JPS59191370A - 相補型絶縁ゲ−ト電界効果半導体装置 - Google Patents
相補型絶縁ゲ−ト電界効果半導体装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高速で高集積化の可能な相補型絶縁ゲート１．
界効果半導体装置の半導体基板内のフェル構造に関する
。ものである。
界効果半導体装置の半導体基板内のフェル構造に関する
。ものである。
ＮチャンネルおよびＰチャンネルの絶縁ゲート電界効果
（以下、ＭＯＳと呼ぶ）トランジスタによシ構成される
相補型ＭＯＳ半導体装置は従来第１図の構造を有してい
た。りまり、Ｎ型りリコン基板ｌＯ１内にＰチャンネル
ＭＯ８）う／ラスタ１０５が形成され、ＮチャンネルＭ
ＯＳ トランジスタ１０４，１０６は、それぞれ、前記
Ｎ型シリコン基板１０１内に形成されたＰ型りエル領域
（以下Ｐウェルと呼ぶ） ｌ ０２ 、 ｌＯ’３内に
形成されていた。集積度の向上とともに必要ならば各ト
ランジスタの周囲のフィールド酸化膜のシリコン基板界
面付近には、寄生ＭＯＳ効果を防ぐため、Ｎチャンネル
ＭＯＳトランジスタなら、高濃度Ｐ層領域ＬＯ７，１０
８，Ｐチャ／ネルＭＯ８）ランリスタなら高濃度Ｎ型領
域１０９，１１０が形成されていたしまたＰウェルを接
地電位、Ｎ型シリコン基板１０１を電源電位として使用
するために、それぞれのＰフェル１０２．１０３はすべ
てＰフェル内の基板表面近傍にＰ型拡散層領域ｔｔｔ、
ｔｔｚ ｔ−設けて％接地電位の金属配線層１１３，１
１４と接続することによシ接地電位に保っていた。さら
に高密度の相補型ＭＯ８半導体装置を実現するためには
、微細化、高密度化によって発生しやすぐなる相補型Ｍ
Ｏ８半導体装置特有の現象であるラッチアップ會防ぎつ
＼、かりＰウェルの接地電位への接続のだめの前記Ｐ形
波散層領域ｉｌｌ 、 １１２の占有面積を少しでも減
らさなければならない。
（以下、ＭＯＳと呼ぶ）トランジスタによシ構成される
相補型ＭＯＳ半導体装置は従来第１図の構造を有してい
た。りまり、Ｎ型りリコン基板ｌＯ１内にＰチャンネル
ＭＯ８）う／ラスタ１０５が形成され、ＮチャンネルＭ
ＯＳ トランジスタ１０４，１０６は、それぞれ、前記
Ｎ型シリコン基板１０１内に形成されたＰ型りエル領域
（以下Ｐウェルと呼ぶ） ｌ ０２ 、 ｌＯ’３内に
形成されていた。集積度の向上とともに必要ならば各ト
ランジスタの周囲のフィールド酸化膜のシリコン基板界
面付近には、寄生ＭＯＳ効果を防ぐため、Ｎチャンネル
ＭＯＳトランジスタなら、高濃度Ｐ層領域ＬＯ７，１０
８，Ｐチャ／ネルＭＯ８）ランリスタなら高濃度Ｎ型領
域１０９，１１０が形成されていたしまたＰウェルを接
地電位、Ｎ型シリコン基板１０１を電源電位として使用
するために、それぞれのＰフェル１０２．１０３はすべ
てＰフェル内の基板表面近傍にＰ型拡散層領域ｔｔｔ、
ｔｔｚ ｔ−設けて％接地電位の金属配線層１１３，１
１４と接続することによシ接地電位に保っていた。さら
に高密度の相補型ＭＯ８半導体装置を実現するためには
、微細化、高密度化によって発生しやすぐなる相補型Ｍ
Ｏ８半導体装置特有の現象であるラッチアップ會防ぎつ
＼、かりＰウェルの接地電位への接続のだめの前記Ｐ形
波散層領域ｉｌｌ 、 １１２の占有面積を少しでも減
らさなければならない。
ラッテアップを防ぐためには、Ｐつ゛エルの不純物＠度
を高くしてＰウェルの拡散層抵抗を小さくすることによ
＃）Ｐウェルの接地電位からの電位のうきを減らす方法
、あるいは、金属配線層の接地電極とＰウェルを少しで
も数多くの点で接続することなどが効果の大きいことは
従来よシ知られているが、前者は、トランジスタのチャ
ンネル部分の濃度が大きくなってしまうことによシトラ
ンリスタの高性能化に反し、また後者は、高集積化に反
している。
を高くしてＰウェルの拡散層抵抗を小さくすることによ
＃）Ｐウェルの接地電位からの電位のうきを減らす方法
、あるいは、金属配線層の接地電極とＰウェルを少しで
も数多くの点で接続することなどが効果の大きいことは
従来よシ知られているが、前者は、トランジスタのチャ
ンネル部分の濃度が大きくなってしまうことによシトラ
ンリスタの高性能化に反し、また後者は、高集積化に反
している。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、高速
で高密度かつ・ラッテアラ１の２とシにくい相補型Ｍ０
８＃−導体装置を提供するものである。
で高密度かつ・ラッテアラ１の２とシにくい相補型Ｍ０
８＃−導体装置を提供するものである。
本発明はこの目的を達成するために、−導電型半導体基
板内に逆導電型の埋込み拡散層領域と。
板内に逆導電型の埋込み拡散層領域と。
逆導電型のフェル領域とを有する相補型ＭＯ８半導体装
置に訃いて、前記埋込み拡散層領域と前記フェル領域と
が半導体基板内部において互に接触していることを特徴
とする相補型ＭＯ８半導体装置を提供するものである。
置に訃いて、前記埋込み拡散層領域と前記フェル領域と
が半導体基板内部において互に接触していることを特徴
とする相補型ＭＯ８半導体装置を提供するものである。
以下１本発Ｆ！Ａ’を実施例によシ詳しく説明する。
第２図は本発明の実施例である。本実施例ＦｉＮ型シリ
コ／基板を用いＰウェルを形成した場合である。Ｎ型シ
リコン基板２０１内に埋込みＰ型拡散層領域２０２を形
成し、前記埋込みＰ型拡散層領域２０２に接するように
Ｐウェル２０３ 、２０５を形成する。すなわちＰウェ
ル２０３とＰウェル２０５と／ｌ′ｉ、埋込みＰ型拡散
層領域２０２を介して電気的に接続されている。このた
め従来は、すべてのＰ９エルを接地電位にするために第
１因に示されるように各Ｐウェルには必らず少なくとも
１カ所のＰｆＪ拡散層領域１１１，１１２に形成し、接
地電位にある金属１ｍ極とＰウェルとを接続しなければ
ならなかったが１本実施例では、各Ｐウェルは、基板内
部にわいて埋込みＰ層領域によｐ接続されているために
、すべてのＰウェルを基板上面から、Ｐ型拡散層領域を
介して接地電位に接続する必要なく、埋込みＰ型拡散層
領域でつながっているＰウェルは任意の少なくとも１カ
所にだけＰ型拡散層領域を設けて、金属電極の接地電位
に接続すればよい。すなわちＰウェルを接地電位にとる
ためのＰ型拡散層領域の数を減らすことによシ従来よシ
も高集積化された相補型ＭＯ８半導体装置を提供するこ
とができる。また１本実施例では。
コ／基板を用いＰウェルを形成した場合である。Ｎ型シ
リコン基板２０１内に埋込みＰ型拡散層領域２０２を形
成し、前記埋込みＰ型拡散層領域２０２に接するように
Ｐウェル２０３ 、２０５を形成する。すなわちＰウェ
ル２０３とＰウェル２０５と／ｌ′ｉ、埋込みＰ型拡散
層領域２０２を介して電気的に接続されている。このた
め従来は、すべてのＰ９エルを接地電位にするために第
１因に示されるように各Ｐウェルには必らず少なくとも
１カ所のＰｆＪ拡散層領域１１１，１１２に形成し、接
地電位にある金属１ｍ極とＰウェルとを接続しなければ
ならなかったが１本実施例では、各Ｐウェルは、基板内
部にわいて埋込みＰ層領域によｐ接続されているために
、すべてのＰウェルを基板上面から、Ｐ型拡散層領域を
介して接地電位に接続する必要なく、埋込みＰ型拡散層
領域でつながっているＰウェルは任意の少なくとも１カ
所にだけＰ型拡散層領域を設けて、金属電極の接地電位
に接続すればよい。すなわちＰウェルを接地電位にとる
ためのＰ型拡散層領域の数を減らすことによシ従来よシ
も高集積化された相補型ＭＯ８半導体装置を提供するこ
とができる。また１本実施例では。
埋込みＰ型拡散層領域２０２のＰ型不純物濃度をＰウェ
ル２０３，２０５の不純物濃度よシも高いものにしてお
くことによシ、Ｐクエルの底部の不純物＃１度全自己整
合的に高くすることが可能となシ。
ル２０３，２０５の不純物濃度よシも高いものにしてお
くことによシ、Ｐクエルの底部の不純物＃１度全自己整
合的に高くすることが可能となシ。
Ｐウェル内の拡散層抵抗を下げ、ラッテアップのおこシ
にくい相補型ＭＯ８半導体装置を同時に形成することが
できる。
にくい相補型ＭＯ８半導体装置を同時に形成することが
できる。
次に、本発明の実施例の製造方法を説明する。゛第３図
（ａｔ〜（ｇ）は、第２図に示した実施例の装填工程を
示す図である。Ｎ型シリコン基板３ｏ１上にホトレジス
ト３０２ｔ−マスク材としてボロンのイオン注入を実施
することにょシ後に埋込み拡散層を形成するＰ型領域３
０３を形成する（第３図ａ）。
（ａｔ〜（ｇ）は、第２図に示した実施例の装填工程を
示す図である。Ｎ型シリコン基板３ｏ１上にホトレジス
ト３０２ｔ−マスク材としてボロンのイオン注入を実施
することにょシ後に埋込み拡散層を形成するＰ型領域３
０３を形成する（第３図ａ）。
次に、前記基板３０１表面上に基板３０１の不純物濃度
と同じ不純物濃度のＮ型エピタキシャル層３０４を成長
すると第３図ｂ）。次にホトレジストをマスク３０５と
して埋込まれた前記Ｐ層領域３０３に上面よシみて重な
るような所望の領域３０６にボロンのイオン注入を行な
い（第３図ｃ）。
と同じ不純物濃度のＮ型エピタキシャル層３０４を成長
すると第３図ｂ）。次にホトレジストをマスク３０５と
して埋込まれた前記Ｐ層領域３０３に上面よシみて重な
るような所望の領域３０６にボロンのイオン注入を行な
い（第３図ｃ）。
高温の窒素雰囲気中でイオン注入されたボロンを上面お
よびＰ型領域３０３よシ押し込むことにょシ％ （第３
図ｄ）に示されるようにＰフェル３０フｊ３０８は、底
部で前記埋込みＰ型拡散層領域３０３に接続されること
になる。埋込みＰ型拡散層領域は、少なくとも２つ以上
のＰフェル全基板内部において電気的に接続する。また
、埋込みＰ型拡散層領域でりなかっている各Ｐウェルは
そのうちの少なくとも１つが、Ｐウェル内のＰ型拡散層
領域３２５を介して接地電位にある金楓を極と接続すれ
ばよい。また、Ｐウェルによって周囲をかこまれている
ようなＮ型エビタキ７ヤル層領域３０４は、Ｐウェル３
０７ 、３０８と埋込みＰ型拡散層領域３０３とによっ
て３方を囲まれてはいるが、残シの２方向からＮ型りリ
コ／基板３０１ と接続されておシ、電気的に孤立する
ことはなく、また埋込みＰ型拡散層領域３０３が十分に
深けれは、基鈑表面に形成される活性領域であるＰチャ
ンネルＭＯ８トランジスタに対して影響？与えることは
ない。活性領域に予定される領域の周囲には、Ｐフェル
内にはＰ型窩濃度不純物領域３０９，３ＬＯを、Ｎ型エ
ピタキシャル層内には、Ｎ型高濃度不純物領域３１１，
３１２ （Ｈ，チャンネルストツノ（−として形成して
ａ＜（ｍ３図ｄ）。次に、窒化硅素Ｆｊ＊にパターニン
グすることにより選択酸化のためのマスクとして基８１
３０１ を熱酸化し、厚いフィールド酸化膜３１４を形
成する（第３図Ｃ）。
よびＰ型領域３０３よシ押し込むことにょシ％ （第３
図ｄ）に示されるようにＰフェル３０フｊ３０８は、底
部で前記埋込みＰ型拡散層領域３０３に接続されること
になる。埋込みＰ型拡散層領域は、少なくとも２つ以上
のＰフェル全基板内部において電気的に接続する。また
、埋込みＰ型拡散層領域でりなかっている各Ｐウェルは
そのうちの少なくとも１つが、Ｐウェル内のＰ型拡散層
領域３２５を介して接地電位にある金楓を極と接続すれ
ばよい。また、Ｐウェルによって周囲をかこまれている
ようなＮ型エビタキ７ヤル層領域３０４は、Ｐウェル３
０７ 、３０８と埋込みＰ型拡散層領域３０３とによっ
て３方を囲まれてはいるが、残シの２方向からＮ型りリ
コ／基板３０１ と接続されておシ、電気的に孤立する
ことはなく、また埋込みＰ型拡散層領域３０３が十分に
深けれは、基鈑表面に形成される活性領域であるＰチャ
ンネルＭＯ８トランジスタに対して影響？与えることは
ない。活性領域に予定される領域の周囲には、Ｐフェル
内にはＰ型窩濃度不純物領域３０９，３ＬＯを、Ｎ型エ
ピタキシャル層内には、Ｎ型高濃度不純物領域３１１，
３１２ （Ｈ，チャンネルストツノ（−として形成して
ａ＜（ｍ３図ｄ）。次に、窒化硅素Ｆｊ＊にパターニン
グすることにより選択酸化のためのマスクとして基８１
３０１ を熱酸化し、厚いフィールド酸化膜３１４を形
成する（第３図Ｃ）。
その後、うすいグー）［化膜３１５形成し、その上にゲ
ート電極である多結晶クリコン會被着、パターニングし
、Ｎチャンネル拡散層３１９，３２ｐ。
ート電極である多結晶クリコン會被着、パターニングし
、Ｎチャンネル拡散層３１９，３２ｐ。
３２３．３２４ ｔ−形成するため、ホトレジストをマ
スクとして砒素や燐などのＮ型不純物を高濃度にイオン
注入し、また同様にホトレジストをマスクとしｆｃＰチ
ャ／ネル拡散層領域３２１，３２２，３２５き形成する
ためにボロ７などのＰ型不純物を高濃度にイオン注入す
る（第３図ｆ）。その後１層間絶縁膜３２６を成長し、
金属電極との接続をするためのコンタクト孔３２７を開
孔し、金属電極としてアルミニウムなどを被着後パター
ニングすることによシ、第２図に示された新規な構造倉
吉する相補型ＭＯ８半導体装置を製造することができる
Ｏ 上記実施例は、Ｎ型半導体基板を用いたＰウェル方式の
相補型ＭＯ８半導体装置の例であるが。
スクとして砒素や燐などのＮ型不純物を高濃度にイオン
注入し、また同様にホトレジストをマスクとしｆｃＰチ
ャ／ネル拡散層領域３２１，３２２，３２５き形成する
ためにボロ７などのＰ型不純物を高濃度にイオン注入す
る（第３図ｆ）。その後１層間絶縁膜３２６を成長し、
金属電極との接続をするためのコンタクト孔３２７を開
孔し、金属電極としてアルミニウムなどを被着後パター
ニングすることによシ、第２図に示された新規な構造倉
吉する相補型ＭＯ８半導体装置を製造することができる
Ｏ 上記実施例は、Ｎ型半導体基板を用いたＰウェル方式の
相補型ＭＯ８半導体装置の例であるが。
Ｐ型半導体基板を用いたＮウェル方式の相補型ＭＯ１９
半導体装置においても同様に実施することができるのは
あきらかである〇 また、上記実施例では、Ｎ型半導体基板−上に半導体基
板と同一の不純物濃ＨｏＮ型エビタ午ンヤル層を成長し
たが、このＮ型エピタキシャル層の不純物！１度は、こ
のエピタキシャル層内に形成される、ＰチャンネルＭＯ
８トランジスタを最適化させるような不純物濃度を適当
にえらんでもよく。
半導体装置においても同様に実施することができるのは
あきらかである〇 また、上記実施例では、Ｎ型半導体基板−上に半導体基
板と同一の不純物濃ＨｏＮ型エビタ午ンヤル層を成長し
たが、このＮ型エピタキシャル層の不純物！１度は、こ
のエピタキシャル層内に形成される、ＰチャンネルＭＯ
８トランジスタを最適化させるような不純物濃度を適当
にえらんでもよく。
とくにＮ型半導体基板の不純物濃度と一致させる必賛は
ない。
ない。
以上１本発明によれば相補型ＭＯ８半導体装置のＭＯＳ
）ランリスタのソース、ドレイン、チャンネル近傍で
の半導体基板およびウェルの不純物須度會必要以上に高
めてトランジスタの寄生容量を大きくするなどによシ性
能を低下させることなく、相補型ＭＯ１９半導体装置特
有のラッチアップ現象がおこシに〈〈かり、ウェルの電
位を基板上面よシ金楓電極を介してとるための所賛面積
を減らすことができるため一高性能、高密雇、かつ信頼
性の高い相補型ＭＯ８半導体装置ｆ：容易に実現するこ
とができる。
）ランリスタのソース、ドレイン、チャンネル近傍で
の半導体基板およびウェルの不純物須度會必要以上に高
めてトランジスタの寄生容量を大きくするなどによシ性
能を低下させることなく、相補型ＭＯ１９半導体装置特
有のラッチアップ現象がおこシに〈〈かり、ウェルの電
位を基板上面よシ金楓電極を介してとるための所賛面積
を減らすことができるため一高性能、高密雇、かつ信頼
性の高い相補型ＭＯ８半導体装置ｆ：容易に実現するこ
とができる。
第１図は従来の相補型ＭＯ８半導体装置の断面図、ｔｌ
ｃ２図は本発明による新規な相補ｗＭＯ１９半導体装置
の実施例の断面図、第３図（ａｌ〜（ｇ）は本発明の実
施例による相補型ＭＯ８半導体装置の製造方法を段階を
追って示した断面図である。 なお図において １０１・・・・・・Ｎ型シリコ／基板、１０２，１０３
・・・・・・Ｐウェル、１０４，１０６・・・・・・Ｎ
チャンネルＭＯ８）う／ジスタ、」０５・・・・・・Ｐ
チャ／ネルＭＯ８）う／リスタ、１０７，１０８・・・
・・・Ｎチャンネル側のチャンネルストッパー、１０９
，１１０・・・・・・Ｐチャンネル側（Ｄチャ／ネルス
トツバ＋、ｉｌｌ・・・・・・Ｐウェル１０２を接地電
位の金属電極ｔｔａ と接続させるためのＰ型拡散層領
域、１１２・・・・・・Ｐウェル１０３ を接地電位の
金属電極１１４と接続させるためのＰ型拡散層領域、１
１３，１１４・・・・・・接地電位の金属電極、１１５
・・・・・・層間の酸化膜、１１６・・・・・・金属電
極、２０１・・・・・・Ｎ型シリコン基板、２０２・・
・・・・埋込みＰ型拡散層領域、２０３，２０５・・・
・・・Ｐウェル、２０４・・・・・・Ｎ型エビタキ７ヤ
ル層、２０６，２０８・・・・・・Ｎチャ／ネル間０８
トランジスタ、２０７・・・・・・ＰテヤンネルＭＯ８
）ランリスタ、２０９，２１０．２′１３・・・・・・
Ｎチャンネル側のチャ／ネルストッパー、２１１゜２１
２・・・・・・Ｐチャ／ネル側のチャンネルストッパ＋
、２１５・・・・・・フィールド酸化膜、２１６・・・
・・・層間酸化膜、２１７・・・・・・金属電極、２１
９，２２０・・・・・・接地電位の金属電極、３０１・
・・・・・Ｎ型シリコ／基板、３０２・・・・・・ホト
レジスト、３０３・・・・・・埋込みＰ散拡散層領域、
３０４・・・・・・Ｎ型エピタキシャル１６，３０５・
・・・・・ホトレジスト、３０６・・・・・・ホロンイ
オン注入領域、３０７，３０８・・・・・・Ｐウェル、
３０９，３１０゜３１３・・・・・・Ｎチャンネル側の
チャンネルストッパ＋、 ３１１，３１２・・・・・
・Ｐチャンネル側のチャンネルストッパー、３１４・・
・・・・フィールド酸化膜、３１５・・・・・・うすい
ゲート酸化膜、３１６，３１７，３１８・・・・・・多
結晶シリコンゲート、３１９，３２０，３２３，３２４
・・・・・・へ型拡散＋＠、３２１，３２２・・・・・
・Ｐ型拡散１−２３２５・・・・・・Ｐウェル３０７，
３０８と埋込みＰ型拡散層領域３０３を接地電位にとる
ためのＰ型拡散層華３図、（の）３′ｌ 第３図（ｅ）
ｃ２図は本発明による新規な相補ｗＭＯ１９半導体装置
の実施例の断面図、第３図（ａｌ〜（ｇ）は本発明の実
施例による相補型ＭＯ８半導体装置の製造方法を段階を
追って示した断面図である。 なお図において １０１・・・・・・Ｎ型シリコ／基板、１０２，１０３
・・・・・・Ｐウェル、１０４，１０６・・・・・・Ｎ
チャンネルＭＯ８）う／ジスタ、」０５・・・・・・Ｐ
チャ／ネルＭＯ８）う／リスタ、１０７，１０８・・・
・・・Ｎチャンネル側のチャンネルストッパー、１０９
，１１０・・・・・・Ｐチャンネル側（Ｄチャ／ネルス
トツバ＋、ｉｌｌ・・・・・・Ｐウェル１０２を接地電
位の金属電極ｔｔａ と接続させるためのＰ型拡散層領
域、１１２・・・・・・Ｐウェル１０３ を接地電位の
金属電極１１４と接続させるためのＰ型拡散層領域、１
１３，１１４・・・・・・接地電位の金属電極、１１５
・・・・・・層間の酸化膜、１１６・・・・・・金属電
極、２０１・・・・・・Ｎ型シリコン基板、２０２・・
・・・・埋込みＰ型拡散層領域、２０３，２０５・・・
・・・Ｐウェル、２０４・・・・・・Ｎ型エビタキ７ヤ
ル層、２０６，２０８・・・・・・Ｎチャ／ネル間０８
トランジスタ、２０７・・・・・・ＰテヤンネルＭＯ８
）ランリスタ、２０９，２１０．２′１３・・・・・・
Ｎチャンネル側のチャ／ネルストッパー、２１１゜２１
２・・・・・・Ｐチャ／ネル側のチャンネルストッパ＋
、２１５・・・・・・フィールド酸化膜、２１６・・・
・・・層間酸化膜、２１７・・・・・・金属電極、２１
９，２２０・・・・・・接地電位の金属電極、３０１・
・・・・・Ｎ型シリコ／基板、３０２・・・・・・ホト
レジスト、３０３・・・・・・埋込みＰ散拡散層領域、
３０４・・・・・・Ｎ型エピタキシャル１６，３０５・
・・・・・ホトレジスト、３０６・・・・・・ホロンイ
オン注入領域、３０７，３０８・・・・・・Ｐウェル、
３０９，３１０゜３１３・・・・・・Ｎチャンネル側の
チャンネルストッパ＋、 ３１１，３１２・・・・・
・Ｐチャンネル側のチャンネルストッパー、３１４・・
・・・・フィールド酸化膜、３１５・・・・・・うすい
ゲート酸化膜、３１６，３１７，３１８・・・・・・多
結晶シリコンゲート、３１９，３２０，３２３，３２４
・・・・・・へ型拡散＋＠、３２１，３２２・・・・・
・Ｐ型拡散１−２３２５・・・・・・Ｐウェル３０７，
３０８と埋込みＰ型拡散層領域３０３を接地電位にとる
ためのＰ型拡散層華３図、（の）３′ｌ 第３図（ｅ）
Claims (1)
- （１） −導ｗｍ半導体基板内に逆導電型の埋込み拡
酸層領域と、逆導電型のウェル領域とを有する相補型絶
縁ゲート電界効果半導体装置において、前記埋込み拡散
ｊ一層領域前記ウェル領域とが半導体基板内部において
互に接触していることを特徴とする相補型絶縁ゲート電
界効果半導体装置。 （２１前記埋込み拡散領域の不純物濃度が前記ウェル領
域の不純物濃度よりも大きいことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の相補型絶縁ゲート電界効果半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58065817A JPS59191370A (ja) | 1983-04-14 | 1983-04-14 | 相補型絶縁ゲ−ト電界効果半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58065817A JPS59191370A (ja) | 1983-04-14 | 1983-04-14 | 相補型絶縁ゲ−ト電界効果半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59191370A true JPS59191370A (ja) | 1984-10-30 |
Family
ID=13297952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58065817A Pending JPS59191370A (ja) | 1983-04-14 | 1983-04-14 | 相補型絶縁ゲ−ト電界効果半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59191370A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5406104A (en) * | 1990-11-29 | 1995-04-11 | Nissan Motor Co., Ltd. | MOSFET circuit with separate and common electrodes |
| US5906116A (en) * | 1997-06-30 | 1999-05-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Clothes washing machine having a pulsator with a water-spurting duct |
-
1983
- 1983-04-14 JP JP58065817A patent/JPS59191370A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5406104A (en) * | 1990-11-29 | 1995-04-11 | Nissan Motor Co., Ltd. | MOSFET circuit with separate and common electrodes |
| US5906116A (en) * | 1997-06-30 | 1999-05-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Clothes washing machine having a pulsator with a water-spurting duct |
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