JPS59215731A - 酸化珪素被膜作製方法 - Google Patents
酸化珪素被膜作製方法Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は光化学反応を用いた気相反応方法(以下光C
VD法という)により酸化珪素被膜を作製する方法に関
する。
VD法という)により酸化珪素被膜を作製する方法に関
する。
この発明は水銀増感法を用いることなしに光化学反応を
行うことにより、基板上に酸化珪素被膜を作製する方法
に関する。
行うことにより、基板上に酸化珪素被膜を作製する方法
に関する。
この発明はポリシランまたはジクロールシランと一酸化
二窒素とを反応せしめ、酸化珪素被膜を50「C以下の
温度好ましくは100〜4ocf’c例えば300′C
で形成する方法に関する。
二窒素とを反応せしめ、酸化珪素被膜を50「C以下の
温度好ましくは100〜4ocf’c例えば300′C
で形成する方法に関する。
従来酸化珪素膜を5ooc以下の温度で作製せんとする
には、グロー放電法を用いたプラズマ気相反応方法によ
りシラン(S iH4)と−酸化二窒素(す)とを反応
せしめ、200〜406Cの基板温度にて被膜を作製し
ていた。しかしかかる酸化珪素膜は、その膜内に残留電
荷を生ずるため、MOS、IC等のファイナル・コーテ
ィングとして用いることができなかった。
には、グロー放電法を用いたプラズマ気相反応方法によ
りシラン(S iH4)と−酸化二窒素(す)とを反応
せしめ、200〜406Cの基板温度にて被膜を作製し
ていた。しかしかかる酸化珪素膜は、その膜内に残留電
荷を生ずるため、MOS、IC等のファイナル・コーテ
ィングとして用いることができなかった。
他方光CVD法によりモノシラン(S I H−、)と
−酸化二窒素との反応により200〜406Cで酸化珪
素被膜を作製する方法が知られている。
−酸化二窒素との反応により200〜406Cで酸化珪
素被膜を作製する方法が知られている。
しかしこの方法においては、水銀増感を行うため、酸化
珪素膜中に混入した水銀、また廃棄物中に混入した水銀
が長期間に人体に悪影響を生ずる可能性を有していた。
珪素膜中に混入した水銀、また廃棄物中に混入した水銀
が長期間に人体に悪影響を生ずる可能性を有していた。
このため実用上において、水銀増感を用いずに酸化珪素
被膜を作製する方法が求められていた。
被膜を作製する方法が求められていた。
本発明はかかる目的のため、即ち水銀増感法を用いるこ
となしに酸化珪素被膜を作製せんとするものである。
となしに酸化珪素被膜を作製せんとするものである。
このため珪化物気体としてポリシラン例えばジシラン(
Si1H,) 、または水素ハロゲン化物として(H3
iCIL) 、トリクロールシラ7 (H5iC1,)
を用イタことを特長としている。
Si1H,) 、または水素ハロゲン化物として(H3
iCIL) 、トリクロールシラ7 (H5iC1,)
を用イタことを特長としている。
以下に図面に従って本発明を記す。
第1図は本発明に用いられた光CVD装置の概要を示す
。
。
図面において、反応容器(真空容器)(1)は石英から
なっている。基板(2)はヒーター(16)上に配設さ
れ、室温〜50♂C好ましくは200〜406C例えば
300’Cに加熱がなされる。水素、ヘリューム、アル
ゴン等の不活性気体または混合気体はバルブ(11)を
へて入り口側(6)より導入され、ガス流(8)のよう
に流れ、排気口(7)より圧力調整バルブ(12) 、
ストップバルブ(13)をへて真空ポンプ(14)より
排気される。基板上方に光エネルギー供給装置が発光源
、ここでは紫外光を低圧水銀灯により作っている。反射
鏡(5)を有し、石英窓(3)の内壁には光CVD法に
よる反応生成物の付着を防ぐため、低蒸気圧オイル(9
)を薄く塗付しである。水銀灯は185nm、 254
nmを含む300nm以下の波長の発光(10)を示す
。かかる光CVD装置において、(6)よりバルブを開
けて反応性気体を導入した。
なっている。基板(2)はヒーター(16)上に配設さ
れ、室温〜50♂C好ましくは200〜406C例えば
300’Cに加熱がなされる。水素、ヘリューム、アル
ゴン等の不活性気体または混合気体はバルブ(11)を
へて入り口側(6)より導入され、ガス流(8)のよう
に流れ、排気口(7)より圧力調整バルブ(12) 、
ストップバルブ(13)をへて真空ポンプ(14)より
排気される。基板上方に光エネルギー供給装置が発光源
、ここでは紫外光を低圧水銀灯により作っている。反射
鏡(5)を有し、石英窓(3)の内壁には光CVD法に
よる反応生成物の付着を防ぐため、低蒸気圧オイル(9
)を薄く塗付しである。水銀灯は185nm、 254
nmを含む300nm以下の波長の発光(10)を示す
。かかる光CVD装置において、(6)よりバルブを開
けて反応性気体を導入した。
以下にその実施例を示す。
実施例1
この実施例はジシランと一酸化二窒素との反応により酸
化珪素被膜を作製せんとしたものである。
化珪素被膜を作製せんとしたものである。
第1図においてヒーター(16)上に珪素基板を配設し
ている。さらにバルブ(11)を開にしてジシランと一
酸化二窒素と9 S i、)l&/ NO〜10として
、導入した。反応容器内圧力は0.1〜10torrの
範囲例えば2torrとした。光強度は0.1〜洲/c
mの範囲ここではIW/c♂とした。基板温度は100
〜50(1’cの範囲、ここでは30σCとした。する
と基板上に酸化珪素を3.1A/秒の成長速度で得るこ
とできた。この被膜の成長速度はモノシランと一酸化二
窒素とを水銀増感法で作る場合の3へ/秒と概略同一の
成長速度を有し、工業的に実用化が可能な範囲である。
ている。さらにバルブ(11)を開にしてジシランと一
酸化二窒素と9 S i、)l&/ NO〜10として
、導入した。反応容器内圧力は0.1〜10torrの
範囲例えば2torrとした。光強度は0.1〜洲/c
mの範囲ここではIW/c♂とした。基板温度は100
〜50(1’cの範囲、ここでは30σCとした。する
と基板上に酸化珪素を3.1A/秒の成長速度で得るこ
とできた。この被膜の成長速度はモノシランと一酸化二
窒素とを水銀増感法で作る場合の3へ/秒と概略同一の
成長速度を有し、工業的に実用化が可能な範囲である。
この被膜成長速度は1torr+O,,1torrとす
ると2.371/秒、0.4A/秒と減少した。
ると2.371/秒、0.4A/秒と減少した。
P型珪素半導体上に本発明方法により酸化珪素被膜を1
000λの厚さに形成させ、C−V特性を測定した。す
ると界面準位密度はlX10cm以下であった。界面準
位1〆IOV 7cmにてヒステリシス特性が見いださ
れ、BDE (0,01cmの面積にて1以上のリー
ク電流の流れる電界強度)は2.YIOV/cmであっ
た。
000λの厚さに形成させ、C−V特性を測定した。す
ると界面準位密度はlX10cm以下であった。界面準
位1〆IOV 7cmにてヒステリシス特性が見いださ
れ、BDE (0,01cmの面積にて1以上のリー
ク電流の流れる電界強度)は2.YIOV/cmであっ
た。
このことより本発明方法による実用化は十分可能であっ
た。
た。
光強度は1105nの発光即ち200nm以下の発光を
行わず、200〜700nmの間の発光では酸化珪素部
、0.3A/秒またはそれ以下であった。
行わず、200〜700nmの間の発光では酸化珪素部
、0.3A/秒またはそれ以下であった。
このことより光源が200nm以下の波長の光を照射す
ることが、ジシランと一酸化二窒素とを用いた光CVD
法において有効であることが判明した。
ることが、ジシランと一酸化二窒素とを用いた光CVD
法において有効であることが判明した。
実施例2
この実施例はジシランと一酸化二窒素との反応により酸
化珪素被膜を作製した。
化珪素被膜を作製した。
実施例1と同様の装置を用いた。基板温度5o6c、圧
力2torr 、光強度lft/cmとした。
力2torr 、光強度lft/cmとした。
この光源を185nmの波長を含む300nm以下の波
長とすることにより、被膜成長速度、2.274/秒を
得ることができた。またこの発光部を200〜300n
mの波長とすることにより、即ち発光源、窓を自然とす
ることにより、被膜成長速度が2.1′A/秒となった
。しかしその減少傾向は実施例1よりも少なく 、25
4nmの波長を含む紫外光照射により十分実用可能な成
長速度であった。
長とすることにより、被膜成長速度、2.274/秒を
得ることができた。またこの発光部を200〜300n
mの波長とすることにより、即ち発光源、窓を自然とす
ることにより、被膜成長速度が2.1′A/秒となった
。しかしその減少傾向は実施例1よりも少なく 、25
4nmの波長を含む紫外光照射により十分実用可能な成
長速度であった。
あって、酸化珪素被膜は電界を加えたIKIOV /:
cmにおいて初めてヒステリシス特性が観察され、実施
例1の珪素基板上に形成された酸化珪素中に珪素クラス
フの存在により電荷捕獲中心が少ないことが判明した。
cmにおいて初めてヒステリシス特性が観察され、実施
例1の珪素基板上に形成された酸化珪素中に珪素クラス
フの存在により電荷捕獲中心が少ないことが判明した。
即ち実施例1において単なるパッシベイション膜として
きわめて有効である。実施例1においては、MIS、F
ETのゲイト絶縁物として有効であり、それぞれを用途
により使いわけるとよいことが判明した。
きわめて有効である。実施例1においては、MIS、F
ETのゲイト絶縁物として有効であり、それぞれを用途
により使いわけるとよいことが判明した。
本発明においてH,5iC1□以外にりiBζ+5tl
lC1,を用いてもよく、これらは によりStと
HCIまたはHBrとにより分解させ、活性珪素を作る
ため、水銀増感法をもちいなくても一酸化二窒素と光化
学反応をおこさしめることが可能であると推定される。
lC1,を用いてもよく、これらは によりStと
HCIまたはHBrとにより分解させ、活性珪素を作る
ため、水銀増感法をもちいなくても一酸化二窒素と光化
学反応をおこさしめることが可能であると推定される。
第1図は本発明方法を実施するための光CVD装置の概
要を示す。 特許出願人 /デ χ1図 手続補正書 1、事件の表示 昭和58年特許願第91279号 2、発明の名称 酸化珪素被膜作製方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都世田谷区北鳥山7丁目21番21号カブシ
キカイシャハントウタイ ケンキュ
ウシコ名称 株式会社半導体エネルギー研究所4、補正
の対象 明細書全文 5、補正の内容 明細書を別紙の通り補正する。 明 細 書 1、発明の名称 酸化珪素被膜作製方法 2、特許請求の範囲 1、ジクロールシラン、ジシランの如きポリシランと一
酸化二窒素との混合反応性気体に、254nmの波長を
含む300nm以下の波長の光を照射することにより、
被形成面上に酸化珪素被膜を作製することを特徴とする
酸化珪素被膜作製方法。 3、発明の詳細な説明。 この発明は光化学反応を用いた気相反応方法(以下光C
VD法という)により酸化珪素被膜を作製する方法に関
する。 この発明は水銀増感法を用いることなしに光化学反応を
行うことにより、基板上に酸化珪素被膜を作製する方法
に関する。 この発明はポリシランまたはジクロールシランと一酸化
二窒素とを反応せしめ、酸化珪素被膜を500℃以下の
温度好ましくは100〜400℃例えば300℃で形成
する方法に関する。 従来酸化珪素膜を500℃以下の温度で作製せんとする
には、グロー放電法を用いたプラズマ気相反応方法によ
りシラン(SiHJと一酸化二窒素(NgO)とを反応
せしめ、200〜400℃の基板温度にて被膜を作製し
ていた。しかしかかる酸化珪素膜は、その膜内に残留電
荷を生ずるため、MOS、IC等のファイナル・コーテ
ィングとして用いることができなかった。 他方光CVD法によりモノシラン(SiL)と−酸化二
窒素との反応により200〜400℃で酸化珪素被膜を
作製する方法が知られている。 しかしこの方法においては、水銀増感を行うため、酸化
珪素膜中に混入した水銀、また廃棄物中に混入した水銀
が長期間に人体に悪影響を生ずる可能性を有していた。 このため実用上において、水銀増感を用いずに酸化珪素
被膜を作製する方法が求められていた。 本発明はかかる目的のため、即ち水銀増感法を用いるこ
となしに酸化珪素被膜を作製せんとするものである。 このため珪化物気体としてポリシラン5tnllz、、
+z(n≧2)例えばジシラン(SiJa)、または水
素ハロゲン化物として(ltzstclz)、トリクロ
ールシラン(H3iCl+)を用いたことを特長として
いる。 以下に図面に従って本発明を記す。 第1図は本発明に用いられた光CVO装置の概要を示す
。 図面において、反応容器(真空容器)(1)は石英から
なっている。基板(2)はヒーター(IC)上に配設さ
れ、室温〜500℃好ましくは200〜400℃例えば
300℃に加熱がなされる。水素、ヘリューム、アルゴ
ン等の不活性気体または混合気体はバルブ(11)をへ
て入り口側(6)より導入され、ガス流(8)のように
流れ、排気口(7)より圧力調整バルブ(12) 、ス
トップバルブ(13)をへて真空ポンプ(14)より排
気される。基板上方に光エネルギー供給装置が発光源、
ここでは紫外光を低圧水銀灯により作っている。反射鏡
(5)を有せしめ、さらに大気中の水蒸気による紫外光
の吸収損失を防くため、発光源を囲む周辺を真空引きを
して134nmの波長光の反応炉への導入を助長するこ
とは有効である。 また、石英窓(3)の内壁(圧力炉側)には光CVD法
による反応生成物の付着を防ぐため、フレオン系の低蒸
気圧オイル(9)を薄く塗付しである。水銀灯は185
nm、 254nmを含む300nm以下の波長の発光
(10)を示す。かかる光CVO装置において、(6)
よりバルブを開けて反応性気体を導入した。 以下にその実施例を示す。 実施例1 この実施例はジシランと一酸化二窒素との反応により酸
化珪素被膜を作製せんとしたものである。 第1図においてヒーター(16)上に珪素基板を配設し
ている。さらにバルブ(11)を開にしてジシランと一
酸化二窒素とをSi2H4/N、O〜10として導入し
た。反応容器内圧力は0.1〜10 torrの範囲例
えば2torrとした。光強度は0.01〜5W/cm
”の範囲ここては0.3W/cm”とした。基板温度は
100〜500℃の範囲、ここでは300℃とした。す
ると基板上に酸化珪素を3.1 人/秒の成長速度で得
ることができた。この被膜の成長速度は、モノシランと
一酸化二窒素とを水銀増感法で作る場合の3人/秒と概
略同一の成長速度を有し、工業的に実用化が可能な範囲
である。この被膜成長速度は、1torr+0.1to
rr とすると2.3 人/秒、0.4 人/秒と減少
した。 P型珪素半導体上に本発明方法により酸化珪素であった
。界面準位I XIO’ 7cmにてヒステリシス特性
が見いだされ、DDE (破壊電流強度0.01cm2
の面積にて1mA以上のリーク電流の流れる電界強度)
は2×1いV/cmであった。 このことより本発明方法による実用化は十分可能であっ
た。 光強度は185nmの発光即ち200nm以下の発光を
行わず、200〜700nmの間の発光波長のみでは酸
化珪素被膜の成長速度は0.3人/秒またはそれ以下で
あった。 このことより光源が200nm以下の波長の光を照射す
ることが、ジシランと一酸化二窒素とを用いた光CVD
法において有効であることが判明した。 実施例2 この実施例はジシランと一酸化二窒素との反応により酸
化珪素被膜を作製した。 実施例1と同様の装置を用いた。基板温度東0℃、圧力
2torr−、光強度0.3W/cm”とした。 この光源を185nmの波長を含む300nm以下の波
長とすることにより、被膜成長速度、2.2人/秒を得
ることができた。また、この発光部を200〜300
nmの波長とすることにより、即ち発光源、窓の周辺を
真空引きし、窓を人工石英とすることにより、被膜成長
速度が2.1人/秒となった。しかしその減少傾向は実
施例1よりも少なく 、254r+mの波長を含む紫外
光照射により十分実用可能な成長速度であった。 C−V特性により界面準位密度はI X 10” cm
−”以下であって、酸化珪素被膜は電界を加えた1×]
、06V/cmにおい°ζ初めてヒステリシス特性が観
察され、実施例1の珪素基板上に形成された酸化珪素中
に珪素クラスタの存在により電荷捕獲中心が少ないこと
が判明した。 即ち実施例1において単なるパッジヘイジョン膜として
きわめて有効である。実施例1においては、旧S、FE
Tのゲイト絶縁物として有効であり、それぞれを用途に
より使いわけるとよいことが判明した。 本発明においてII 2 S i CI z以外にII
zSiBrz、5illc+3を用いてもよ(、これら
は紫外光によりStとllClまたはHBrとにより分
解させ、活性珪素を作るため、水銀増感法を用いなくて
も一酸化二窒素と光化学反応を起こさしめることが可能
であると推定される。 4、図面の簡単な説明 第1図は本発明方法を実施するための光CVD装置の概
要を示す。 特許出願人
要を示す。 特許出願人 /デ χ1図 手続補正書 1、事件の表示 昭和58年特許願第91279号 2、発明の名称 酸化珪素被膜作製方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都世田谷区北鳥山7丁目21番21号カブシ
キカイシャハントウタイ ケンキュ
ウシコ名称 株式会社半導体エネルギー研究所4、補正
の対象 明細書全文 5、補正の内容 明細書を別紙の通り補正する。 明 細 書 1、発明の名称 酸化珪素被膜作製方法 2、特許請求の範囲 1、ジクロールシラン、ジシランの如きポリシランと一
酸化二窒素との混合反応性気体に、254nmの波長を
含む300nm以下の波長の光を照射することにより、
被形成面上に酸化珪素被膜を作製することを特徴とする
酸化珪素被膜作製方法。 3、発明の詳細な説明。 この発明は光化学反応を用いた気相反応方法(以下光C
VD法という)により酸化珪素被膜を作製する方法に関
する。 この発明は水銀増感法を用いることなしに光化学反応を
行うことにより、基板上に酸化珪素被膜を作製する方法
に関する。 この発明はポリシランまたはジクロールシランと一酸化
二窒素とを反応せしめ、酸化珪素被膜を500℃以下の
温度好ましくは100〜400℃例えば300℃で形成
する方法に関する。 従来酸化珪素膜を500℃以下の温度で作製せんとする
には、グロー放電法を用いたプラズマ気相反応方法によ
りシラン(SiHJと一酸化二窒素(NgO)とを反応
せしめ、200〜400℃の基板温度にて被膜を作製し
ていた。しかしかかる酸化珪素膜は、その膜内に残留電
荷を生ずるため、MOS、IC等のファイナル・コーテ
ィングとして用いることができなかった。 他方光CVD法によりモノシラン(SiL)と−酸化二
窒素との反応により200〜400℃で酸化珪素被膜を
作製する方法が知られている。 しかしこの方法においては、水銀増感を行うため、酸化
珪素膜中に混入した水銀、また廃棄物中に混入した水銀
が長期間に人体に悪影響を生ずる可能性を有していた。 このため実用上において、水銀増感を用いずに酸化珪素
被膜を作製する方法が求められていた。 本発明はかかる目的のため、即ち水銀増感法を用いるこ
となしに酸化珪素被膜を作製せんとするものである。 このため珪化物気体としてポリシラン5tnllz、、
+z(n≧2)例えばジシラン(SiJa)、または水
素ハロゲン化物として(ltzstclz)、トリクロ
ールシラン(H3iCl+)を用いたことを特長として
いる。 以下に図面に従って本発明を記す。 第1図は本発明に用いられた光CVO装置の概要を示す
。 図面において、反応容器(真空容器)(1)は石英から
なっている。基板(2)はヒーター(IC)上に配設さ
れ、室温〜500℃好ましくは200〜400℃例えば
300℃に加熱がなされる。水素、ヘリューム、アルゴ
ン等の不活性気体または混合気体はバルブ(11)をへ
て入り口側(6)より導入され、ガス流(8)のように
流れ、排気口(7)より圧力調整バルブ(12) 、ス
トップバルブ(13)をへて真空ポンプ(14)より排
気される。基板上方に光エネルギー供給装置が発光源、
ここでは紫外光を低圧水銀灯により作っている。反射鏡
(5)を有せしめ、さらに大気中の水蒸気による紫外光
の吸収損失を防くため、発光源を囲む周辺を真空引きを
して134nmの波長光の反応炉への導入を助長するこ
とは有効である。 また、石英窓(3)の内壁(圧力炉側)には光CVD法
による反応生成物の付着を防ぐため、フレオン系の低蒸
気圧オイル(9)を薄く塗付しである。水銀灯は185
nm、 254nmを含む300nm以下の波長の発光
(10)を示す。かかる光CVO装置において、(6)
よりバルブを開けて反応性気体を導入した。 以下にその実施例を示す。 実施例1 この実施例はジシランと一酸化二窒素との反応により酸
化珪素被膜を作製せんとしたものである。 第1図においてヒーター(16)上に珪素基板を配設し
ている。さらにバルブ(11)を開にしてジシランと一
酸化二窒素とをSi2H4/N、O〜10として導入し
た。反応容器内圧力は0.1〜10 torrの範囲例
えば2torrとした。光強度は0.01〜5W/cm
”の範囲ここては0.3W/cm”とした。基板温度は
100〜500℃の範囲、ここでは300℃とした。す
ると基板上に酸化珪素を3.1 人/秒の成長速度で得
ることができた。この被膜の成長速度は、モノシランと
一酸化二窒素とを水銀増感法で作る場合の3人/秒と概
略同一の成長速度を有し、工業的に実用化が可能な範囲
である。この被膜成長速度は、1torr+0.1to
rr とすると2.3 人/秒、0.4 人/秒と減少
した。 P型珪素半導体上に本発明方法により酸化珪素であった
。界面準位I XIO’ 7cmにてヒステリシス特性
が見いだされ、DDE (破壊電流強度0.01cm2
の面積にて1mA以上のリーク電流の流れる電界強度)
は2×1いV/cmであった。 このことより本発明方法による実用化は十分可能であっ
た。 光強度は185nmの発光即ち200nm以下の発光を
行わず、200〜700nmの間の発光波長のみでは酸
化珪素被膜の成長速度は0.3人/秒またはそれ以下で
あった。 このことより光源が200nm以下の波長の光を照射す
ることが、ジシランと一酸化二窒素とを用いた光CVD
法において有効であることが判明した。 実施例2 この実施例はジシランと一酸化二窒素との反応により酸
化珪素被膜を作製した。 実施例1と同様の装置を用いた。基板温度東0℃、圧力
2torr−、光強度0.3W/cm”とした。 この光源を185nmの波長を含む300nm以下の波
長とすることにより、被膜成長速度、2.2人/秒を得
ることができた。また、この発光部を200〜300
nmの波長とすることにより、即ち発光源、窓の周辺を
真空引きし、窓を人工石英とすることにより、被膜成長
速度が2.1人/秒となった。しかしその減少傾向は実
施例1よりも少なく 、254r+mの波長を含む紫外
光照射により十分実用可能な成長速度であった。 C−V特性により界面準位密度はI X 10” cm
−”以下であって、酸化珪素被膜は電界を加えた1×]
、06V/cmにおい°ζ初めてヒステリシス特性が観
察され、実施例1の珪素基板上に形成された酸化珪素中
に珪素クラスタの存在により電荷捕獲中心が少ないこと
が判明した。 即ち実施例1において単なるパッジヘイジョン膜として
きわめて有効である。実施例1においては、旧S、FE
Tのゲイト絶縁物として有効であり、それぞれを用途に
より使いわけるとよいことが判明した。 本発明においてII 2 S i CI z以外にII
zSiBrz、5illc+3を用いてもよ(、これら
は紫外光によりStとllClまたはHBrとにより分
解させ、活性珪素を作るため、水銀増感法を用いなくて
も一酸化二窒素と光化学反応を起こさしめることが可能
であると推定される。 4、図面の簡単な説明 第1図は本発明方法を実施するための光CVD装置の概
要を示す。 特許出願人
Claims (1)
- 1、ジクロールシラン、ジシランまたはランタンアンモ
ニアと一酸化二窒素との混合反応性気体に254nmの
波長を含む300nm以下の波長の光を照射することに
より、被形成面上に酸化珪素被膜を作製することを特徴
とする酸化珪素被膜作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58091279A JPS59215731A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | 酸化珪素被膜作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58091279A JPS59215731A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | 酸化珪素被膜作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59215731A true JPS59215731A (ja) | 1984-12-05 |
Family
ID=14022016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58091279A Pending JPS59215731A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | 酸化珪素被膜作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59215731A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6176677A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-19 | Applied Material Japan Kk | 気相成長方法 |
JPS6314872A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化珪素被膜形成方法 |
JPS63240032A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化珪素被膜の高速成膜法 |
US5098865A (en) * | 1989-11-02 | 1992-03-24 | Machado Jose R | High step coverage silicon oxide thin films |
US5308651A (en) * | 1986-12-25 | 1994-05-03 | Kawasaki Steel Corp. | Photochemical vapor deposition process |
-
1983
- 1983-05-24 JP JP58091279A patent/JPS59215731A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6176677A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-19 | Applied Material Japan Kk | 気相成長方法 |
JPH0357189B2 (ja) * | 1984-09-25 | 1991-08-30 | ||
JPS6314872A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化珪素被膜形成方法 |
JPH0474429B2 (ja) * | 1986-07-03 | 1992-11-26 | ||
US5308651A (en) * | 1986-12-25 | 1994-05-03 | Kawasaki Steel Corp. | Photochemical vapor deposition process |
JPS63240032A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 酸化珪素被膜の高速成膜法 |
US5098865A (en) * | 1989-11-02 | 1992-03-24 | Machado Jose R | High step coverage silicon oxide thin films |
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