JPS59197036A - パタ−ン形成用材料 - Google Patents
パタ−ン形成用材料Info
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- JPS59197036A JPS59197036A JP11137482A JP11137482A JPS59197036A JP S59197036 A JPS59197036 A JP S59197036A JP 11137482 A JP11137482 A JP 11137482A JP 11137482 A JP11137482 A JP 11137482A JP S59197036 A JPS59197036 A JP S59197036A
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- fmma
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、パターン形成用材料に関するものであり、更
に詳しくはα−トリフルオロメチルアクリル酸エステル
とメタアク、リル酸アルキルまたはアルールエステルと
の共重合体からなり。
に詳しくはα−トリフルオロメチルアクリル酸エステル
とメタアク、リル酸アルキルまたはアルールエステルと
の共重合体からなり。
電子線、Ｘ線、遠紫外線等の電離放射線リソグラフィに
用いる微細加工用レジストに関するものである。
用いる微細加工用レジストに関するものである。
従来、半導体の微細加工を行なうのに、もっばらフォト
レジストが利用されてべた。この場合は、エネルギー源
として５００〜４００ ｎｍの近紫外線を用いるため、
光の回折や、干渉が災して、解像の限界が約１μｍ程度
である。現在工業的には４〜５μｍの解像度のレベルで
微細加工を行なっているが、最近Ｌ Ｓ Ｔ、の集積度
をさらに高める研究が進むにつれて、原理的に解像度を
高めることのできる電子線、Ｘ線９遠紫外線などを、エ
ネルギー源として利用する。電子線リングラフィ技術や
Ｘ線リングラフィ技術や遠紫外線リソグラフィ技術も用
いられるようＫなった。
レジストが利用されてべた。この場合は、エネルギー源
として５００〜４００ ｎｍの近紫外線を用いるため、
光の回折や、干渉が災して、解像の限界が約１μｍ程度
である。現在工業的には４〜５μｍの解像度のレベルで
微細加工を行なっているが、最近Ｌ Ｓ Ｔ、の集積度
をさらに高める研究が進むにつれて、原理的に解像度を
高めることのできる電子線、Ｘ線９遠紫外線などを、エ
ネルギー源として利用する。電子線リングラフィ技術や
Ｘ線リングラフィ技術や遠紫外線リソグラフィ技術も用
いられるようＫなった。
かかる技術に用いるポジ型レジストとしてポリメタクリ
ル酸メチル（以下ＰＭＭＡと略す。）が、一部で実用化
されている。このレジストは極めて高い解像度を有して
おり、０．１μｍ程度のバター７を解像することができ
るが、しかし。
ル酸メチル（以下ＰＭＭＡと略す。）が、一部で実用化
されている。このレジストは極めて高い解像度を有して
おり、０．１μｍ程度のバター７を解像することができ
るが、しかし。
電子線やＸ線や、遠紫外線に対する感度が低く。
パターンの形成に長時間を要する欠点を有している。た
とえば電子線に対する感度は１０〜１０−４クーロンＺ
扉であり、Ｘ線に対する感度は。
とえば電子線に対する感度は１０〜１０−４クーロンＺ
扉であり、Ｘ線に対する感度は。
６００−１００ ａｍ、Ｔ／ｉといわれている。
また、同様にメタクリル酸誘導体や共重合体についても
同一の目的で検討されたが、未だしのものであった。
同一の目的で検討されたが、未だしのものであった。
本研究者らは前記ＰＭＭＡの欠点を改良すべＦ３
〈研究を進めた結果、一般式 。Ｈ２Ｊ−Ｃ！００、（
式中のＲはアルキル基、アラルキル基、アリル基であり
、一部がハロゲンで置換されていても良い。）で表わさ
れるα−トリフルオロメチルアクリル酸エステル（以下
α−トリフルオロメチルアクリル酸エステルと略す。）
とメタクリル酸アルキルまたはアリールエステルとの共
重合体が基板との密着性が良く電子線、Ｘ線。
式中のＲはアルキル基、アラルキル基、アリル基であり
、一部がハロゲンで置換されていても良い。）で表わさ
れるα−トリフルオロメチルアクリル酸エステル（以下
α−トリフルオロメチルアクリル酸エステルと略す。）
とメタクリル酸アルキルまたはアリールエステルとの共
重合体が基板との密着性が良く電子線、Ｘ線。
遠紫外線等の電離放射線リングラフィ用ポジ型レジスト
として高感度であシ、シかも高解像度を有していること
を発見し、また、この共重合体は、ガラス転位点が高い
ため、耐熱性にも優れ、蒸着や、プラズマ等の熱を伴う
加工にも適していることも発見し本発明を完成させるに
いしたがって本発明はα−トリフルオロメチルアクリル
酸エステルとメタクリル酸アルキルまたはア１）−ルエ
ステルとの共重合体からなるノ々ターン形成用材料を提
供するものである。
として高感度であシ、シかも高解像度を有していること
を発見し、また、この共重合体は、ガラス転位点が高い
ため、耐熱性にも優れ、蒸着や、プラズマ等の熱を伴う
加工にも適していることも発見し本発明を完成させるに
いしたがって本発明はα−トリフルオロメチルアクリル
酸エステルとメタクリル酸アルキルまたはア１）−ルエ
ステルとの共重合体からなるノ々ターン形成用材料を提
供するものである。
本発明に係るα−トリフルオロメチルアクリル酸エステ
ルとメタクリル酸アルキルまたは了り−ルエステルとの
共重合体中のα−トリフルオロメチルアクリル酸エステ
ルの組成モル比は０．１〜０．５が好ましい。また、α
−トリフルオロメチルアクリル酸エステルと各種メタク
リル酸アルキルまたはアリールエステルとの多元共重合
体も前記の目的に使用できる。
ルとメタクリル酸アルキルまたは了り−ルエステルとの
共重合体中のα−トリフルオロメチルアクリル酸エステ
ルの組成モル比は０．１〜０．５が好ましい。また、α
−トリフルオロメチルアクリル酸エステルと各種メタク
リル酸アルキルまたはアリールエステルとの多元共重合
体も前記の目的に使用できる。
α−トリフルオロメチルアクリル酸エステルの具体例と
しては、α−トリフルオロメチルアクリル酸メチル、α
−トリフルオロメチルアクリル酸エチル、α−トリフル
オロメチルアクリル酸プロピル、α−トリフルオロメチ
ルアクリル酸ブチル、α−トリフルオロメチルアクリル
酸へキサフルオロブチル、α−トリフルオロメチルアク
リル酸１．１−ジメチルテトラフルオロプロピルなどが
挙げらレル。
しては、α−トリフルオロメチルアクリル酸メチル、α
−トリフルオロメチルアクリル酸エチル、α−トリフル
オロメチルアクリル酸プロピル、α−トリフルオロメチ
ルアクリル酸ブチル、α−トリフルオロメチルアクリル
酸へキサフルオロブチル、α−トリフルオロメチルアク
リル酸１．１−ジメチルテトラフルオロプロピルなどが
挙げらレル。
一方、メタクリル酸アルキルまたはアリールエステルの
具体例としてはメタクリル酸メチル。
具体例としてはメタクリル酸メチル。
メタクリル酸エチル、メタクリル酸エチル。
メタクリル酸ブチル、メタクリル酸エチルなどが挙げら
れる。
れる。
以下実施例ならびに比較例を用いて本発明をさらに詳し
く説明する。
く説明する。
実施例−１
蒸留直後のメタクリル酸メチル０．０２８ ｍｏｌと蒸
留直後のα−トリフルオロメチルアクリル酸メチル０．
０５０ ｍｏｌ及び開始剤α−α′アゾピスジインプタ
ロニトリル０．００４ ｆｒ ｆ重合用アングルに仕込
みドライアイス・メタノールで冷却し、減圧排気した後
減圧下で封じ６０℃で２４時間重合した。その後生成し
た固体ポリマーをクロロホルムに溶解させ０２μｍのミ
クロフィルターを通した後メタノール中で再沈し、この
操作を３回くシかえずことによってポリマーを精製し乾
燥することによって共重合組成比力（０，７−０，乙の
メタクリル酸メチルとα−ト１Ｊフルオロメチル了りυ
ル酸メチルとの共重合体（以下ＦＭＭＡ−ＭＭＡ共重合
体と略す）を４５７ｒ得た。
留直後のα−トリフルオロメチルアクリル酸メチル０．
０５０ ｍｏｌ及び開始剤α−α′アゾピスジインプタ
ロニトリル０．００４ ｆｒ ｆ重合用アングルに仕込
みドライアイス・メタノールで冷却し、減圧排気した後
減圧下で封じ６０℃で２４時間重合した。その後生成し
た固体ポリマーをクロロホルムに溶解させ０２μｍのミ
クロフィルターを通した後メタノール中で再沈し、この
操作を３回くシかえずことによってポリマーを精製し乾
燥することによって共重合組成比力（０，７−０，乙の
メタクリル酸メチルとα−ト１Ｊフルオロメチル了りυ
ル酸メチルとの共重合体（以下ＦＭＭＡ−ＭＭＡ共重合
体と略す）を４５７ｒ得た。
このＦＭＭＡ−Ｍ’ＭＡ共重合体の平均分子量は、妬：
７．７ Ｘ １０５． Ｉｎ ：２．３Ｘ１０５で分
子量分布は−−二３３であった。またガラス転位点はＭ
ｗ／ Ｍｎ １２７℃であった。
７．７ Ｘ １０５． Ｉｎ ：２．３Ｘ１０５で分
子量分布は−−二３３であった。またガラス転位点はＭ
ｗ／ Ｍｎ １２７℃であった。
つぎに以下のようにして、電子線に対する特性を測定し
た。
た。
５ｉｎ２付Ｓｉを基板として用い、これに前記で得たＦ
Ｍ Ｍ Ａ −Ｍ Ｍ Ａ共重合体を酢酸ノルマルブ
チルに溶解させた溶液をスピナーにより塗布し、１４０
℃で１５分間プレベークすることによって基板上ｉｃ
０．５μｍの膜を形成させた。その後走査型電子顕微鏡
を用いて加速電圧３ Ｄ ＫＶで電子線を照射した。こ
れを２０℃の現像液に２分間浸＠。
Ｍ Ｍ Ａ −Ｍ Ｍ Ａ共重合体を酢酸ノルマルブ
チルに溶解させた溶液をスピナーにより塗布し、１４０
℃で１５分間プレベークすることによって基板上ｉｃ
０．５μｍの膜を形成させた。その後走査型電子顕微鏡
を用いて加速電圧３ Ｄ ＫＶで電子線を照射した。こ
れを２０℃の現像液に２分間浸＠。
攪拌して現像し、現像後の膜厚を干渉顕微鏡を用いて測
定した。なお、現像液としてはメチルイソブルチケトン
を用いた。このメチルイソフ゛ナルケトンは未照射部の
ＦＭＭＡＷＭＭＡ 共重合体膜になんの変化も与えな
い。第１図に電子線に対する特性を示す。
定した。なお、現像液としてはメチルイソブルチケトン
を用いた。このメチルイソフ゛ナルケトンは未照射部の
ＦＭＭＡＷＭＭＡ 共重合体膜になんの変化も与えな
い。第１図に電子線に対する特性を示す。
第１図よシＦＭＭＡ−ＭＭＡ共重合体の電子線に対する
感度（膜厚が０となる照射量）が２×１゜Ｃ／ｃｄで解
像度γが３１であることがわがシ比較例−１として示し
た。ＰＭＭＡより感度が大幅に向上し、解像度も向上し
ていることがわかる。
感度（膜厚が０となる照射量）が２×１゜Ｃ／ｃｄで解
像度γが３１であることがわがシ比較例−１として示し
た。ＰＭＭＡより感度が大幅に向上し、解像度も向上し
ていることがわかる。
なお、 Ｆ Ｍ ＭＡ −Ｍ ＝ Ａ共重合体の基板に
対する接着性が良いため、現像中にＦＭＭＡ−ＭＭＡ共
重合体膜と基板との間に現像液が染み込みＦＭＭＡ−’
ＭＭＡ共重合体膜が剥離するようなことはなかった。ま
たガラス転位点が１２７°Ｃと高いので。
対する接着性が良いため、現像中にＦＭＭＡ−ＭＭＡ共
重合体膜と基板との間に現像液が染み込みＦＭＭＡ−’
ＭＭＡ共重合体膜が剥離するようなことはなかった。ま
たガラス転位点が１２７°Ｃと高いので。
耐熱性に優れ、蒸着やプラズマ等の熱を伴う加工にも適
していることがわかる。
していることがわかる。
実施例−２
実施例−１で得られたＦＭＭＡ−λ４ Ｍ Ａ共重合体
を用いてＦＭＭＡ ＭＭＡ共重合体のＸ線に対する特
性を測定した。測定方法は照射線を電子線から、波長４
．６λのＲｈＬα線にかえたこと以外実施例１と同様の
方法で行なった。結果を第２図に示す。
を用いてＦＭＭＡ ＭＭＡ共重合体のＸ線に対する特
性を測定した。測定方法は照射線を電子線から、波長４
．６λのＲｈＬα線にかえたこと以外実施例１と同様の
方法で行なった。結果を第２図に示す。
第２図よりＦ Ｍ Ｍ Ａ −Ｍ Ｍ Ａ共重合体のＸ
線に対する感度（膜厚がＯとなる照射量）がｉｏ。
線に対する感度（膜厚がＯとなる照射量）がｉｏ。
ｍ Ｊ／ｃｒＡで解像度γが７．６であることがわかり
。
。
比較例−２として示したＰ Ｍ Ｍ Ａより感度が大幅
に向上し、解像度も向上していることがわかる。
に向上し、解像度も向上していることがわかる。
比較例−１
蒸留直後のメタクリル酸メチル０．０４７ｍｏｌと溶媒
としてアセトニトリル５ ｍｅおよび開始剤α−α′ア
ゾビスジイソブチロニトリル０．００５ ？ｒを重合用
アンプルに仕込みドライアイス・メタノールで冷却し、
減圧排気した後減圧下で封じ。
としてアセトニトリル５ ｍｅおよび開始剤α−α′ア
ゾビスジイソブチロニトリル０．００５ ？ｒを重合用
アンプルに仕込みドライアイス・メタノールで冷却し、
減圧排気した後減圧下で封じ。
６０℃で１８時間重合した。その後得られたポリマー溶
液をクロロホルムで希釈し０．２μｍのミクロフィルタ
ー全通した後メタノール中で再沈シ、再びクロロホルム
に溶解させメタノール中で再沈させた。この操作をさら
に２回くりかえすことによってポリマーを精製し、乾燥
することによって４４りｒのＰＭＭＡを得た。このＰ
ＭＭＡの平均分子量は、 ｉｗ： ８．６ Ｘ １０−
５Ｍｎ： ３．７ Ｘ１０で分子量分布はＭｗ ／ ｙ
ｎ ： ２．３であった。またガラス転位点は１０５℃
であった。
液をクロロホルムで希釈し０．２μｍのミクロフィルタ
ー全通した後メタノール中で再沈シ、再びクロロホルム
に溶解させメタノール中で再沈させた。この操作をさら
に２回くりかえすことによってポリマーを精製し、乾燥
することによって４４りｒのＰＭＭＡを得た。このＰ
ＭＭＡの平均分子量は、 ｉｗ： ８．６ Ｘ １０−
５Ｍｎ： ３．７ Ｘ１０で分子量分布はＭｗ ／ ｙ
ｎ ： ２．３であった。またガラス転位点は１０５℃
であった。
つぎに実施例−１と同様の方法で電子線に対する特性を
測定した。現像液も実施例−１と同様メチルイソブチル
ケトンを用いた。このメチルイソブチルケトンは未照射
部のＰ Ｍ Ｍ Ａ膜になんの変化も与えない。測定結
果を第１図に示す。
測定した。現像液も実施例−１と同様メチルイソブチル
ケトンを用いた。このメチルイソブチルケトンは未照射
部のＰ Ｍ Ｍ Ａ膜になんの変化も与えない。測定結
果を第１図に示す。
第１図よシＰ Ｍ Ｍ Ａの電子線に対する感度（膜厚
が０となる照射量）が、２Ｘ１０ ａ／ｃｒＡで解像
度γが２．８であることがわかる。
が０となる照射量）が、２Ｘ１０ ａ／ｃｒＡで解像
度γが２．８であることがわかる。
比較例−２
比較例−１で得られたＰＭＭＡを用いてＰＭＭＡＯＸ線
に対する特性を測定した。測定方法は。
に対する特性を測定した。測定方法は。
照射線を電子線から、波長４．６父のＲｈＬα線にかえ
たこと以外比較例−１と同様の方法で行なった。結果を
第２図に示す。
たこと以外比較例−１と同様の方法で行なった。結果を
第２図に示す。
第２図よりＰＭＭＡＯＸ線に対する感度（膜厚が０とな
る照射量）が６００ ｍＪ／ｃｄｌで感度γが４．５で
あることがわかる。
る照射量）が６００ ｍＪ／ｃｄｌで感度γが４．５で
あることがわかる。
第１図のＦＭＭＡ−ＭＭＡ共重合体について例示したご
とぐ、γの値および感度は以下のようにして算出した。
とぐ、γの値および感度は以下のようにして算出した。
第１図は、 Ｆ Ｍ Ｍ Ａ −Ｍ Ｍ Ａ共重合体及
びＰＭＭ遺のそれぞれの電子線感度特性を示す図であり
。 第２図は、Ｘ線に対する感度特性を示す図である。 特許出願人 日産化学工業株式会社 手続補正書（自発） 昭和５７年 ３月 ル日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第１１１３７４号
２、発明の名称 パターン形成用材料 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区神田錦町３丁目７番地１明細
書の発明の詳細な説明及び図面 ５、補正の内容 （２）明細書の第３頁、第３行〜６行目の「また。 同様に・・・・・・・・・ ものでおった。」を削除す
る。 （３）明細書の第６頁、第８行〜９行目の「アリル」ヲ
「アリール」に補正する。 （４）明細書の第５頁、第１４行目「インブチロニトリ
ル」ヲ「インブチロニトリル」に補正する。 （５）明細書の第７頁、１行目のｒ ＦＭＭＡ−ＭＭＡ
ｊをｒ ＦＭＭＡ−ＭＭＡ Ｊに補正する。 （６） 明細書の第７頁の７行目の「とじて示した。 ｐＭＭＡよシ」ｆ、「とじて示した。 ＰＭＭＡより」
に補正する。 （７ン 明細書第９頁、１行目のｒ ＭＷ ： ８．６
Ｘ１０−’ｕｎ＝ｚ７ｘ１ｏＪを［ＭＷ： ８．６Ｘ１
０５Ｍｎ ： ３．７Ｘ１０ Ｊに補正する。 （８〕 図面の第２図を別紙の通り補正する。 手続補正語（自発） 昭和５７年 １１月 ２２日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第１１１５７４号
２、発明の名称 パターン形成用材料３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区神田錦町３丁目７番地１名称
（ｇ９Ｂ） 日産化学工業株式会社明ＭＢｔの発明
の詳細な説明の欄及び図面の簡単な説明の欄並びに図面
。 ５、補正の内容 （１）明細語の第１頁の１５行目「アルールヌ９表チル
」ヲ「アリールエステル」に補正する。 （２） 明細幅の第６頁、７行目のあとにっぎの実施
例ろおよび実施ｆ１１４を加入する。 ［実施′ｆＩｊ ３ 蒸留直後のメタクリル酸ノルマルブチル０．０２５ｍｏ
ｌと蒸留直後のα−トリフルオロメチルアクリル酸メチ
ル０．０２６ｍｏｌ及びα−α′アゾビスジ、 ÷ イソフチロトリル０．００４５ｉ’ｒ’ｉ重合用アンプ
ルに仕込みドライアイス・メタノールで冷却し減圧排気
した後、減圧下で封じ６０’Ｃで２４時間重合した。そ
の後生成した固体ポリマーを実施例１と同様の方法で精
製し乾燥することによって共重合組成比が０．７ ：
０．５のメタクリル酸ノルマルブチルとα−トリフルオ
ロメチルアクリル酸メチルとの共重合体（以下Ｆ Ｍ
Ｍ Ａ −ｎＢｕＭＡ共重合体と略す。） ｆｒ：４．
４９ｒ得た。この’ＦＭＭＡ−ｎＢｕＭＡ共重合体の平
均分子量は０Ｍｗ ： ７．５ Ｘ １０５゜Ｍｎ＝３
．５Ｘ１０５で分子量分布は晶／扁：２１であった。 つぎに現像液として、インプロピルアルコールを用いた
こと以外は実施例１と同様の方法で電子線に対する特性
を測定した。なお、現像液として用いたインプロピルア
ルコールは未照射部のＦ Ｍ、Ｍ Ａ −ｎＢｕＭＡ共
重合体膜になんの変化も与えない。第３図に電子線に対
する特性を示す。 第３図より、ＦＭＭＡ−ｎＢｕＭＡ共重合体の電子線に
対する感度（膜厚が０となる照射量）が２ｘ １ｏ−’
Ｃ／ｃ２７で解像度γが６０であることがわかる。 なお、ＦＭＭＡ−ｎＢｕＭＡ共重合体の基板に対する接
着性が良いため、現像中にＦＭＭＡ−ｎＢｕＭＡ共重合
体膜と基板との間に現像液が染み込み。 Ｆ Ｍ Ｍ Ａ −ｎＢｕＭＡ共重合体膜が剥離するよ
うなことｌ”ｊなかった。 実施例４ 蒸留直後のメタクリル酸イソブチルＯ０２５ｍｏｌと蒸
留直後のα−トリフルオロメチルアクリル酸メチル０．
０２６ ｍｏｌ及びα−α′アゾビス゛ンイソブチロニ
トリル０．００４ｆｒ’に重合用アンプルに仕込みドラ
イアイス・メタノールで冷却し、減圧排気した後、減圧
下で封じ、６０℃で２４時間重合したその後生成した固
体ポリマーを実施例１と同様の方法で精製し、乾燥する
ことによって共重合組成比が０．７ ： ０．５のメタ
クリル酸イソブチルとα−トリフルオロメチルアクリル
酸メチルとの共重合体（以下ＦＭＭＡ−ｉＢｕＭＡと略
す。） ＠ ４．３ ！ｉ’ｒ得た。このＦ Ｍ Ｍ
Ａ−ｉＢｕＭＡ共重合体の平均分子量は、 Ｍｗ ：
７．６Ｘ１０５゜扁：２．５Ｘ１０５で１分子量分布は
Ｍｗ／ｊ石＝３３であった。またガラス転位点は１０５
℃であった。 つぎに現像液としてインプロピルアルコールを用いたこ
と以りｔは実施例１と同様の方法で電子線に対する特性
を測定した。なお、現像液として用いたインプロピルア
ルコールは未照射部のＦ Ｍ Ｍ Ａ −ｉＢｕＭＡ共
重合体膜になんの変化も与えない。第４図に電子線に対
する特性を示す。 第４図よりＦＭＭＡ −ｉＢ％ＭＡ共重合体の電子線に
対する感度（膜厚がＯとなる照射量）が２．２×１０−
’、 Ｃ／ｃｒｌで解像度γが、乙０であることがわか
る。 なお、 ＦＭＭＡ−ｉＢｕＭＡ共重合体の基板に対する
接着性が良いため、現像中にＦＭＭＡ −ｉＢｕＭＡ共
重合体膜と基板との間に現像液が染み込みＦＭＭＡ−ｎ
ＢｕＭＡ共重合体膜が剥離するようなことはなかった。 」 （８１図面の簡単な説明の項の４行目の後に「′！ｉた
。第３図はＦＭＭＡ −ｎＢｕＭＡ共重合体の電子線感
度特性を示し、第４図はＦＭＭＡ−ｉＢｕＭＡ共重合体
の感度特性を示す図である。」を加入する。 ）３１′Ａ ・Ｖロ裟螺ボｌ （ｔｏ −’ｅ ／ｃ−リフｉＧ′
／′１ｒＥ ｔ）轢！！鎖（蓋 Ｃ１ｏ−ｅ、ｔ−リ手続補正書 （
Ｕ賛） 昭和５７年 ／ｊ月 ３日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １ 事件の表示 昭和５７年特許願第１１１３７４号 ２ 発明の名称 パターン形成用材料 ３ 補正をする者 ４ 補正の対象 ５ 補正の内容 ｒｉＢｕＭＡＪに補正する。 ２発明の名称 パターン形成用材料 五補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区神田錦町３丁目７番地１４、
補正命令の日付 昭和５７年９月９日 ５、補正の対象 図面 ６補正の内容 別紙の通シ
びＰＭＭ遺のそれぞれの電子線感度特性を示す図であり
。 第２図は、Ｘ線に対する感度特性を示す図である。 特許出願人 日産化学工業株式会社 手続補正書（自発） 昭和５７年 ３月 ル日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第１１１３７４号
２、発明の名称 パターン形成用材料 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区神田錦町３丁目７番地１明細
書の発明の詳細な説明及び図面 ５、補正の内容 （２）明細書の第３頁、第３行〜６行目の「また。 同様に・・・・・・・・・ ものでおった。」を削除す
る。 （３）明細書の第６頁、第８行〜９行目の「アリル」ヲ
「アリール」に補正する。 （４）明細書の第５頁、第１４行目「インブチロニトリ
ル」ヲ「インブチロニトリル」に補正する。 （５）明細書の第７頁、１行目のｒ ＦＭＭＡ−ＭＭＡ
ｊをｒ ＦＭＭＡ−ＭＭＡ Ｊに補正する。 （６） 明細書の第７頁の７行目の「とじて示した。 ｐＭＭＡよシ」ｆ、「とじて示した。 ＰＭＭＡより」
に補正する。 （７ン 明細書第９頁、１行目のｒ ＭＷ ： ８．６
Ｘ１０−’ｕｎ＝ｚ７ｘ１ｏＪを［ＭＷ： ８．６Ｘ１
０５Ｍｎ ： ３．７Ｘ１０ Ｊに補正する。 （８〕 図面の第２図を別紙の通り補正する。 手続補正語（自発） 昭和５７年 １１月 ２２日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願第１１１５７４号
２、発明の名称 パターン形成用材料３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区神田錦町３丁目７番地１名称
（ｇ９Ｂ） 日産化学工業株式会社明ＭＢｔの発明
の詳細な説明の欄及び図面の簡単な説明の欄並びに図面
。 ５、補正の内容 （１）明細語の第１頁の１５行目「アルールヌ９表チル
」ヲ「アリールエステル」に補正する。 （２） 明細幅の第６頁、７行目のあとにっぎの実施
例ろおよび実施ｆ１１４を加入する。 ［実施′ｆＩｊ ３ 蒸留直後のメタクリル酸ノルマルブチル０．０２５ｍｏ
ｌと蒸留直後のα−トリフルオロメチルアクリル酸メチ
ル０．０２６ｍｏｌ及びα−α′アゾビスジ、 ÷ イソフチロトリル０．００４５ｉ’ｒ’ｉ重合用アンプ
ルに仕込みドライアイス・メタノールで冷却し減圧排気
した後、減圧下で封じ６０’Ｃで２４時間重合した。そ
の後生成した固体ポリマーを実施例１と同様の方法で精
製し乾燥することによって共重合組成比が０．７ ：
０．５のメタクリル酸ノルマルブチルとα−トリフルオ
ロメチルアクリル酸メチルとの共重合体（以下Ｆ Ｍ
Ｍ Ａ −ｎＢｕＭＡ共重合体と略す。） ｆｒ：４．
４９ｒ得た。この’ＦＭＭＡ−ｎＢｕＭＡ共重合体の平
均分子量は０Ｍｗ ： ７．５ Ｘ １０５゜Ｍｎ＝３
．５Ｘ１０５で分子量分布は晶／扁：２１であった。 つぎに現像液として、インプロピルアルコールを用いた
こと以外は実施例１と同様の方法で電子線に対する特性
を測定した。なお、現像液として用いたインプロピルア
ルコールは未照射部のＦ Ｍ、Ｍ Ａ −ｎＢｕＭＡ共
重合体膜になんの変化も与えない。第３図に電子線に対
する特性を示す。 第３図より、ＦＭＭＡ−ｎＢｕＭＡ共重合体の電子線に
対する感度（膜厚が０となる照射量）が２ｘ １ｏ−’
Ｃ／ｃ２７で解像度γが６０であることがわかる。 なお、ＦＭＭＡ−ｎＢｕＭＡ共重合体の基板に対する接
着性が良いため、現像中にＦＭＭＡ−ｎＢｕＭＡ共重合
体膜と基板との間に現像液が染み込み。 Ｆ Ｍ Ｍ Ａ −ｎＢｕＭＡ共重合体膜が剥離するよ
うなことｌ”ｊなかった。 実施例４ 蒸留直後のメタクリル酸イソブチルＯ０２５ｍｏｌと蒸
留直後のα−トリフルオロメチルアクリル酸メチル０．
０２６ ｍｏｌ及びα−α′アゾビス゛ンイソブチロニ
トリル０．００４ｆｒ’に重合用アンプルに仕込みドラ
イアイス・メタノールで冷却し、減圧排気した後、減圧
下で封じ、６０℃で２４時間重合したその後生成した固
体ポリマーを実施例１と同様の方法で精製し、乾燥する
ことによって共重合組成比が０．７ ： ０．５のメタ
クリル酸イソブチルとα−トリフルオロメチルアクリル
酸メチルとの共重合体（以下ＦＭＭＡ−ｉＢｕＭＡと略
す。） ＠ ４．３ ！ｉ’ｒ得た。このＦ Ｍ Ｍ
Ａ−ｉＢｕＭＡ共重合体の平均分子量は、 Ｍｗ ：
７．６Ｘ１０５゜扁：２．５Ｘ１０５で１分子量分布は
Ｍｗ／ｊ石＝３３であった。またガラス転位点は１０５
℃であった。 つぎに現像液としてインプロピルアルコールを用いたこ
と以りｔは実施例１と同様の方法で電子線に対する特性
を測定した。なお、現像液として用いたインプロピルア
ルコールは未照射部のＦ Ｍ Ｍ Ａ −ｉＢｕＭＡ共
重合体膜になんの変化も与えない。第４図に電子線に対
する特性を示す。 第４図よりＦＭＭＡ −ｉＢ％ＭＡ共重合体の電子線に
対する感度（膜厚がＯとなる照射量）が２．２×１０−
’、 Ｃ／ｃｒｌで解像度γが、乙０であることがわか
る。 なお、 ＦＭＭＡ−ｉＢｕＭＡ共重合体の基板に対する
接着性が良いため、現像中にＦＭＭＡ −ｉＢｕＭＡ共
重合体膜と基板との間に現像液が染み込みＦＭＭＡ−ｎ
ＢｕＭＡ共重合体膜が剥離するようなことはなかった。 」 （８１図面の簡単な説明の項の４行目の後に「′！ｉた
。第３図はＦＭＭＡ −ｎＢｕＭＡ共重合体の電子線感
度特性を示し、第４図はＦＭＭＡ−ｉＢｕＭＡ共重合体
の感度特性を示す図である。」を加入する。 ）３１′Ａ ・Ｖロ裟螺ボｌ （ｔｏ −’ｅ ／ｃ−リフｉＧ′
／′１ｒＥ ｔ）轢！！鎖（蓋 Ｃ１ｏ−ｅ、ｔ−リ手続補正書 （
Ｕ賛） 昭和５７年 ／ｊ月 ３日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １ 事件の表示 昭和５７年特許願第１１１３７４号 ２ 発明の名称 パターン形成用材料 ３ 補正をする者 ４ 補正の対象 ５ 補正の内容 ｒｉＢｕＭＡＪに補正する。 ２発明の名称 パターン形成用材料 五補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区神田錦町３丁目７番地１４、
補正命令の日付 昭和５７年９月９日 ５、補正の対象 図面 ６補正の内容 別紙の通シ
Claims (1)
- 基、アラルキル基、アリノル基であり、一部がハロゲン
で置換されていてもよい。）で表わされるα−トリフル
オロメチルアクリル酸エステルと、メタアクリル酸アル
キルまたは了り−ルエステルとの共重合体からなるパタ
ーン形成用材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11137482A JPS59197036A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | パタ−ン形成用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11137482A JPS59197036A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | パタ−ン形成用材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59197036A true JPS59197036A (ja) | 1984-11-08 |
Family
ID=14559567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11137482A Pending JPS59197036A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | パタ−ン形成用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59197036A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60117244A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-24 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPH021860A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-08 | Toppan Printing Co Ltd | 高解像度放射線感応ポジ型レジスト |
| EP0439289A2 (en) * | 1990-01-24 | 1991-07-31 | Fujitsu Limited | Pattern-forming method and radiation resist for use when working this pattern-forming method |
| US5066751A (en) * | 1989-01-20 | 1991-11-19 | Fujitsu Limited | Resist material for energy beam lithography and method of using the same |
| EP0460941A2 (en) * | 1990-06-08 | 1991-12-11 | Fujitsu Limited | Resist composition and process for forming resist pattern thereby |
| US5153103A (en) * | 1990-03-13 | 1992-10-06 | Fujitsu Limited | Resist composition and pattern formation process |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP11137482A patent/JPS59197036A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60117244A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-24 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPH021860A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-08 | Toppan Printing Co Ltd | 高解像度放射線感応ポジ型レジスト |
| US5066751A (en) * | 1989-01-20 | 1991-11-19 | Fujitsu Limited | Resist material for energy beam lithography and method of using the same |
| US5104479A (en) * | 1989-01-20 | 1992-04-14 | Fujitsu Limited | Resist material for energy beam lithography and method of using the same |
| EP0439289A2 (en) * | 1990-01-24 | 1991-07-31 | Fujitsu Limited | Pattern-forming method and radiation resist for use when working this pattern-forming method |
| US5192643A (en) * | 1990-01-24 | 1993-03-09 | Fujitsu Limited | Pattern-forming method and radiation resist for use when working this pattern-forming method |
| US5153103A (en) * | 1990-03-13 | 1992-10-06 | Fujitsu Limited | Resist composition and pattern formation process |
| EP0460941A2 (en) * | 1990-06-08 | 1991-12-11 | Fujitsu Limited | Resist composition and process for forming resist pattern thereby |
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