JPH0117282B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0117282B2 JPH0117282B2 JP9326583A JP9326583A JPH0117282B2 JP H0117282 B2 JPH0117282 B2 JP H0117282B2 JP 9326583 A JP9326583 A JP 9326583A JP 9326583 A JP9326583 A JP 9326583A JP H0117282 B2 JPH0117282 B2 JP H0117282B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semi
- cavity
- coaxial
- coaxial cavity
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 25
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 25
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/04—Coaxial resonators
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、UHF帯域に適する遅延等化器の共
振回路のキヤビテイに関する。特に半同軸キヤビ
テイの構造に関する。
振回路のキヤビテイに関する。特に半同軸キヤビ
テイの構造に関する。
第１図は遅延等化器の構成を示す。第１図にお
いて、１は信号入力端子、２は信号出力端子、３
はサーキユレータ、４は半同軸キヤビテイであ
る。端子１からの信号はサーキユレータ３を経て
半同軸キヤビテイ４で反射されて出力端子２に至
る。半同軸キヤビテイ４で信号が反射されるとき
入射波と反射波の間に、位相回転が生じ、その周
波数に対する位相変化の割合は共振器、すなわち
半同軸キヤビテイ４と、負荷ここでは回路の特性
インピーダンスとの結合量で決まるいわゆる負荷
Ｑ（LOADED Ｑ）により決まる。
いて、１は信号入力端子、２は信号出力端子、３
はサーキユレータ、４は半同軸キヤビテイであ
る。端子１からの信号はサーキユレータ３を経て
半同軸キヤビテイ４で反射されて出力端子２に至
る。半同軸キヤビテイ４で信号が反射されるとき
入射波と反射波の間に、位相回転が生じ、その周
波数に対する位相変化の割合は共振器、すなわち
半同軸キヤビテイ４と、負荷ここでは回路の特性
インピーダンスとの結合量で決まるいわゆる負荷
Ｑ（LOADED Ｑ）により決まる。
第２図は第１図の半同軸キヤビテイ４に使われ
る従来の半同軸キヤビテイの断面構造図を示す。
第２図において、１０は半同軸キヤビテイ外部導
体、１１はネジにより上下させることができる共
振棒、１２に共振棒１１と外部回路とを容量結合
させるための結合板、１３は外部回路との結合用
同軸線路である。
る従来の半同軸キヤビテイの断面構造図を示す。
第２図において、１０は半同軸キヤビテイ外部導
体、１１はネジにより上下させることができる共
振棒、１２に共振棒１１と外部回路とを容量結合
させるための結合板、１３は外部回路との結合用
同軸線路である。
第３図は第２図に示す半同軸キヤビテイの等化
回路を示す。第３図において、ICは同軸線路１
３の中心導体、OCは同じく外部導体、Ｃ１は共
振棒１１と結合板１２との間の容量、Ｃ２は半同
軸キヤビテイ外部導体１０と結合板１２との間の
容量、Ｃ３は共振棒１１の半同軸キヤビテイ外部
導体１０との間の容量、Ｌは共振棒１１の半同軸
キヤビテイ内部の長さに関連して決まるインダク
タンスである。ここで、遅延等化器の場合には、
通常負荷Ｑを変える必要があるが、第２図に示す
構造では、共振周波数を変えたときの遅延特性の
変化は第４図に示すように、共振周波数が低い方
でＱが低くなる特性であり、逆に特性、すなわち
共振周波数が低い方でＱが高くなる第５図のよう
な特性が必要な場合には適応しない欠点があつ
た。
回路を示す。第３図において、ICは同軸線路１
３の中心導体、OCは同じく外部導体、Ｃ１は共
振棒１１と結合板１２との間の容量、Ｃ２は半同
軸キヤビテイ外部導体１０と結合板１２との間の
容量、Ｃ３は共振棒１１の半同軸キヤビテイ外部
導体１０との間の容量、Ｌは共振棒１１の半同軸
キヤビテイ内部の長さに関連して決まるインダク
タンスである。ここで、遅延等化器の場合には、
通常負荷Ｑを変える必要があるが、第２図に示す
構造では、共振周波数を変えたときの遅延特性の
変化は第４図に示すように、共振周波数が低い方
でＱが低くなる特性であり、逆に特性、すなわち
共振周波数が低い方でＱが高くなる第５図のよう
な特性が必要な場合には適応しない欠点があつ
た。
本発明は、前記欠点を改善し、遅延特性が半同
軸共振器の共振周波数を下げたときには、負荷Ｑ
が高くなり、また共振周波数を上げたときには、
負荷Ｑが低くなる特性を有する半同軸キヤビテイ
を提供することを目的とする。
軸共振器の共振周波数を下げたときには、負荷Ｑ
が高くなり、また共振周波数を上げたときには、
負荷Ｑが低くなる特性を有する半同軸キヤビテイ
を提供することを目的とする。
本発明は、半同軸キヤビテイにおいて、共振棒
の先端に空〓が形成され、この半同軸キヤビテイ
の共振周波数が低い値に調節された状態で、遅延
特性が大きくなるように、結合板がこの空〓の内
部に収容される構造を備えたことを特徴とする。
の先端に空〓が形成され、この半同軸キヤビテイ
の共振周波数が低い値に調節された状態で、遅延
特性が大きくなるように、結合板がこの空〓の内
部に収容される構造を備えたことを特徴とする。
上記空隙は共振棒の先端が結合板を収容可能な
穿設された空洞であるか、または嵌着された環状
金属片により形成されることが好ましい。
穿設された空洞であるか、または嵌着された環状
金属片により形成されることが好ましい。
次に本発明の実施例について、図面を参照して
説明する。
説明する。
第６図は本発明第一実施例半同軸キヤビテイの
断面構造図である。第６図において、第２図に示
す半同軸キヤビテイの構造部分と対応する部分に
は同一符号をつけて示す。本実施例の特徴ある構
成は、共振棒１４の構造であつて、その先端１４
ａが結合板１２を収容することができる空洞にな
つているところにある。この第６図に示す半同軸
キヤビテイの等価回路は第２図に示す半同軸キヤ
ビテイと同様第３図に示される。
断面構造図である。第６図において、第２図に示
す半同軸キヤビテイの構造部分と対応する部分に
は同一符号をつけて示す。本実施例の特徴ある構
成は、共振棒１４の構造であつて、その先端１４
ａが結合板１２を収容することができる空洞にな
つているところにある。この第６図に示す半同軸
キヤビテイの等価回路は第２図に示す半同軸キヤ
ビテイと同様第３図に示される。
いま、半同軸キヤビテイをある共振周波数のと
き、共振棒１４と結合板１２の位置関係が第６図
に示すように調整したとする。このとき、第３図
に示される容量Ｃ１は大きく負荷Ｑは低くなる。
次にこの共振周波数を下げると、結合板１２は共
振棒１４の空洞の中に入り第３図に示される容量
Ｃ１は小さくなるため、負荷Ｑが高くなり、第５
図の遅延特性を示す。
き、共振棒１４と結合板１２の位置関係が第６図
に示すように調整したとする。このとき、第３図
に示される容量Ｃ１は大きく負荷Ｑは低くなる。
次にこの共振周波数を下げると、結合板１２は共
振棒１４の空洞の中に入り第３図に示される容量
Ｃ１は小さくなるため、負荷Ｑが高くなり、第５
図の遅延特性を示す。
第７図は本発明第二実施例半同軸キヤビテイの
断面構造図である。第７図において、第２図に示
す半同軸キヤビテイの構成部分と対応する部分に
は同一符号をつけて示す。本実施例の特徴ある構
成は、共振棒１１の先端に結合板１２を収容する
ことができるナツト状金属１５を螺着したところ
にある。第７図に示す半同軸キヤビテイの等価回
路は、第２図に示す半同軸キヤビテイと同様第３
図に示される。
断面構造図である。第７図において、第２図に示
す半同軸キヤビテイの構成部分と対応する部分に
は同一符号をつけて示す。本実施例の特徴ある構
成は、共振棒１１の先端に結合板１２を収容する
ことができるナツト状金属１５を螺着したところ
にある。第７図に示す半同軸キヤビテイの等価回
路は、第２図に示す半同軸キヤビテイと同様第３
図に示される。
いま、半同軸キヤビテイをある共振周波数のと
き、ナツト状金属１５と結合板１２の位置関係が
第７図に示すように調整すれば、第３図に示され
る容量Ｃ１は大きく、負荷Ｑは低くなる。次にこ
の共振周波数を下げると、結合板１２はナツト状
金属１５の中に入り、第３図に示される容量Ｃ１
は小さくなるため、負荷Ｑが高くなり、第５図の
遅延特性を示す。
き、ナツト状金属１５と結合板１２の位置関係が
第７図に示すように調整すれば、第３図に示され
る容量Ｃ１は大きく、負荷Ｑは低くなる。次にこ
の共振周波数を下げると、結合板１２はナツト状
金属１５の中に入り、第３図に示される容量Ｃ１
は小さくなるため、負荷Ｑが高くなり、第５図の
遅延特性を示す。
第８図は本発明第三実施例半同軸キヤビテイの
断面構造図である。第８図において、第６図に示
す半同軸キヤビテイの構成部分と対応する部分に
は同一符号をつけて示す。本実施例の特徴ある構
成は、先端が空洞に形成された第６図の共振棒１
４を空洞の内部を広げて結合板１２に対向する空
洞の開口部を狭めた形状の共振棒１６にすること
にある。
断面構造図である。第８図において、第６図に示
す半同軸キヤビテイの構成部分と対応する部分に
は同一符号をつけて示す。本実施例の特徴ある構
成は、先端が空洞に形成された第６図の共振棒１
４を空洞の内部を広げて結合板１２に対向する空
洞の開口部を狭めた形状の共振棒１６にすること
にある。
第９図は本発明第四実施例半同軸キヤビテイの
断面構造図である。第９図において、第７図に示
す半同軸キヤビテイの構成部分と対応する部分に
は、同一符号をつけて示す。本実施例の特徴ある
構成は、第７図のナツト状金属１５を結合板１２
に対向する開口部を狭めた形状の共振棒１７にす
ることにある。
断面構造図である。第９図において、第７図に示
す半同軸キヤビテイの構成部分と対応する部分に
は、同一符号をつけて示す。本実施例の特徴ある
構成は、第７図のナツト状金属１５を結合板１２
に対向する開口部を狭めた形状の共振棒１７にす
ることにある。
第８図および第９図に示すように空洞またはナ
ツト状金属の開口部を狭めることにより、半同軸
キヤビテイの共振周波数を変えたときの負荷Ｑの
変化の割合を急峻にすることができる。
ツト状金属の開口部を狭めることにより、半同軸
キヤビテイの共振周波数を変えたときの負荷Ｑの
変化の割合を急峻にすることができる。
本発明は、以上説明したように、共振棒の先端
を空洞にし、共振棒に対向する側から結合板が前
記空洞の中に入るように構成し、または共振棒の
先端に結合容量調整用のナツト状金属を嵌着し、
共振棒に対向する側から結合板が前記ナツト状金
属の中に入るように構成することにより、半同軸
キヤビテイの共振周波数を下げたときには、大き
な遅延特性が得られ、共振周波数を上げたときに
は、小さな遅延特性を得ることができる優れた効
果がある。
を空洞にし、共振棒に対向する側から結合板が前
記空洞の中に入るように構成し、または共振棒の
先端に結合容量調整用のナツト状金属を嵌着し、
共振棒に対向する側から結合板が前記ナツト状金
属の中に入るように構成することにより、半同軸
キヤビテイの共振周波数を下げたときには、大き
な遅延特性が得られ、共振周波数を上げたときに
は、小さな遅延特性を得ることができる優れた効
果がある。
特に上記空洞またはナツト状金属の開口部を狭
めて構成することにより、半同軸キヤビテイの共
振周波数を変えたときの負荷Ｑの変化の割合を急
峻にすることができる。
めて構成することにより、半同軸キヤビテイの共
振周波数を変えたときの負荷Ｑの変化の割合を急
峻にすることができる。
第１図は本発明の関るキヤビテイを使用する回
路例の概略図。第２図は従来の半同軸キヤビテイ
の断面構造図。第３図は第２図に示す半同軸キヤ
ビテイの電気的等価回路図。第４図は従来の半同
軸キヤビテイを用いたときの遅延特性図。第５図
は本発明による半同軸キヤビテイを用いたときの
遅延特性図。第６図は本発明第一実施例半同軸キ
ヤビテイの断面構造図。第７図は本発明第二実施
例半同軸キヤビテイの断面構造図。第８図は本発
明第三実施例半同軸キヤビテイの断面構造図。第
９図は本発明第四実施例の断面構造図。 １…信号入力端子、２…信号出力端子、３…サ
ーキユレータ、４…共振器、１０…キヤビテイ外
部導体、１１…共振棒、１２…結合板、１３…結
合用同軸線路、１４…先端が空洞になつている共
振棒、１５…ナツト状金属、１６…空洞の部分が
開口部で狭められた共振棒、１７…内部が開口部
で狭められたナツト状金属。
路例の概略図。第２図は従来の半同軸キヤビテイ
の断面構造図。第３図は第２図に示す半同軸キヤ
ビテイの電気的等価回路図。第４図は従来の半同
軸キヤビテイを用いたときの遅延特性図。第５図
は本発明による半同軸キヤビテイを用いたときの
遅延特性図。第６図は本発明第一実施例半同軸キ
ヤビテイの断面構造図。第７図は本発明第二実施
例半同軸キヤビテイの断面構造図。第８図は本発
明第三実施例半同軸キヤビテイの断面構造図。第
９図は本発明第四実施例の断面構造図。 １…信号入力端子、２…信号出力端子、３…サ
ーキユレータ、４…共振器、１０…キヤビテイ外
部導体、１１…共振棒、１２…結合板、１３…結
合用同軸線路、１４…先端が空洞になつている共
振棒、１５…ナツト状金属、１６…空洞の部分が
開口部で狭められた共振棒、１７…内部が開口部
で狭められたナツト状金属。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 中空の外部導体と、 前記外部導体に前記導体内部を変位可能に挿通
された共振棒と、 前記共振棒の先端に対向して前記外部導体に取
付けられ信号伝送回路に結合される結合用同軸線
路と、 前記結合用同軸線路に結合され前記共振棒の先
端に対向して前記共振棒と前記信号伝送回路とを
容量結合させる結合板と を備えた半同軸キヤビテイにおいて、 前記共振棒が変位され低い共振周波数に調節さ
れた状態で遅延特性が大きくなるように、前記共
振棒の先端に前記結合板をその内部に収容可能な
空〓が形成された ことを特徴とする半同軸キヤビテイ。 ２ 空〓は共振棒の先端に穿設された空洞である
特許請求の範囲第１項に記載の半同軸キヤビテ
イ。 ３ 空〓は共振棒の先端に嵌着する環状金属片に
より形成された特許請求の範囲第１項に記載の半
同軸キヤビテイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9326583A JPS59218003A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 半同軸キヤビテイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9326583A JPS59218003A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 半同軸キヤビテイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59218003A JPS59218003A (ja) | 1984-12-08 |
| JPH0117282B2 true JPH0117282B2 (ja) | 1989-03-29 |
Family
ID=14077645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9326583A Granted JPS59218003A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 半同軸キヤビテイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59218003A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6436102A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-07 | Nec Corp | Semi-coaxial cavity |
-
1983
- 1983-05-25 JP JP9326583A patent/JPS59218003A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59218003A (ja) | 1984-12-08 |
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