JPS5921015B2 - レジストの除去方法 - Google Patents
レジストの除去方法Info
- Publication number
- JPS5921015B2 JPS5921015B2 JP53071610A JP7161078A JPS5921015B2 JP S5921015 B2 JPS5921015 B2 JP S5921015B2 JP 53071610 A JP53071610 A JP 53071610A JP 7161078 A JP7161078 A JP 7161078A JP S5921015 B2 JPS5921015 B2 JP S5921015B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- removal
- sulfuric acid
- present
- freon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、レジストをマスク材として用いるフォトエッ
チング工程中のレジスト除去方法に関する。
チング工程中のレジスト除去方法に関する。
本発明の目的は、レジストをマスク材として用いて、フ
レオン系プラズマによりエッチングを行つた場合、マス
クとして用いたレジストの除去に要する時間を短縮する
ことにある。
レオン系プラズマによりエッチングを行つた場合、マス
クとして用いたレジストの除去に要する時間を短縮する
ことにある。
本発明の他の目的は、レジストの最終的除去に熱硫酸を
用いることにより被エッチング材上にレジスト含有の汚
れが残ることを防ぎ、素子特性の悪化を防止することに
ある。
用いることにより被エッチング材上にレジスト含有の汚
れが残ることを防ぎ、素子特性の悪化を防止することに
ある。
半導体集積回路製作に用いられる。
フォトエッチング工程は、最近乾式化の方向へ進みつつ
あり、レジストをマスクとしてフレオン系プラズマによ
り絶縁体膜をエッチングする工程が用いられている。し
かしながら、フレオン（ＣＦ４）系プラズマ５ 雰囲気
にさらされたレジスト膜を除去する場合、熱硫酸のみに
よつてレジスト除去することは困難であつた。また、除
去が可能である場合にも３０分から１時間の時間を要し
、はなはだ不都合であつた。このため、酸素プラズマ雰
囲気中にさらす１０ことによりレジスト除去することが
行なわれたが、この場合にも３０分以上の時間を要し、
かつ酸素プラズマによつてレジスト中に含有するＮａ、
Ｍｇその他の重金属を除去することは不可能であるため
、これらの重金属は被エッチング材の上に１５汚れとし
て残り素子特性を悪化させていた。本発明ＧＬ以上の欠
点を除去することを可能とするレジスト除去方法を提供
するものである。本発明は、酸素プラズマ雰囲気にさら
した後、熱硫酸中に浸すことによりレジスト除去を行う
も２０のである。本発明をなすに先だつてフレオン系プ
ラズマとレジストとの相互作用について実験的研究をす
すめたところ、次のことが明らかになつた。すなわち、
フレオン（ＣＦ４）系プラズマ雰囲気にさらされること
により、有機被膜であるレジス２５ 卜中の炭素あるい
は水素とフレオン中の弗素とが結合しレジスト表面に耐
酸性の高い弗化樹脂膜が形成されることが判明した。こ
のため、レジスト表面に形成された弗化樹脂膜を何らか
の方法により除去すれば、容易にレジストを除去するこ
とが３０可能になると考えられた。そこで酸素プラズマ
雰囲気にさらした後、熱硫酸中へ浸してみた。結果は予
想のとおりであり、酸素プラズマにより弗素と結合して
いたレジスト表面の炭素あるいは水素が酸素プラズマに
より除去されレジスト表面には３５弗素が結合をもたな
い状態で残るにいたつた。この状態になつたレジスト膜
は、熱硫酸により容易に除去することが出来た。第１図
には、本発明に、【ウーよるレジスト除去方法の効果を
示した。
あり、レジストをマスクとしてフレオン系プラズマによ
り絶縁体膜をエッチングする工程が用いられている。し
かしながら、フレオン（ＣＦ４）系プラズマ５ 雰囲気
にさらされたレジスト膜を除去する場合、熱硫酸のみに
よつてレジスト除去することは困難であつた。また、除
去が可能である場合にも３０分から１時間の時間を要し
、はなはだ不都合であつた。このため、酸素プラズマ雰
囲気中にさらす１０ことによりレジスト除去することが
行なわれたが、この場合にも３０分以上の時間を要し、
かつ酸素プラズマによつてレジスト中に含有するＮａ、
Ｍｇその他の重金属を除去することは不可能であるため
、これらの重金属は被エッチング材の上に１５汚れとし
て残り素子特性を悪化させていた。本発明ＧＬ以上の欠
点を除去することを可能とするレジスト除去方法を提供
するものである。本発明は、酸素プラズマ雰囲気にさら
した後、熱硫酸中に浸すことによりレジスト除去を行う
も２０のである。本発明をなすに先だつてフレオン系プ
ラズマとレジストとの相互作用について実験的研究をす
すめたところ、次のことが明らかになつた。すなわち、
フレオン（ＣＦ４）系プラズマ雰囲気にさらされること
により、有機被膜であるレジス２５ 卜中の炭素あるい
は水素とフレオン中の弗素とが結合しレジスト表面に耐
酸性の高い弗化樹脂膜が形成されることが判明した。こ
のため、レジスト表面に形成された弗化樹脂膜を何らか
の方法により除去すれば、容易にレジストを除去するこ
とが３０可能になると考えられた。そこで酸素プラズマ
雰囲気にさらした後、熱硫酸中へ浸してみた。結果は予
想のとおりであり、酸素プラズマにより弗素と結合して
いたレジスト表面の炭素あるいは水素が酸素プラズマに
より除去されレジスト表面には３５弗素が結合をもたな
い状態で残るにいたつた。この状態になつたレジスト膜
は、熱硫酸により容易に除去することが出来た。第１図
には、本発明に、【ウーよるレジスト除去方法の効果を
示した。
第１図Ｘは、熱硫酸中に浸した時間を示し、ｙはレジス
トの除去量を示す。また１は従来の方法によるレジスト
膜の除去特性であり、フレオン系プラズマにさらした後
、特別の処理をせず熱硫酸中に浸したレジスト膜の除去
特性を示し、２は本発明によるレジスト膜の除去特性で
あり、フレオン系プラズマにさらした後、酸素プラズマ
雰囲気に５分以上さらし、その後熱硫酸中に浸したレジ
スト膜の除去特性を示す。第１図より本発明による除去
方法を用いた場合のレジストの除去特性は、従来の方法
に比べて除去速度が数倍大きいことが分る。また、本発
明によるレジスト除去方法は、酸素プラズマ後、最終的
には熱硫酸を用いてレジスト除去を行うために、レジス
ト中の重金属が汚れとして残る可能性はなく、素子特性
を悪化させない。以上のように、本発明は素子特性を良
好に保つて極めて速くレジストを除去するに有効な方法
である。対象となるレジストは、ネガテイプタイプ、ポ
ジテイプタイプの両方であり、共に期待の効果を上げる
ことができることは確認済みである。さらに、本発明に
よるレジストの除去方法は、レジスト膜を酸素プラズマ
雰囲気にさらす工程と熱硫酸にさらす工程の両方を実施
したから、従来の如く、上記の工程を別々に実施した場
合に生ずるレジスト除去の困難性、素子特性の劣化等の
問題が生ずることなく、かつ、上記の個別工程での処理
に比し１０倍程のレジスト除去の効率を上昇することが
できる効果を有する。即ち、酸素プラズマのレジスト酸
化効果と、硫酸のレジスト溶解効果及び金属酸化効果が
相乗的に作用することで、短時間で完全にレジストを除
去することができ、従つて量産性効果を飛躍的に向上で
きる効果を有する。なお、本発明は金属膜以外の酸化膜
、半導体膜にも適用可能である。
トの除去量を示す。また１は従来の方法によるレジスト
膜の除去特性であり、フレオン系プラズマにさらした後
、特別の処理をせず熱硫酸中に浸したレジスト膜の除去
特性を示し、２は本発明によるレジスト膜の除去特性で
あり、フレオン系プラズマにさらした後、酸素プラズマ
雰囲気に５分以上さらし、その後熱硫酸中に浸したレジ
スト膜の除去特性を示す。第１図より本発明による除去
方法を用いた場合のレジストの除去特性は、従来の方法
に比べて除去速度が数倍大きいことが分る。また、本発
明によるレジスト除去方法は、酸素プラズマ後、最終的
には熱硫酸を用いてレジスト除去を行うために、レジス
ト中の重金属が汚れとして残る可能性はなく、素子特性
を悪化させない。以上のように、本発明は素子特性を良
好に保つて極めて速くレジストを除去するに有効な方法
である。対象となるレジストは、ネガテイプタイプ、ポ
ジテイプタイプの両方であり、共に期待の効果を上げる
ことができることは確認済みである。さらに、本発明に
よるレジストの除去方法は、レジスト膜を酸素プラズマ
雰囲気にさらす工程と熱硫酸にさらす工程の両方を実施
したから、従来の如く、上記の工程を別々に実施した場
合に生ずるレジスト除去の困難性、素子特性の劣化等の
問題が生ずることなく、かつ、上記の個別工程での処理
に比し１０倍程のレジスト除去の効率を上昇することが
できる効果を有する。即ち、酸素プラズマのレジスト酸
化効果と、硫酸のレジスト溶解効果及び金属酸化効果が
相乗的に作用することで、短時間で完全にレジストを除
去することができ、従つて量産性効果を飛躍的に向上で
きる効果を有する。なお、本発明は金属膜以外の酸化膜
、半導体膜にも適用可能である。
第１図は従来方法と本発明による方法のレジスト除去特
性の比較を表わす図である。 ｘ・・・・・・熱硫酸中に浸した時間、ｙ・・・・・・
レジスト除去量、１・・・・・・従来の方法によるレジ
スト膜の除去特性、２・・・・・・本発明によるレジス
ト膜の除去特性。
性の比較を表わす図である。 ｘ・・・・・・熱硫酸中に浸した時間、ｙ・・・・・・
レジスト除去量、１・・・・・・従来の方法によるレジ
スト膜の除去特性、２・・・・・・本発明によるレジス
ト膜の除去特性。
Claims (1)
- １ レジストをマスク材として用いてフレオン系プラズ
マによりエッチングを行なうフォトエッチング工程にお
いて、該レジスト膜を酸素プラズマ雰囲気中にさらす工
程と、該工程の後熱濃硫酸に浸す工程とより成ることを
特徴とするレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53071610A JPS5921015B2 (ja) | 1978-06-14 | 1978-06-14 | レジストの除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53071610A JPS5921015B2 (ja) | 1978-06-14 | 1978-06-14 | レジストの除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54163034A JPS54163034A (en) | 1979-12-25 |
| JPS5921015B2 true JPS5921015B2 (ja) | 1984-05-17 |
Family
ID=13465584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53071610A Expired JPS5921015B2 (ja) | 1978-06-14 | 1978-06-14 | レジストの除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5921015B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63237527A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-04 | Hoya Corp | レジスト剥離方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50138902A (ja) * | 1974-04-23 | 1975-11-06 | ||
| JPS5196605A (en) * | 1975-02-21 | 1976-08-25 | Gasupurazumanyoru hotorejisutomakuno jokyoho |
-
1978
- 1978-06-14 JP JP53071610A patent/JPS5921015B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50138902A (ja) * | 1974-04-23 | 1975-11-06 | ||
| JPS5196605A (en) * | 1975-02-21 | 1976-08-25 | Gasupurazumanyoru hotorejisutomakuno jokyoho |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54163034A (en) | 1979-12-25 |
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