JPS6219723B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6219723B2 JPS6219723B2 JP56084349A JP8434981A JPS6219723B2 JP S6219723 B2 JPS6219723 B2 JP S6219723B2 JP 56084349 A JP56084349 A JP 56084349A JP 8434981 A JP8434981 A JP 8434981A JP S6219723 B2 JPS6219723 B2 JP S6219723B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- axis
- light source
- rotational symmetry
- point light
- ellipse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 101150048357 Lamp1 gene Proteins 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 description 1
- 102100027339 Slit homolog 3 protein Human genes 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
- G02B19/0004—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed
- G02B19/0019—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed having reflective surfaces only (e.g. louvre systems, systems with multiple planar reflectors)
- G02B19/0023—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed having reflective surfaces only (e.g. louvre systems, systems with multiple planar reflectors) at least one surface having optical power
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
- G02B19/0033—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
- G02B19/0047—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lenses (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は解像度が優れた照明装置を備えた露光
装置に関するものである。
装置に関するものである。
例えば１：１反射型露光装置は従来紫外光（波
長350nm程度）の光を用い、凹凸面鏡の組合せに
より、円弧スリツト内にあるパターンを円弧スリ
ツト内の結像領域に１：１の倍率で結像する露光
装置であり、米国特許第3748015号に示されるご
とく広く知られている。本装置を用いて微細マス
クパターンをウエハ上に焼付ける場合、露光に用
いる光の波長を短くするほど解像力が向上する。
現在超高圧Hgランプを用い円弧状の光源を透過
型光学系によりマスク上に円弧形細帯状に照明し
ている。この光は波長が350nm程度であるため２
μｍパターンの解像が限界である。Xe―Hgラン
プを用いれば200〜300nmの遠紫外（DeepUV）
の短波長光となるが点光源であること、および透
過光学部品材は限られた材料（石英など）しか使
用できない等の制約がある。
長350nm程度）の光を用い、凹凸面鏡の組合せに
より、円弧スリツト内にあるパターンを円弧スリ
ツト内の結像領域に１：１の倍率で結像する露光
装置であり、米国特許第3748015号に示されるご
とく広く知られている。本装置を用いて微細マス
クパターンをウエハ上に焼付ける場合、露光に用
いる光の波長を短くするほど解像力が向上する。
現在超高圧Hgランプを用い円弧状の光源を透過
型光学系によりマスク上に円弧形細帯状に照明し
ている。この光は波長が350nm程度であるため２
μｍパターンの解像が限界である。Xe―Hgラン
プを用いれば200〜300nmの遠紫外（DeepUV）
の短波長光となるが点光源であること、および透
過光学部品材は限られた材料（石英など）しか使
用できない等の制約がある。
また一般に例えば１：１反射型露光装置では照
明スリツト幅を広くすると円弧形細帯の中心部は
解像度が高いが中心からずれるに従い、解像力は
低下する。従つて細帯の幅を狭くし、この領域に
光源からの光量を有効に導き照射する必要があ
る。従来球面鏡を用い、点光源を円弧形細帯状に
照明する構成が採用されているがこのような構成
では狭い細帯幅に有効に光を照射することが困難
であつた。
明スリツト幅を広くすると円弧形細帯の中心部は
解像度が高いが中心からずれるに従い、解像力は
低下する。従つて細帯の幅を狭くし、この領域に
光源からの光量を有効に導き照射する必要があ
る。従来球面鏡を用い、点光源を円弧形細帯状に
照明する構成が採用されているがこのような構成
では狭い細帯幅に有効に光を照射することが困難
であつた。
本発明の目的は、点光源より発した光を有効
に、しかも狭い細帯幅内に結像して照明できるよ
うにして解像度の高い露光が得られるようにした
露光装置を提供するにある。即ち、本発明は、上
記目的を達成するために、実効的な点状光源と、
該実効的な点状光源から発生する光を結像された
円弧形細帯状の光に変換すべく、上記実効的な点
状光源の位置と上記円弧形細帯状の円弧中心とを
結ぶ線上に第１の回転対称軸を有し、該回転対称
軸を含む断面上では楕円の一部であり、該楕円の
長軸が該第１の回転対称軸と一定の傾きを成し、
且つ該楕円の一方の焦点に上記実効的な点状光源
を配置すると共に該楕円の他方の焦点に結像され
る円弧形細帯状が位置し、上記第１の回転対称軸
に垂直な断面上では第１の回転対称軸を中心にし
た円の一部である第１の４次曲面の反射鏡とから
なる照明装置を設け、該照明装置によつて照明さ
れた円弧形細帯状のマスク上のパターンをウエハ
上に結像せしめる結像光学系を設えたことを特徴
とする露光装置である。
に、しかも狭い細帯幅内に結像して照明できるよ
うにして解像度の高い露光が得られるようにした
露光装置を提供するにある。即ち、本発明は、上
記目的を達成するために、実効的な点状光源と、
該実効的な点状光源から発生する光を結像された
円弧形細帯状の光に変換すべく、上記実効的な点
状光源の位置と上記円弧形細帯状の円弧中心とを
結ぶ線上に第１の回転対称軸を有し、該回転対称
軸を含む断面上では楕円の一部であり、該楕円の
長軸が該第１の回転対称軸と一定の傾きを成し、
且つ該楕円の一方の焦点に上記実効的な点状光源
を配置すると共に該楕円の他方の焦点に結像され
る円弧形細帯状が位置し、上記第１の回転対称軸
に垂直な断面上では第１の回転対称軸を中心にし
た円の一部である第１の４次曲面の反射鏡とから
なる照明装置を設け、該照明装置によつて照明さ
れた円弧形細帯状のマスク上のパターンをウエハ
上に結像せしめる結像光学系を設えたことを特徴
とする露光装置である。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて具体
的に説明する。
的に説明する。
本発明は第１の４次曲面反射鏡によつて点光源
を円弧形細帯状に照明することにある。この４次
曲面を用いる光学系を第１図に示す。円弧形帯３
の円弧の中心を通り、円弧形帯面S1に直角な線を
回転対称軸ｌとし、この軸上に点光源Ｏを配置す
る。更にこの回転対称軸を含む面S2で切断した４
次曲面の表面σ（曲線）が点光源を一つの焦点と
し円弧形帯の中心線Ｃと面S2との交点を他の焦点
とする楕円とする。このような構成にすると点光
源Ｏを出射し面S2上を進む光は表面σで反射され
円弧形帯の中心線Ｃと面S2の交点Ｉ上に集光する
ことはσが楕円であるため明らかである。４次曲
面反射鏡の表面Σはｌをその回転対称軸としてい
る事、および円弧形帯の中心線Ｃはやはりｌをそ
の回転対称軸としている事より、Ｏを出射し面Σ
で反射する光は円弧Ｃ上に集光する。点光源１は
実際には有限の広がりを持つているため円弧Ｃの
まわりに拡がりを持つた強度分布となるが、点Ｏ
の点Ｉへの結像性能が高いため狭い円弧形帯の範
囲内を高い光利用効率で照明することが可能とな
る。
を円弧形細帯状に照明することにある。この４次
曲面を用いる光学系を第１図に示す。円弧形帯３
の円弧の中心を通り、円弧形帯面S1に直角な線を
回転対称軸ｌとし、この軸上に点光源Ｏを配置す
る。更にこの回転対称軸を含む面S2で切断した４
次曲面の表面σ（曲線）が点光源を一つの焦点と
し円弧形帯の中心線Ｃと面S2との交点を他の焦点
とする楕円とする。このような構成にすると点光
源Ｏを出射し面S2上を進む光は表面σで反射され
円弧形帯の中心線Ｃと面S2の交点Ｉ上に集光する
ことはσが楕円であるため明らかである。４次曲
面反射鏡の表面Σはｌをその回転対称軸としてい
る事、および円弧形帯の中心線Ｃはやはりｌをそ
の回転対称軸としている事より、Ｏを出射し面Σ
で反射する光は円弧Ｃ上に集光する。点光源１は
実際には有限の広がりを持つているため円弧Ｃの
まわりに拡がりを持つた強度分布となるが、点Ｏ
の点Ｉへの結像性能が高いため狭い円弧形帯の範
囲内を高い光利用効率で照明することが可能とな
る。
第１図は既に説明したごとく本発明の基本的な
構成となる一実施例である。点光源１はXe―Hg
ランプであり、ランプの最も輝度の高い部分がＯ
（楕円σの焦点）となり、４次曲面鏡２の反射面
Σの中央付近に当つた光が入射光に対しほぼ直角
方向に反射するように４次曲面の外形が切断され
ている。点光源Ｏを出射する光は広がりを持つて
いるが、面Σで反射され円弧スリツト３上に集光
される。第２図は点光源１が広がりを有する時に
光源の中心、即ち焦点Ｏより出射する光線（実
線）と、Ｏより±0.5mm離れた場所より出射する
光線（鎖線および一点鎖線）の光線追跡図であ
る。
構成となる一実施例である。点光源１はXe―Hg
ランプであり、ランプの最も輝度の高い部分がＯ
（楕円σの焦点）となり、４次曲面鏡２の反射面
Σの中央付近に当つた光が入射光に対しほぼ直角
方向に反射するように４次曲面の外形が切断され
ている。点光源Ｏを出射する光は広がりを持つて
いるが、面Σで反射され円弧スリツト３上に集光
される。第２図は点光源１が広がりを有する時に
光源の中心、即ち焦点Ｏより出射する光線（実
線）と、Ｏより±0.5mm離れた場所より出射する
光線（鎖線および一点鎖線）の光線追跡図であ
る。
第２図の出射光に対し、第３図ａは本発明の実
施例のS2断面上で楕円の４次曲面を用いた時の、
円弧形細帯状照明の円弧に直角な面上の光線図を
示している。第２図と第３図の実線、鎖線、一点
鎖線は対応している。第３図ｂとｃは従来の反射
型光学系の場合の光線図であり、ｂは球面鏡を用
いた場合、ｃは球面鏡を３枚組合せた場合であ
る。従来のいずれの場合に比べても、本発明の第
３図ａは、結像ぼけがなく、狭い領域に有効に照
明できていることは明らかである。
施例のS2断面上で楕円の４次曲面を用いた時の、
円弧形細帯状照明の円弧に直角な面上の光線図を
示している。第２図と第３図の実線、鎖線、一点
鎖線は対応している。第３図ｂとｃは従来の反射
型光学系の場合の光線図であり、ｂは球面鏡を用
いた場合、ｃは球面鏡を３枚組合せた場合であ
る。従来のいずれの場合に比べても、本発明の第
３図ａは、結像ぼけがなく、狭い領域に有効に照
明できていることは明らかである。
第１図の実施例で用いた４次曲面の形状を以下
に示す。細帯状円弧の曲率半径をｒ（＝OP）と
し、 IP＝mr とすると、Ｏ点を原点として４次曲面Σは次式で
表わせる。
に示す。細帯状円弧の曲率半径をｒ（＝OP）と
し、 IP＝mr とすると、Ｏ点を原点として４次曲面Σは次式で
表わせる。
｛（2m＋１）z2＋ｍ（ｍ＋２）（x2＋y2）
＋2m2rz−m2r2｝２＝4m2（ｒ−ｚ）２（x2＋y2） ……(1)
第４図は本発明の実施例であり、上記実施例を
１：１反射型露光装置に実装した図である。Xe
―Hgランプ１を出射した光は(1)式で示される４
次曲面２で反射されマスク４上に円弧スリツト照
明３′が得られる。マスク４を透過した光は凹面
鏡６と凸面鏡７でそれぞれ２回及び１回反射しウ
エハ５上に円弧領域の結像パターンを写し出すの
で、第４図に示すようにウエハとマスクを矢印方
向に同速度で走査すればウエハ全面にマスクのパ
ターンを露光することができる。
１：１反射型露光装置に実装した図である。Xe
―Hgランプ１を出射した光は(1)式で示される４
次曲面２で反射されマスク４上に円弧スリツト照
明３′が得られる。マスク４を透過した光は凹面
鏡６と凸面鏡７でそれぞれ２回及び１回反射しウ
エハ５上に円弧領域の結像パターンを写し出すの
で、第４図に示すようにウエハとマスクを矢印方
向に同速度で走査すればウエハ全面にマスクのパ
ターンを露光することができる。
第５図は本発明の１：１反射型露光装置用照明
装置の一実施例である。１はXe―Hgランプから
成る点光源であり、２１，２２はこの点光源より
出射した光を一点１′に集光せしめるための凹面
鏡１、凹面鏡２である。この２つの凹面鏡として
本実施例では次の物を採用する。
装置の一実施例である。１はXe―Hgランプから
成る点光源であり、２１，２２はこの点光源より
出射した光を一点１′に集光せしめるための凹面
鏡１、凹面鏡２である。この２つの凹面鏡として
本実施例では次の物を採用する。
(1) 凹面鏡１は前記(1)式で表わされｍ＝m1の４
次曲面鏡 (2) 凹面鏡２は前記(1)式で表わされｍ＝m2の４
次曲面鏡 更に凹面鏡１と２の相対関係は回転対称軸を共
用するとともに、回転対称軸を含む平面と両凹面
鏡の反射面の交線である２つの楕円の回転対称軸
上にない焦点は互にほぼ一致する。このような構
成から成る４次曲面鏡２１，２２により１′に実
効的な点光源が得られる。この実効的な点光源を
新たな点光源とし、第１図の実施例と同様に４次
曲面２を用いて円弧形細帯状照明３′を得ること
ができる。第７図（断面が楕円の４次曲面３個の
組合せ照明系による照明光線）は第５図の構成で
光源１の中心より発した光線（実線で図示）およ
び中心より±0.5mm離れた位置より発した光線
（鎖線および一点鎖線）が第５図のマスク面４上
でどのようになるかを示したものであり第３図ｂ
やｃに比べ優れた円弧形細帯状照明が得られるこ
とを示している。
次曲面鏡 (2) 凹面鏡２は前記(1)式で表わされｍ＝m2の４
次曲面鏡 更に凹面鏡１と２の相対関係は回転対称軸を共
用するとともに、回転対称軸を含む平面と両凹面
鏡の反射面の交線である２つの楕円の回転対称軸
上にない焦点は互にほぼ一致する。このような構
成から成る４次曲面鏡２１，２２により１′に実
効的な点光源が得られる。この実効的な点光源を
新たな点光源とし、第１図の実施例と同様に４次
曲面２を用いて円弧形細帯状照明３′を得ること
ができる。第７図（断面が楕円の４次曲面３個の
組合せ照明系による照明光線）は第５図の構成で
光源１の中心より発した光線（実線で図示）およ
び中心より±0.5mm離れた位置より発した光線
（鎖線および一点鎖線）が第５図のマスク面４上
でどのようになるかを示したものであり第３図ｂ
やｃに比べ優れた円弧形細帯状照明が得られるこ
とを示している。
次に同様に第５図を用いて他の実施例を説明す
る。本実施例では２１′，２２′の凹面鏡１，２は
次の物を採用する。
る。本実施例では２１′，２２′の凹面鏡１，２は
次の物を採用する。
(3) 凹面鏡１：
第８図に示すように凹面鏡２１′は光源を通過
する回転対称軸l21を有し、この回転軸を含む平
面S21（ｘ，ｚ）平面）と凹面鏡２１′の交線σC
は円である。しかもこの円の中心は光軸l21上に
はない。光源を原点とした時の円の中心は（x0，
z0）であり凹面鏡２１′の表面ΣCは次の４次式を
満たす。
する回転対称軸l21を有し、この回転軸を含む平
面S21（ｘ，ｚ）平面）と凹面鏡２１′の交線σC
は円である。しかもこの円の中心は光軸l21上に
はない。光源を原点とした時の円の中心は（x0，
z0）であり凹面鏡２１′の表面ΣCは次の４次式を
満たす。
｛r2 C−（ｚ−z0）2−x2−y2−ｘ２ ０｝２
−4x２ ０（x2＋y2）＝０ ……(2)
(4) 凹面鏡２：（２２′）
第８図の凹面鏡と同一のものであり、同一の回
転対称軸を有し、２１′の０′に対応する点0″の位
置は一例としてｒC＝250mm x0＝75.mm z0＝177
mmの時0′0″＝81mmである。
転対称軸を有し、２１′の０′に対応する点0″の位
置は一例としてｒC＝250mm x0＝75.mm z0＝177
mmの時0′0″＝81mmである。
本実施例におけるマスク面４上の光線は第９図
（断面が円の４次曲面２個と断面が楕円の４次曲
面の組合せ照明系による照明光線）に示すように
なり第７図と同様又はそれ以上に優れた円弧形細
帯状照明が得られる。なお第５図に示すごとく点
光源１から出射し凹面鏡２１と逆の側に進む光
を、点光源位置を曲率の中心とする球面鏡により
反射させれば光が有効に使えることは明らかであ
る。
（断面が円の４次曲面２個と断面が楕円の４次曲
面の組合せ照明系による照明光線）に示すように
なり第７図と同様又はそれ以上に優れた円弧形細
帯状照明が得られる。なお第５図に示すごとく点
光源１から出射し凹面鏡２１と逆の側に進む光
を、点光源位置を曲率の中心とする球面鏡により
反射させれば光が有効に使えることは明らかであ
る。
次に第６図を用いて他の実施例を説明する。点
光源状ランプ１を出射した光を第１図の実施例で
示した直線ｌを回転対称軸とし、断面が楕円の４
次曲面鏡を用い第６図で鎖線で示した円弧形細帯
状に光を集める。この円弧に到る途中に断面が双
曲線でその焦点が上記の円弧上およびｌ上にあ
り、その回転対称軸をｌとする４次曲面の凹面鏡
２２″を挿入することにより、点光源状ランプ１
より出射した光は１′に集まり、１′は実効的点光
源となる。
光源状ランプ１を出射した光を第１図の実施例で
示した直線ｌを回転対称軸とし、断面が楕円の４
次曲面鏡を用い第６図で鎖線で示した円弧形細帯
状に光を集める。この円弧に到る途中に断面が双
曲線でその焦点が上記の円弧上およびｌ上にあ
り、その回転対称軸をｌとする４次曲面の凹面鏡
２２″を挿入することにより、点光源状ランプ１
より出射した光は１′に集まり、１′は実効的点光
源となる。
なお以上説明した点状ランプの点光源を上述の
反射光学系により一点に集め、この集光点を実効
的点光源とする際、この集光位置に微小開口を配
置することにより、光源面積を小さくし、より点
光源に近づけることができる。
反射光学系により一点に集め、この集光点を実効
的点光源とする際、この集光位置に微小開口を配
置することにより、光源面積を小さくし、より点
光源に近づけることができる。
なお本発明の露光装置用照明装置は、１：１反
射型露光装置に限らず、マスクとウエハを走査し
ながら露光する方式の露光装置にも広く使われ
る。例えば密着露光装置、プロキシミテイ露光装
置などに適用することにより、紫外光や遠紫外光
で露光する場合、従来に比べ以下に述べるような
有利な特徴を有する。即ち従来点光源から一様
で、しかもできるだけ平行光に近い照明を得よう
とすると、反射型の光学系のみでは実現不可能で
あり、透過型の石英系のフライアイレンズや、石
英系のレンズを用いていた。しかしこのような光
学系を用いても、光の一様性や平行性は不十分で
あるばかりでなく、高価な石英系の光学系を用い
る必要があつた。本発明の露光装置用照明装置で
は、円弧形細帯上のどこを取つても一定の強度レ
ベルとなり、平行性も透れたものとなる。（前記
ｍを例えば２〜５程度にすることにより）更に本
発明の露光装置用照明装置では透過型の光学部品
を必要としないため、安価に構成することが可能
となる。また光の波長が短くなる程透過型光学部
品が使えなくなるためその効果は一層大きくな
る。
射型露光装置に限らず、マスクとウエハを走査し
ながら露光する方式の露光装置にも広く使われ
る。例えば密着露光装置、プロキシミテイ露光装
置などに適用することにより、紫外光や遠紫外光
で露光する場合、従来に比べ以下に述べるような
有利な特徴を有する。即ち従来点光源から一様
で、しかもできるだけ平行光に近い照明を得よう
とすると、反射型の光学系のみでは実現不可能で
あり、透過型の石英系のフライアイレンズや、石
英系のレンズを用いていた。しかしこのような光
学系を用いても、光の一様性や平行性は不十分で
あるばかりでなく、高価な石英系の光学系を用い
る必要があつた。本発明の露光装置用照明装置で
は、円弧形細帯上のどこを取つても一定の強度レ
ベルとなり、平行性も透れたものとなる。（前記
ｍを例えば２〜５程度にすることにより）更に本
発明の露光装置用照明装置では透過型の光学部品
を必要としないため、安価に構成することが可能
となる。また光の波長が短くなる程透過型光学部
品が使えなくなるためその効果は一層大きくな
る。
以上実施例を用いて説明したごとく、本発明に
よれば、点光源あるいは点光源に近い微小領域を
発光源とする光源から出射する光を円弧スリツト
状に結像のぼけを生ぜずに、従つて狭い領域に有
効に照明することが可能となり、狭い細帯状円弧
のパターンのみをウエハ上に焼付けることが可能
となつた。このことにより凹凸面鏡を基本構成と
する投影光学系の結像性能が良好に保たれる狭い
円弧形細帯状領域のみを用いてマスクおよびウエ
ハを速く走査し露光することが可能となり解像度
の高いパターンを高速に転写することが可能とな
つた。
よれば、点光源あるいは点光源に近い微小領域を
発光源とする光源から出射する光を円弧スリツト
状に結像のぼけを生ぜずに、従つて狭い領域に有
効に照明することが可能となり、狭い細帯状円弧
のパターンのみをウエハ上に焼付けることが可能
となつた。このことにより凹凸面鏡を基本構成と
する投影光学系の結像性能が良好に保たれる狭い
円弧形細帯状領域のみを用いてマスクおよびウエ
ハを速く走査し露光することが可能となり解像度
の高いパターンを高速に転写することが可能とな
つた。
即ち本発明によれば解像性能の向上と、経済的
効果が同時に得られ非常に効果が大きい。
効果が同時に得られ非常に効果が大きい。
第１図は本発明の原理を示す一実施例図、第２
図は本発明の効果を示す円弧形細帯状照明に用い
る有限光源からの光の発射光線図、第３図ａは本
発明による照明光線図、第３図ｂ，ｃは従来によ
る照明光線図、第４図は本発明の実施例であり、
１：１反射型露光装置の光学系を示す図、第５図
は本発明に係る実効的点光源を得る手段の一実施
例を示す図、第６図ａは第５図と異なる他の一実
施例を示す図、第６図ｂは第６図ａの断面図、第
７図は第５図に示す断面が楕円の４次曲面３個の
組合せ照明系による円弧形細帯状照明光の光線追
跡図、第８図は第５図の実施例で用いる２つの凹
面鏡１，２の形状を説明する図、第９図は第５図
及び第８図に示す断面が円の４次曲面２個と断面
が楕円の４次曲面の組せ照明系による円弧形細帯
状照明光の光線追跡図である。 １…光源、２…４次曲面鏡、２１，２２，２
１′，２２′…凹面鏡（４次曲面）、３…円弧形細
帯、３′…円弧形細帯状照明、４…マスク、５…
ウエハ、６…凹面鏡、７…凸面鏡、２５…球面
鏡。
図は本発明の効果を示す円弧形細帯状照明に用い
る有限光源からの光の発射光線図、第３図ａは本
発明による照明光線図、第３図ｂ，ｃは従来によ
る照明光線図、第４図は本発明の実施例であり、
１：１反射型露光装置の光学系を示す図、第５図
は本発明に係る実効的点光源を得る手段の一実施
例を示す図、第６図ａは第５図と異なる他の一実
施例を示す図、第６図ｂは第６図ａの断面図、第
７図は第５図に示す断面が楕円の４次曲面３個の
組合せ照明系による円弧形細帯状照明光の光線追
跡図、第８図は第５図の実施例で用いる２つの凹
面鏡１，２の形状を説明する図、第９図は第５図
及び第８図に示す断面が円の４次曲面２個と断面
が楕円の４次曲面の組せ照明系による円弧形細帯
状照明光の光線追跡図である。 １…光源、２…４次曲面鏡、２１，２２，２
１′，２２′…凹面鏡（４次曲面）、３…円弧形細
帯、３′…円弧形細帯状照明、４…マスク、５…
ウエハ、６…凹面鏡、７…凸面鏡、２５…球面
鏡。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 実効的な点状光源と、該実効的な点状光源か
ら発生する光を結像された円弧形細帯状の光に変
換すべく、上記実効的な点状光源の位置と上記円
弧形細帯状の円弧中心とを結ぶ線上に第１の回転
対称軸を有し、該回転対称軸を含む断面上では楕
円の一部であり、該楕円の長軸が該第１の回転対
称軸と一定の傾きを成し、且つ該楕円の一方の焦
点に上記実効的な点状光源を配置すると共に該楕
円の他方の焦点に結像される円弧形細帯状が位置
し、上記第１の回転対称軸に垂直な断面上では第
１の回転対称軸を中心にした円の一部である第１
の４次曲面の反射鏡とからなる照明装置を設け、
該照明装置によつて照明された円弧形細帯状のマ
スク上のパターンをウエハ上に結像せしめる結像
光学系を設えたことを特徴とする露光装置。 ２ 上記実効的な点状光源は、点光源と、該点光
源より発した光を一点に集束せしめる少くとも２
個の第２の４次曲面反射鏡によつて構成したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装
置。 ３ 上記２個の第２の４次曲面反射鏡の各々は、
実効的な点状光源及び点光源とを結ぶ線上に第２
の回転対称軸を有し、該第２の回転対称軸を含む
断面上では円の一部であり、該円の中心を第２の
回転対称軸外に位置し、更に上記第２の回転対称
軸に垂直な断面上では第２の回転対称軸を中心に
した円の一部であるように形成したことを特徴と
する特許請求の範囲第２項記載の露光装置。 ４ 上記２個の第２の４次曲面反射鏡の点光源側
は、実効的な点状光源及び点光源とを結ぶ線上に
第２の回転対称軸を有し、該第２の回転対称軸を
含む断面上では楕円の一部であり、該楕円の長軸
が該第２の回転対称軸と一定の傾きを成し、且つ
該楕円の一方の焦点に上記点光源を配置し、上記
第２の回転対称軸に垂直な断面上では第２の回転
対称軸を中心にした円の一部であるように形成
し、上記第２の４次曲面反射鏡の実効的な点状光
源側は、上記第２の回転対称軸を含む断面上では
双曲線の一部であり、上記第２の回転対称軸に垂
直な断面上では第２の回転対称軸を中心にした円
の一部であるように形成したことを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56084349A JPS57200012A (en) | 1981-06-03 | 1981-06-03 | Luminaire and luminaire for exposing device |
| EP82104828A EP0066295B1 (en) | 1981-06-03 | 1982-06-02 | Reflection type optical focusing apparatus |
| DE8282104828T DE3268933D1 (en) | 1981-06-03 | 1982-06-02 | Reflection type optical focusing apparatus |
| US06/384,679 US4458302A (en) | 1981-06-03 | 1982-06-02 | Reflection type optical focusing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56084349A JPS57200012A (en) | 1981-06-03 | 1981-06-03 | Luminaire and luminaire for exposing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57200012A JPS57200012A (en) | 1982-12-08 |
| JPS6219723B2 true JPS6219723B2 (ja) | 1987-04-30 |
Family
ID=13828033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56084349A Granted JPS57200012A (en) | 1981-06-03 | 1981-06-03 | Luminaire and luminaire for exposing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57200012A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05333267A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 円弧照明装置 |
| JPH05333268A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-12-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 円弧照明装置 |
| JPH075363A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-10 | Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency | 非同軸共焦点多面反射光学系 |
| JP2786796B2 (ja) * | 1993-06-23 | 1998-08-13 | シャープ株式会社 | プロジェクター |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54123876A (en) * | 1978-03-18 | 1979-09-26 | Canon Inc | Image forming optical system |
-
1981
- 1981-06-03 JP JP56084349A patent/JPS57200012A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54123876A (en) * | 1978-03-18 | 1979-09-26 | Canon Inc | Image forming optical system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57200012A (en) | 1982-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4458302A (en) | Reflection type optical focusing apparatus | |
| JP2655465B2 (ja) | 反射型ホモジナイザーおよび反射型照明光学装置 | |
| JPH0478002B2 (ja) | ||
| KR920012964A (ko) | 미세패턴 전사방법 및 그 장치 | |
| JP2997351B2 (ja) | 照明光学装置 | |
| JP2000021712A (ja) | 照明光学系及びそれを有する露光装置 | |
| JPH07318847A (ja) | 照明光学装置 | |
| JP5283928B2 (ja) | 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JPS6219723B2 (ja) | ||
| JPH06250378A (ja) | 露光方法及び該露光方法で使用されるフォトマスク | |
| JP2696360B2 (ja) | 照明光学装置 | |
| JPS58215621A (ja) | １「あ」１プロジエクシヨンアライナ | |
| JPH07104499B2 (ja) | 照明用光学系 | |
| JP3879142B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP3371510B2 (ja) | 照明装置及び露光装置 | |
| JP3305119B2 (ja) | Ｘ線投影露光装置 | |
| JP3367569B2 (ja) | 照明光学装置、露光装置、及び該露光装置を用いた転写方法 | |
| JPS63288014A (ja) | 焼付け装置 | |
| JPS59219713A (ja) | 焼付け装置 | |
| JP3370175B2 (ja) | 画像記録装置 | |
| JPS6246844B2 (ja) | ||
| JP2604471B2 (ja) | 照明用光学系 | |
| JP3312576B2 (ja) | 露光装置およびレジスト露光装置 | |
| JP2958078B2 (ja) | 放物面鏡を有する反射照明装置 | |
| JPH0339977Y2 (ja) |