JPS59195534A - バナジウム―ガドリニウム系化合物材料及びその製造法 - Google Patents
バナジウム―ガドリニウム系化合物材料及びその製造法Info
- Publication number
- JPS59195534A JPS59195534A JP58067463A JP6746383A JPS59195534A JP S59195534 A JPS59195534 A JP S59195534A JP 58067463 A JP58067463 A JP 58067463A JP 6746383 A JP6746383 A JP 6746383A JP S59195534 A JPS59195534 A JP S59195534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gadolinium
- vanadium
- compound material
- melt
- amorphous compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 61
- ADXGYIOOUFNERA-UHFFFAOYSA-N gadolinium vanadium Chemical compound [V][Gd] ADXGYIOOUFNERA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 9
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 20
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 8
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 claims description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 6
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100030551 Protein MEMO1 Human genes 0.000 description 1
- 101710176845 Protein MEMO1 Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N platinum rhodium Chemical compound [Rh].[Pt] PXXKQOPKNFECSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 102220068554 rs201088893 Human genes 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規なバナジウムーガドリニrツム系非晶貿
化合物かj g”If及びその製造法に関づる。
化合物かj g”If及びその製造法に関づる。
近年エレクトロニクス及びその四速技術のM 114に
伴って、固化バナジウム(V20s >e主とする耐化
物系セラミクス及びその単結晶の研究が活発に行なわれ
て6つ、特に光−電気、音−電気、雰囲気ガス−電気、
光音(B光、X線分光等の分野における変換素子材料と
して、又触媒材慴、5′j、注材利等として研究が行な
われている。V2O5とGd2O3との安定な[ヒ合物
としては、故て3の請晶体について2〜3の文献に記載
されているのみで、これ笠の単結晶化の31升究はさか
んに行なゆれているものの、非晶質化合物についての研
究は行なわれていない。
伴って、固化バナジウム(V20s >e主とする耐化
物系セラミクス及びその単結晶の研究が活発に行なわれ
て6つ、特に光−電気、音−電気、雰囲気ガス−電気、
光音(B光、X線分光等の分野における変換素子材料と
して、又触媒材慴、5′j、注材利等として研究が行な
われている。V2O5とGd2O3との安定な[ヒ合物
としては、故て3の請晶体について2〜3の文献に記載
されているのみで、これ笠の単結晶化の31升究はさか
んに行なゆれているものの、非晶質化合物についての研
究は行なわれていない。
本発明は、従来全く知られていないバナジウム−ガドリ
ニウム系非晶質酸化゛1力を提供するものである。即ち
、本発明は、(V20s ) +−>: ・(Gd 2
03) x (但し0.35≧X”>O)なる組成を
有するvyi現なバナジウム−ガドリニウム系非、7!
l貿化合1.;j伺オ斗、及び(V2O5)l−X(G
d203)× (@LXは上記(こ同じ)(こ相当する
固化)はシウムとn党化ガドリニウムとの混合物を加熱
浴11几だ後、超急冷することを特徴とするノはジウム
ー力ドリニウム系非晶貨ル合物材料の製造方法(こ係る
ものである。
ニウム系非晶質酸化゛1力を提供するものである。即ち
、本発明は、(V20s ) +−>: ・(Gd 2
03) x (但し0.35≧X”>O)なる組成を
有するvyi現なバナジウム−ガドリニウム系非、7!
l貿化合1.;j伺オ斗、及び(V2O5)l−X(G
d203)× (@LXは上記(こ同じ)(こ相当する
固化)はシウムとn党化ガドリニウムとの混合物を加熱
浴11几だ後、超急冷することを特徴とするノはジウム
ー力ドリニウム系非晶貨ル合物材料の製造方法(こ係る
ものである。
本発明のバプージウムーガドリニウム系非晶質m化(力
は、磁性材11、光応答性磁性素子、温度応答・1主磁
性系子、磁気メモリ材料、イオン伝導材料、−磁気テー
プ、触ダ^、光透過性8電材料、誘電体材÷4、光−電
気スイッチング素子、熱−電気スイッチング素子筈とし
て有用である。
は、磁性材11、光応答性磁性素子、温度応答・1主磁
性系子、磁気メモリ材料、イオン伝導材料、−磁気テー
プ、触ダ^、光透過性8電材料、誘電体材÷4、光−電
気スイッチング素子、熱−電気スイッチング素子筈とし
て有用である。
本R81ハ、更ニ、(V205 > t−x ・(Gd
203)× (但し0.35≧x >O)なる組成を
有するノはジウムーガドリニウム系づL晶質化合物材料
をその結晶化温度以下で加熱処理することを特徴とする
配向性多結晶薄膜材料の製造法をも提供するものである
。
203)× (但し0.35≧x >O)なる組成を
有するノはジウムーガドリニウム系づL晶質化合物材料
をその結晶化温度以下で加熱処理することを特徴とする
配向性多結晶薄膜材料の製造法をも提供するものである
。
この柊にして得られる配向性多結晶薄膜材料(ま光書込
メモリー材料、磁気書込メモ1ノー材和t、光尋波路素
子、光音響デバイス、光スィッチ、光変調素子、焦電素
子、湿度センサー、化学ヒンサー、温度センサー等どし
て有用でdうる。
メモリー材料、磁気書込メモ1ノー材和t、光尋波路素
子、光音響デバイス、光スィッチ、光変調素子、焦電素
子、湿度センサー、化学ヒンサー、温度センサー等どし
て有用でdうる。
尚、本発明においては、パバナジウムーガドリニウム系
非晶賀化合物″とは、非晶質rμ独の場合のみならず、
非晶質中に多結晶相を含む場合をも包含するものとする
。
非晶賀化合物″とは、非晶質rμ独の場合のみならず、
非晶質中に多結晶相を含む場合をも包含するものとする
。
本発明のバナジウム−ガドリニウム系非晶質順化物は、
以下の様にして製造される。
以下の様にして製造される。
本発明において使用する原料は、醇化バナジウムと酸化
ガドリニウムとの混合物であり、その朝成割合は、<G
d 203 ) x ’ (V205ン1−、:(但し
0.35≧x >Q)となる2比である。上記組成比の
原料混合物を加熱溶融し、これ37.4魚冷する。加熱
溶融は、これ等原第4混合物ノ心充分に溶融する温度以
上で行なえば良く、好ましく(ま溶融温度よりも50〜
200 ’C高い温度範囲特に好ましくは80〜150
’C高い温度で加+1ffiする。加熱時の雰囲気に対
する制限は特に無く、通常空気中で行う11次いで原料
混合物のFλ液を超急冷−υ−ろ。
ガドリニウムとの混合物であり、その朝成割合は、<G
d 203 ) x ’ (V205ン1−、:(但し
0.35≧x >Q)となる2比である。上記組成比の
原料混合物を加熱溶融し、これ37.4魚冷する。加熱
溶融は、これ等原第4混合物ノ心充分に溶融する温度以
上で行なえば良く、好ましく(ま溶融温度よりも50〜
200 ’C高い温度範囲特に好ましくは80〜150
’C高い温度で加+1ffiする。加熱時の雰囲気に対
する制限は特に無く、通常空気中で行う11次いで原料
混合物のFλ液を超急冷−υ−ろ。
、妬:′:、、冷は、本発明方法の必須の要(二Fであ
って、これによりは゛じめて非晶質新規化合物を収(η
することが出来る。超急冷は通常104〜106“”C
/秒程度の冷fA速度で行う。この超急冷は、上記冷却
速度で冷却出来る手段であれば広い範囲で各秤の手段が
採用出来、高速回転中のロール表面上に原料混合物の白
液を噴6して液体状態の原子配回にて固化ぜしめる方法
を代表例として挙げることが出来る。
って、これによりは゛じめて非晶質新規化合物を収(η
することが出来る。超急冷は通常104〜106“”C
/秒程度の冷fA速度で行う。この超急冷は、上記冷却
速度で冷却出来る手段であれば広い範囲で各秤の手段が
採用出来、高速回転中のロール表面上に原料混合物の白
液を噴6して液体状態の原子配回にて固化ぜしめる方法
を代表例として挙げることが出来る。
以下図面を参照しつつ本発明方法の実施に際し使用され
る融解原料混合物の急冷装置の一例を説明Tる。
る融解原料混合物の急冷装置の一例を説明Tる。
B31 因は、架台(1〉上に設置された急冷装置本体
(3)の正面図を示す。急冷装置りは、誘電加五)用コ
イル(5)、(5)・・・・、原料加熱用チューブ(7
)、該デユープ(7)の支持体(9)1、泊解原別口出
用のノズル(11) 、急冷用ロール(13) 、ノズ
ル(11)の冷却用ノズル(i5)、渦流防止エアノズ
ル<17)、ノズル(11)の微調整に尉(19)、エ
アシリンダー(21)、冷却された材料の受は箱(23
)、冷却材料取出口(25)等を主要梠成部としている
。
(3)の正面図を示す。急冷装置りは、誘電加五)用コ
イル(5)、(5)・・・・、原料加熱用チューブ(7
)、該デユープ(7)の支持体(9)1、泊解原別口出
用のノズル(11) 、急冷用ロール(13) 、ノズ
ル(11)の冷却用ノズル(i5)、渦流防止エアノズ
ル<17)、ノズル(11)の微調整に尉(19)、エ
アシリンダー(21)、冷却された材料の受は箱(23
)、冷却材料取出口(25)等を主要梠成部としている
。
冷却用ロール(13)の内部に該ロール冷却用のファン
を設置し且つロール表面側端部に空気吹込み口を設ける
ことにより、融解原料の2冷を安定して行なうことが出
来る。第2図は、支持体(9)の詳細を示す。第2図に
おいて、支持体(9)は、バルブ(27)を°尻えた冷
却水導入路(29)、冷却水排出路(31)、ニードル
バルブ(33)を備えたブローエア唇入路(35)、ロ
ール(13)の表面とノズル(11)との間隔諏調皐殿
椙(37)及び原料融液を均一に押出す為のび流用目皿
(39)を備えている。
を設置し且つロール表面側端部に空気吹込み口を設ける
ことにより、融解原料の2冷を安定して行なうことが出
来る。第2図は、支持体(9)の詳細を示す。第2図に
おいて、支持体(9)は、バルブ(27)を°尻えた冷
却水導入路(29)、冷却水排出路(31)、ニードル
バルブ(33)を備えたブローエア唇入路(35)、ロ
ール(13)の表面とノズル(11)との間隔諏調皐殿
椙(37)及び原料融液を均一に押出す為のび流用目皿
(39)を備えている。
第1図及び第2図に示す急冷装@(3)を使用して本発
明方法を宴席する8台、まず所定組成の原料混合物を融
液吹出し用ノズル(11)を有するチューブ(7)内に
収納する。このチューブ(7)は、高温酸化雰囲気状態
で充分耐久性のある材質で作られ、たとえば白金、白金
−ロジウム、イリジウム、窒化ケイ素、窒化ボロン等で
作られたものが好ましい。尚、原料融液と直接接触しな
い部分の材質は、高融点のセラミックス、ガラス、金、
8でも良い。ノズル口の形状は、目的製品に応じて′J
3宜に決定され、たとえば細い線状材料の場合は円い形
状で、巾の広い製品の場合はスリット状の形状のものを
使用する。ノズル口の形状は、枯円形その1mの形状で
あっても良い。チューブ(7)内に収納された原F4混
合物は、次いでそのt点以上の温度に加熱され、融液と
された後、ノズル(11)の口部から高速回転している
ロール(13)の面上に目示ガス圧にて吹出され、ロー
ル表面上で急冷ぽしめられる。ノズル口とロール面にお
ける原IEil液の吹出し角度は、目的化合物の巾が約
3mm以下の場合はロール面に対して垂直で良く、また
その巾が約31!]m以上の場合はロール面垂線に対し
て00〜45°である。これ等の吹出し角度調釜薇シi
月よ、装置自体に所定の角度を設定可能な会ホとして徂
み込むことも出来るが、好にシフはノズル自体を加工し
ておくのが良い。
明方法を宴席する8台、まず所定組成の原料混合物を融
液吹出し用ノズル(11)を有するチューブ(7)内に
収納する。このチューブ(7)は、高温酸化雰囲気状態
で充分耐久性のある材質で作られ、たとえば白金、白金
−ロジウム、イリジウム、窒化ケイ素、窒化ボロン等で
作られたものが好ましい。尚、原料融液と直接接触しな
い部分の材質は、高融点のセラミックス、ガラス、金、
8でも良い。ノズル口の形状は、目的製品に応じて′J
3宜に決定され、たとえば細い線状材料の場合は円い形
状で、巾の広い製品の場合はスリット状の形状のものを
使用する。ノズル口の形状は、枯円形その1mの形状で
あっても良い。チューブ(7)内に収納された原F4混
合物は、次いでそのt点以上の温度に加熱され、融液と
された後、ノズル(11)の口部から高速回転している
ロール(13)の面上に目示ガス圧にて吹出され、ロー
ル表面上で急冷ぽしめられる。ノズル口とロール面にお
ける原IEil液の吹出し角度は、目的化合物の巾が約
3mm以下の場合はロール面に対して垂直で良く、また
その巾が約31!]m以上の場合はロール面垂線に対し
て00〜45°である。これ等の吹出し角度調釜薇シi
月よ、装置自体に所定の角度を設定可能な会ホとして徂
み込むことも出来るが、好にシフはノズル自体を加工し
ておくのが良い。
原料混合物の加熱方法は、特に制限されないが、通常発
熱体を有する炉、誘゛電加熱炉または集光加熱炉で行う
。原料融液の温度は、その111点より50〜200℃
好ましくは80〜150℃程一度高い温度とするのが良
い。この際融点にあまり近過ぎると、融液をロール面上
に吹き出している間にノズル附近で冷却固化する恐れが
あり、逆にあまりにも高くなりすぎると、ロール面一ト
での急冷が困難となる傾向がある。
熱体を有する炉、誘゛電加熱炉または集光加熱炉で行う
。原料融液の温度は、その111点より50〜200℃
好ましくは80〜150℃程一度高い温度とするのが良
い。この際融点にあまり近過ぎると、融液をロール面上
に吹き出している間にノズル附近で冷却固化する恐れが
あり、逆にあまりにも高くなりすぎると、ロール面一ト
での急冷が困難となる傾向がある。
ロール面上に融液を吹き出すために使用する加圧用ガス
どしては、不活性ガスが好ましく、たとえばアルゴン、
X ?、ヘリウム等でも良いが、α:1液原料を酸化状
態に維持する為には、(12爪圧縮空気が好ましい。ガ
ス圧は、ノズル口の大きざにもよるが、通常0.1〜2
、0 kg/ Cm2好Jニジ<は0.5〜1 、
ObQ/cm2程度である。また原料融液を吹き出ず際
のノズル口とロール面門の距口りは、0.01〜1.Q
mm程度が良く、より好ましくは0、05〜0.5mt
n程度である。Q、Qima+よりも小さな揚台、パド
ル量が非常に少なくなり、均一な材料が得られず、一方
1.0Iilnlよりも大きい場合、パドル量が過剰に
なったり、又組成融液の界面張力により形成されるパド
ル厚さ以上の場合には、パドルが形成され難くなる傾向
が生ずる場合がある。
どしては、不活性ガスが好ましく、たとえばアルゴン、
X ?、ヘリウム等でも良いが、α:1液原料を酸化状
態に維持する為には、(12爪圧縮空気が好ましい。ガ
ス圧は、ノズル口の大きざにもよるが、通常0.1〜2
、0 kg/ Cm2好Jニジ<は0.5〜1 、
ObQ/cm2程度である。また原料融液を吹き出ず際
のノズル口とロール面門の距口りは、0.01〜1.Q
mm程度が良く、より好ましくは0、05〜0.5mt
n程度である。Q、Qima+よりも小さな揚台、パド
ル量が非常に少なくなり、均一な材料が得られず、一方
1.0Iilnlよりも大きい場合、パドル量が過剰に
なったり、又組成融液の界面張力により形成されるパド
ル厚さ以上の場合には、パドルが形成され難くなる傾向
が生ずる場合がある。
ロールの材質は、熱伝導性の良い趨及びその合金、硬質
クロムメッキ闇を有する上記材わ1、さらには幻、ステ
ンレススチール符である。ロールの周速度を5ril/
秒〜35m/秒、好ましくは10■/秒〜20riI/
秒とし、原料融液を急冷することにより目的とする良質
の非晶質化合物材料が得られる。この際ロール周速度が
5i/秒以下の場合【二は、非晶質化し難い傾向が生じ
るので、あまり好ましくない。ロール周速度が35m/
秒よりも大きくなると、得られる目的物材料の形状が非
常にご5膜化し、すべて鱗片状もしくは細粉状となるが
、材料格造的にはやはり本発明の非晶質化合物材料であ
る。
クロムメッキ闇を有する上記材わ1、さらには幻、ステ
ンレススチール符である。ロールの周速度を5ril/
秒〜35m/秒、好ましくは10■/秒〜20riI/
秒とし、原料融液を急冷することにより目的とする良質
の非晶質化合物材料が得られる。この際ロール周速度が
5i/秒以下の場合【二は、非晶質化し難い傾向が生じ
るので、あまり好ましくない。ロール周速度が35m/
秒よりも大きくなると、得られる目的物材料の形状が非
常にご5膜化し、すべて鱗片状もしくは細粉状となるが
、材料格造的にはやはり本発明の非晶質化合物材料であ
る。
融敲原斜を回転ロール面上へ吹き出す雰囲気として減圧
下乃至高真空下、又は不活性ガス雰囲気中で本発明化合
物の製造を行なう場合には、高温状態でのljK )”
+E′2波の還元が発1ニジ、組Jjb !東予中の酸
素原子の派生が起り、(qられる材料に:λ邑すしくは
黒色符の着量が発生する。しかし乍ら、この打色生成物
も物!生駒には本発明化合物で6うり、4色され/ζ状
態で使用可能である。
下乃至高真空下、又は不活性ガス雰囲気中で本発明化合
物の製造を行なう場合には、高温状態でのljK )”
+E′2波の還元が発1ニジ、組Jjb !東予中の酸
素原子の派生が起り、(qられる材料に:λ邑すしくは
黒色符の着量が発生する。しかし乍ら、この打色生成物
も物!生駒には本発明化合物で6うり、4色され/ζ状
態で使用可能である。
原料混合物をチューブ内で加熱溶52凹しめるに際して
は、該混合物をすべて完全にV! )■’!ヒすること
が必要である。しかし乍ら、該混合物が完全に融液化す
る前に、一部融浪化したものが、ノズル先端から流出し
てしまう恐れがあるため、ノズル先端を局Ml的に冷却
してヒ溜の流出を防止づることが好ましい。ノズルを局
部的に冷却する代ス的手段は、ノズル先端に冷却用ガス
を吹きつける手段であり、ガスとしてはアルゴン、l\
リウム、音素等の不活性カスでも良いが、乾肖冷圧ごd
空〉、がより好ましい。
は、該混合物をすべて完全にV! )■’!ヒすること
が必要である。しかし乍ら、該混合物が完全に融液化す
る前に、一部融浪化したものが、ノズル先端から流出し
てしまう恐れがあるため、ノズル先端を局Ml的に冷却
してヒ溜の流出を防止づることが好ましい。ノズルを局
部的に冷却する代ス的手段は、ノズル先端に冷却用ガス
を吹きつける手段であり、ガスとしてはアルゴン、l\
リウム、音素等の不活性カスでも良いが、乾肖冷圧ごd
空〉、がより好ましい。
本発明に係る新規なる非晶質化合物′vi凹(jl、l
ミ常50〜10μIrl程度の厚さであり、非心にもろ
い材に1である。このためロール面で急冷己れ、固体化
された後、できる限り材料に応力が加えらねない状−1
(こづることか好J、しい。応力付加となる原因の一つ
に大気中てのロール回転により発生するバ1切り現公か
らくる「1−ル表面空気層の大きな乱流がある。この乱
流を防止するとともに急冷却ずべぎ溶fiLI原j1′
!混合物とロール面との密着性をより良好とするために
、風切り防止用向流吹出しノズル即ち第1図に示す渦流
防止エアノズル(17)を設置するか、ロール内部にフ
ァンを固定設置する。後者の場合は、ロールの自転によ
りロール表面S; FM部に設けられた口径可変式の空
気8人口よりロール内部へ発生する乱流をづ−い込み、
ロール′コニ正面より排出し、ロール表面上空気をロー
ル内こ丁;へ9多−氾しめ、これにより溶融物をロール
面へより押しつけ密τ9ざま、さらに空気の吹込み移動
によりロール自体をも空冷することが出来る。また1じ
られる材料の寸法均一性を保持させるために、「ノール
表面に回繁方面とは直角に材料切断用の溝を設けておけ
ば、一定寸法で切断された材料が得られる。
ミ常50〜10μIrl程度の厚さであり、非心にもろ
い材に1である。このためロール面で急冷己れ、固体化
された後、できる限り材料に応力が加えらねない状−1
(こづることか好J、しい。応力付加となる原因の一つ
に大気中てのロール回転により発生するバ1切り現公か
らくる「1−ル表面空気層の大きな乱流がある。この乱
流を防止するとともに急冷却ずべぎ溶fiLI原j1′
!混合物とロール面との密着性をより良好とするために
、風切り防止用向流吹出しノズル即ち第1図に示す渦流
防止エアノズル(17)を設置するか、ロール内部にフ
ァンを固定設置する。後者の場合は、ロールの自転によ
りロール表面S; FM部に設けられた口径可変式の空
気8人口よりロール内部へ発生する乱流をづ−い込み、
ロール′コニ正面より排出し、ロール表面上空気をロー
ル内こ丁;へ9多−氾しめ、これにより溶融物をロール
面へより押しつけ密τ9ざま、さらに空気の吹込み移動
によりロール自体をも空冷することが出来る。また1じ
られる材料の寸法均一性を保持させるために、「ノール
表面に回繁方面とは直角に材料切断用の溝を設けておけ
ば、一定寸法で切断された材料が得られる。
本発明のバナジウム−ガドリニウム系化合物は、その原
石混合仕により化合物の原子配列(3造が大きく変化し
、具体的には以下の如くに大Wllされる。
石混合仕により化合物の原子配列(3造が大きく変化し
、具体的には以下の如くに大Wllされる。
先ず、0.25≧x>oの場合には非晶質化合9カ10
0%のものが得られ、0.35≧×〉0.25の範囲て
はGd2o3結晶相を含む多結晶混在非晶質化合物が得
られ、又x>0.35ではGd2O3結晶相を主体とす
る0署が得られる。
0%のものが得られ、0.35≧×〉0.25の範囲て
はGd2o3結晶相を含む多結晶混在非晶質化合物が得
られ、又x>0.35ではGd2O3結晶相を主体とす
る0署が得られる。
第3図に本発明材料の生成範囲を示ず。
使用する2冷装置の3冷用ロールの周速度が。
5111/秒〜35m/秒の範囲内では、各自成城にお
いて得られる材料の構造自体には大さな変化は認められ
ない。
いて得られる材料の構造自体には大さな変化は認められ
ない。
本発明の配向性多結晶薄膜材料は、上述の如くして得ら
れたバナジウム−ガドリニウム系非、誤質化合物材料を
熱分断に供してその結晶化温度(Tc )を求めた後、
該化合物材料を結晶1!:、温廓以下の温度で所定時間
熱処理することにより百られる。結晶化)ご、度以下の
温度であっても、熱処理時間が長過ぎる場合には、非配
向性の多結晶体となるので、留意する必要がある。
れたバナジウム−ガドリニウム系非、誤質化合物材料を
熱分断に供してその結晶化温度(Tc )を求めた後、
該化合物材料を結晶1!:、温廓以下の温度で所定時間
熱処理することにより百られる。結晶化)ご、度以下の
温度であっても、熱処理時間が長過ぎる場合には、非配
向性の多結晶体となるので、留意する必要がある。
17Jえは、(V20=、)+−X ・ (Gd203
>XにおいてX=0.17に相当するハナジウムーガド
し1ニウム系非晶質化合物材料の結晶化温度は、3アロ
’Cであり、該材料を大気中で熱処理すると、夫々の
処理条件に応じて、」ス下の如ぎ材料となる。
>XにおいてX=0.17に相当するハナジウムーガド
し1ニウム系非晶質化合物材料の結晶化温度は、3アロ
’Cであり、該材料を大気中で熱処理すると、夫々の
処理条件に応じて、」ス下の如ぎ材料となる。
1、 370℃×10分:配向性多結晶体2、 370
°CX30分:多結晶体 3、 340°CX140分:非晶質体4、 340℃
X40分:配向性多結晶体5、 340℃X60分:多
結晶体 尚、本発明材第1のぐ4造の同定に際しては、X線回折
及び砺光顧徹都により結晶性の有無の確認及び信造解祈
を行ない、走査型電子顕微鏡により極少部分の観察を行
なった。
°CX30分:多結晶体 3、 340°CX140分:非晶質体4、 340℃
X40分:配向性多結晶体5、 340℃X60分:多
結晶体 尚、本発明材第1のぐ4造の同定に際しては、X線回折
及び砺光顧徹都により結晶性の有無の確認及び信造解祈
を行ない、走査型電子顕微鏡により極少部分の観察を行
なった。
」ス下実1.ユ戊により本発明の特徴とづるところをよ
り一清明らかにする。
り一清明らかにする。
実旋渭1
V205 (純度99.9%)及びGdGd203(度
99.9%)を所定の組成で配合し、均一に一合した後
、850℃で3o分間仮焼して組成物原料とした。1η
られた租成物原利を白金チューブ(直径1011111
1×長さ150ntn+)に充填し、誘電加熱コイル内
に酸質して、発振管厳条ぬf″E13V、陽極電圧10
KV、格子電i1m 120〜150 Inへ、陽極電
流1.2〜1.8.Aの条件下に誘電加熱した。完全に
融波化した原料を急冷用回転ロール表面上に乾燥圧縮空
気により吹き出し、急冷さゼた。
99.9%)を所定の組成で配合し、均一に一合した後
、850℃で3o分間仮焼して組成物原料とした。1η
られた租成物原利を白金チューブ(直径1011111
1×長さ150ntn+)に充填し、誘電加熱コイル内
に酸質して、発振管厳条ぬf″E13V、陽極電圧10
KV、格子電i1m 120〜150 Inへ、陽極電
流1.2〜1.8.Aの条件下に誘電加熱した。完全に
融波化した原料を急冷用回転ロール表面上に乾燥圧縮空
気により吹き出し、急冷さゼた。
第1表及び第2表に組成及び製造時の諸条件を示す。第
1表及び第2表中試料N001〜20.25及び29は
、リボン状の本発明の非晶質rλ化物拐斜を示す。又、
No、24は、ロールの回転速度が大きい為、薄片とな
っているが、形状にj!す約がない触媒等の分野では使
用可能である。
1表及び第2表中試料N001〜20.25及び29は
、リボン状の本発明の非晶質rλ化物拐斜を示す。又、
No、24は、ロールの回転速度が大きい為、薄片とな
っているが、形状にj!す約がない触媒等の分野では使
用可能である。
尚、ノズル形状へとあるのは、0 、2 nutlx
45r弓1のスリット状ノズルを示し、ノズル形状日と
あるのは径Q、2imの円形ノズルを示す。
45r弓1のスリット状ノズルを示し、ノズル形状日と
あるのは径Q、2imの円形ノズルを示す。
参考例1
(v205 ) I−X ・(Gd 203 )Xにお
いてX=O425に相当する上記実施例1の試料N08
.10.12.13及び15についてのX線回折詰果を
第4図に示す。急冷用ロールの周速度が5.1゛81t
j/秒(NO,8)から34.54m/秒(No、15
)の範囲内で得られた材料の原子配列購造には、大きな
変化がないことが明らかである。
いてX=O425に相当する上記実施例1の試料N08
.10.12.13及び15についてのX線回折詰果を
第4図に示す。急冷用ロールの周速度が5.1゛81t
j/秒(NO,8)から34.54m/秒(No、15
)の範囲内で得られた材料の原子配列購造には、大きな
変化がないことが明らかである。
参岩例2
(V205 )+−x ’ (Gd 203)xにおい
てX=O,’17に相当する上記実施例1の試料No。
てX=O,’17に相当する上記実施例1の試料No。
7の示差熱分析図果を第5図に示す。
第5図において、丁Cは結晶化温度、TOはガラス弘位
点、mpは融点を夫々示す。
点、mpは融点を夫々示す。
O前例3
(V205 ) +−x ・(Gd 20s ) xに
おいてX=0.17に相当する上記実施例1の試料No
。
おいてX=0.17に相当する上記実施例1の試料No
。
7の外観を示づ゛写真を参考図面■として示す。
参考例4
上記実流例1の試料No、7の走査型電子類1え:鏡写
真(20’OO0倍及び1600倍)を夫々参考図面■
及び■とじて示す。
真(20’OO0倍及び1600倍)を夫々参考図面■
及び■とじて示す。
参考例5
(V20s ) +−x ・(Gd 203 ) xに
おいてx=0.17に相当する上記実施例1の試料NO
。
おいてx=0.17に相当する上記実施例1の試料NO
。
3の赤外線吸収スペク1ヘルを第6図として示す。
参考例6
(V20s ) 1−X ’ (Gd 203) xに
おいてX=0.125に相当する上記実施例1の試11
N0.17の15.4℃における直流電気伝台灰を第7
図に示し、又15.1℃における周波数に対する誘電率
<A)及び誘電損失(B)を第8図に示す。尚、試料の
厚さは0.0021H+とじ、両電極の面積を0.00
317cc2とした。
おいてX=0.125に相当する上記実施例1の試11
N0.17の15.4℃における直流電気伝台灰を第7
図に示し、又15.1℃における周波数に対する誘電率
<A)及び誘電損失(B)を第8図に示す。尚、試料の
厚さは0.0021H+とじ、両電極の面積を0.00
317cc2とした。
実施例2
結晶化温度が376℃である実流例1の試着No、7を
空気中340 ’Cで40分間式3処理した後、X線回
折を行なったところ、回折角(2θ)に1本の鋭い回折
ピークを示し、試料の梠造が非晶質から配向性多結晶質
に変化したことが確認された。
空気中340 ’Cで40分間式3処理した後、X線回
折を行なったところ、回折角(2θ)に1本の鋭い回折
ピークを示し、試料の梠造が非晶質から配向性多結晶質
に変化したことが確認された。
又、熱処理前後における周波数IKHzでの電気的特性
は以下の通りであった。
は以下の通りであった。
熱処理前 熱処理後
誘電率(ε) 6 75
誘電損失(tanδ) 22 0.13
第1図は、本発明方法において使用される融解原わ[の
急冷装置の一例の正面図、第2図は、第1図の急冷値冒
の一部拡大詳細図面、第3図は、本発明材料の組成範囲
を示す図面、第4図は、本発明材料の若干のX線回折図
面、第5図は、本発明による一材料の示差熱分析図、第
6図は、本発明による他の一材料の赤外線吸収スペクト
ル、第7図は、本発明による他の一材料の直流電気伝尋
度を示すグラフ、第8図は、第7図に示すと同様の材料
の周波数に対する誘電率及び誘電損失を示すグラフを夫
々示す。 (1)・・・・・・架台、(3)・・・・・・急冷装置
本体、〈5)、(5)・・・・・・誘電加熱用コイル、
(7)・・・・・・原料加熱用チューブ、(9)・・・
・・・原料加熱用チューブの支持体、(11)・・・・
・・−r’Z Ijjt斜明出川明出用ノズル3)・・
・・・・急冷用ロール、(15)・・・・・・ノズル〈
11)の冷却用ノズル、(17)・・・・・・渦流防止
エアノズル、(19)・・・・・・ノズル(11)の微
調整掠侮、(21)・・・・・・エアシリンダー、(2
3)・・・・・・冷却された′tji別の受は箱、(2
5)・・・・・・冷却材料取り出口、(27)・・・・
・・バルブ、(29)・・・・・・冷却水ラブ入路、(
31)・・・・・・冷却水排出路、(33)・・・・・
・ニードルバルブ、(35)・・・・・・ブローエアク
47人賭、(37〉・・・・・・ロール(13)とノズ
ル(11)この間隔微調Nt4N悟、(39)・・・・
・・整流用目皿。 (以 上) 代理人 弁理士 三 枝 英 二 第 11z[ 第 3j/1 貨5図 吋−閉L/#) 江傍示86番中富団地F8−148 本27−8 江傍示86番中富団地F8−148
急冷装置の一例の正面図、第2図は、第1図の急冷値冒
の一部拡大詳細図面、第3図は、本発明材料の組成範囲
を示す図面、第4図は、本発明材料の若干のX線回折図
面、第5図は、本発明による一材料の示差熱分析図、第
6図は、本発明による他の一材料の赤外線吸収スペクト
ル、第7図は、本発明による他の一材料の直流電気伝尋
度を示すグラフ、第8図は、第7図に示すと同様の材料
の周波数に対する誘電率及び誘電損失を示すグラフを夫
々示す。 (1)・・・・・・架台、(3)・・・・・・急冷装置
本体、〈5)、(5)・・・・・・誘電加熱用コイル、
(7)・・・・・・原料加熱用チューブ、(9)・・・
・・・原料加熱用チューブの支持体、(11)・・・・
・・−r’Z Ijjt斜明出川明出用ノズル3)・・
・・・・急冷用ロール、(15)・・・・・・ノズル〈
11)の冷却用ノズル、(17)・・・・・・渦流防止
エアノズル、(19)・・・・・・ノズル(11)の微
調整掠侮、(21)・・・・・・エアシリンダー、(2
3)・・・・・・冷却された′tji別の受は箱、(2
5)・・・・・・冷却材料取り出口、(27)・・・・
・・バルブ、(29)・・・・・・冷却水ラブ入路、(
31)・・・・・・冷却水排出路、(33)・・・・・
・ニードルバルブ、(35)・・・・・・ブローエアク
47人賭、(37〉・・・・・・ロール(13)とノズ
ル(11)この間隔微調Nt4N悟、(39)・・・・
・・整流用目皿。 (以 上) 代理人 弁理士 三 枝 英 二 第 11z[ 第 3j/1 貨5図 吋−閉L/#) 江傍示86番中富団地F8−148 本27−8 江傍示86番中富団地F8−148
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ (V20s ) +−x ・(Gd 20s )x
’(但し0.35≧x >Q)なる組成を有するバナ
ジウム−ガドリニウム系非晶質化合物材料。 ■ 0.25≧x’>0である特許請求の範囲第1項の
バナジウム−ガドリニウム系非晶質化合物材料。 ■ 0.35≧x >0.25である特許請求の範囲第
1項のバナジウム−ガドリニウム系非晶質化合物材料。 ■ 酸化バナジウムど酸化ガドリニウムどの混合物を加
熱溶解した後、融解物を超急冷することを特徴とする(
V205)+−x ・ (Gd 203 ) x (’fElシ0.35≧x
>O) する組成を有するバナジウム−ガドリニウム系
非晶質化合物材料の製造法。 ■ 1Q4〜108℃/秒の冷却速度で超急冷する特許
請求の範[!II第4項のバナジウム−ガドリニウム系
非晶質化合物材料の製造法。 ■ 原料融解物を固体に接触さゼることにより超急冷す
る特許請求の範囲第4項又は第5項のバナジウム−ガド
リニウム系非晶質化合物材料の製造法。 ■ スリット状、円形又は楕円形の吹出し口を設けたノ
ズルを儒えた加熱用チューブに原料混合物を投入し、該
混合物の融点よりも50〜200℃高い温度で加熱溶融
さけた後、5m/秒〜35m/秒の周速度で回転するロ
ール表面上に上記ノズルを経て該融解物を吹き出して超
急冷さする特許請求の範囲第4項乃至第6項のいずれか
に記載のバナジウム−ガドリニウム系非晶質化合物材料
の製造法。 ■ (V205 ) +−x ・(G、d 203)x
(但し0.35≧x >Q)なる組成を有するバナ
ジウム−ガドリニウム系非晶質化合物材料をその結易化
温度以下で加熱処理することを特徴とする配向性多結品
薄膜材料の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58067463A JPS59195534A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | バナジウム―ガドリニウム系化合物材料及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58067463A JPS59195534A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | バナジウム―ガドリニウム系化合物材料及びその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59195534A true JPS59195534A (ja) | 1984-11-06 |
JPH0331651B2 JPH0331651B2 (ja) | 1991-05-08 |
Family
ID=13345669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58067463A Granted JPS59195534A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | バナジウム―ガドリニウム系化合物材料及びその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59195534A (ja) |
-
1983
- 1983-04-15 JP JP58067463A patent/JPS59195534A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0331651B2 (ja) | 1991-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS59195534A (ja) | バナジウム―ガドリニウム系化合物材料及びその製造法 | |
JPH0435430B2 (ja) | ||
JPH0435403B2 (ja) | ||
JPH0476930B2 (ja) | ||
JPS59213625A (ja) | 鉄―鉛系化合物材料及びその製造法 | |
JPS5973438A (ja) | ビスマス−鉄系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
JPS60127242A (ja) | 鉄−鉛系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
JPS59203730A (ja) | 鉄−バナジウム系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
JPS59207836A (ja) | ホウ素−バリウム系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
JPH0436097B2 (ja) | ||
JPS59195536A (ja) | バナジウム−ケイ素系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
JPH0422854B2 (ja) | ||
JPS60103038A (ja) | バナジウム−リチウム系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
JPS60127244A (ja) | 鉄−ビスマス系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
JPH0435404B2 (ja) | ||
JPS60122723A (ja) | ゲルマニウム−鉛系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
JPS59190223A (ja) | バナジウム―ニオブ系化合物材料及びその製造法 | |
JPS59199512A (ja) | テルル−マグネシウム系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
JPS59203709A (ja) | テルル−コバルト系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
JPH0331652B2 (ja) | ||
JPS60118614A (ja) | テルル−バリウム系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
JPS59203712A (ja) | 鉄−テルル系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
JPS59195537A (ja) | バナジウム―マンガン系化合物材料及びその製造法 | |
JPS59199507A (ja) | テルル−鉛系非晶質化合物材料及びその製造法 | |
JPS60108305A (ja) | テルル−カリウム系非晶質化合物材料及びその製造法 |