JPS63279601A

JPS63279601A - 高周波伝送線路用バイアス回路

Info

Publication number: JPS63279601A
Application number: JP62114330A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Tsuruoka; 勉鶴岡; Kazutaka Suzuki; 一孝鈴木
Original assignee: Tokyo Keiki Co Ltd
Current assignee: Tokyo Keiki Inc
Priority date: 1987-05-11
Filing date: 1987-05-11
Publication date: 1988-11-16
Anticipated expiration: 2013-03-25
Also published as: JP2730717B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、マイクロ波回路における高周波伝送線路用バ
イアス回路に関する。

［従来の技術］従来、この種の高周波伝送線路用バイアス回路としては
、例えば第７図および第８図に示すようなものがある。

第７図は、従来のバイアス回路の主要部の平面図であり
、第８図は、第７図の■−■線からみた断面図である。

両図から分かるように、背面に接地導体１６を有する誘
電体基板２上に設けられたマイクロストリップ線路Ｃ高
周波伝送線路）４への電力の供給は、給電線１４から銅
または金のコイル８を介して行われる。すなわち、コイ
ル８の一端６は線路４に接続され、その他端ｌＯは電極
１３において給電線１４の一端と接続される。ＴＬ極１
３．誘電体１５および接地導体１６は、バイパスコンデ
ンサ１２を構成する。コイル８の他端ｌＯは直接接地さ
れることもある。

このような従来のバイアス回路において、コイル８をバ
イアス線として使用するためには、コイル８のインピー
ダンスは、線路４の特性インピーダンス（例えば５０Ω
）より充分大きな値を有する必要がある。そのために、
コイル８の長さを長くしている。

［発明が解決しようとする問題点］しかしながら、コイルのインピーダンスを増加させるた
めにコイルの巻き数を増すと、必然的にコイルが長くな
り、その結果、第８図に示すようにコイル８と接地導体
１６との間に分布容量Ｃか発生し、自己共振が起こる。

この共振によりエネルギーの吸収が生じ、共振周波数に
おいて伝送線路の伝送損失が増大する。

この従来技術の欠点は、特に、広帯域のバイアス回路を
実現するうえで問題となる。

したかって、本発明の目的は、広帯域のマイクロ波伝送
に好適な高周波伝送線路用バイアス回路を提供すること
にある。

［問題点を解決するための手段］本発明は、上記従来技術の問題点に着目してなされたも
のであり、その構成は。

バイアス線としてコイルを用い、該コイルの一端が、背
面に接地導体を有する誘電体基板上に設けられた高周波
伝送線路に接続され、他端が基準電位に接続された高周
波伝送線路用バイアス回路において。

上記コイルの伝送線路側の巻き始め部分の少なくとも数
ターンを上記高周波伝送線路の上部に位置させることを
特徴とする。

勿論、本発明の一実施態様として、上記コイルは、その
ほぼ全体を上記高周波伝送線路の上部に位置させること
もてきる。

また、他の実施態様として上記伝送線路側の巻き始め部
分のコイルの引出し線の長さをほぼＯにすることもでき
る。

本発明において、基準電位側のコイル端部の引出し線に
よる分布容量の発生を抑えるために、その接続点を誘電
体基板の内方に入り込む形で設けてもよい。

本発明の他の実施態様として、上記コイルは。

高抵抗率の抵抗材料を用いて形成することができる。こ
の高抵抗率の抵抗材料には、例えば、コンスタンタンあ
るいはニクロムを用いることができる。高抵抗率の抵抗
材料は、これらに限らず、コイルとして整形可能であり
高抵抗率のものであれば利用可能である・なお、本明細書において、「基準電位」なる語は電源電
位のみならず接地電位をも含むものとする。

［作用］本発明では、共振の原因となるコイルと接地導体との間
の分布容量を減少させるために、コイルの配置位置を工
夫したものである。すなわち、コイルと接地導体の間に
伝送線路が介挿されるようにコイルの位置決めを行うこ
とにより、分布容量を減少させたものである。

分布容量による共振はコイルの伝送線路側の巻き始め部
分の影響を最も受けやすいことが経験的に確かめられた
ので、伝送線路側の巻き始め部分の少なくとも数ターン
が伝送線路の上に位置するようにコイルを実装するだけ
でも相当の効果を得ることができる。コイルの伝送線路
側の引出し線の長さは０に近いほど分布容量を減少させ
、共振の現われる周波数を高くし、結果として広帯域の
バイアス回路が得られることが確認された。

上記構成に加えて、さらに、バイアス回路のコイルを高
抵抗率の抵抗材料で構成してコイル自身のＱを小さくす
れば、共振が発生したとしてもその共振によるエネルギ
ー損失を低減することができる。

［実施例］以下、第１図ないし第６図を参照して本発明の実施例に
ついて詳細に説明する。第１図ないし第４図において、
従来の構成要素と同様の構成要素には同一の参照番号を
付しである。

まず、第１図ないし第４図を参照して本発明の詳細な説
明する。

く第１実施例〉第１図は、本発明に係るバイアス回路の第１実施例の平
面図であり、第２図は、■−■線からみた第１図のバイ
アス回路の断面図である。

両図から分かるように、この実施例は、コイル８のほぼ
全体を伝送線路４上に平行に配置したものである。

コイル８の一端６の引出し線の長さは、はぼ０となるよ
うにする。コイル８は伝送線路４に接触しないように、
伝送線路４から０．１ｍｓ以上離す。

また、コイル８の他端１０の引出し線の長さを短くする
ために、誘電体基板２に切込み１１を設けて、この切込
み１１内にコンデンサ１２を形成する。

この第１実施例の構成てはコイル８と接地導体１６との
間に伝送線路４が介挿されることになるので、コイル８
と接地導体１６との間の分布容量の発生が最小限に抑制
される。その結果、バイアス回路の自己共振が抑えられ
る。

〈他の実臘例〉第３図および第４図に、それぞれ本発明の他の実施例の
平面図を示す０両図において、接地導体は省略しである
。

第３図および第４図の実施例は、コイル８の全体を伝送
線路４の上に配置した第１実施例と異なり、コイル８の
伝送線路４側の巻き初めの少なくと６２．３ターンが伝
送線路４の上に位置するようにしたものである。第３図
のコイル８はほぼ直線状であるのに対し、第４図のコイ
ル８は曲線状である点が異なる。

上述のように、分布容量による共振はコイル８の伝送線
路側の巻き始め部分の影響を最も受けやすいので、これ
らの実施例では、第１実施例による効果には及ばないま
でも、分布容量による共振を抑制することができる。

上述したように、第１図のコイル８を高抵抗率の抵抗材
料で構成してコイル自身のＱを小さくすることにより、
共振によるエネルギー損失を低減することができる。

高抵抗率の抵抗材料としては、銅・ニッケル合金（たと
えば商品名コンスタンタンとして知られている銅５５ｚ
、ニッケル４５ｚの合金は約４８μΩＣ■の高抵抗率を
有する）やニクロム（抵抗率的１００　ＪＪ。

００ｍ）が挙げられる。加工の容易さ、半田付は性等を
考慮すると、コンスタンタンが好適である。

ただし、半田付は以外の接続方法を採用する場合、たと
えば、導電性接着剤を用いる場合には、半田付は性は問
題にならない。

最後に、本願第１および第２発明を採用したバイアス回
路と従来のバイアス回路とについて、それぞれ伝送損失
（インサージョンロス）を実測したデータを示す第５図
および第６図を参照して、両者の伝送損失を比較する。

この実験においては、本発明のバイアス回路のコイルと
して線径０．０５■曽のコンスタンタン線を用い、従来
例のコイルとして線径０．０４ｍｍのｉ線を用いた。

第６図の従来例の実測結果では１０１１１１ｚ〜２０Ｇ
Ｈ２の間で６回の共振が起こり、そのうちの３回は損失
が大きく、広帯域バイアス回路としては使用できない、
これに対し、第５図の本発明によるバイアス回路の実測
結果によれば、共振の回数が減少するだけでなく、共振
による伝送損失自体の大きさも減少していることが分か
る。すなわち、共振による損失が３箇所にみられるが、
伝送損失としては、問題なく、広帯域バイアス回路とし
て使用できる。

なお、第５図および第６図における共振による伝送損失
のピーク以外の部分（ベース部分）の損失は、伝送線路
およびコネクタによる損失であり、コイルの付加による
ものではない、また、第５図の右端の伝送損失の増加は
、評価用回路によるものである。

［発明の効果］以上説明したように、本発明によれば、従来のバイアス
回路のバイアス線としてのコイルに簡単な変更を加える
ことにより、共振を抑制して伝送損失を低減し、約１０
０ＭＨｚから２０　Ｇ　Ｈｚ以上にわたる広帯域のバイ
アス回路が実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るバイアス回路の一実施例の平面図
、第２図は、■−■線からみた第１図のバイアス回路の
断面図、第３図および第４図はそれぞれ本発明の他の実
施例の主要部の平面図、第５図および第６図は、それぞ
れ従来例および本発明のバイアス回路の伝送損失の実測
データを示すグラフ、第７図は従来のバイアス回路の主
要部の平面図、第８図は第７図のバイアス回路の頂−■
線からみた断面図である。２・・・誘電体基板　　；　４・・・伝送線路８・・・
コイル　　　　、　１２−・・コンデンサ１６・・・接
地導体

Claims

【特許請求の範囲】

（１）バイアス線としてコイルを用い、該コイルの一端
が、背面に接地導体を有する誘電体基板上に設けられた
高周波伝送線路に接続され、他端が基準電位に接続され
た高周波伝送線路用バイアス回路において、上記コイルの伝送線路側の巻き始め部分の少なくとも数
ターンを上記高周波伝送線路の上部に位置させることを
特徴とする高周波伝送線路用バイアス回路。
（２）上記コイルのほぼ全体を上記高周波伝送線路の上
部に位置させた特許請求の範囲第１項記載の高周波伝送
線路用バイアス回路。
（３）上記伝送線路側の巻き始め部分のコイルの引出し
線の長さをほぼ０にした特許請求の範囲第１項記載の高
周波伝送線路用バイアス回路。
（４）上記コイルは、高抵抗率の抵抗材料を用いて形成
された特許請求の範囲第１項記載の高周波伝送線路用バ
イアス回路。
（５）上記高抵抗率の抵抗材料は、コンスタンタンであ
る特許請求の範囲第４項記載の高周波用伝送線路用バイ
アス回路。
（６）上記高抵抗率の抵抗材料は、ニクロムである特許
請求の範囲第４項記載の高周波用伝送線路用バイアス回
路。