JPS592206B2 - チヤタリング除去回路 - Google Patents

チヤタリング除去回路

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Publication number
JPS592206B2
JPS592206B2 JP54150868A JP15086879A JPS592206B2 JP S592206 B2 JPS592206 B2 JP S592206B2 JP 54150868 A JP54150868 A JP 54150868A JP 15086879 A JP15086879 A JP 15086879A JP S592206 B2 JPS592206 B2 JP S592206B2
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JP
Japan
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level
capacitive element
impark
turned
resistor
Prior art date
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Expired
Application number
JP54150868A
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English (en)
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JPS5673921A (en
Inventor
洋 青木
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Seikosha KK
Original Assignee
Seikosha KK
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Publication date
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Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/125Discriminating pulses
    • H03K5/1252Suppression or limitation of noise or interference

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はチャタリング除去回路に関するものである。
従来、チャタリング除去回路としてはコンデンサおよび
抵抗からなる積分回路が一般的に用いられているが、こ
れによると出力の立上りが緩慢になるため、後段に波形
整形回路を必要とするものであった。
この波形整形回路は、立上り時のスレッショルドレベル
と立下り時のスレッショルドレベルとのヒステリシスが
小さい。
そのため、設定幅以外の入力パルスによって、入力電圧
が一旦立上りのスレッショルドレベルを越えた後、直ち
に入力パルスが途切れた場合に、その途切れた時間が設
定幅以下のときでも入力電圧が立下りのスレッショルド
レベル以下となって誤動作してしまうことがあった。
これを避けるために、波形整形回路に帰還抵抗を設けて
ヒステリシスを大きくすると、入力インピーダンスが大
きくなるため積分回路の抵抗を小さくしなければならな
い。
そのためコンデンサを大きくしなければならず、集積化
ができず、外付けしなければならなかった。
そこで本発明は誤動作がなく、シかも構成を簡素化でき
るとともに容量素子を集積化しうるチャタリング除去回
路を提供して、従来の欠点を除去するものである。
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第1図において、F、・・・F4はスイッチング回路を
構成する電界効果トランジスタで、Fl、F2によって
第1のスイッチング回路を構成し、F3°。
F4によって第2のスイッチング回路を構成している。
Cは容量素子であるコンデンサで、抵抗Rとによって時
定数回路を構成している。
■1.V2゜■3はC−MOSインバータである。
つぎに動作について説明する。
初期状態においては、入力端子Pが”0″レベルに保持
され、インパーク■1.v3の出力が”0″に保持され
ているものとする。
そのため、電界効果トランジスタF1.F2がオンにな
って、コンデンサCが充電され、端子aがN 1 j+
に保持される。
そこで、端子Pが第2図Aのように、チャタリングによ
って“1″に反転すると、電界効果トランジスクF2.
F3がそれぞれオフ、オンになる。
そのため、コンデンサCの充電電荷が抵抗Rを介して放
電する。
この放電によって、端子aの電位は時間を後に、インパ
ーク■1のスレッショルドレベル■に達するように、コ
ンデンサCおよび抵抗Rの時定数を設定しである。
したがって、チャタリングによる、時間tより挾幅のパ
ルスが到来しても、端子aの電圧は第2図Bのごとく電
位■まで達成せず、インパーク■1の出力は゛Oパに保
持されたままとなる。
上記チャクリングによるパルスが途切れると、コンデン
サCが直ちに充電されて初期状態に戻る。
そして、端子Pが時間tより長い時間II I I+に
保持されると、インパーク■1の出力が、時間を後に1
”に反転するため、電界効果トランジスタF4がオンに
なる。
電界効果トランジスタF3゜F4がともにオンになるた
め、コンテ′ン→犬Cの残りの充電電荷は電界効果トラ
ンジスタF3.F4を介して瞬間的に放電し1.端子a
が”0″になる。
したがって、インパークV3の出力端子すが第2図Cの
とと< n 1 +1に反転し、保持される。
この後、端子Pが”0″に反転すると、電界効果トラン
ジスタF3がオフになるため、インバータ■3の出力が
抵抗Rを介してコンデンサCに供給されて充電される。
これがチャタリングによるもので、時間tより短かけれ
ば、端子aが電位■に達せず、インパーク■1.■2の
出力はtl 191に保持される。
そしてチャタリングによるパルスが停止し、端子Pが時
間を以上”0”に保持されると、端子aが電位Vに達し
、インパーク■1の出力が0″に反転する。
そのため、電界効果トランジスタF1.F2がオンにな
り、コンデンサCが直ちに充電されて端子aが1″に反
転する。
したがって、初期状態に戻ってインパーク■3の出力が
0″になる。
ところで、上記時間tはコンデンサCおよび抵抗Hの定
数によって決まるが、容量Cはインパーク■、の入力部
と2.フローティング出力部にのみ接続されているため
このインピーダンスが高く抵抗Rを十分大きくでき、コ
ンデンサCの容量を小さくできるため、上起構成は総て
集積化することができる。
以上のように本発明によれは、入力信号レベルが反転し
たときには抵抗を介して容量素子を充放電させてC−M
OSインパークの入力レベルを制御し入出力レベルが一
致したときには容量素子を急速に充電あるいは放電させ
てC−MOSインパークの入力レベルを2種類の論理レ
ベルのいずれか一方に保持するようにしたので、設定幅
以下のチャタリングパルスは確実に除去でき、しかも容
量素子の容量を小さく設定できるためこれを集積化する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示した電気回路図、第2図
は動作説明のためのタイムチャートである。 F1〜F4・・・・・・スイッチング回路、C・・・・
・・容量素子、R・・・・・・抵抗、■1〜■3・・・
・・・C−MOSインバータ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 C−MOSインバータに並列に負帰還抵抗を接続す
    るとともに上記C−MOSインパークの入力側に容量素
    子を接続してこの容量素子と上記抵抗とによって時定数
    回路を構成し1.接点等からの入力信号のレベルおよび
    上記C−MOSインバータの出力レベルが不一致のとき
    オフとなり両者が一方のレベルで一致したときオンにな
    って上記容量素子を急速充電し1.オン状態を保持する
    第1のスイッチング回路と、上記接点等かりの入力信号
    のレベルおよび上記C−MOSインパークの出力レベル
    が不一致のときオフとなり両者が他方のレベルで一致し
    たときオンになって上記容量素子を急速放電し、オン状
    態を保持する第2のスイッチング回路とからなり、第1
    のスイッチング回路および第2のスイッチング回路がと
    もにオフのとき上記抵抗を介して上記容量素子の充放電
    を行なわせることを特徴とするチャクリング除去回路。
JP54150868A 1979-11-21 1979-11-21 チヤタリング除去回路 Expired JPS592206B2 (ja)

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JPS5673921A JPS5673921A (en) 1981-06-19
JPS592206B2 true JPS592206B2 (ja) 1984-01-17

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6144645Y2 (ja) * 1984-02-13 1986-12-16
JPS6210641B2 (ja) * 1984-11-27 1987-03-07 Nippon Rubber

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JPS5673921A (en) 1981-06-19

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