JPS63245001A - バイアス回路 - Google Patents
バイアス回路Info
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- JPS63245001A JPS63245001A JP7612487A JP7612487A JPS63245001A JP S63245001 A JPS63245001 A JP S63245001A JP 7612487 A JP7612487 A JP 7612487A JP 7612487 A JP7612487 A JP 7612487A JP S63245001 A JPS63245001 A JP S63245001A
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- coil
- frequency
- bias circuit
- transmission line
- circuit
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Links
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- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 13
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 3
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、伝送線路を伝送される信号の周波数の広帯
域化を図ったバイアス回路に関するものである。
域化を図ったバイアス回路に関するものである。
ダイオードスイッチ、ダイオードリミッタ等の回路では
、伝送線路中に実装された半導体素子にバイアス電流、
電圧を印加する必要があるため、バイアス回路が必要と
なる。
、伝送線路中に実装された半導体素子にバイアス電流、
電圧を印加する必要があるため、バイアス回路が必要と
なる。
この場合のバイアス回路として留意すべき点は、伝送線
路を伝搬させる信号に対して、十分大きなインピーダン
スを持たせ、何ら悪影響を与えないようにすることであ
り、低い周波数まで使用できる空心のコイルを用いたバ
イアス回路が一般である。
路を伝搬させる信号に対して、十分大きなインピーダン
スを持たせ、何ら悪影響を与えないようにすることであ
り、低い周波数まで使用できる空心のコイルを用いたバ
イアス回路が一般である。
第８図（ａ）、（ｂ）は従来のバイアス回路の構成を示
す側面図およびその等価回路図である。
す側面図およびその等価回路図である。
この図において、１は誘電体基板、２は接地導体、３は
例えばマイクロストリップラインからなる伝送線路、４
はバイアス供給用の空心コイルで、例えば５０μｍφの
ウレタン線等の細線をふっ素樹脂等の支持棒に巻きつけ
た後に支持棒を抜くことにより形成される。５はバイパ
スコンデンサ、６はバイアス供給端、７ははんだである
。
例えばマイクロストリップラインからなる伝送線路、４
はバイアス供給用の空心コイルで、例えば５０μｍφの
ウレタン線等の細線をふっ素樹脂等の支持棒に巻きつけ
た後に支持棒を抜くことにより形成される。５はバイパ
スコンデンサ、６はバイアス供給端、７ははんだである
。
第８図（ａ）に示されるように、従来のバイアス回路は
、空心コイル４の一端を誘電体基板１上に形成された伝
送線路３にはんだ７によって接続し、他端をバイアス供
給端６に接続するとともにバイパスコンデンサ５を介し
て接地導体２に接地すことにより構成されている。
、空心コイル４の一端を誘電体基板１上に形成された伝
送線路３にはんだ７によって接続し、他端をバイアス供
給端６に接続するとともにバイパスコンデンサ５を介し
て接地導体２に接地すことにより構成されている。
しかし、上記のように構成された従来のバイアス回路で
は、第８図（ｂ）の等価回路図に示すように、空心コイ
ル４の自己インダクタンスＬと空心コイル４の巻線と接
地導体２間に生じる容量Ｃとによってω＝１／Ｔτでの
周波数で共振を起し、この周波数で伝送線路３からバイ
アス回路を見たインピーダンスが小さくなるため、伝送
線路３を伝送される信号が反射され、挿入損失、ＶＳＷ
Ｒ（定在波比）が劣化する。
は、第８図（ｂ）の等価回路図に示すように、空心コイ
ル４の自己インダクタンスＬと空心コイル４の巻線と接
地導体２間に生じる容量Ｃとによってω＝１／Ｔτでの
周波数で共振を起し、この周波数で伝送線路３からバイ
アス回路を見たインピーダンスが小さくなるため、伝送
線路３を伝送される信号が反射され、挿入損失、ＶＳＷ
Ｒ（定在波比）が劣化する。
例えば、５０μｍφのウレタン線を用いて内径０．３ｍ
ｍ、巻数２０回で作った空心コイル４をバイアス回路で
使用し、長さ３０ｍｍのマイクロストリップ線路に実装
した場合、上記のようなり、 Ｃの共振によって周波数
−挿入損失特性および周波数−反射減衰量特性が第９図
（ａ）、（ｂ）に示すようになり、５ＧＨｚ付近で共振
を起こす。このため、伝送線路３を伝送される信号の周
波数の範囲が制限されてしまうという問題点があった。
ｍ、巻数２０回で作った空心コイル４をバイアス回路で
使用し、長さ３０ｍｍのマイクロストリップ線路に実装
した場合、上記のようなり、 Ｃの共振によって周波数
−挿入損失特性および周波数−反射減衰量特性が第９図
（ａ）、（ｂ）に示すようになり、５ＧＨｚ付近で共振
を起こす。このため、伝送線路３を伝送される信号の周
波数の範囲が制限されてしまうという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、伝送される信号の周波数の範囲を広くとれるバイ
アス回路を得ることを目的とする。
ので、伝送される信号の周波数の範囲を広くとれるバイ
アス回路を得ることを目的とする。
この発明に係るバイアス回路は、コイル内にマイクロ波
吸収体を設けて広い周波数にわたってコイルのＱを下げ
たものである。
吸収体を設けて広い周波数にわたってコイルのＱを下げ
たものである。
この発明においては、マイクロ波吸収体によりて抵抗成
分が付加され、コイルのＱが下がることにより共振が生
じなくなる。
分が付加され、コイルのＱが下がることにより共振が生
じなくなる。
（実施例〕
第１図はこの発明のバイアス回路の一実施例の構成を示
す上面図および側面図である。
す上面図および側面図である。
この図において、第８図（ａ）、（ｂ）と同一符号は同
一部分を示し、４ａはバイアス供給用のコイル、８はマ
イクロ波吸収体である。
一部分を示し、４ａはバイアス供給用のコイル、８はマ
イクロ波吸収体である。
この発明のバイアス回路も第８図（ａ）、（ｂ）に示し
たバイアス回路とほぼ同様の構成であるが、コイル４ａ
の内部にマイクロ波吸収体８を挿入している点が異なる
。
たバイアス回路とほぼ同様の構成であるが、コイル４ａ
の内部にマイクロ波吸収体８を挿入している点が異なる
。
以下詳細に説明する。
伝送線路３からみたコイル４ａのインピーダンスは、伝
送する周波数（例えば２〜２？３ＧＨｚ）の範囲におい
て伝送線路３の特性インピーダンス（例えば５０Ω）に
くらべて無視できる程度に大きくなければならない。こ
のためコイル４ａの巻数を、伝送する最低周波数（２Ｇ
Ｈｚ）でインピーダンスが十分大きくなるように決める
必要があり、また、コイル４ａの内径は伝送される最高
周波数（２６ＧＨｚ）においてもコイル４ａが集中定数
とみなしつるほど十分に小さくなるように決める必要が
ある。
送する周波数（例えば２〜２？３ＧＨｚ）の範囲におい
て伝送線路３の特性インピーダンス（例えば５０Ω）に
くらべて無視できる程度に大きくなければならない。こ
のためコイル４ａの巻数を、伝送する最低周波数（２Ｇ
Ｈｚ）でインピーダンスが十分大きくなるように決める
必要があり、また、コイル４ａの内径は伝送される最高
周波数（２６ＧＨｚ）においてもコイル４ａが集中定数
とみなしつるほど十分に小さくなるように決める必要が
ある。
このような条件を満足させるために、この実施例では従
来と同様に５０μｍφのウレタン線を内径０．３■で２
０回巻くことによってコイル４ａを作成しており、この
コイル４ａ自身は約５ＧＨ２の周波数で共振する。
来と同様に５０μｍφのウレタン線を内径０．３■で２
０回巻くことによってコイル４ａを作成しており、この
コイル４ａ自身は約５ＧＨ２の周波数で共振する。
このため、ここでは最も大きな効果を期待できる約５Ｇ
Ｈｚで大きな減衰量を持つマイクロ波吸収体８をコイル
４ａの空心部分へ挿入している。
Ｈｚで大きな減衰量を持つマイクロ波吸収体８をコイル
４ａの空心部分へ挿入している。
ここで、マイクロ波吸収体８としては、フェライト、鉄
等の磁性材料を主成分とし、マイクロ波帯の信号に対し
て大きな減衰量を持つものが用いられる。
等の磁性材料を主成分とし、マイクロ波帯の信号に対し
て大きな減衰量を持つものが用いられる。
すなわち、このようにマイクロ波吸収体８をコイル４ａ
の内部に挿入することによってコイル４ａを伝送される
信号が磁界による制限を受ける。このため、その等価回
路は第２図に示すようになり、第８図（ｂ）に示した等
価回路に対して抵抗成分Ｒを付加してＱを下げたことに
なる。
の内部に挿入することによってコイル４ａを伝送される
信号が磁界による制限を受ける。このため、その等価回
路は第２図に示すようになり、第８図（ｂ）に示した等
価回路に対して抵抗成分Ｒを付加してＱを下げたことに
なる。
第３図（ａ）、（ｂ）はこの実施例を前述のような長さ
３０＋ａｍのマイクロストリップ線路に実装した場合に
おける周波数−挿入損失特性および周波数−反射減衰量
特性を示す図であり、これらの図から明らかなように、
バイアス回路の共振の影響が除去されて、２〜２６ＧＨ
ｚにわたって、挿入損失および反射減衰量がほぼ平坦と
なっている。したがって、この発明のバイアス回路では
、伝送線路を伝送される信号の周波数の範囲が制限され
なくなり、応用範囲が広く、例えば第４図に示すような
ＰＩＮダイオードスイッチや第５図に示すようなバイア
スネットワーク等の他、種々の高周波回路に使用するこ
とが可能になる。
３０＋ａｍのマイクロストリップ線路に実装した場合に
おける周波数−挿入損失特性および周波数−反射減衰量
特性を示す図であり、これらの図から明らかなように、
バイアス回路の共振の影響が除去されて、２〜２６ＧＨ
ｚにわたって、挿入損失および反射減衰量がほぼ平坦と
なっている。したがって、この発明のバイアス回路では
、伝送線路を伝送される信号の周波数の範囲が制限され
なくなり、応用範囲が広く、例えば第４図に示すような
ＰＩＮダイオードスイッチや第５図に示すようなバイア
スネットワーク等の他、種々の高周波回路に使用するこ
とが可能になる。
また、第６図はコイル４ａ内に挿入するマイクロ波吸収
体８の長さを第７図に示すように、コイｌ ２ ル４ａの全長りに対して−Ｌ、−Ｌ、Ｌと変化させた場
合の周波数−挿入損失特性を示す図であり、マイクロ波
吸収体８をコイル４ａの全長にわたって挿入したものが
最も伝送損失の改善効果が大きいことが示されている。
体８の長さを第７図に示すように、コイｌ ２ ル４ａの全長りに対して−Ｌ、−Ｌ、Ｌと変化させた場
合の周波数−挿入損失特性を示す図であり、マイクロ波
吸収体８をコイル４ａの全長にわたって挿入したものが
最も伝送損失の改善効果が大きいことが示されている。
（発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、低い周波数の信号まで
使用できるコイル内にマイクロ波吸収体を設けて、広い
周波数にわたってコイルのＱを下げたので、特定の周波
数での共振が生じなくなり、伝送線路を伝送される信号
の周波数が制限されなくなり広帯域化を図れるという効
果がある。
使用できるコイル内にマイクロ波吸収体を設けて、広い
周波数にわたってコイルのＱを下げたので、特定の周波
数での共振が生じなくなり、伝送線路を伝送される信号
の周波数が制限されなくなり広帯域化を図れるという効
果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明のバイアス回路の一実
施例の構成を示す上面図および側面図、第２図はこの発
明のバイアス回路の等価回路を示す図、第３図（ａ）、
（ｂ）はこの発明のバイアス回路における周波数−挿入
損失特性および周波数−反射減衰量特性を示す図、第４
図、第５図はこの発明の応用例を示す図、第６図はコイ
ル内に挿入するマイクロ波吸収体の挿入量を変化させた
場合の周波数−挿入損失特性を示す図、第７図はコイル
内へのマイクロ波吸収体の挿入を説明するための図、第
８図（ａ）、（ｂ）は従来のバイアス回路の構成を示す
側面図および等価回路図、第９図（ａ）、（ｂ）は従来
のバイアス回路における周波数−挿入損失特性および周
波数−反射減衰量特性を示す図である。 図中、１は誘電体基板、２は接地導体、３は伝送線路、
４ａはコイル、５はバイパスコンデンサ、６はバイアス
供給端、７ははんだ、８はマイ第１図 第２図 第３図 （ａ） 一周Ｓ数（ＧＨｚ） （ｂ） 一周渡歇（ＧＨｚ） 第４図 第５図 第６図 −Ｍ浪数（ＧＨｚ） 第７図 第８図 （ａ） ム
施例の構成を示す上面図および側面図、第２図はこの発
明のバイアス回路の等価回路を示す図、第３図（ａ）、
（ｂ）はこの発明のバイアス回路における周波数−挿入
損失特性および周波数−反射減衰量特性を示す図、第４
図、第５図はこの発明の応用例を示す図、第６図はコイ
ル内に挿入するマイクロ波吸収体の挿入量を変化させた
場合の周波数−挿入損失特性を示す図、第７図はコイル
内へのマイクロ波吸収体の挿入を説明するための図、第
８図（ａ）、（ｂ）は従来のバイアス回路の構成を示す
側面図および等価回路図、第９図（ａ）、（ｂ）は従来
のバイアス回路における周波数−挿入損失特性および周
波数−反射減衰量特性を示す図である。 図中、１は誘電体基板、２は接地導体、３は伝送線路、
４ａはコイル、５はバイパスコンデンサ、６はバイアス
供給端、７ははんだ、８はマイ第１図 第２図 第３図 （ａ） 一周Ｓ数（ＧＨｚ） （ｂ） 一周渡歇（ＧＨｚ） 第４図 第５図 第６図 −Ｍ浪数（ＧＨｚ） 第７図 第８図 （ａ） ム
Claims (1)
- その一端が伝送線路に接続されるバイアス供給用のコ
イルを有し、前記コイルの他端をバイアス供給端または
直接接地端とするバイアス回路において、前記コイル内
にマイクロ波吸収体を設けて広い周波数にわたって前記
コイルのＱを下げたことを特徴とするバイアス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7612487A JPS63245001A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | バイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7612487A JPS63245001A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | バイアス回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63245001A true JPS63245001A (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=13596173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7612487A Pending JPS63245001A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | バイアス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63245001A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63279601A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Tokyo Keiki Co Ltd | 高周波伝送線路用バイアス回路 |
| JPH0358019U (ja) * | 1989-10-12 | 1991-06-05 | ||
| US5495217A (en) * | 1994-06-30 | 1996-02-27 | Philips Electronics North America Corporation | Compact hybrid microwave choke |
| WO2014050616A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 北川工業株式会社 | ノイズフィルタ付バスバー装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52132656A (en) * | 1976-04-28 | 1977-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | Strip line type micro wave control circuit |
| JPS5797201A (en) * | 1980-12-09 | 1982-06-16 | Fujitsu Ltd | Integrated circuit for microwave |
| JPS621404B2 (ja) * | 1978-07-08 | 1987-01-13 | Bayer Ag |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP7612487A patent/JPS63245001A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52132656A (en) * | 1976-04-28 | 1977-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | Strip line type micro wave control circuit |
| JPS621404B2 (ja) * | 1978-07-08 | 1987-01-13 | Bayer Ag | |
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| CN104170194A (zh) * | 2012-09-28 | 2014-11-26 | 北川工业株式会社 | 带有噪声滤波器的汇流条装置 |
| US9331657B2 (en) | 2012-09-28 | 2016-05-03 | Kitagawa Industries Co., Ltd. | Bus bar with noise filter |
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