JPS59208751A - バンプ形成方法 - Google Patents

バンプ形成方法

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JPS59208751A
JPS59208751A JP58082633A JP8263383A JPS59208751A JP S59208751 A JPS59208751 A JP S59208751A JP 58082633 A JP58082633 A JP 58082633A JP 8263383 A JP8263383 A JP 8263383A JP S59208751 A JPS59208751 A JP S59208751A
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JP
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wire
bonding
bump electrode
hump
electrode
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JP58082633A
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Ken Okuya
謙 奥谷
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 し技術分野］ 本発明はバンプ形成技術、特に、フリップチップボンデ
ィング用のハンプ電極の形成技術に関する。
［背景技術］ フリップチップボンディング用のバンプＴａＦｉｓの形
成方法の１つとし・では、マスク蒸着によるものが考え
られる。
しかし、この場合には、たとえばクローム（Ｃｒ）、銅
（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の金属層を多層蒸着しなければ
ならず、工数が相当多くかかる上に、コストも高くなる
等の問題がある。
また、めっきを利用してハンプを形成する方法も考えら
れるが、蒸着法によるものと同様な問題がある。
［発明の目的］ 本発明の目的は、少ない工数で簡単にハンプ電極を形成
できるバンプ形成方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、低コストでハンプ電極を形成でき
るバンプ形成方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、フリップチップおよびワイヤボン
ディングのベレットの共通化を実現できるバンプ形成方
法を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要］ 本１９１において開示される発明のうち代表的なものの
概要を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、ハンプ電極をワイヤボンディングによって形
成し、前記目的を達成するものである。
［実施例１］ 第１図（ａｌ〜（Ｃ１ば本発明によるバンプ形成方法の
〜実施例を示す部分断面図である。
この実施例は、いわゆるネイルヘッドボンディングと呼
ばれるワイヤボンディング技術を用いてハンプを形成す
るものである。
すなわち、本実施例では、ネイルヘッドボンダーのキャ
ピラリ１を使用し、半導体ペレノｌ〜２のボンディング
バンド３上にバンブ電極を形成する。
そのため、まず、第１図（ａｌに示すように、キャピラ
リｌの下端から突出するボンディングワイヤ５の先端を
トーチ４で加、熱してボンディング用のボール５ａを形
成する。
次に、第１図ｆｌｙ）に示すように、キャピラリ１を降
下させ、ボール５ａをポンディングワイヤ３のバンプ４
上に熱圧着する。
その後、第１図ＦＣ）に示す如く、下端のホール５ａを
ボンデイングバンド３にボンディングしたワイヤ５をク
ランパ（図示しない）の移動などにより下端のボール５
ａのすぐ上側で引きちぎる。
それにより、ペレット２のボンデイングバンド３の上に
は、ワイヤボンディングにより形成されたハンプ電極６
が残される。
このように、本実施例１では、ネイルへ・ノドボンディ
ングを利用することにより、良好なノ＼ンプ電極６が容
易に、しかも少ない工数と低いコストで（Ｍられる。
また、ワイヤ５の材料としては、アルミニウム（ＡＩ］
、銅（Ｃｕ）　、金（Ａｕ）の他、半田等の様々な材料
を使用できる。
［実施例２］ 第２図（ａｌ〜（Ｃ１は本発明によるバンプ形成方法の
実施例２における各工程を順次示す部分断面図である。
この実施例においては、超音波ワイヤボンディング技術
を用いてフリップチップボンディング用のハンプ電極を
形成するものである。
すなわち、本実施例では、超音波ワイヤボンダーの・ν
エソジ７の下部に挿通したボンディングワー　　イー１
〕５を該ウェッジ７を用いたワイヤボンディングでボン
ディングバンド３に接合する。
まず、第２図６１１に示すように、下端からボンディン
グワイヤ５の先端を僅かに突出させたウェッジ７をペレ
ット２のボンディングバンド２の上方に位置決めする。
次に、第２図（ｂｌの如く、ウェッジ７を降下させてワ
イー１〜５の先端部をウェッジ７でボンディングパフｌ
：３上に押しイ４け、該ウニ・ノジ７を介して発振子（
図示せず）からの超音波発振を伝達し〜ワイヤホンディ
ングする。
その後、第２図６１１のように、クランパ（図示せず）
の移動などにより、ボンディングバンド３の上に超音波
ボンディングされたワイヤ５の先端部を引きちぎること
により、ボンディングバンド３上には超音波方式による
ハンプ電極６ａが形成される。
なお、この場合にも、ワイヤ５の材料としては、ＡＩ、
Ａｕ、Ｃｕ、半田等を使用できる。
し効果コ （１）、ワイヤボンディングでハンプ電極を形成するの
で、工数を少な（することができる。
（２）、バンブ電極を低コストで形成できる。
（３）、フリップチップおよびワイヤボンディングのペ
レットの共通化を実現できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例Ｇこ限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、バンブ電極の材料としては、前記以外のもの
を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図［ａ）〜Ｉｃ）は本発明によるハンプ形成方法の
実施例１における各工程を順次示す部分断面図、第２図
ｔａ＋〜（Ｃ１は本発明の方法の実施例２の各工程を順
次示す部分断面図である。 ■・・・ネイルヘ７トボングーのキャピラリ、２・　　
・半導体ペレット、３・・・ボンデイングバノド、４・
・・１・−チ、５・・・ホンティングワイヤ、５ａ・・
・ボール、６，６ａ・・・ハンプ電極、７・　・超音波
ホングーのウニ、ジ。 代理人　弁理士　　高　橋　明　夫、　　１・３゜ 第　　１　　ト （θ−ン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（
ｊ）叉 （α）　　　　　　　　　　（お） （Ｏ （Ｏ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、フリップチップボンディング用のバンプ電極の形成
    方法において、ハンプ電極をワイヤボンディングにより
    形成することを特徴とするハンプ形成方法。 ２、ハンプ電極がネイルヘッドボンディングにより形成
    されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のハ
    ンプ形成方法。 ３、ハンプ電極が超音波ボンディングにより形成される
    ごとを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバンプ形
    成方法。
JP58082633A 1983-05-13 1983-05-13 バンプ形成方法 Pending JPS59208751A (ja)

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