JPS59218729A - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

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Publication number
JPS59218729A
JPS59218729A JP58092271A JP9227183A JPS59218729A JP S59218729 A JPS59218729 A JP S59218729A JP 58092271 A JP58092271 A JP 58092271A JP 9227183 A JP9227183 A JP 9227183A JP S59218729 A JPS59218729 A JP S59218729A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
rays
central axis
optical system
slit
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP58092271A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuhiro Morita
光洋 森田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58092271A priority Critical patent/JPS59218729A/ja
Publication of JPS59218729A publication Critical patent/JPS59218729A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はホトリソグラフィ技術のパターン焼付に用いて
好適な投影露光装置に関し、特に照明光学系に改良を施
した装置に関するものである。
〔背景技術〕
ホトマスクに形成した所定のパターン像をウェーハ表面
に投影露光する装置として1:1プロジエクシ=1/ア
ライナが使用されている(たとえば、特願昭54−86
926号参照)。しかしながら、この種のアライナでは
所謂結像光学系に球面状の凸面鏡や凹面鏡を使用してい
るため、露光ムラやその他の理由から光源には円弧状の
スリット光が必要とされる。したがって、これまではU
字型水銀ランプを屈折光学系を利用してこれを所要の半
径の円弧状照明にしたもの、或いは点光源を回転二次面
鏡を利用して円弧状照明にしたもの等が提案され実用化
されている。
しかしながら、前者のものは屈折光学系を使用している
ために紫外線の透過率、特に遠紫外の透過率が低く、紫
外線伝達効率が低くなって露光時間が長くなるという問
題がある。また、後者にあっては得られた照明のメリジ
オナル方向とサジタル方向で開口数(N、A、)が異な
り、特にサジタル光束のN、A、が極端に低くなって投
影像の解像力が低いという問題がある。
〔発明の目的〕
本発明の目的は紫外線の伝達効率が大きく、しかも所望
のN、A、を充分な高さで得ることができ、これにより
投影作業効率の向上及び投影パターンの解像度の向上を
図ることができる投影露光装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、中心軸圧対して互に対向するように2個の回
転放物面鏡を配設し、その一方の焦点にU字型水銀ラン
プを、他方の焦点罠スリットを夫々設けかつ両者間に絞
りを置くことにより、回転放物面鏡の設定および絞りの
調節によって所望の半径でかつ所望のN、A、の円弧状
照明を得ることができ、また屈折光学系を全く使用しな
いことから紫外線の伝達率を向上をも達成するものであ
る。
〔実施例〕
第1図は本発明の投影露光装置の全体構成図、第2図お
よび第3図はその要部を示す斜視図と側面図である。図
において、lは所定のパターンを有する被投影物として
のホトマスク、2はこのホトマスクパターンを投影露光
するウェーハであり、これらは平面X方向、Y方向に移
動できるコ字状の走査台3の上部と下部に夫々支持され
ている。
前記ホトマスクlの上部にはホトマスク1を照明する第
1照明光学系4が配置され、またホトマスクlとウェー
ハ2の間にはホトマスクパターンをウェーハ2表面に結
像するための結像光学系5が配置されている。
前記結像光学系5は、1:1の投影を行なうもので、大
口径の凹面鏡6と、小口径の凸面鏡7および2枚の平面
鏡8,9とを有し、平面鏡8−凹面鏡6−凸面鏡7−凹
面鏡6一平面鏡9の反射を行なうことにより屈折光学系
を全く使用せずにホトマスクパターンをウェーハ2表面
にJl)する。
前記第1照明光学系4は、第2図に合わせて示すように
U字型水銀ラングミoと、2個の回転放物面鏡11.1
2と、スリット13および絞り14とを有している。前
記U字型水銀ランプlOは、中心線りに対して半径rの
円弧位置に配置される。
前記一方の回転放物面鏡11は、第3図に示すように前
記水銀ランプ10を焦点とする放物線を中心軸り回りに
回転させた構成としている。一方、これに対向配置した
他方の回転放物面鏡12は、中心軸りに対し7て半径R
の円弧状をスリット13を焦点とした放物線を中心軸り
回りに回転させた構成としている。また、前記絞り14
は両回転放物面鏡11.12の間に設けてあり、その開
閉によって光束を適宜絞るようになっている。
以上の構成によれば、水銀ランプ10から射出された紫
外光は回転放物面鏡11により反射されて図示左方へ向
けられるが、このとき放物面鏡11の焦点位置に水銀ラ
ンプが配置されているので反射光は中心軸りを含む面内
では平行でかつこれと直角な面では中心軸りに向かう光
線となる。するとこの反射光は他方の回転放物面鏡12
により再び反射されて下方に向けられるが、このとき放
物面鏡12に入射する光は中心軸りを含む面内では平行
でかつこれと直角な面では中心軸りから放射される方向
であるために、反射光はその焦点に置かれたスリン)1
3に沿うような中心軸りに対して半径Rの円弧状に集束
される。
したがって、このスリット13を通過した光でさらに第
2照明光学系J5を介しホトマスクlを照明し、結像光
学系5によりホトマスクのパターンをウェーハ2表面に
円弧状に投影する。そして、走査台3を移動してホトマ
スク1の全面を走査することにより投影露光を完了する
ことができる。
そして、このとき絞り14aの開度な第2図に示すよう
に調節すれば、平行光束を任意に調節でき、この光束幅
を大きくすれば回転放物面鏡12によってスリット13
に集束される光の角度θ(第3図)を大きくでき、メリ
ジオナル方向のN。
A、を大きなものにできる。また第2図に示すように絞
り14bの開度を調節することと、2枚の回転放物面鏡
の半径比を変えることでサジタル方向のN、A、を調節
できる。また、回転放物面鏡12の中心軸りに対する回
転半径を太き(して第3図の鎖線のようにしかつこれに
合わせてスリット13の径もWと大きくすれば、半径ビ
の円弧状照明光を得ることができ、結局所望の径の照明
光を得ることができる。更に、水銀ランプlOからスリ
ット13の間に屈折光学系を全く使用していないので紫
外線、特に遠紫外線の透過率の低下がなく、紫外線伝達
効率を向上できる。
〔効果〕
(1)照明光学系をU字型水銀ランプ、2個の回転放物
面鏡、絞りおよびスリットで構成しているので、回転放
物面鏡の回転半径を変えるだけで任意の半径の円弧状照
明光を得ることができる。
(2)両回転放物面鏡の間に絞りを設け、絞りの開度に
応じて光束を調節できるので、スリットに入射する照明
光のN、A、を任意に調節でき、N、A。
を大きくして解像度を向上できる。
(3)水銀ランプとスリットの光学路には屈折光学系を
全く使用していないので、紫外光の透過率が低くなるこ
ともなく、紫外線伝達率を向上して投影露光時間の短縮
、即ち投影露光作業の効率の向上を達成する。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、回転放物面
鏡は近似的に球面あるいは回転楕円鏡であってもよく、
この場合には絞りの位置を適宜調整すれば実用上支障は
ない。
〔利用分野〕
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体製造用のマス
クアライナに適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、写真技術一般に適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の全体構成図、第2図は照明
光学系の斜視図、 第3図はその側面詳細図である。 l・・・ホトマスク、2・・・ウエーノ1.4・・・第
1照明光学系、訃・・結像光学系、io・・・U字型水
銀ランプ、11.12・・・回転放物面鏡、13・・・
スリット、14.14a、14b・・・絞り、15・・
・第2照明光学系。 −13ト 第  1  図 第  2  図 ! 第  3  図   ゝ、

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、被投影体を照明する照明光学系の中心軸に対して互
    に対向するように2個の回転放物面鏡を配設すると共に
    、これら回転放物面鏡の各焦点位置にU字型水銀ランプ
    と円弧状スリットを配設し。 かつ両回転数物面鏡開に絞りを配設したことを特徴とす
    る投影露光装置。 2、回転放物面鏡は夫々中心軸を回転中心とした構成と
    してなる特許請求の範囲第1項記載の投影露光装置。 3、絞りはその開口数を調節できる特許請求の範囲第1
    項又は第2項記載の投影露光装置。
JP58092271A 1983-05-27 1983-05-27 投影露光装置 Pending JPS59218729A (ja)

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JP58092271A JPS59218729A (ja) 1983-05-27 1983-05-27 投影露光装置

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JP58092271A JPS59218729A (ja) 1983-05-27 1983-05-27 投影露光装置

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JPS59218729A true JPS59218729A (ja) 1984-12-10

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ID=14049727

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JP58092271A Pending JPS59218729A (ja) 1983-05-27 1983-05-27 投影露光装置

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JP (1) JPS59218729A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03198319A (ja) * 1989-12-27 1991-08-29 Toshiba Corp 露光装置
JP2003506747A (ja) * 1999-07-30 2003-02-18 カール ツァイス シュティフトゥング トレイディング アズ カール ツァイス 照明光学系用の多重反射鏡光学系

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH03198319A (ja) * 1989-12-27 1991-08-29 Toshiba Corp 露光装置
JP2003506747A (ja) * 1999-07-30 2003-02-18 カール ツァイス シュティフトゥング トレイディング アズ カール ツァイス 照明光学系用の多重反射鏡光学系

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