゛御所コンデンサへのＴＣＮＱ塩の
適用が可能となる。即ち、祈る新規な巻取り型固体亀解
コンデンサの構造的特徴は、ｌｉ！極箔と陰極箔とをセ
パレータな介して巻取った素子と、液化状態で前記素子
に含浸されたＴＱＩＪＱ塩からなる固体電解質とを含む
ことであり、特性的特徴は、ＴＣＮＱ塩使用による優れ
た特性の固体電解コンデンサを、より大なる静鴫容ａｍ
において実現できることである。
の新規な技術によれば、上記従来の如き、ペレット状焼
結素子を用いた固体電解コンデンサのみならず、巻取り
型素子を由いた固体゛御所コンデンサへのＴＣＮＱ塩の
適用が可能となる。即ち、祈る新規な巻取り型固体亀解
コンデンサの構造的特徴は、ｌｉ！極箔と陰極箔とをセ
パレータな介して巻取った素子と、液化状態で前記素子
に含浸されたＴＱＩＪＱ塩からなる固体電解質とを含む
ことであり、特性的特徴は、ＴＣＮＱ塩使用による優れ
た特性の固体電解コンデンサを、より大なる静鴫容ａｍ
において実現できることである。
固体電解質を用いない通常の巻取り型電解コンデンサは
、陽極箔と隙＃ｉ、箔と１セバンータを介して巻取りた
素子にペースト状電解液を含浸せるものであるが、従来
の祈るコンデンサの技術ｖｃ従えば、陽極箔、＃Ｉ極箔
ノζに弁作…のある４ｒｔ職、例えばｒルｌニウムで構
成δれる。
、陽極箔と隙＃ｉ、箔と１セバンータを介して巻取りた
素子にペースト状電解液を含浸せるものであるが、従来
の祈るコンデンサの技術ｖｃ従えば、陽極箔、＃Ｉ極箔
ノζに弁作…のある４ｒｔ職、例えばｒルｌニウムで構
成δれる。
ＴＩＱ塩Ｖ塩体固体電解質る巻取わ型固体電解コンデン
サを得るｖｃ際し、上記通常の巻取り型゛醒解コンテン
ザの技術に従りで、例えばアルし二りムからなる陽極箔
及び陰極箔なセパレータを介して巻取った水子ｖ′ｃ液
化状態のＴＣＮＱ塩を含浸しても、得られるコンデンサ
の静′献＠μが期待値よりもしばしば低いものとなった
。これは、概ね５０Ｖ以トの低圧化成箔を用いた場合に
自著になるＯ この原因は次の理由によることが明らかとなりた。陽極
′＃３ＶＣは耐圧形成のための化成被膜が設けられるが
、陰極箔にも自然酸化等による被膜が形成ｄれ、このた
め陽極箔側に形成される本来の陽極静電容置の他に、陰
極箔（ｌｌＩにも陰極静“敵容臘が形成される。これら
両静電容皿は直ダＵ関棒になるため、無用な陰極ＩＩｐ
電容嵐はその―を十分大にして陽極静電容置への影響を
無くさねばならない。
サを得るｖｃ際し、上記通常の巻取り型゛醒解コンテン
ザの技術に従りで、例えばアルし二りムからなる陽極箔
及び陰極箔なセパレータを介して巻取った水子ｖ′ｃ液
化状態のＴＣＮＱ塩を含浸しても、得られるコンデンサ
の静′献＠μが期待値よりもしばしば低いものとなった
。これは、概ね５０Ｖ以トの低圧化成箔を用いた場合に
自著になるＯ この原因は次の理由によることが明らかとなりた。陽極
′＃３ＶＣは耐圧形成のための化成被膜が設けられるが
、陰極箔にも自然酸化等による被膜が形成ｄれ、このた
め陽極箔側に形成される本来の陽極静電容置の他に、陰
極箔（ｌｌＩにも陰極静“敵容臘が形成される。これら
両静電容皿は直ダＵ関棒になるため、無用な陰極ＩＩｐ
電容嵐はその―を十分大にして陽極静電容置への影響を
無くさねばならない。
このため陰隠箔の高倍率粗面化が必要となるが、その様
な高倍率粗面化状態の箔表面へのＴＣＮＱ塩液の含浸が
十分なされなくなり、従って陰極静電容−が減少し、陽
極静電容置に接近するため上記両静罐容酸の直列結合と
して現われるコンデンサ素子の静磁容置が小ざくなりて
しまうのである。
な高倍率粗面化状態の箔表面へのＴＣＮＱ塩液の含浸が
十分なされなくなり、従って陰極静電容−が減少し、陽
極静電容置に接近するため上記両静罐容酸の直列結合と
して現われるコンデンサ素子の静磁容置が小ざくなりて
しまうのである。
従って、本発明の目的は、陽極箔と陰極箔とをセパレー
タを介して巻取った素子と％液化状態で前記素子に含浸
δれたＴＯＮＱ塩からなる固体電解質とを含む新規な固
体電解コンデンｆにおいて、上記の如き不所望な静電容
にの低下を防ぐことにあり、その特徴は、陰極箔に弁作
用のない金−のものを用いることにある。
タを介して巻取った素子と％液化状態で前記素子に含浸
δれたＴＯＮＱ塩からなる固体電解質とを含む新規な固
体電解コンデンｆにおいて、上記の如き不所望な静電容
にの低下を防ぐことにあり、その特徴は、陰極箔に弁作
用のない金−のものを用いることにある。
異種金に４を電解液中に浸したとき、各金属の標ｒ＄電
極゛砿位の差によ如、イオン化傾向の大吉な金属〔牢な
金属〕が電解液中に溶は出す現象がある。
極゛砿位の差によ如、イオン化傾向の大吉な金属〔牢な
金属〕が電解液中に溶は出す現象がある。
従りて、従来の巻取）型電解コンデンサの技術からｔま
、本発明の様に陽極箔と陰極箔との材質を違えると１７
ｓ：）走ことは全く考えられないことである。
、本発明の様に陽極箔と陰極箔との材質を違えると１７
ｓ：）走ことは全く考えられないことである。
ＴＯＮＱ塩の如き有損牛導体の固体電解質では。
この様な金属溶出現象は認められない。
陰極箔が弁作用のない金属からなる場合、陰極箔と固体
電解質とは微小抵抗を介してほとんど短絡状態となり％
陰極静電容置の影響は実質的に問題とならない。上記微
小抵抗には、陰極箔表面に生じる低抵抗の酸化物膜が含
まれる。
電解質とは微小抵抗を介してほとんど短絡状態となり％
陰極静電容置の影響は実質的に問題とならない。上記微
小抵抗には、陰極箔表面に生じる低抵抗の酸化物膜が含
まれる。
従２で本発明（よれば、ＴＩＱ塩な用いてｉるにも拘ら
ず、十分な静電容置の巻取シ型固体電解コンデンサを実
現できる。
ず、十分な静電容置の巻取シ型固体電解コンデンサを実
現できる。
不発ＱＩＩｖＣおいて用いられる陰極箔用の弁作用のな
い金属としては、ＴＯＮＱ塩液含塩液含浸度（約３００
℃以下）に耐え得る。即ち、融点が６０口℃以上の金属
が用＾られ、具体的には、金、白金、銀、銅、鉄、ニッ
ケル、又は、これらの合金である黄銅、青銅、ステンレ
ス、又はこれＦ：）ナメッキ被膜した金属である。好ま
しくは、酸化δれ難く、圧延性に富み、かつ安価な点か
ら、銅や黄銅が選ばれる。
い金属としては、ＴＯＮＱ塩液含塩液含浸度（約３００
℃以下）に耐え得る。即ち、融点が６０口℃以上の金属
が用＾られ、具体的には、金、白金、銀、銅、鉄、ニッ
ケル、又は、これらの合金である黄銅、青銅、ステンレ
ス、又はこれＦ：）ナメッキ被膜した金属である。好ま
しくは、酸化δれ難く、圧延性に富み、かつ安価な点か
ら、銅や黄銅が選ばれる。
本発明おいて、上記の如く、陰極静電各社は問題となら
ず、従って陰極箔はプレーン箔のものでよいが、必要Ｖ
Ｃ応じである＆！度の粗面化処理を施したものも使用で
きる。
ず、従って陰極箔はプレーン箔のものでよいが、必要Ｖ
Ｃ応じである＆！度の粗面化処理を施したものも使用で
きる。
不発＃ＪＡにおいて用いられる陽極舶用の金縞としては
、アルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用を呈する
通常のものが用いられる。
、アルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁作用を呈する
通常のものが用いられる。
ＴＣＮＱ及びその檎々の塩、並び（Ｃその製法自体は、
例ｔば、Ｊ、Ａｍ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、。
例ｔば、Ｊ、Ａｍ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、。
ＶＯ４゜８４．Ｐ５５７４−５３８７（１９６２）ＶＣ
開示６れている。ＴＣＮＱ塩としては、Ｍｎ’−、＋：
（ＴＣＮＱ ）ｎＴｆｉわされる単塩とＩ Ｍｎ中（
ＴＣＮＱ ）ｎ（ＴＣＮＱ）ｍで表わδれる錯塩とが
ある。向上記Ｍは′；ｆｑ―カチオン、ｎ−ま力ｔオン
の価、ｍは１モルの錯塩に含−まれる中性ＴＣＮＱのモ
ル数に対応Ｔる正の数を大々意味する。
開示６れている。ＴＣＮＱ塩としては、Ｍｎ’−、＋：
（ＴＣＮＱ ）ｎＴｆｉわされる単塩とＩ Ｍｎ中（
ＴＣＮＱ ）ｎ（ＴＣＮＱ）ｍで表わδれる錯塩とが
ある。向上記Ｍは′；ｆｑ―カチオン、ｎ−ま力ｔオン
の価、ｍは１モルの錯塩に含−まれる中性ＴＣＮＱのモ
ル数に対応Ｔる正の数を大々意味する。
本発明では、しかし乍ら、錯塩の使用がコンデンサ特性
にと２てより好ましい。そして、錯塩の上記ｍは０．５
〜ｔ５が好゛ましく、より好ましくは約１である。
にと２てより好ましい。そして、錯塩の上記ｍは０．５
〜ｔ５が好゛ましく、より好ましくは約１である。
本発明で用いられるＴＣＮＱ塩の例としては、Ｎ位を置
換したキノリン及びインキノリンのＴ。
換したキノリン及びインキノリンのＴ。
ＮＱ塩が挙げられる。陶、Ｎ位の置換体は、Ｃｍ〜０１
８（炭素数２〜１８の）アルキル（Ｎえはエチル、プロ
ピル、ブチル、ペンチル、オクチル、デシル、オクタデ
シル）、Ｃｉ〜Ｃ８ＶミルＣ８Ｖクロアルヤルクロペン
チル、Ｖクロヘキシル〕、Ｃ６〜Ｃ１８アルケン（例え
ばアリル）、フェニル父−まフェニル（Ｃ１〜０１８）
アルキル（例オばフェネチル）の様な炭化水素抵である
。
８（炭素数２〜１８の）アルキル（Ｎえはエチル、プロ
ピル、ブチル、ペンチル、オクチル、デシル、オクタデ
シル）、Ｃｉ〜Ｃ８ＶミルＣ８Ｖクロアルヤルクロペン
チル、Ｖクロヘキシル〕、Ｃ６〜Ｃ１８アルケン（例え
ばアリル）、フェニル父−まフェニル（Ｃ１〜０１８）
アルキル（例オばフェネチル）の様な炭化水素抵である
。
本発明で用いられるＴＣＮＱ塩のより好ましい例は％Ｎ
−ｎ−プロピルキノリンのＴ ＯＮ Ｑ＃Ａ。
−ｎ−プロピルキノリンのＴ ＯＮ Ｑ＃Ａ。
Ｎ−エチルイソキノリンのＴＣＮＱ塩％Ｎ−イ・ソブロ
ビルキノリンのＴＣＮＱｍ、Ｎ−ｎ−〜キシルキノリン
のＴＣＮＱ塩、 Ｎ−ｎ−プロピルイソキノリンのＴＣ
ＩＵ塩、Ｎ−イソプロピルイソキノリンのＴ ＣＮ Ｑ
塩、 Ｎ−ｎ−’！チルイソキノリンのＴＣＮＱ塩であ
る。
ビルキノリンのＴＣＮＱｍ、Ｎ−ｎ−〜キシルキノリン
のＴＣＮＱ塩、 Ｎ−ｎ−プロピルイソキノリンのＴＣ
ＩＵ塩、Ｎ−イソプロピルイソキノリンのＴ ＣＮ Ｑ
塩、 Ｎ−ｎ−’！チルイソキノリンのＴＣＮＱ塩であ
る。
これらのＴＣＮＱ塩はその液化のために加熱融解しでも
、熱分解するまでに短時間ではあるが、＠取り素子への
含浸付着作業にとっては十分な時間的余裕な呈し、従っ
て断る時間内に上記作業をなし、かつ冷却固化丁れば高
い電導度を保持するＴＣＮＱ塩からなる固体電解質を得
ることができる・ 完全に融解後、絶縁化するまでの時間及びその分解前１
Ｃ冷却固化して得られるＴＣ！ＮＱ塩の電導度の例を次
表に示す。
、熱分解するまでに短時間ではあるが、＠取り素子への
含浸付着作業にとっては十分な時間的余裕な呈し、従っ
て断る時間内に上記作業をなし、かつ冷却固化丁れば高
い電導度を保持するＴＣＮＱ塩からなる固体電解質を得
ることができる・ 完全に融解後、絶縁化するまでの時間及びその分解前１
Ｃ冷却固化して得られるＴＣ！ＮＱ塩の電導度の例を次
表に示す。
Ｐ１事Ｎ−ｎ−プロピ平＋／！ｌ’＋（ＴＣＮＱ）（Ｔ
ＣＮＱ） Ｐ２１−イングロビルキノリン＋（ＴＣＮＱ−）（Ｔ（
ＩＮＱ） Ｐ５ＸＮ−ｎ−プロピルイソキノリン＋（ＴＣＮＱ
）（ＴＣＮＱ） Ｐ４１−イソプロピルイソキノリン＋（ＴＣｌ ）（
’Ｉ’ＣＮＱ） Ｐ５ｇＮ−ｎ−プｆルイＶキＪ９ン＋（ＴＣＪｋ４Ｑ−
）（ＴＣＮＱ） 上記６塩の製造は例えば次の通りである。Ｎ−アルキル
ヨードとキノリン（又はイソキノリン）とを反応させて
得られるＮ−ｙルキルキノリン（又はイソキノリン）ヨ
ーダイトとＴＣＮＱとを適当な溶媒（例えばアセトニト
リル）中で、適当なモル比（例えば５ｇ４）で反応させ
てＴＣＮＱ塩を作る。この塩は不純物が多いので、適当
な溶媒（例えばアセトニトリルにて８２℃以下の温度）
での加熱溶解−冷却−晶出からなる再結晶操作【繰り返
丁ことにより塩の鈍度が上げられる。得られる結晶は針
状又はロンド状の粉末である。
ＣＮＱ） Ｐ２１−イングロビルキノリン＋（ＴＣＮＱ−）（Ｔ（
ＩＮＱ） Ｐ５ＸＮ−ｎ−プロピルイソキノリン＋（ＴＣＮＱ
）（ＴＣＮＱ） Ｐ４１−イソプロピルイソキノリン＋（ＴＣｌ ）（
’Ｉ’ＣＮＱ） Ｐ５ｇＮ−ｎ−プｆルイＶキＪ９ン＋（ＴＣＪｋ４Ｑ−
）（ＴＣＮＱ） 上記６塩の製造は例えば次の通りである。Ｎ−アルキル
ヨードとキノリン（又はイソキノリン）とを反応させて
得られるＮ−ｙルキルキノリン（又はイソキノリン）ヨ
ーダイトとＴＣＮＱとを適当な溶媒（例えばアセトニト
リル）中で、適当なモル比（例えば５ｇ４）で反応させ
てＴＣＮＱ塩を作る。この塩は不純物が多いので、適当
な溶媒（例えばアセトニトリルにて８２℃以下の温度）
での加熱溶解−冷却−晶出からなる再結晶操作【繰り返
丁ことにより塩の鈍度が上げられる。得られる結晶は針
状又はロンド状の粉末である。
以下本発明実施例を説明する。
アルミニウム化成箔な陽極箔とし、銅又は黄銅のプレー
ン箔な陰極箔として、これらをマニラ紙からなるセパレ
ータと共１巻取った巻取り素子を準備する。向陰極箔の
厚みは２０１℃程度で十分である。この素子は次いで２
４０℃の恒温槽中に約４時間放置されて、を記セパレー
タの炭化処理がなされる。向、この処理は素子への固体
峨解質の含浸度をより高めるためのものであり、省略し
得るものである。その後上記素子を２５０℃程度に予熱
しておく。
ン箔な陰極箔として、これらをマニラ紙からなるセパレ
ータと共１巻取った巻取り素子を準備する。向陰極箔の
厚みは２０１℃程度で十分である。この素子は次いで２
４０℃の恒温槽中に約４時間放置されて、を記セパレー
タの炭化処理がなされる。向、この処理は素子への固体
峨解質の含浸度をより高めるためのものであり、省略し
得るものである。その後上記素子を２５０℃程度に予熱
しておく。
一方、既述の方法で作成きれた粉末状のＴＯ１ｉＱ塩（
本実施例では上記Ｐ５、Ｐ５を使用）を有底円筒状のア
ルミニウムケース内に充填し、このケースを約２９０℃
に加熱した金属板上に載置することによりケース内のＴ
ＣＮＱ塩を融解液化する。
本実施例では上記Ｐ５、Ｐ５を使用）を有底円筒状のア
ルミニウムケース内に充填し、このケースを約２９０℃
に加熱した金属板上に載置することによりケース内のＴ
ＣＮＱ塩を融解液化する。
続く工程として、祈る融解液化後、直ちに、上記予熱保
持されているコンデンサ素子をケース内の液化状態のＴ
ＣＮＱ塩に挿入し、次いでこのケースを水中に浸漬して
急冷する。これによりコンデンサ素子のセパレータにＴ
Ｏ１４Ｑ塩が含浸した状態で固化し、そのＴＣＮＱ塩は
高電導度な示す固体電解質を形成する。
持されているコンデンサ素子をケース内の液化状態のＴ
ＣＮＱ塩に挿入し、次いでこのケースを水中に浸漬して
急冷する。これによりコンデンサ素子のセパレータにＴ
Ｏ１４Ｑ塩が含浸した状態で固化し、そのＴＣＮＱ塩は
高電導度な示す固体電解質を形成する。
最後に、ｒａ極り一ド及び陰極リードの先喘を露出した
状態で上記ケースの開口を樹脂封目し、エージングする
ことにより目的とする固体電解コンデンサが完成する。
状態で上記ケースの開口を樹脂封目し、エージングする
ことにより目的とする固体電解コンデンサが完成する。
下表に本実施例並びに比較のための参考例の各固体電解
コンデンサの特性な示す。＃参考例では、陰極箔が粗面
化されたアルミニウムからなる点が異なるのみで他の構
成は実施例と同一である。
コンデンサの特性な示す。＃参考例では、陰極箔が粗面
化されたアルミニウムからなる点が異なるのみで他の構
成は実施例と同一である。
実施例Ｉ
ＴＣ：ＮＱ塩富土紀Ｐ５のもの
陽 極 箔寥化戚電圧１０ｖ処理のもの定格電圧ｓ４Ｖ
以下余白
６
切期温度特性
高温負荷ｉｉｔ験（９５℃ｘ５００Ｈ，６Ｖ印１１１）
１（’）温度特性 実施例２ ＴＣＮＱ塩寞上記Ｐ３のもの 陽 極 箔；化成電圧１５Ｖ処理のもの定格電圧ｓ６ｖ 初期温度特性 高温負荷Ｍ、ｈ （ｑｈ℃Ｘ５００）Ｉ、６Ｖ印ｆ［＋
３後の温度特性 実施例６ ＴＣＮＱ塩；上記Ｐ５のもの １ｉｌＩ 極 箔：化成電圧１５Ｖ熟理のもの＾温負
１ｓＬｃｈ （９５℃Ｘ５００Ｈ１６■印加）後の温度
特性 表中、Ｃａｐ、ｔａｎδは犬考１２０Ｈｓｒ＋での＃１
１電容量、損失、Δｏａｐは＋２０’Ｃでのｏａｐ１Ｃ
対する静峨容量変化率、Ｌｏｆ！定格°唯圧印加後５０
秒後の漏れ電流を大々意味する。
１（’）温度特性 実施例２ ＴＣＮＱ塩寞上記Ｐ３のもの 陽 極 箔；化成電圧１５Ｖ処理のもの定格電圧ｓ６ｖ 初期温度特性 高温負荷Ｍ、ｈ （ｑｈ℃Ｘ５００）Ｉ、６Ｖ印ｆ［＋
３後の温度特性 実施例６ ＴＣＮＱ塩；上記Ｐ５のもの １ｉｌＩ 極 箔：化成電圧１５Ｖ熟理のもの＾温負
１ｓＬｃｈ （９５℃Ｘ５００Ｈ１６■印加）後の温度
特性 表中、Ｃａｐ、ｔａｎδは犬考１２０Ｈｓｒ＋での＃１
１電容量、損失、Δｏａｐは＋２０’Ｃでのｏａｐ１Ｃ
対する静峨容量変化率、Ｌｏｆ！定格°唯圧印加後５０
秒後の漏れ電流を大々意味する。
以上の説明よりＦＪｉらかな如く、本発明によれば、陽
極箔と陽極箔とをセパレータを介して巻取３た素子と、
液化状態で萌妃素子に含浸δれたＴＯＮＱ塩からなる固
体電解質とを含む新規な巻取り型固体電解コンデンｆ（
Ｃおｉて、隘極静電容瞳による不所望な静電容量の低下
を防ぐことができる。
極箔と陽極箔とをセパレータを介して巻取３た素子と、
液化状態で萌妃素子に含浸δれたＴＯＮＱ塩からなる固
体電解質とを含む新規な巻取り型固体電解コンデンｆ（
Ｃおｉて、隘極静電容瞳による不所望な静電容量の低下
を防ぐことができる。
Claims (1)
- （１） 陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻取
りた素子と、液化状態で前記素子に含浸６れたＴＣＩＱ
塩からなる固体電解質とを含み、上記陰極箔は弁作用の
ない金属からなることを特赦とする固体電解コンデンサ
。 （２、特許請求の範囲第１項において、上記陰極箔は銅
又は黄銅からなることを特徴と■る固体電解コンデンサ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11216782A JPS592315A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11216782A JPS592315A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592315A true JPS592315A (ja) | 1984-01-07 |
| JPH047086B2 JPH047086B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=14579916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11216782A Granted JPS592315A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592315A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3439064B2 (ja) * | 1997-03-27 | 2003-08-25 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| US8416557B2 (en) | 2007-11-06 | 2013-04-09 | Panasonic Corporation | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP11216782A patent/JPS592315A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH047086B2 (ja) | 1992-02-07 |
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