JPS59218003A - 半同軸キヤビテイ - Google Patents
半同軸キヤビテイInfo
- Publication number
- JPS59218003A JPS59218003A JP9326583A JP9326583A JPS59218003A JP S59218003 A JPS59218003 A JP S59218003A JP 9326583 A JP9326583 A JP 9326583A JP 9326583 A JP9326583 A JP 9326583A JP S59218003 A JPS59218003 A JP S59218003A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semi
- cavity
- coaxial cavity
- coaxial
- tip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/04—Coaxial resonators
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、ＵＨＦ帯域に適する遅延等花器の共振回路の
キャビティに関する。特に半同軸キャビティの構造に関
する。
キャビティに関する。特に半同軸キャビティの構造に関
する。
第１図は遅延等化器の構成を示す。第１図において、１
は信号入力端子、２ば信号出力端子、３はサーキュレー
タ、４は半同軸キャビティである。
は信号入力端子、２ば信号出力端子、３はサーキュレー
タ、４は半同軸キャビティである。
端子１からの信号はサーキュレータ３を経て半同軸キャ
ーティ４で反射されて出力端子２に至る。
ーティ４で反射されて出力端子２に至る。
半同軸キャビティ４で信号が反射されるとき入射波と反
射波の間に、位相回転が生じ、その周波数に対する位相
変化の割合は共振器、すなわち半同軸キャビティ４と、
負荷ここては回路の特性インビーダンスとの結合量で決
まるいわゆる負荷Ｑ（ＬＯ八へＢＩＩ Ｑ）により決ま
る。
射波の間に、位相回転が生じ、その周波数に対する位相
変化の割合は共振器、すなわち半同軸キャビティ４と、
負荷ここては回路の特性インビーダンスとの結合量で決
まるいわゆる負荷Ｑ（ＬＯ八へＢＩＩ Ｑ）により決ま
る。
第２図は第１図の半同軸キャビティ４に使われる従来の
半同軸キャビティの断面構造図を示す。
半同軸キャビティの断面構造図を示す。
第２図において、ＩＯは半同軸キャビティ外部導体、１
１はネジにより上下させることができる共振棒、Ｉ２ば
共振棒１１と外部回路とを容量結合させるための結合板
、１３は外部回路との結合用同軸線路である。
１はネジにより上下させることができる共振棒、Ｉ２ば
共振棒１１と外部回路とを容量結合させるための結合板
、１３は外部回路との結合用同軸線路である。
第３図は第２図に示す半同軸キャビティの等化回路を示
ず。第３図において、ＩＣは同軸線路１３の中心導体、
ＯＣは同じく外部導体、Ｃ１は共振棒１１と結合板１２
との間の容量、Ｃ２は半同軸キャビティ外部導体ＩＯと
結合板１２との間の容量、Ｃ３ば共振棒１１の半同軸キ
ャビティ外部導体１０との間の容量、Ｌは共振棒１１の
半同軸キャビティ内部の長さに関連して決まるインダク
タンスである。ここで、遅延等花器の場合には、通富負
荷Ｑを変える必要があるが、第２図に示す構造では、共
振周波数を変えたときの遅延特性の変化は第４図に示す
ように、共振周波数が低い方でＱが低くなる特性であり
、逆の特性、すなわち共振周波数が低い方でＱが高くな
る第５図のような特性が必要な場合には適応しない欠点
があった。
ず。第３図において、ＩＣは同軸線路１３の中心導体、
ＯＣは同じく外部導体、Ｃ１は共振棒１１と結合板１２
との間の容量、Ｃ２は半同軸キャビティ外部導体ＩＯと
結合板１２との間の容量、Ｃ３ば共振棒１１の半同軸キ
ャビティ外部導体１０との間の容量、Ｌは共振棒１１の
半同軸キャビティ内部の長さに関連して決まるインダク
タンスである。ここで、遅延等花器の場合には、通富負
荷Ｑを変える必要があるが、第２図に示す構造では、共
振周波数を変えたときの遅延特性の変化は第４図に示す
ように、共振周波数が低い方でＱが低くなる特性であり
、逆の特性、すなわち共振周波数が低い方でＱが高くな
る第５図のような特性が必要な場合には適応しない欠点
があった。
本発明は、前記欠点を改善し、遅延特性が半同軸共振器
の共振周波数を下げたときには、負荷Ｑが高くなり、ま
た共振周波数を上げたときには、負荷Ｑが低くなる特性
を有する半同軸キャビティを提供することを目的とする
。
の共振周波数を下げたときには、負荷Ｑが高くなり、ま
た共振周波数を上げたときには、負荷Ｑが低くなる特性
を有する半同軸キャビティを提供することを目的とする
。
本発明は、半同軸キャビティにおいて、共振棒の先端に
空隙が形成され、結合板が前記空隙の中に入ることがで
きるように構成されたことを特徴とする。
空隙が形成され、結合板が前記空隙の中に入ることがで
きるように構成されたことを特徴とする。
上記空隙は共振棒の先端が結合板を収容可能な穿設され
た空洞であるか、または嵌着された環状金属片により形
成されることが好ましい。
た空洞であるか、または嵌着された環状金属片により形
成されることが好ましい。
次に本発明の実施例について、図面を参照して説明する
。
。
第６図は本発明第一実施例半同軸キャビティの断面構造
図である。第６図において、第２図に示す半同軸キャビ
ティの構造部分と対応する部分には同一符号をつけて示
す。本実施例の特徴ある構成は、共振棒１４の構造であ
って、その先端１４ａが結合板１２を収容することがで
きる空洞になっているところにある。この第６図に示す
半同軸キャビティの等価回路は第２図に示す半同軸キャ
ビティと同様第３図に示される。
図である。第６図において、第２図に示す半同軸キャビ
ティの構造部分と対応する部分には同一符号をつけて示
す。本実施例の特徴ある構成は、共振棒１４の構造であ
って、その先端１４ａが結合板１２を収容することがで
きる空洞になっているところにある。この第６図に示す
半同軸キャビティの等価回路は第２図に示す半同軸キャ
ビティと同様第３図に示される。
いま、半同軸キャビティをある共振周波数のとき、共振
棒１４と結合板１２の位置関係が第６図に示すように調
整したとする。このとき、第３図に示される容量ＣＩは
大きく負荷、Ｑは低くなる。次にこの共振周波数を下げ
ると、結合板１２は共振棒１４の空洞の中に入り第３図
に示される容量Ｃ１は小さくなるため、負荷Ｑが高くな
り、第５図の遅延特性を示す。
棒１４と結合板１２の位置関係が第６図に示すように調
整したとする。このとき、第３図に示される容量ＣＩは
大きく負荷、Ｑは低くなる。次にこの共振周波数を下げ
ると、結合板１２は共振棒１４の空洞の中に入り第３図
に示される容量Ｃ１は小さくなるため、負荷Ｑが高くな
り、第５図の遅延特性を示す。
第７図は本発明第二実施例半同軸キャビティの断面構造
図である。第７図において、第２図に示す半同軸キャビ
ティの構成部分と対応する部分には同一符号をつけて示
す。本実施例の特徴ある構成は、共振棒１１の先端に結
合板１２を収容することができるナンド状金属１５を螺
着したところにある。
図である。第７図において、第２図に示す半同軸キャビ
ティの構成部分と対応する部分には同一符号をつけて示
す。本実施例の特徴ある構成は、共振棒１１の先端に結
合板１２を収容することができるナンド状金属１５を螺
着したところにある。
第７図に示す半同軸キャビティの等価回路は、第２図に
示す半同軸キャビティと同様第３図に示される。
示す半同軸キャビティと同様第３図に示される。
いま、半同軸キャビティをある共振周波数のとき、ナツ
ト状金属１５と結合板１２の位置関係が第７図に示すよ
うに調整すれば、第３図に示される容量Ｃ１は大きく、
負荷Ｑは低くなる。次にこの共振周波数を下げると、結
合板１２はナンド状金属１５の中に入り、第３図に示さ
れる容量Ｃ１は小さくなるため、負荷Ｑが高くなり、第
５図の遅延特性を示す。
ト状金属１５と結合板１２の位置関係が第７図に示すよ
うに調整すれば、第３図に示される容量Ｃ１は大きく、
負荷Ｑは低くなる。次にこの共振周波数を下げると、結
合板１２はナンド状金属１５の中に入り、第３図に示さ
れる容量Ｃ１は小さくなるため、負荷Ｑが高くなり、第
５図の遅延特性を示す。
第８図は本発明第三実施例半同軸キャビティの断面構造
図である。第８図において、第６図に示す半同軸キャビ
ティの構成部分と対応する部分には同一符号をつけて示
す。本実施例の特徴ある構成は、先端が空洞に形成され
た第６図の共振棒１４を空洞の内部を広げて結合板１２
に対向する空洞の開口部を狭めた形状の共振棒１６にす
ることにある。
図である。第８図において、第６図に示す半同軸キャビ
ティの構成部分と対応する部分には同一符号をつけて示
す。本実施例の特徴ある構成は、先端が空洞に形成され
た第６図の共振棒１４を空洞の内部を広げて結合板１２
に対向する空洞の開口部を狭めた形状の共振棒１６にす
ることにある。
第９図は本発明第四実施例半同軸キャビティの断面構造
図である。第９図において、第７図に示す半同軸キャビ
ティの構成部分と対応する部分には、同一符号をつけて
示す。本実施例の特徴ある構成は、第７図のナンド状金
属１５を結合板Ｉ２に対向する開口部を狭めた形状の共
振棒１７にすることにある。
図である。第９図において、第７図に示す半同軸キャビ
ティの構成部分と対応する部分には、同一符号をつけて
示す。本実施例の特徴ある構成は、第７図のナンド状金
属１５を結合板Ｉ２に対向する開口部を狭めた形状の共
振棒１７にすることにある。
第８図および第９図に示すように空洞またはナツト状金
属の開口部を狭めることにより、半同軸キャビティの共
振周波数を変えたときの負荷Ｑの変化の割合を急峻にす
ることができる。
属の開口部を狭めることにより、半同軸キャビティの共
振周波数を変えたときの負荷Ｑの変化の割合を急峻にす
ることができる。
本発明は、以上説明したように、共振棒の先端を空洞に
し、共振棒に対向する側から結合板が前記空洞の中に入
るように構成し、または共振棒の先端に結合容量調整用
のナンド状金属を嵌着し、共振棒に対向する側から結合
板が前記ナンド状金属の中に入るように構成することに
より、半同軸キャビティの共振周波数を下げたときには
、大きな遅延特性が得られ、共振周波数を上げたときに
は、小さな遅延特性を得ることができる優れた効果があ
る。
し、共振棒に対向する側から結合板が前記空洞の中に入
るように構成し、または共振棒の先端に結合容量調整用
のナンド状金属を嵌着し、共振棒に対向する側から結合
板が前記ナンド状金属の中に入るように構成することに
より、半同軸キャビティの共振周波数を下げたときには
、大きな遅延特性が得られ、共振周波数を上げたときに
は、小さな遅延特性を得ることができる優れた効果があ
る。
特に上記空洞またばナツト状金属の開口部を狭めて構成
することにより、半同軸キャビティの共振周波数を変え
たときの負荷Ｑの変化の割合を急峻にすることができる
。
することにより、半同軸キャビティの共振周波数を変え
たときの負荷Ｑの変化の割合を急峻にすることができる
。
第１図は本発明の関るキャビティを使用する回路例の概
略図。 第２図は従来の半同軸キャビティの断面構造図。 第３図は第２図に示す半同軸キャビティの電気的等価回
路図。 第４図は従来の半同軸キャビティを用いたときの遅延特
性図。 第５図は本発明による半同軸キャビティを用いたときの
遅延特性図。 第６図は本発明第一実施例半同軸キャビティの断面構造
図。 第７図は本発明第二実施例半同軸キャビティの断面構造
図。 第８図は本発明第三実施例半同軸キャビティの断面構造
図。 第９図は本発明第四実施例の断面構造図。 １・・・信号入力端子、２・・・信号出力端子、３・・
・サーキュレータ、４・・・共振器、１ｏ・・・キャビ
ティ外部導体、１１・・・共振棒、１２・・・結合板、
１３・・・結合用同軸線路、１４・・・先端が空洞にな
っている共振棒、１５・・・ナンド状金属、】６・・・
空洞の部分が開口部で狭められた共振棒、１７・・・内
部が開口部で狭められたナンド状金属。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 井 出 直 孝 第１図 第２図 第３図 星 −〉周：ｌ数 第５図 第７図
略図。 第２図は従来の半同軸キャビティの断面構造図。 第３図は第２図に示す半同軸キャビティの電気的等価回
路図。 第４図は従来の半同軸キャビティを用いたときの遅延特
性図。 第５図は本発明による半同軸キャビティを用いたときの
遅延特性図。 第６図は本発明第一実施例半同軸キャビティの断面構造
図。 第７図は本発明第二実施例半同軸キャビティの断面構造
図。 第８図は本発明第三実施例半同軸キャビティの断面構造
図。 第９図は本発明第四実施例の断面構造図。 １・・・信号入力端子、２・・・信号出力端子、３・・
・サーキュレータ、４・・・共振器、１ｏ・・・キャビ
ティ外部導体、１１・・・共振棒、１２・・・結合板、
１３・・・結合用同軸線路、１４・・・先端が空洞にな
っている共振棒、１５・・・ナンド状金属、】６・・・
空洞の部分が開口部で狭められた共振棒、１７・・・内
部が開口部で狭められたナンド状金属。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 井 出 直 孝 第１図 第２図 第３図 星 −〉周：ｌ数 第５図 第７図
Claims (3)
- （１）中空の外部導体と、 前記外部導体に前記導体内部を変位可能に挿通された共
振棒と、 前記共振棒の先端に対向して前記外部導体に数句けられ
信号伝送回路に結合される結合用同軸線路と、 前記結合用同軸線に結合され前記共振棒の先端に対向し
て前記共振棒と前記伝送回路とを容量結合させる結合板
と を備えた半同軸キャビティにおいて、 前記共振棒の先端に、前記結合板を収容可能な空隙が形
成されたことを特徴とする半同軸キャビティ。 - （２）空隙は共振棒の先端に穿設された空洞である特許
請求の範囲第（１１項に記載の半同軸キャビティ。 - （３）空隙は共振棒の先端に嵌着する環状金属片により
形成された特許請求の範囲第口）項に記載の半同軸キャ
ビティ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9326583A JPS59218003A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 半同軸キヤビテイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9326583A JPS59218003A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 半同軸キヤビテイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59218003A true JPS59218003A (ja) | 1984-12-08 |
| JPH0117282B2 JPH0117282B2 (ja) | 1989-03-29 |
Family
ID=14077645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9326583A Granted JPS59218003A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 半同軸キヤビテイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59218003A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6436102A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-07 | Nec Corp | Semi-coaxial cavity |
-
1983
- 1983-05-25 JP JP9326583A patent/JPS59218003A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6436102A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-07 | Nec Corp | Semi-coaxial cavity |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0117282B2 (ja) | 1989-03-29 |
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