JPS59212002A - マイクロストリツプ線路と立体回路との接続装置 - Google Patents
マイクロストリツプ線路と立体回路との接続装置Info
- Publication number
- JPS59212002A JPS59212002A JP8785783A JP8785783A JPS59212002A JP S59212002 A JPS59212002 A JP S59212002A JP 8785783 A JP8785783 A JP 8785783A JP 8785783 A JP8785783 A JP 8785783A JP S59212002 A JPS59212002 A JP S59212002A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- dielectric film
- microstrip
- impedance
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced with unbalanced lines or devices
- H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、特に超高周波で使用されるマイクロストリ
ップ伝送線路と立体回路とを接続するための接続装置に
関するものである。
ップ伝送線路と立体回路とを接続するための接続装置に
関するものである。
マイクロストリップ伝送線路の多くは、アルミナ、テフ
ロン等の超高周波特性の良い誘電体基板上に形成され、
この伝送線路を立体回路と接続する場合は、両者の形状
が異なること及びインピーダンスが異なることが通常で
あるため、インピーダンス変換器を介して行なわれる。
ロン等の超高周波特性の良い誘電体基板上に形成され、
この伝送線路を立体回路と接続する場合は、両者の形状
が異なること及びインピーダンスが異なることが通常で
あるため、インピーダンス変換器を介して行なわれる。
第１図及び第２図は従来のマイクロストリップ伝送線路
と立体回路との接続用変換器構造を示すものである。第
１図は全体構造を示す斜視図、第２図Ｔａｌはその断面
側面図、第２開山）は他の従来構造の断面側面図、第２
図（Ｃ）はこれらの断面平面図変換器であり、上記マイ
クロストリップ基板２は立体回路１の内側にハンダ付け
、ネジ止めあるいはカシメ等により固定されている。
と立体回路との接続用変換器構造を示すものである。第
１図は全体構造を示す斜視図、第２図Ｔａｌはその断面
側面図、第２開山）は他の従来構造の断面側面図、第２
図（Ｃ）はこれらの断面平面図変換器であり、上記マイ
クロストリップ基板２は立体回路１の内側にハンダ付け
、ネジ止めあるいはカシメ等により固定されている。
そして上記マイクロストリップ基板２上には導体で形成
された伝送線路７が取付けられており、これはインピー
ダンス変換器３ａ又は３ｂにハンダ付けにて接続されて
いる。この第２図ｔａ）に示すインピーダンス変換器３
ａは長さλｇ／４ （λｇは管内波長）毎に高さが変化
して階段上になっており、これにより徐々にインピーダ
ンス変換を行なって伝送を行なうためのものである。ち
なみにインピーダンス変換器３ａとストリップ伝送線路
７との接続点より互を見たインピーダンスは等しくなっ
ている。
された伝送線路７が取付けられており、これはインピー
ダンス変換器３ａ又は３ｂにハンダ付けにて接続されて
いる。この第２図ｔａ）に示すインピーダンス変換器３
ａは長さλｇ／４ （λｇは管内波長）毎に高さが変化
して階段上になっており、これにより徐々にインピーダ
ンス変換を行なって伝送を行なうためのものである。ち
なみにインピーダンス変換器３ａとストリップ伝送線路
７との接続点より互を見たインピーダンスは等しくなっ
ている。
また、第２開山）に示すインピーダンス変換器３ｂは直
線的（但しこれは指数関数的でもよい）なテーパ状に高
さが変化しており、これにより前述と同様にしてインピ
ーダンス変換を行なうためのものである。なお、このイ
ンピーダンス変換器３ａ、３ｂは長さが長い程理想的イ
ンピーダンス変換を行なうことができる。
線的（但しこれは指数関数的でもよい）なテーパ状に高
さが変化しており、これにより前述と同様にしてインピ
ーダンス変換を行なうためのものである。なお、このイ
ンピーダンス変換器３ａ、３ｂは長さが長い程理想的イ
ンピーダンス変換を行なうことができる。
従来例で示したマイクロストリップ線路と立体回路との
接続用変換器構造においては、次に掲げる欠点があった
。
接続用変換器構造においては、次に掲げる欠点があった
。
マイクロストリップ基板２及び立体回路１の材料の各々
の線膨張係数が異なるため、熱変化によって生じる熱応
力がインピーダンス変換器３ａ。
の線膨張係数が異なるため、熱変化によって生じる熱応
力がインピーダンス変換器３ａ。
３ｂとストリップ基板２の接続部分に集中し、そのため
ハンダ付は部分にクラックが生じて接続がはずれること
、及び外部応力による機械的歪みによっても上記同様に
接続がはずれることがあり、そのため変換伝送機部を失
うことがある欠点があった。
ハンダ付は部分にクラックが生じて接続がはずれること
、及び外部応力による機械的歪みによっても上記同様に
接続がはずれることがあり、そのため変換伝送機部を失
うことがある欠点があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、マイクロストリップ伝送線路の端
部に長さλｍ／４ （λｍはマイクロストリップ線路波
長）の例えばセラミ・ツク等の低損失誘電体物質からな
る誘電膜を設け、その−ヒに導体線路を形成し、さらに
金属性弾性部材の一端をインピーダンス変換器の他端に
固定し、またその他端を導体線路面に摺動自在に圧接す
ることにより、熱応力等によって接続がはずれてしまう
ことがなく、信頼性の高いマイクロストリップ線路と立
体回路との接続装置を提供することを目的としている。
めになされたもので、マイクロストリップ伝送線路の端
部に長さλｍ／４ （λｍはマイクロストリップ線路波
長）の例えばセラミ・ツク等の低損失誘電体物質からな
る誘電膜を設け、その−ヒに導体線路を形成し、さらに
金属性弾性部材の一端をインピーダンス変換器の他端に
固定し、またその他端を導体線路面に摺動自在に圧接す
ることにより、熱応力等によって接続がはずれてしまう
ことがなく、信頼性の高いマイクロストリップ線路と立
体回路との接続装置を提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第３図（ａｌは本発明の一実施例の断面側面図、第３図
（ｂｌはその断面平面図である、図において１，２゜３
ｂは第１図及び第２図と同じものを示す。６は誘電膜で
あり、これは、不平衡形マイクロストリップ基板２のス
トリップ伝送線路７の端部の長さλｍ／４の部分に、セ
ラミック等の超高周波において低損失の誘電体物質を厚
さΔｔでもって薄く塗布または印刷して形成されたもの
である。そして該誘電膜６上にはこれと同じく長さλｍ
／４の導体線路５が印刷または蒸着によって形成されて
おり、これにより極めてインピーダンス整合のとれた低
損失の結合を実現できるものである。一方、インピーダ
ンス変換器３１＋の接続端には弾性金属でつくられた板
バネ４の一端が固定されており、該扱バネ４の他端は前
記導体線路５上に摺動自在に圧接している。このように
してマイクロストリップ基板２と立体回路１とは電気的
に接続されている。
（ｂｌはその断面平面図である、図において１，２゜３
ｂは第１図及び第２図と同じものを示す。６は誘電膜で
あり、これは、不平衡形マイクロストリップ基板２のス
トリップ伝送線路７の端部の長さλｍ／４の部分に、セ
ラミック等の超高周波において低損失の誘電体物質を厚
さΔｔでもって薄く塗布または印刷して形成されたもの
である。そして該誘電膜６上にはこれと同じく長さλｍ
／４の導体線路５が印刷または蒸着によって形成されて
おり、これにより極めてインピーダンス整合のとれた低
損失の結合を実現できるものである。一方、インピーダ
ンス変換器３１＋の接続端には弾性金属でつくられた板
バネ４の一端が固定されており、該扱バネ４の他端は前
記導体線路５上に摺動自在に圧接している。このように
してマイクロストリップ基板２と立体回路１とは電気的
に接続されている。
次に本実施例の作用効果について説明する。
本実施例装置に熱や外部力が加わった場合、これにより
生ずる応力によりインピーダンス変換器３しは基板２と
は相対位置がずれることとなる。しかるに、本実施例装
置ではインピーダンス変換器３トと基板２とは固定され
ておらず、板バネ４が導体線路５上をこれに圧接しなが
ら摺動し、そのためハンダ付は部分がはずれたりするこ
とはなく、その結果電気的に良好な接続状態を保持する
ことができる。
生ずる応力によりインピーダンス変換器３しは基板２と
は相対位置がずれることとなる。しかるに、本実施例装
置ではインピーダンス変換器３トと基板２とは固定され
ておらず、板バネ４が導体線路５上をこれに圧接しなが
ら摺動し、そのためハンダ付は部分がはずれたりするこ
とはなく、その結果電気的に良好な接続状態を保持する
ことができる。
ここで誘電膜６の厚さΔｔは応力によって生ずる板バネ
４と基板２とのずれ、及び板バネ４による圧接力によっ
て誘電膜６が破壊しない限り小さくするのが望ましい。
４と基板２とのずれ、及び板バネ４による圧接力によっ
て誘電膜６が破壊しない限り小さくするのが望ましい。
そして伝送線路７及び前記導体線路５の表面精度が良い
程Δｔを小さくすることができ、このようにΔｔを小さ
くするほど結合損失を改善できる。
程Δｔを小さくすることができ、このようにΔｔを小さ
くするほど結合損失を改善できる。
例えば９，０００ ＭＨｚの高周波を伝送する場合にお
いて、マイクロストリップ基板２として板厚０．６３５
・寵のアルミナセラミック基板（Ｅｒ ＝ １０）を用
い、誘電膜６としてはλｍ ／４ ＝３ ｍｓ、Δｔ
＝ １００μｍ以下とし、また立体回路材料として黄銅
０．５ｍ厚を使用したところ、結合損失０．５ｄＢ以下
でインピーダンス変換を行なうことができ、使用温度−
３０〜＋７０℃にて通常の外部応力に十分耐え得るマイ
クロストリップ伝送線路と立体回路との接続装置が実現
できた。
いて、マイクロストリップ基板２として板厚０．６３５
・寵のアルミナセラミック基板（Ｅｒ ＝ １０）を用
い、誘電膜６としてはλｍ ／４ ＝３ ｍｓ、Δｔ
＝ １００μｍ以下とし、また立体回路材料として黄銅
０．５ｍ厚を使用したところ、結合損失０．５ｄＢ以下
でインピーダンス変換を行なうことができ、使用温度−
３０〜＋７０℃にて通常の外部応力に十分耐え得るマイ
クロストリップ伝送線路と立体回路との接続装置が実現
できた。
なお、上記実施例ではインピーダンス変換器にテーパ形
変換器を用いたが、これは従来例に示した段階状の変換
器を用いてもよく、これによっても同様の効果を得るこ
とができる。
変換器を用いたが、これは従来例に示した段階状の変換
器を用いてもよく、これによっても同様の効果を得るこ
とができる。
以上のように本発明に係るマイクロストリップ線路と立
体回路との接続装置によれば、マイクロストリップ伝送
線路の端部に、Ａ波長相当長さの誘電膜を、さらにその
上に導体線路を設け、一端がインピーダンス変換器の他
端に固定され、他端が上記導体線路面に摺動自在に圧接
された金属性弾性部材を設けたので、簡単かつ安価な構
造でもって接続部が熱応力あるいは外部応力によっては
ずれてしまうことがなく、接続の信頼性を向上できる効
果がある。
体回路との接続装置によれば、マイクロストリップ伝送
線路の端部に、Ａ波長相当長さの誘電膜を、さらにその
上に導体線路を設け、一端がインピーダンス変換器の他
端に固定され、他端が上記導体線路面に摺動自在に圧接
された金属性弾性部材を設けたので、簡単かつ安価な構
造でもって接続部が熱応力あるいは外部応力によっては
ずれてしまうことがなく、接続の信頼性を向上できる効
果がある。
第１図は従来のマイクロストリップ線路と立体回路との
接続装置の斜視図、第２図（ａ）はその断面側面図、第
２図（ｂ）は他の従来装置の断面側面図、第２図（Ｃ）
はこれらの断面平面図、第３図（ａｌは本発明の一実施
例によるマイクロストリップ線路と立体回路との接続装
置の断面側面図、第３図（ｂｌはその断面平面図である
。 １・・・立体回路、２・・・マイクロストリップ基板、
３し・・・インピーダンス変換器、４・・・金属性弾性
部材（板バネ）、５・・・導体線路、６・・・誘電膜、
７・・・マイクロストリップ伝送線路。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄
接続装置の斜視図、第２図（ａ）はその断面側面図、第
２図（ｂ）は他の従来装置の断面側面図、第２図（Ｃ）
はこれらの断面平面図、第３図（ａｌは本発明の一実施
例によるマイクロストリップ線路と立体回路との接続装
置の断面側面図、第３図（ｂｌはその断面平面図である
。 １・・・立体回路、２・・・マイクロストリップ基板、
３し・・・インピーダンス変換器、４・・・金属性弾性
部材（板バネ）、５・・・導体線路、６・・・誘電膜、
７・・・マイクロストリップ伝送線路。 なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄
Claims (1)
- （１１マイクロストリップ伝送線路と導波管形室Ａ波長
相当の長さを有し上記マイクロストリップ線路線路上の
入力端部あるいは出力端部に設けられた誘電膜と、該誘
電膜上に形成された導体線路と、上記導波管形立体回路
に固着されたインピーダンス変換器と、一端が該インピ
ーダンス変換器の他端に固着され他端が上記導体線路面
に摺動自在に圧接された金属性弾性部材とを備えたこと
を特徴とするマイクロストリップ線路と立体回路との接
続装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8785783A JPS59212002A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | マイクロストリツプ線路と立体回路との接続装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8785783A JPS59212002A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | マイクロストリツプ線路と立体回路との接続装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59212002A true JPS59212002A (ja) | 1984-11-30 |
Family
ID=13926551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8785783A Pending JPS59212002A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | マイクロストリツプ線路と立体回路との接続装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59212002A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2754108A1 (fr) * | 1996-10-01 | 1998-04-03 | Alsthom Cge Alcatel | Transition entre un guide d'ondes a crete et un circuit planaire |
| GB2349512A (en) * | 1999-01-21 | 2000-11-01 | Bosch Gmbh Robert | Stripline to waveguide connection |
-
1983
- 1983-05-17 JP JP8785783A patent/JPS59212002A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2754108A1 (fr) * | 1996-10-01 | 1998-04-03 | Alsthom Cge Alcatel | Transition entre un guide d'ondes a crete et un circuit planaire |
| EP0834954A1 (fr) * | 1996-10-01 | 1998-04-08 | Alcatel | Transition entre un guide d'ondes à crête et un circuit planaire |
| GB2349512A (en) * | 1999-01-21 | 2000-11-01 | Bosch Gmbh Robert | Stripline to waveguide connection |
| GB2349512B (en) * | 1999-01-21 | 2001-07-11 | Bosch Gmbh Robert | Circuit arrangement |
| US7109820B1 (en) | 1999-01-21 | 2006-09-19 | Robert Bosch Gmbh | Circuit device with a contact element for electrically connecting a wave guide and a conductor strip in a nearly stress-free manner |
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