JPS59213136A - メサ型半導体装置 - Google Patents
メサ型半導体装置Info
- Publication number
- JPS59213136A JPS59213136A JP58087309A JP8730983A JPS59213136A JP S59213136 A JPS59213136 A JP S59213136A JP 58087309 A JP58087309 A JP 58087309A JP 8730983 A JP8730983 A JP 8730983A JP S59213136 A JPS59213136 A JP S59213136A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- mesa
- zno
- pbo
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はメサ型半導体装置の構造に関するものである。
従来のメサ型半導体装置の構造は、例えばダイオードの
場合第１図に示すごときであった。
場合第１図に示すごときであった。
すなわちＮ型シリコン基板１にＰ十および継拡散層２．
３を形成したのち単体チップに分離するためにＰＮ接合
深さよシさらに深くケミカルエッチによルメサ溝４を形
成する。
３を形成したのち単体チップに分離するためにＰＮ接合
深さよシさらに深くケミカルエッチによルメサ溝４を形
成する。
次にメサ溝にあるＰＮ接合端部を電気的に安定化させ信
頼性を維持させるためにパッシベーションガラス５を形
成する。しかる後に外部引出用電極を接続するためのオ
ーミックコンタクトメタル６．７を形成しダイサースク
ライバ−やレーザースフ２イバー等にょシメサ溝中央部
に分割用刻み目を入れ相対向する面からブレーキングし
て図１のごときダイオードを得ていた。
頼性を維持させるためにパッシベーションガラス５を形
成する。しかる後に外部引出用電極を接続するためのオ
ーミックコンタクトメタル６．７を形成しダイサースク
ライバ−やレーザースフ２イバー等にょシメサ溝中央部
に分割用刻み目を入れ相対向する面からブレーキングし
て図１のごときダイオードを得ていた。
前記ダイオードに於てパッシベーションガラスとしてＩ
ｌｉ Ｚ ｎ Ｏ系ガラスやＰｂＯ系ガラスが用いられ
ている。
ｌｉ Ｚ ｎ Ｏ系ガラスやＰｂＯ系ガラスが用いられ
ている。
ＺｎＯ系ガラスを用いた場合にはメサ溝中央部に分割用
刻み目を入れる時、ＺｎＯ系ガラスが硬いためにダイヤ
モンドブレードでは良好な刻み目を得ることができず、
レーザースクライバ−のレーザー光を用いるしがながっ
た。ちなみにＰｂ。
刻み目を入れる時、ＺｎＯ系ガラスが硬いためにダイヤ
モンドブレードでは良好な刻み目を得ることができず、
レーザースクライバ−のレーザー光を用いるしがながっ
た。ちなみにＰｂ。
ガラスを用いた場合はＰｂＯ系ガラスがダイヤモンドブ
レードで曳好な刻み目を入れられる程度の硬さのためグ
イサースク２イバーを用いられるが透明であるためにレ
ーサー光を透過するためレーザースクライバ−を用いる
ことはできなかりた。
レードで曳好な刻み目を入れられる程度の硬さのためグ
イサースク２イバーを用いられるが透明であるためにレ
ーサー光を透過するためレーザースクライバ−を用いる
ことはできなかりた。
前記ＺｎＯ系ガラスを用いた場合、レーザースクライバ
−によシ刻み目を入れるが、この時溶けたＺｎＯ系ガラ
スやシリコンの飛沫がバッジページ曹ンガラス５やオー
ミックコンタクトメタル６の上に付着していた。この付
着飛沫は洗浄でも取シ除くことができず付着したま一最
終製品としてなっていた。
−によシ刻み目を入れるが、この時溶けたＺｎＯ系ガラ
スやシリコンの飛沫がバッジページ曹ンガラス５やオー
ミックコンタクトメタル６の上に付着していた。この付
着飛沫は洗浄でも取シ除くことができず付着したま一最
終製品としてなっていた。
このため、との付着飛沫がバッジベージ９ンガ２ス上に
付着した場合には所望する逆電圧を有するダイオードを
歩留よく得ることが出来なかったシ、逆電流が増加して
信頼性を低下させたυ、オーミックコンタクトメタル６
上に付着した場合には、許容順電流の低下やルーズコン
タクトを生じさせたシする不具合があった。グイサース
クライバーの場合には、切シカスは噴射水によシ洗い流
しながら刻み目を入れるためレーザースフ２イパーのよ
うな不具合は生じない。
付着した場合には所望する逆電圧を有するダイオードを
歩留よく得ることが出来なかったシ、逆電流が増加して
信頼性を低下させたυ、オーミックコンタクトメタル６
上に付着した場合には、許容順電流の低下やルーズコン
タクトを生じさせたシする不具合があった。グイサース
クライバーの場合には、切シカスは噴射水によシ洗い流
しながら刻み目を入れるためレーザースフ２イパーのよ
うな不具合は生じない。
本発明はこれらの不具合を除去し信頼性の高いメサ型半
導体装置を歩留よく得るためのメサ型半導体装置の構造
に関するものである。
導体装置を歩留よく得るためのメサ型半導体装置の構造
に関するものである。
すなわち前述のごとく、ＺｎＯ系ガラスはダイサースフ
２イバーを適用できないがＰｂＯ系ガラスはダイサース
クライバ−を適用できるため従来のバッジベージ曹ンガ
ラスとしてＺｎＯ系ガラスを用いているメサ型半導体装
置のバッシヘーシロンガラスの上に更にＰｂＯ系ガラス
を形成した構造とすることである。
２イバーを適用できないがＰｂＯ系ガラスはダイサース
クライバ−を適用できるため従来のバッジベージ曹ンガ
ラスとしてＺｎＯ系ガラスを用いているメサ型半導体装
置のバッシヘーシロンガラスの上に更にＰｂＯ系ガラス
を形成した構造とすることである。
本発明の一実施例のメサ型ダイオードを第２図（ａ）〜
（Ｃ）に示す。以下図面について詳細に説明する。
（Ｃ）に示す。以下図面について詳細に説明する。
第２図（ａ）は、従来の製造方法と同様にＮ型シリコン
基板１にＰ＋および１拡散層２，３を形成したのち単体
チップに分離するためにＰＮ接合深さよシも更に深く、
ケミカルエッチによシメサ溝４を形成する。この時ケミ
カルエッチしない部分は二酸化シリコンや保護用ワック
スによシマスフしておく。次にメサ溝にあるＰＮ接合端
部を電気的に安定化させ、信頼性を維持させるためにＺ
ｎＯ系パッジベージ璽ンガラス５を溝部４に形成する。
基板１にＰ＋および１拡散層２，３を形成したのち単体
チップに分離するためにＰＮ接合深さよシも更に深く、
ケミカルエッチによシメサ溝４を形成する。この時ケミ
カルエッチしない部分は二酸化シリコンや保護用ワック
スによシマスフしておく。次にメサ溝にあるＰＮ接合端
部を電気的に安定化させ、信頼性を維持させるためにＺ
ｎＯ系パッジベージ璽ンガラス５を溝部４に形成する。
この形成方法としてはガラス粉末を溶媒に懸濁させ該溶
媒中にウェハを浸漬し、電気泳動法によシガラスを析出
させた後焼成させたシ、ガラス粉末と溶媒を適当量混ぜ
ペースト状にし溝部にすシ込んだシする方法が行なわれ
ている。
媒中にウェハを浸漬し、電気泳動法によシガラスを析出
させた後焼成させたシ、ガラス粉末と溶媒を適当量混ぜ
ペースト状にし溝部にすシ込んだシする方法が行なわれ
ている。
次に本発明でおるＰｂＯ系ガラスをＺｎＯ系ガラスの上
にＺｎＯ系ガラス６を形成する。この形成方法は溝部に
絶縁物のＺｎＯ系ガラスが形成されているため、電気泳
動法を適用できず、ペースト状ガラスをすシ込む方法を
用いる。またこの時重要なＯはＺｎＯ系ガラスのパッシ
ベーション効果を維持するためＺｎＯ系ガラスの焼成温
度よシも低い温度で焼成するＰｂＯ系ガラスを選択する
ことである。
にＺｎＯ系ガラス６を形成する。この形成方法は溝部に
絶縁物のＺｎＯ系ガラスが形成されているため、電気泳
動法を適用できず、ペースト状ガラスをすシ込む方法を
用いる。またこの時重要なＯはＺｎＯ系ガラスのパッシ
ベーション効果を維持するためＺｎＯ系ガラスの焼成温
度よシも低い温度で焼成するＰｂＯ系ガラスを選択する
ことである。
しかる後に外部引出し用電極を接続するためのオーミッ
クコンタクトメタル７．８を形成する。
クコンタクトメタル７．８を形成する。
第２図（ｂ）は、本発明による第２図（ａ）のメサ溝中
央部のＰｂＯ系ガラス６にダイサースクライバ−によル
単体分離用刻み目９を入れたものである。
央部のＰｂＯ系ガラス６にダイサースクライバ−によル
単体分離用刻み目９を入れたものである。
次に刻み目を入れた面と相対向する面をブレーキング用
ローラー棒によシ単体に分離し第３図（Ｃ）を得る。
ローラー棒によシ単体に分離し第３図（Ｃ）を得る。
以上説明したように、本発明の構造にすることによｊ）
、ＺｎＯ糸ノくツシベーシツンガラスを使用したメサ型
半導体装置においてもグイサースクライバーを適用する
ことができるため、従来のレーザースフフィバ−適用の
メサ型半導体装置のようにレーザー光により溶けたガラ
スやシリコンの飛沫カバッシベーシミンガラス上やオー
ミックコンタクトメタル上に付着する不具合を解消する
ことができ信頼性の高いメサ型半導体装置を歩留良く得
ることができる。
、ＺｎＯ糸ノくツシベーシツンガラスを使用したメサ型
半導体装置においてもグイサースクライバーを適用する
ことができるため、従来のレーザースフフィバ−適用の
メサ型半導体装置のようにレーザー光により溶けたガラ
スやシリコンの飛沫カバッシベーシミンガラス上やオー
ミックコンタクトメタル上に付着する不具合を解消する
ことができ信頼性の高いメサ型半導体装置を歩留良く得
ることができる。
第１図は従来のメサ型半導体装置のダイオードチップの
断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は各々本発明によるメサ
型半導体装置の一実施例であるダイオードチップとその
製造工程を示す断面図でおる。 なお、図において、１・・・・・・Ｎ型シリコン基板、
２・・・・・・Ｐ＋拡散層、３・・・・・・炉拡散層、
４・・・・・・メサ溝、５・・・・・・ＺｎＯ系パッシ
ベーションガラス、６・・ｌＰｂＯ系、ゝツシベーショ
ンガ２ス、７．８・・・・・・オーミックコンタクトメ
タル、９・・曲刻み目、である。
断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は各々本発明によるメサ
型半導体装置の一実施例であるダイオードチップとその
製造工程を示す断面図でおる。 なお、図において、１・・・・・・Ｎ型シリコン基板、
２・・・・・・Ｐ＋拡散層、３・・・・・・炉拡散層、
４・・・・・・メサ溝、５・・・・・・ＺｎＯ系パッシ
ベーションガラス、６・・ｌＰｂＯ系、ゝツシベーショ
ンガ２ス、７．８・・・・・・オーミックコンタクトメ
タル、９・・曲刻み目、である。
Claims (1)
- メサ型半導体装置において、メサ部ＰＮ接合端部ノバッ
シペーションガラスとして、第１屠ＫＺｎＯ系ガラスを
形成し第２層として第１層上にＰｂＯ系ガラスを形成さ
れていることを特徴とするメサ型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58087309A JPS59213136A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | メサ型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58087309A JPS59213136A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | メサ型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59213136A true JPS59213136A (ja) | 1984-12-03 |
Family
ID=13911230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58087309A Pending JPS59213136A (ja) | 1983-05-18 | 1983-05-18 | メサ型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59213136A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4883771A (en) * | 1986-11-13 | 1989-11-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making and separating semiconductor lasers |
-
1983
- 1983-05-18 JP JP58087309A patent/JPS59213136A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4883771A (en) * | 1986-11-13 | 1989-11-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making and separating semiconductor lasers |
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