JPS59211909A - 複合超電導体 - Google Patents
複合超電導体Info
- Publication number
- JPS59211909A JPS59211909A JP58084857A JP8485783A JPS59211909A JP S59211909 A JPS59211909 A JP S59211909A JP 58084857 A JP58084857 A JP 58084857A JP 8485783 A JP8485783 A JP 8485783A JP S59211909 A JPS59211909 A JP S59211909A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- cupronickel
- superconductor
- filament
- superconducting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、交流磁場などの磁場変動があってもマトリッ
クス中−発生する渦電流損を少なくするための三層構造
からなる導体構成をもつ複合超電ム ２ 導体の改良に関する。
クス中−発生する渦電流損を少なくするための三層構造
からなる導体構成をもつ複合超電ム ２ 導体の改良に関する。
複合超電導体では、゛ム速な磁場変動に対して超電導体
間、っ合電流゛ヵ、流ゎ。、い導、率、。Ｃ８゜ム電漏
が発生して発熱による焼損現象が生じる欠これらの問題
点に鑑みて、特開昭４８−５５９．５号□ｊａｎ誉ツィ
哀）Ｌ７Ｍ）１１組、。オ、。
間、っ合電流゛ヵ、流ゎ。、い導、率、。Ｃ８゜ム電漏
が発生して発熱による焼損現象が生じる欠これらの問題
点に鑑みて、特開昭４８−５５９．５号□ｊａｎ誉ツィ
哀）Ｌ７Ｍ）１１組、。オ、。
によって、結合電流のループを切断することが行更に、
窩導電率のＣｊｕ等からなる安定化材の渦電流に対して
は複合超電導線表面に導電率の低い金超電導素ｍｒｉ１
１にも導電率の低い金属を配し渦電流−の低減化をはか
つている。
窩導電率のＣｊｕ等からなる安定化材の渦電流に対して
は複合超電導線表面に導電率の低い金超電導素ｍｒｉ１
１にも導電率の低い金属を配し渦電流−の低減化をはか
つている。
よって押出成形薔るとともに目的の線径に伸線して熱−
理工程等を経由して長尺材として製造されるのであり、
欠のような理由から健全で長尺な三應 ８ 層構造超電導体を得ることができなかった。
理工程等を経由して長尺材として製造されるのであり、
欠のような理由から健全で長尺な三應 ８ 層構造超電導体を得ることができなかった。
即ち、従来例における超電導体のセル構成材としてのキ
ュプロニッケＡ／バ一般的なものが使用されてお９、こ
の一般的なキュプロニッケルは、耐食性の見地から不純
物としてＦｅ １〜１．８Ｗｔｇ６含んでおり、中高温
領域（３５０°〜７００９Ｃ）での熱処理により加工性
に悪影響をおよぼす析出が生じるのである。
ュプロニッケＡ／バ一般的なものが使用されてお９、こ
の一般的なキュプロニッケルは、耐食性の見地から不純
物としてＦｅ １〜１．８Ｗｔｇ６含んでおり、中高温
領域（３５０°〜７００９Ｃ）での熱処理により加工性
に悪影響をおよぼす析出が生じるのである。
このため、導電率の低い金属としてＦｅ量を規制しない
一般的なキュプロニッケｔｖｆ超電導素線問および超電
導体表面に配した従来の複合超電導体を静水圧押圧し、
抽伸、熱処理するとき、Ｆｅ成分の析出が生じ、伸線途
中で断線等の事故が発生するものであった。
一般的なキュプロニッケｔｖｆ超電導素線問および超電
導体表面に配した従来の複合超電導体を静水圧押圧し、
抽伸、熱処理するとき、Ｆｅ成分の析出が生じ、伸線途
中で断線等の事故が発生するものであった。
そこで、本発明は、単芯線およびストランド外層に用い
られる０ｎ−１０％Ｎｉ 合金が、一般に３５０℃〜７
００℃で延性が低下するいわゆる中高温脆化が知られて
いるところから、Ｃｕ −Ｎｉ合金の溶解にあたっては
、この脆化に影響をおよばず不純物元素である Ｆｅ、
Ｐ、 Ｈｌｏ、Ｃのうち、特＜Ｆｅｄ規制することに
よって、複合超電導体（線）の破断要因となるキュプロ
ニッケル特有のインクローション（Ｉｎｏｌｕｓｉｏｎ
）の発生を防止したことを目的とする。
られる０ｎ−１０％Ｎｉ 合金が、一般に３５０℃〜７
００℃で延性が低下するいわゆる中高温脆化が知られて
いるところから、Ｃｕ −Ｎｉ合金の溶解にあたっては
、この脆化に影響をおよばず不純物元素である Ｆｅ、
Ｐ、 Ｈｌｏ、Ｃのうち、特＜Ｆｅｄ規制することに
よって、複合超電導体（線）の破断要因となるキュプロ
ニッケル特有のインクローション（Ｉｎｏｌｕｓｉｏｎ
）の発生を防止したことを目的とする。
而して、本発明にあつ・では、少なくとも１本の長手方
向に延びる超電導体フィラメント又はサブ−フィラメン
ト束の各々がマトリックス材により包囲されかつ該マト
リックス材と良く電気的に接触されており、しかもこの
マトリックス材はより低い導電率をもつ材料によって包
囲された高い導電率をもつ金属から咋られた長手方向に
延びる複数の七μからなる複合起電導体において、セ／
Ｉ／ヲ構成する金属が、Ｎｉ ５〜５５ ｗｔ％を含み
、Ｆｅ Ｑ、５ｗｔ％以下に規制した残部実質的ＶＣＯ
ｕよりなるキュプロニッケｙから構成されていることを
特徴とする。
向に延びる超電導体フィラメント又はサブ−フィラメン
ト束の各々がマトリックス材により包囲されかつ該マト
リックス材と良く電気的に接触されており、しかもこの
マトリックス材はより低い導電率をもつ材料によって包
囲された高い導電率をもつ金属から咋られた長手方向に
延びる複数の七μからなる複合起電導体において、セ／
Ｉ／ヲ構成する金属が、Ｎｉ ５〜５５ ｗｔ％を含み
、Ｆｅ Ｑ、５ｗｔ％以下に規制した残部実質的ＶＣＯ
ｕよりなるキュプロニッケｙから構成されていることを
特徴とする。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。なお、
以下に記載されている「９６」はｗｔ％全意味する。
以下に記載されている「９６」はｗｔ％全意味する。
第１図は三層構造フイラメン） （４１’ｉ示しており
、ｌ５ （１）は超電導体フィラメントであり、２０ミクロン以
下のＮｂＴ ｉよりな９、長手方向に延びている。
、ｌ５ （１）は超電導体フィラメントであり、２０ミクロン以
下のＮｂＴ ｉよりな９、長手方向に延びている。
（２）はマトリックス材であｐ、Ｏｕ、例えば無酸素銅
よりなり、前記超電導体で若フメント（１）又はサブ−
フィラメント束の各々がこのマトリックス材（２）によ
り包囲され、かつ該マトリックス材（２）と良く電気的
に接触されている。
よりなり、前記超電導体で若フメント（１）又はサブ−
フィラメント束の各々がこのマトリックス材（２）によ
り包囲され、かつ該マトリックス材（２）と良く電気的
に接触されている。
（３）はセルであり、キュプロニッケル合一からなる。
即ち、マトリックス材（２）はより低い導電率をもつ材
料によって包囲された高い導電率をもつ金属つまシ、キ
ュプロニッケル合金で作られた長手方向に延びるセル（
３）で包囲されている。
料によって包囲された高い導電率をもつ金属つまシ、キ
ュプロニッケル合金で作られた長手方向に延びるセル（
３）で包囲されている。
而して、前記超電導体フィラメント（１）、マトリック
ス材（２）、セル（３）よりなる三層構造フィラメント
（４）の多数本が第２図（１）で示す如（Ｏｕよりなる
心材（５）の囲りにハニカム構造配列とされ、銅又はキ
ュプロニッケル合金よりなる最外層（６）で包囲され、
ここに、ストランド（７）が構成されている。なお、心
材（５）の有無は任意である。
ス材（２）、セル（３）よりなる三層構造フィラメント
（４）の多数本が第２図（１）で示す如（Ｏｕよりなる
心材（５）の囲りにハニカム構造配列とされ、銅又はキ
ュプロニッケル合金よりなる最外層（６）で包囲され、
ここに、ストランド（７）が構成されている。なお、心
材（５）の有無は任意である。
６
ところで、本発明にあっては、セＡ／（３１を構成する
金属が、Ｎｉ ５〜３５％を含み、Ｆｅ □、５％以下
に規制された残部実質的にＯｕよりなるキュプロニッケ
ルで構成したのである。
金属が、Ｎｉ ５〜３５％を含み、Ｆｅ □、５％以下
に規制された残部実質的にＯｕよりなるキュプロニッケ
ルで構成したのである。
ここにおいて、低導電率金属としてＦｅ成分を０．０１
〜１．４５ｉＳ含んだキュプロニッケルを用い、押出、
抽伸等によ滲、０．７−／Ｘ １５０００ｍ’（断線０
回の時）の三層構造線を試作し、Ｆｅ成分の影響による
健全伸・練性！調李したところ・１°を０・８ＮＬＪ−
上含むキュプロニッケルの三層構造超電導線では下６表
−１で示す如く断線が多発したが、Ｆｅが０．５４以下
の三層構造超電導線では断線頻度が激減し、Ｆｓｙ −
６ｓ □、１％以下では断線現象は生じなか・、つたの
である、 ４ 即ち、ＮｂＴｉ よりなる超電導体フィラメント（１
）、Ｃｕよりなるマトリックス材（２）、Ｆｅ成分ｅ
０．０１〜１．４９６ｆ含むキュプロニジケルよりなる
七１ｖ（３）から盆るｏ、、ｙ！ ｘ １５００ｍ／の
三層構造フィラメント（４）の試作結果は次の通９であ
る・１ｉ’１ 〔表−１〕 従って、Ｆｅ成分ヲ０．５％以下に規制することは断線
事故防止の見地から意義がある。
〜１．４５ｉＳ含んだキュプロニッケルを用い、押出、
抽伸等によ滲、０．７−／Ｘ １５０００ｍ’（断線０
回の時）の三層構造線を試作し、Ｆｅ成分の影響による
健全伸・練性！調李したところ・１°を０・８ＮＬＪ−
上含むキュプロニッケルの三層構造超電導線では下６表
−１で示す如く断線が多発したが、Ｆｅが０．５４以下
の三層構造超電導線では断線頻度が激減し、Ｆｓｙ −
６ｓ □、１％以下では断線現象は生じなか・、つたの
である、 ４ 即ち、ＮｂＴｉ よりなる超電導体フィラメント（１
）、Ｃｕよりなるマトリックス材（２）、Ｆｅ成分ｅ
０．０１〜１．４９６ｆ含むキュプロニジケルよりなる
七１ｖ（３）から盆るｏ、、ｙ！ ｘ １５００ｍ／の
三層構造フィラメント（４）の試作結果は次の通９であ
る・１ｉ’１ 〔表−１〕 従って、Ｆｅ成分ヲ０．５％以下に規制することは断線
事故防止の見地から意義がある。
次に、Ｎｉ成分を５〜３５％にした理由は、Ｎｉは導電
率をコントロールするために添加するものであるから、
Ｎｉが５９６以下であると導電率が充分には低くならず
、交流損失をおさえられないからである。又、Ｎｉ ３
５％以上になると、Ｎｉは強磁性体であるから、これ自
体から磁性がでてくるし、又加工性が悪くなるからであ
る。
率をコントロールするために添加するものであるから、
Ｎｉが５９６以下であると導電率が充分には低くならず
、交流損失をおさえられないからである。又、Ｎｉ ３
５％以上になると、Ｎｉは強磁性体であるから、これ自
体から磁性がでてくるし、又加工性が悪くなるからであ
る。
更に、本発明者等は、Ｆｅおよび他の不純物元素の低減
化を図った三層構造超電導線を押出し、抽伸により製作
したところ、０．８４ Ｊ ｘ １１０ＤＤ ｍ’の断
線ない面品質の複合超電導体を得る仁とができた。
化を図った三層構造超電導線を押出し、抽伸により製作
したところ、０．８４ Ｊ ｘ １１０ＤＤ ｍ’の断
線ない面品質の複合超電導体を得る仁とができた。
このときのセ〃、つマク、キュプロニッケルの成分を示
すと欠の通りである。
すと欠の通りである。
なお、−殻材としてのキュプロニッケルの不純物元素は
、耐食性を考慮シテ、Ｆｅ １．０〜１．８ ＊、Ｐｂ
＜ ０．０５４、Ｍｌｌｏ、２〜１．０％、Ｚｎ ＜
０．５４、Ｐ ＜ ０．０１ ％、０＜０．０５％であ
るが、本発明にあっては、ｗＲ線要因となるＦｅ、等の
不純物元素を規制したのである。
、耐食性を考慮シテ、Ｆｅ １．０〜１．８ ＊、Ｐｂ
＜ ０．０５４、Ｍｌｌｏ、２〜１．０％、Ｚｎ ＜
０．５４、Ｐ ＜ ０．０１ ％、０＜０．０５％であ
るが、本発明にあっては、ｗＲ線要因となるＦｅ、等の
不純物元素を規制したのである。
而して、不純物元素としてのＰｂ 、 Ｍｎ 、 Ｚｎ
は前述通り［ＪＩＳで定められているが、本発明にあっ
ては、Ｐｂ 、 Ｍｎ 、Ｚｎは前述のＪＩ８規格の範
囲内であればよく、又、Ｐは０．００３〜０．００５
ｇ６、Ｃは０．００２〜０．０１ 優の範囲内であって
もよく、要はＦｅを０．５％以下に規制して断線要因を
なくしたものであれば上い。
は前述通り［ＪＩＳで定められているが、本発明にあっ
ては、Ｐｂ 、 Ｍｎ 、Ｚｎは前述のＪＩ８規格の範
囲内であればよく、又、Ｐは０．００３〜０．００５
ｇ６、Ｃは０．００２〜０．０１ 優の範囲内であって
もよく、要はＦｅを０．５％以下に規制して断線要因を
なくしたものであれば上い。
而して、本発明者等は１メガジユール（ＩＭＪ ）９
超電導エネルギー実験装置のパルスマグネット用導体と
して、（３ｕＮｉ ／Ｃｕ ／ＮｂＴｉ （Ｄ ５層構
造ス） ？ ノド１３本からなる成形撚線４−９ ”
ｓ単重２９５ ｒ４を欠の要領で製作した。
して、（３ｕＮｉ ／Ｃｕ ／ＮｂＴｉ （Ｄ ５層構
造ス） ？ ノド１３本からなる成形撚線４−９ ”
ｓ単重２９５ ｒ４を欠の要領で製作した。
単芯線およびストランド外層に用いた０ｕ−１ｏ９６Ｎ
ｉ合金は、一般に３５００〜７ｏロ℃で延性が低下する
いわゆる中昏高温脆化が知られている。０ｕＮｉ合金の
溶解にあたっては、この脆化に影響をおよぼす不純物元
素Ｆｅ、 Ｐ、 Ｏのそれぞれを両速した通）の制御を
行うとともに、３層構造線の破断要因となる０ｕＮｉ合
金特有のＩｎｃｌｕｓｉｏｎ の発生防止に留意した
。また低銅比の３層構造線における臨界電流と抵抗比の
向上を両立させる目的で加工熱処理工程の低温化をはか
った。たとえば０ｕＮｉ ／Ｃｕ／ＮｂＴｉの複合ビレ
ットは、単芯および多芯ビレットとも静水圧押出プレス
を用いて５５０ ’Ｃ以下で押出し、Ｃｊｕ中へのＮｉ
の拡散を防止した。撚線には、線材の後方張力制御が容
易なプラネタリ−型撚線機を用ｈ、占積率８２ｇ６で圧
縮成形した。素線および撚線の長尺化により３層構造超
電導成形撚線の連続 ｔＯ ５に−の製造技術が確立できた。
ｉ合金は、一般に３５００〜７ｏロ℃で延性が低下する
いわゆる中昏高温脆化が知られている。０ｕＮｉ合金の
溶解にあたっては、この脆化に影響をおよぼす不純物元
素Ｆｅ、 Ｐ、 Ｏのそれぞれを両速した通）の制御を
行うとともに、３層構造線の破断要因となる０ｕＮｉ合
金特有のＩｎｃｌｕｓｉｏｎ の発生防止に留意した
。また低銅比の３層構造線における臨界電流と抵抗比の
向上を両立させる目的で加工熱処理工程の低温化をはか
った。たとえば０ｕＮｉ ／Ｃｕ／ＮｂＴｉの複合ビレ
ットは、単芯および多芯ビレットとも静水圧押出プレス
を用いて５５０ ’Ｃ以下で押出し、Ｃｊｕ中へのＮｉ
の拡散を防止した。撚線には、線材の後方張力制御が容
易なプラネタリ−型撚線機を用ｈ、占積率８２ｇ６で圧
縮成形した。素線および撚線の長尺化により３層構造超
電導成形撚線の連続 ｔＯ ５に−の製造技術が確立できた。
而して、前記超電導成形撚線の諸元は表−２の通夛であ
る。
る。
〔表−２〕
そして、前記表−２の諸元からなるケーブル断面を参考
写真１１Ｃ，三層構造フィラメントの八二Ａ １１ カム構造集合体の拡大を参考写ｇ２にそれぞれ示してお
り、撚線および素線の臨界電流密度を第３図に示してい
る。
写真１１Ｃ，三層構造フィラメントの八二Ａ １１ カム構造集合体の拡大を参考写ｇ２にそれぞれ示してお
り、撚線および素線の臨界電流密度を第３図に示してい
る。
この第３図から明らかな如く、素線間の臨界電流密度Ｊ
ｅのバラツキは小さく、［１（ケーブル）の臨界電流密
度Ｊｏは素線のＪｃの平均値１１０ＯＡ、−（ａｔ６Ｔ
）に等しいことが解る。また、臨界電流は目標１７００
ム（ａｔ ６Ｔ ）に対し１８００Ａ、抵抗比は目標１
３０以上に対し１５５であシ、臨界電流と抵抗比の向上
を両立させることができた。
ｅのバラツキは小さく、［１（ケーブル）の臨界電流密
度Ｊｏは素線のＪｃの平均値１１０ＯＡ、−（ａｔ６Ｔ
）に等しいことが解る。また、臨界電流は目標１７００
ム（ａｔ ６Ｔ ）に対し１８００Ａ、抵抗比は目標１
３０以上に対し１５５であシ、臨界電流と抵抗比の向上
を両立させることができた。
以上、詳述した通り本発明によれば、超電導体を数１Ｄ
μ第径以下の細い芯線（フィラメント）に分割し、１本
の心線が担う電流容ｊｉを小さくして、超電導体の磁化
エネルギーを低下させ、フラックス・ジャンプ（磁束跳
ＷＩｉ）による常電導化を防ぎ本質的に安定化された超
電導ｉｔ！（体）１に得ることかで門るのであり、その
ざい、超電導線の機械的強度を考え、ツイストピッチを
あまり小さくできないときに有効であるフィラメントを
電気抵抗がＯｕよりも３〜４桁高いキュプロニッケルで
鼓覆するとき、該ニッケルの不純物元素であるＦｅを０
．５％以下に規制したので、断線のない良品質のものと
して得ることができる。
μ第径以下の細い芯線（フィラメント）に分割し、１本
の心線が担う電流容ｊｉを小さくして、超電導体の磁化
エネルギーを低下させ、フラックス・ジャンプ（磁束跳
ＷＩｉ）による常電導化を防ぎ本質的に安定化された超
電導ｉｔ！（体）１に得ることかで門るのであり、その
ざい、超電導線の機械的強度を考え、ツイストピッチを
あまり小さくできないときに有効であるフィラメントを
電気抵抗がＯｕよりも３〜４桁高いキュプロニッケルで
鼓覆するとき、該ニッケルの不純物元素であるＦｅを０
．５％以下に規制したので、断線のない良品質のものと
して得ることができる。
また、キュプロニッケルのＮｉ成分はこれが５〜５５ｇ
６とされているので、交流損失をおさえることができる
し、加工性も良好になる専の利点がある。
６とされているので、交流損失をおさえることができる
し、加工性も良好になる専の利点がある。
図面は本発明の一実施例を示し、第１図は三層構造フィ
ラメントの横断説明図、第２図は撚線ストランドの横断
説明図、第３図は撚線（ケーブル）および素線の臨界電
流密度を示すグラフである。 （１）・・・超電導体フイツメン）、＋２）・・・マト
リックス材、（３）・・・セル。 特許出願人 株式会社神戸製鋼所
ラメントの横断説明図、第２図は撚線ストランドの横断
説明図、第３図は撚線（ケーブル）および素線の臨界電
流密度を示すグラフである。 （１）・・・超電導体フイツメン）、＋２）・・・マト
リックス材、（３）・・・セル。 特許出願人 株式会社神戸製鋼所
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ 少なくとも１本の長手方向に延びる超電導体フィラ
メント又はサブ−フィラメント束の各々がマトリックス
材により包囲されかつ該マトリックス材と良く電気的に
接触ｉれておｐ、しかもこのマトリックス材ｉよフ低龜
導電率をもつ材料によって包囲された高い導電率をもつ
金属から作られた長手方向に延び諷複数のセルからなる
複合超電導体において、 セルを構成する金属が、Ｎｉ ５〜５５ ｖｔ％を含み
、Ｆｅ Ｑ、５ｗｔ％以下に規制した残部実質的（３ｕ
よルなるキュプロニッケルから構成されてい暮トｉを特
徴とするｉ合超電導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58084857A JPS59211909A (ja) | 1983-05-14 | 1983-05-14 | 複合超電導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58084857A JPS59211909A (ja) | 1983-05-14 | 1983-05-14 | 複合超電導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59211909A true JPS59211909A (ja) | 1984-11-30 |
| JPH0430124B2 JPH0430124B2 (ja) | 1992-05-20 |
Family
ID=13842477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58084857A Granted JPS59211909A (ja) | 1983-05-14 | 1983-05-14 | 複合超電導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59211909A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991002364A1 (fr) * | 1989-08-09 | 1991-02-21 | Tokai University | Fil supraconducteur |
| CN103421985A (zh) * | 2013-09-11 | 2013-12-04 | 河南师范大学 | 一种无磁性、高强度的织构Cu基三元合金基带的制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5075393A (ja) * | 1973-11-06 | 1975-06-20 |
-
1983
- 1983-05-14 JP JP58084857A patent/JPS59211909A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5075393A (ja) * | 1973-11-06 | 1975-06-20 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991002364A1 (fr) * | 1989-08-09 | 1991-02-21 | Tokai University | Fil supraconducteur |
| US5837941A (en) * | 1989-08-09 | 1998-11-17 | Tokai University | Superconductor wire |
| CN103421985A (zh) * | 2013-09-11 | 2013-12-04 | 河南师范大学 | 一种无磁性、高强度的织构Cu基三元合金基带的制备方法 |
| CN103421985B (zh) * | 2013-09-11 | 2015-06-03 | 河南师范大学 | 一种无磁性、高强度的织构Cu基三元合金基带的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0430124B2 (ja) | 1992-05-20 |
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